JPH0695221A

JPH0695221A - 電子閃光装置

Info

Publication number: JPH0695221A
Application number: JP4240467A
Authority: JP
Inventors: Takatoshi Ashizawa; 隆利芦沢
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1992-09-09
Filing date: 1992-09-09
Publication date: 1994-04-08

Abstract

(57)【要約】【目的】光源と被写界との間に通過制御板が設けら
れ、その通過制御板が透過率を制御可能な複数の制御部
から構成された電子閃光装置に於いて、被写界の照明ム
ラを抑えることを目的としている。【構成】通過制御板を複数の主制御部と少なくとも１
つの副制御部とか構成し、副制御部の光通過量が副制御
部に隣接する主制御部の光通過量の最大値と最小値との
間になるように構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カメラの電子閃光装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本出願人による特願平３─２９０７６７
では、写真撮影時に被写界の照度が足りず、第１３図の
ように被写界中の複数の被写体の距離が一定でない場合
でも、各被写体を適切な光量で照射する為に、被写界の
複数領域に分割して測光し、被写界の複数領域に照射さ
れる光量を夫々独立に制御していた。具体的には、電子
閃光装置に通過制御手段を設け、閃光管から被写界への
光路に交差する領域を分割し、分割された複数領域の光
の通過を制御する複数の通過制御部を通過制御手段が有
するように構成した。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の電子閃
光装置では、通過制御手段によって分割された領域の光
量の差の程度ににより、被写界に照射される光の分布に
大きなムラが生じてしまうという問題があった。本発明
は、被写界中の距離が一定でない複数の被写体に対して
適切な光量で照射可能であり、被写界上に照射光の分布
のムラが生じないようなにした電子閃光装置を提供する
ことを目的とする。

【０００４】

【課題を解決する為の手段】発光管を被写界に向けて閃
光発光させる電子閃光装置において、透過率を変えて光
の通過制御を行う複数の主制御部と少なくとも１つの副
制御部とを有する通過制御手段を備え、複数の前記主制
御部及び少なくとも１つの前記副制御部が前記発光管の
被写界側に配置され、前記副制御部が少なくとも２つの
前記主制御部に隣接し、前記副制御部の光の通過量が前
記隣接する主制御部の光通過量の最大値と最小値との間
になるように構成している。

【０００５】

【作用】本発明では、複数の主制御部に隣接する副制御
部の通過光量が主制御部の通過光量の最大値と最小値と
の間になるので、被写界に於ける閃光の分布に大きなム
ラが生じることはない。

【０００６】

【実施例】図１は本発明の概略を示したブロック図であ
り、カメラからの閃光発光指令により発光管４１に発光
を指示する発光部駆動手段４と、発光管４１の前面に設
けられた通過制御板１１を有する通過制御手段１と、被
写界の複数領域を測光する測光手段３と、通過制御板１
１の主制御部と副制御部の駆動を指示する制御部演算手
段２と、電源５とから構成されている。

【０００７】この様な構成によると、カメラからの閃光
発光指令により発光駆動手段４は発光管に発光を指示す
る様に駆動し、それにより発光管から閃光が発せられ
る。閃光発光の被写界による反射光を図３で示すような
複数のシリコンフォトダイオード（Ｓ．Ｐ．Ｄ）で測光
手段３が測光する。測光手段３は、大小の２つの所定の
露光量に達したときに信号を出力する様にされている。

【０００８】信号の出力方法は、本出願人による特公５
９−６４６７に開示された様な、Ｓ．Ｐ．Ｄにより発せ
られた電荷をコンデンサーに蓄え、コンデンサーの電圧
がある基準電圧に達したときに正電圧を発するようにす
ればよい。第１の露光量に達した時には制御部演算手段
２に演算指令信号を送り、第１の露光量より大きい第２
の露光量に達した時には制御部演算手段２に副制御駆動
指令信号と通過制御手段１に主制御駆動指令信号とを送
る。制御部演算手段２は、測光手段３からの演算指令信
号により、副制御部の通過光量が隣接する２つの主制御
部の通過光量の間になる様に副制御部を駆動するタイミ
ングを演算し、副制御部駆動指令信号により演算結果に
応じて通過制御手段１に駆動の信号を発する。

【０００９】通過制御手段１は、測光手段３から主制御
部駆動指令信号が伝達された場合には通過制御板１１の
主制御部を通過する閃光を制御し、制御部演算手段２か
ら副制御部駆動指令が伝達された場合には通過制御板１
１の副制御部を通過する閃光を制御する。測光手段３は
被写界を分割して測光する複数の測光素子を有し、通過
制御板１１も測光手段３により測光される方向と同方向
への閃光の通過を制御する複数の主制御部が測光素子と
同数あり、主制御部との間に位置する副制御部も複数設
けられている。

【００１０】通過制御板１１の構成を図２に示した。９
個の主制御部Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉの各
間に計１２個の副制御部ａｂ、ｂｅ、ｂｃ、ａｄ、ｃ
ｆ、ｄｅ、ｅｆ、ｄｇ、ｇｈ、ｅｈ、ｈｉ、ｆｉが設け
られており、副制御部は近接する主制御部での第１の測
光の結果により動作する様になっている。本実施例で
は、上記の様な分割個数、分割方法を採ったが、主制御
部が２個以上で、副制御部が１個以上ならば少なくとも
本発明の目的とする効果は生じる。

【００１１】本発明の電子閃光装置の概略を図３に示し
た。閃光は発光管４１より発せられ、反射鏡４２と通過
制御板とフレネルレンズ４３とを介して外部に拡散され
る。通過制御板１１は、電子閃光装置外への閃光通過の
制御を行ない、ＰＬＺＴや液晶やＥＣＤ等を通過制御素
子としている。ＰＬＺＴや液晶やＥＣＤ素子は電圧を印
加すると通過する光の透過率を変えることができ、通過
制御素子として用いることができる。測光手段３は被写
界を９個の領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉに
分割して測光する。

【００１２】なお、本発明では測光手段は電子閃光装置
に設けたが、電子閃光装置外の測光手段を使用しても通
過制御板を制御できる様に構成されているのならば同様
に作用して、同様な効果がある。また、電子閃光装置付
カメラにも同様な構成であるならば、同様に作用し同様
な効果が生じる。図４は本発明の制御部演算手段２の概
略図であり、本実施例では第１と第２の測光結果を基に
して、通過制御手段の主制御部Ａ、Ｂと主制御部の通過
閃光量の差を副制御部ａｂに通過制御指令を出す構成を
説明する。

【００１３】まず第１の測光を行い、第１露光量に達し
たら正電圧が制御部演算手段２に入力される。測光領域
Ａが第１露光量に達したらに正電圧が、測光領域Ｂが
第１露光量に達したらに正電圧が入力される。ＡＮＤ
２１３回路の出力は図４に示した様にＯＲ回路２１１と
ＮＡＮＤ２１２回路とにより、への正電圧入力から
の正電圧入力まで、またはの正電圧入力からの正電
圧入力までの間の時間だけ正電圧が生じるようになる。
ＡＮＤ回路２１４がからクロックパルスを入力するの
で、２つの測光領域ＡとＢとの第１露光量に達する時間
差をパルス数としてカウンタ回路２３１が計って記憶す
る。

【００１４】次に第２の測光が行われ、第１露出量より
大きい第２露光量に達したら正電圧が制御部演算手段と
通過制御手段に入力されるようにする。測光領域Ａが第
２露光量に達したらの端子に正電圧が印加され、主制
御部Ａへつながるの端子とＯＲ回路２２１に正電圧が
入力され、測光領域Ｂが第２露光量に達したら、の端
子に正電圧が印加され、主制御部Ｂへつながるの端子
とＯＲ回路２２１に正電圧が入力される。への正電圧
の入力により主制御部Ａの透過率をほぼ零に下げる通過
制御がなされ、への正電圧の入力により主制御部Ｂの
透過率をほぼ零に下げる通過制御がなされる。また、Ｏ
Ｒ回路２２１の出力とのクロックパルスとをＡＮＤ回
路２２２が入力し、パルス数をカウンタ回路２３２に入
力する。このカウンタ回路２３２で数えているパルス数
がカウンタ２３１に記憶されている数に達したら比較回
路２４１より正電圧が発せられ、この正電圧が副制御部
ａｂの透過率をほぼ零に下げる通過制御の信号となる。

【００１５】また、被写体が非常に遠い位置にあって、
測光領域ＡまたはＢが第１の露光量に達しない場合があ
るので、所定の値がメモリ２３３記憶されており、カウ
ンタ２３２がメモリ２３３の値に達したら比較回路２４
２より正電圧が発せられる様にもしておく。以上のよう
に、比較回路２４１と該比較回路２４２からの出力がＯ
Ｒ回路２４３に入力され、カウンタ２３２の値がカウン
タ２３１またはメモリ２３３の値に達したときに、か
ら副制御部ａｂへ正電圧が出力され、副制御部ａｂの透
過率がほぼ零に下げられる。

【００１６】２つの異なる領域がある露光量に達するま
での時間差は、露光量が大きくなる程大きくなるため
に、第１の測光によるとへの入力の時間差は、第２
の測光によるとへの入力時間の差より小さい。従っ
て、上記構成によれば、通過制御板１１のａｂ領域の駆
動開始時刻は、Ａ領域の駆動開始時刻とＢ領域の駆動開
始時刻との間にすることができる。

【００１７】本実施例の制御部演算手段は一例であり、
通過制御板の領域Ａが駆動開始する時間とＢの駆動が駆
動開始する時間の間に領域ａｂが駆動できる様に演算で
きれば他の方法でもよい。図５は、測光領域Ａの方が測
光領域Ｂよりも反射光が多い、即ち、測光領域Ａに対応
する被写界領域に近距離の被写体がある場合の時間と通
過閃光量の関係について示す。第１測光による測光領域
Ａ、Ｂの第１の露光量に達する時刻をＡ１、Ｂ１とし、
第２の測光による通過制御板１１の主制御部Ａ、Ｂの駆
動開始時刻をＡ２、Ｂ２とし、第１の測光結果から演算
された通過制御板１１の副制御部ａｂの駆動開始時刻を
ａｂと示した。

【００１８】本実施例では、とから入力されるクロ
ックパルスを同じにしたために、Ａ１〜Ｂ１時間とＡ２
〜ａｂ時間とが同じになる。しかし２つのクロックパル
スの速さを変れば、Ａ１〜Ｂ１時間とＡ２〜ａｂ時間と
を変えることができ、好適な調整が可能となる。図６は
本発明の通過制御手段の概略図である。通過制御素子の
駆動は、図４の制御部演算手段のへ出力された正電圧
により通過制御手段内に備えられたサイリスタ１３ａｂ
をＯＮすることにより行われる。サイリスタをＯＮされ
た瞬間に、電源電圧５が通過制御板駆動手段にかかり、
通過制御板駆動手段１２ａｂは通過制御板１１ａｂの通
過制御素子が好適に駆動できる様に電源電圧を変換す
る。例えば、通過制御素子がＰＬＺＴの場合、電源電圧
を入射する光の光学的位相差をπだけ変える半波長電圧
に昇圧したり、液晶の場合、直流電圧を交流電圧にした
り、ＥＣＤ素子の場合、ＥＣＤ層が着色できる電圧にし
たりする。ここでは、ａｂ領域について示したが、Ａ、
Ｂ領域を含め他の領域も同じ構成で同じ作用を成す。

【００１９】この様な方法で、早い時刻に電圧が印加さ
れれば閃光の通過量が減り、電圧が印加される時間が遅
ければそれだけ閃光の通過量が多くなる。図５を例とす
ると、反射光の多いＡ領域の方がＢ領域よりも早く電圧
が印加され、また調整制御するａｂ領域はＡ領域とＢ領
域の間で電圧が印加される様になる。そのために、閃光
の通過量はＢ領域＞ａｂ領域＞Ａ領域となる。

【００２０】図７に本実施例のＰＬＺＴ（ＰｂＬａ（Ｚ
ｒＴｉ）Ｏ₃）による通過制御の原理を示す。ＰＬＺＴ
には、電圧を印加すると屈折率が変化し、入射光１１４
１の光学的位相差が変化するために出力光１１４４が偏
光するといった性質がある。従って、偏光板１１１１と
検光板１１１５との偏光軸１１４２を一致させておき、
偏光板で直線偏光にしたＰＬＺＴ入射光を、電圧印加す
ることにより光学的位相差をπだけ変えるようにする
と、ＰＬＺＴからの出力光は入射光とは垂直な方向の直
線偏光となり、検光板で通過制御することが可能とな
る。逆に電圧を印可しない場合には、出力光の光学的位
相差は変化しないために検光板を透過する。本実施例で
は測光部領域の露光量がある量に達した時に電圧が印加
される様にした。本実施例ではＰＬＺＴを用いたが、そ
の他のＫＨ₂ＰＯ₄、ＮＨ₄Ｈ₂ＰＯ ₄、Ｂｉ₁₂ＳｉＯ
₂₀等も同様な構成で同様な作用を成し、同様な効果が生
じる。また、本図では印加電圧を光の進行方向と平行に
印可する場合を示したが、光と垂直方向に印可する場合
もある。この場合、偏光板と通過制御素子と検光板の間
の透明電極は不要となる。この様な構成で使用されるバ
ルク型電気光学変調素子には、ニオブ酸リチウム（Ｌｉ
ＮｂＯ₃）、ＬｉＴａＯ₃、Ｂａ₂ＮａＮｂ₅Ｏ ₁₅、Ｓ
ｒｘＢａ₁−ｘＮｂ₂Ｏ₆、ＰｂＯ・ｘＮｂＯ₃、等
（ｘは任意数）がある。

【００２１】図８にはねじれネマティック型液晶を使用
した場合の通過制御原理を示す。ねじれネマティック型
液晶は、偏光面を回転させる性質がある。従って図８に
示した様に偏光板１１２１と検光板１１２５との偏光軸
１１４２を９０°旋回させて配置させ、ネマティック液
晶を９０°ねじって作成すると、電圧を印加しない時に
は偏光板の通過による直線偏光である入射光は、旋光し
て入射光とは垂直な方向の直線偏光として出力する。そ
のために、検光板を通過することが可能となる。しかし
電圧を印加すると、液晶は電界により偏光板や検光板と
垂直な方向に配向するために、旋光することができずに
検光板を通過できない。本実施例ではねじれネマティッ
ク型を示したが、ゲストホスト型の様な他の型の液晶で
も電圧のＯＮ、ＯＦＦにより光を通過制御できれば、同
様に作用される。

【００２２】図９にはＥＣＤを使用した場合の通過制御
板の断面図を示す。ＥＣＤは実開平２−１３８７１９に
開示されている様に電圧を印加すると着色する性質があ
り、この性質を光制御に利用した。各通過制御板の領域
の断面は、発光部方向から透明電極１１３１、ＥＣ層１
１３２、固体電解質層１１３３、１１３４、透明電極１
１３５と並んでいる。この様な構成で透明電極間に電圧
を印加させた場合、透明電極間では酸化還元反応により
着色し、これにより光を通過制御できる。本実施例では
ＥＣ層にＷＯ₃を、固体電解質層にＴａ₂Ｏ₅とＩｒ₂
Ｏ₃／ＳｎＯ₂を用い、入射光側からＷＯ₃層、Ｔａ₂
Ｏ₅層、Ｉｒ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂層と配列してある。固体
電解質層は上記以外にもＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃等が使用
できる。

【００２３】図１０は測光手段３の一部を示したブロッ
ク図である。光電変換回路３０は複数の測光領域Ａ〜Ｉ
の１つの領域に対応する被写界からの光強度に応じた信
号を出力し、コンデンサー３４に光電変換回路３０の出
力に応じた電荷が蓄積される。第１比較回路３２はコン
デンサー３４の電圧と基準電圧Ｅ１とを比較し、コンデ
ンサー３４の電圧が基準電圧Ｅ１を越えた時に正電圧を
出力する。第２比較回路３２はコンデンサー３４の電圧
と基準電圧Ｅ２とを比較し、第１比較回路３２と同様な
動作をするが、基準電圧Ｅ２の方が基準電圧Ｅ１より大
きく設定されている。

【００２４】図１１は、本発明の通過制御板の変形例を
示す図である。上記実施例では、近接する主制御部の動
作に応じてその間の副制御部が動作するようにしたが、
図１１の変形例では通過制御板１１の中心にある副制御
部ａｂｃｄが主制御部Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに隣接していない
が、主制御部の動作に応じて動作させる様にした。副制
御部ａｂｃｄは、４つの主制御部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで制御
される露光量の差を低減するために、図４に示して説明
した副制御部ａｂ，ａｃ，ｃｄ，ｂｄを制御する制御部
演算手段とは別の制御部演算手段により制御されるなく
てはならない。その１つの方式として、副制御部ａｂｃ
ｄで制御される露光量を４つの主制御部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
により制御される露光量の最大値と最小値の間にする様
にすれば全体的に好適となる。

【００２５】その方法を図１２に示した副制御部ａｂｃ
ｄ専用の制御部演算手段を用いて説明する。まず第１の
測光を行い、第１露光量に達すると正電圧が制御部演算
手段に入力されるようにする。測光領域Ａがある露光量
に達したらに正電圧が、測光領域Ｂがある露光量に達
したらに正電圧が、測光領域Ｃがある露光量に達した
らに正電圧が、測光領域Ｄがある露光量に達したら
に正電圧が入力される。ＡＮＤ回路２１３の出力はＯＲ
回路２１１とＮＡＮＤ回路２１２とにより、〜の中
の最小の入力から最後の入力までの時間だけ正電圧が生
じるようになる。ＡＮＤ回路２１４がからのクロック
パルスを入力するので、４つの測光領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
の最小の第１露光量に達する時間から最後の第１露光量
に達する時間の差をパルス数としてカウント回路１が計
って記憶する。

【００２６】次に第２の測光が行われ、第１露光量より
大きい第２露光量に達したら正電圧の制御部演算手段と
通過制御手段に入力されるようにする。測光領域Ａが第
２露光量に達したらの端子に正電圧が印加され、主制
御部ＡへつならがるＴ１の端子とＯＲ回路２２１に正電
圧が入力され、測光領域Ｂが第２露光量に達したらの
端子に正電圧が印加され、主制御部ＢへつならがるＴ２
の端子とＯＲ回路２２１に正電圧が入力され、測光領域
Ｃが第２露光量に達したらの端子に正電圧が印加さ
れ、主制御部ＣへつならがるＴ３の端子とＯＲ回路２２
１に正電圧が入力され、測光領域Ｄが第２露光量に達し
たらの端子に正電圧が印加され、主制御部Ｄへつなら
がるＴ４の端子とＯＲ回路２２１に正電圧が入力され
る。Ｔ１への正電圧の入力により主制御部Ａの透過率を
ほぼ零に下げる通過制御がなされ、Ｔ２への正電圧の入
力により主制御部Ｂの透過率をほぼ零に下げる通過制御
がなされ、Ｔ３への正電圧の入力により主制御部Ｃの透
過率をほぼ零に下げる通過制御がなされ、Ｔ４への正電
圧の入力により主制御部Ｄの透過率をほぼ零に下げる通
過制御がなされる。また、ＯＲ回路２２１の出力とＴ０
のクロックパルスとをＡＮＤ回路２２２が入力し、パル
ス数をカウンタ回路２３２に入力する。このカウント２
３２で数えているパルス数がカウンタ２３１に記憶され
ている数に達したら比較回路２４１より電圧が発せら
れ、副制御部調整領域ａｂｃｄの透過率をほぼ零に下げ
る通過制御信号となる。

【００２７】また、被写体が非常に遠い位置にあって測
光領域Ａ〜Ｄの内１つのが第１露光量に達しない場合が
あるので、所定の値がメモリ２３３に記憶されており、
カウンタ２３２がメモリ２３３の値に達したら比較回路
２４２より正電圧が発せられる。以上のように、比較回
路２４１と比較回路２４２からの出力がＯＲ回路２４３
に入力され、カウンタ２３２の値がカウンタ２３１また
はメモリ２３３の値に達したときに、Ｔ５からの副制御
部ａｂｃｄへの正電圧が出力され、副制御部ａｂｃｄの
透過率がほぼ零に下げられる。副制御部ａｂｃｄを制御
する制御部演算手段は、第１露光量及び第２露光量に達
したときの正電圧の入力数が図４のものと異なるだけ
で、他の構成や作用は同一である。

【００２８】図１１で主制御部Ａの閃光通過量が最大
で、隣接する主制御部Ｂの閃光通過量が最小とすると、
副制御部ａｂｃｄの閃光通過量は副制御部ａｂの閃光通
過量と同じになり、主制御部ＡとＢの閃光通過量の差に
よる照射光ムラを副制御部ａｂとａｂｃｄとで緩和する
ことができる。また、主制御部Ｃ，Ｄの閃光通過量は少
なくとも主制御部ＡとＢとの間である。従って、副制御
部ａｂｃｄの閃光通過量は主制御部ＡまたはＢと比べる
と主制御部Ｃ、Ｄの閃光通過量に近い値になるために、
主制御部Ｃ、Ｄの副制御部ａｂｃｄとで発生する照射ム
ラも低減される。

【００２９】一方、主制御部Ａの閃光通過量が最大で、
対角の主制御部Ｄの閃光通過量が最小とした場合、主制
御部Ｂ、Ｃの閃光通過量は少なくとも主制御部ＡとＤの
間であるために、副制御部ａｂｃｄの閃光通過量は副制
御部ａｂや副制御部ａｃの閃光通過量より多くなる。従
って、副制御部ａｂｃｄの閃光通過量は好適な量とな
り、照射ムラをより低減できる。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、複数個に分割された測
光手段により２回測光して、第１の測光で通過制御板の
副制御部の駆動開始のタイミングを演算し、隣接する２
つの主制御部が各々駆動開始する間に副制御部が駆動開
始する様にし、第２の測光により通過制御板の主制御部
の駆動を行う様にしたため、主制御部同士で生じる閃光
通過量の差による閃光のムラを副制御部により緩和する
ことができる電子閃光装置を提供することができるよう
になった。また、測光領域数を増やさず通過制御板の分
割個数のみを増やすことにより、最低限のコストや重量
増で閃光ムラを緩和することのできる電子閃光装置を提
供することができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の概略を示したブロック図である。

【図２】本発明の通過制御板の分割の状態を示した図で
ある。

【図３】本発明の電子閃光装置の外観図と断面図であ
る。

【図４】本発明の副制御部演算手段の概略図である。

【図５】閃光量と測光や通過制御駆動の時期との関係を
示した図である。

【図６】本発明の通過制御手段の概略図である。

【図７】ＰＬＺＴによる通過制御の原理を示した図であ
る。

【図８】液晶による通過制御の原理を示した図である。

【図９】通過制御板にＥＣＤ素子を用いた場合の断面図
である。

【図１０】測光手段の一部詳細を示したブロック図であ
る。

【図１１】通過制御板の変形例を示した図である。

【図１２】副制御部ａｂｃｄを駆動する制御部演算手段
の概略図である。

【図１３】遠中近距離の被写体が１撮影画中に存在する
場合の例である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光管を被写界に向けて閃光発光させる
電子閃光装置において、透過率を変えて光の通過制御を行う複数の主制御部と少
なくとも１つの副制御部と有する通過制御手段を備え、
複数の前記主制御部及び少なくとも１つの前記副制御部
が前記発光管の被写界側に配置され、前記副制御部が少
なくとも２つの前記主制御部に隣接し、前記副制御部の
光の通過量が前記隣接する主制御部の光通過量の最大値
と最小値との間になることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項２】被写界を前記複数の主制御部と同数の複
数領域に分割して測光し、前記発光管の閃光発光動作中
に第１の測光動作と第２の測光動作とを行う測光手段を
備え、前記通過制御手段が前記第１の測光動作の結果に
基づいて前記副制御部を制御し、前記通過制御手段が前
記第２の測光動作の結果に基づいて複数の前記主制御部
を制御することを特徴とする請求項１に従う電子閃光装
置。
【請求項３】発光管を被写界に向けて閃光発光させる
電子閃光装置において、被写界を複数領域に分割して測光する測光手段と、前記発光管の被写界側に配置された複数の通過制御部を
有し、前記複数の通過制御部の夫々の透過率を制御する
通過制御手段とを備え、前記測光手段の分割領域の数より前記複数の通過制御部
の数の方が多いことを特徴とする電子閃光装置。