JPH069457A - 脱水素法による8−ヒドロキシシメンの製造 - Google Patents
脱水素法による8−ヒドロキシシメンの製造Info
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- JPH069457A JPH069457A JP5096437A JP9643793A JPH069457A JP H069457 A JPH069457 A JP H069457A JP 5096437 A JP5096437 A JP 5096437A JP 9643793 A JP9643793 A JP 9643793A JP H069457 A JPH069457 A JP H069457A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C29/00—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring
-
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C2601/16—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring the ring being unsaturated
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来法よりも高い温度で気相脱水素を行っ
て、ムスク系香料の中間物質として有用な8-ヒドロキシ
シメンの収率を増大させるとともに副産物たるシメンの
生成量を抑制する。 【構成】 アルカリ性担体上に担持したパラジウムのよ
うなアルカリ性脱水素触媒を利用して、145℃よりも
高い温度で8-ヒドロキシメンテンの8-ヒドロキシシメン
への気相接触変換を行う。
て、ムスク系香料の中間物質として有用な8-ヒドロキシ
シメンの収率を増大させるとともに副産物たるシメンの
生成量を抑制する。 【構成】 アルカリ性担体上に担持したパラジウムのよ
うなアルカリ性脱水素触媒を利用して、145℃よりも
高い温度で8-ヒドロキシメンテンの8-ヒドロキシシメン
への気相接触変換を行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、香料の生産に適した中
間体の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、気
相脱水素法による8-ヒドロキシシメンの改良製造法に関
する。
間体の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、気
相脱水素法による8-ヒドロキシシメンの改良製造法に関
する。
【0002】
【従来の技術】香料生産における重要な物質群として、
7-アセチル‐1,1,3,4,4,6-ヘキサメチルテトラリンなど
のインダン系及びテトラリン系ムスク様芳香物質があ
る。これらの物質は卓越した香気と定着性を有する。こ
れらの物質はアルカリ及び光に対して安定で、ほとんど
の溶媒に溶解し、実質的に無色で持続性があり、しかも
比較的安価である。これらの物質は、フリーデル・クラ
フツ反応で得たメチル置換型のインダン又はテトラリン
をアセチル化して製造するのが一般的である。メチル置
換型インダン又はテトラリンを製造するため、置換シメ
ンへの脂環式付加物の形成を利用する幾つかの経路が提
案されている。ここで、置換シメンは8-ヒドロキシシメ
ンから得ることができる。
7-アセチル‐1,1,3,4,4,6-ヘキサメチルテトラリンなど
のインダン系及びテトラリン系ムスク様芳香物質があ
る。これらの物質は卓越した香気と定着性を有する。こ
れらの物質はアルカリ及び光に対して安定で、ほとんど
の溶媒に溶解し、実質的に無色で持続性があり、しかも
比較的安価である。これらの物質は、フリーデル・クラ
フツ反応で得たメチル置換型のインダン又はテトラリン
をアセチル化して製造するのが一般的である。メチル置
換型インダン又はテトラリンを製造するため、置換シメ
ンへの脂環式付加物の形成を利用する幾つかの経路が提
案されている。ここで、置換シメンは8-ヒドロキシシメ
ンから得ることができる。
【0003】米国特許第2,366,409号(Her
cules)から、液相において、8-ヒドロキシメンテ
ンを不均化反応により8-ヒドロキシシメンと8-ヒドロキ
シメンタンの混合物に変換できることが知られている。
この反応は水素化反応と脱水素反応の組合わせであり、
換言すれば転移水素化反応である。1分子の8-ヒドロキ
シメンテンが脱水素反応を受けると、2分子の8-ヒドロ
キシメンテンを水素化して2分子の8-ヒドロキシメンタ
ンを生成するのに十分な水素が生ずる。この経路の改良
法が欧州特許公開第416683号に記載されている。
この方法は水素受容体を添加することによって、8-ヒド
ロキシシメンの収率を向上させるというものである。別
の方法が欧州特許公開第417825号に記載されてい
る。この方法は8-ヒドロキシメンテンの気相脱水素法に
よるもので、8-ヒドロキシシメンの収率が向上すると同
時に、不必要な8-ヒドロキシメンタン量が低下する。こ
れらの反応はすべて脱水素触媒、好ましくは活性化型の
第VIII族金属、の存在下で行われる。
cules)から、液相において、8-ヒドロキシメンテ
ンを不均化反応により8-ヒドロキシシメンと8-ヒドロキ
シメンタンの混合物に変換できることが知られている。
この反応は水素化反応と脱水素反応の組合わせであり、
換言すれば転移水素化反応である。1分子の8-ヒドロキ
シメンテンが脱水素反応を受けると、2分子の8-ヒドロ
キシメンテンを水素化して2分子の8-ヒドロキシメンタ
ンを生成するのに十分な水素が生ずる。この経路の改良
法が欧州特許公開第416683号に記載されている。
この方法は水素受容体を添加することによって、8-ヒド
ロキシシメンの収率を向上させるというものである。別
の方法が欧州特許公開第417825号に記載されてい
る。この方法は8-ヒドロキシメンテンの気相脱水素法に
よるもので、8-ヒドロキシシメンの収率が向上すると同
時に、不必要な8-ヒドロキシメンタン量が低下する。こ
れらの反応はすべて脱水素触媒、好ましくは活性化型の
第VIII族金属、の存在下で行われる。
【0004】上述の2つの欧州特許出願では、いずれ
も、脱水反応が起こらないように反応条件を注意深く制
御する。脱水反応によりシメンが生じて所望の8-ヒドロ
キシシメンの収率が低下してしまうからである。このた
め、これらの出願では、脱水素反応時に無酸条件に維持
することの重要性が強調されている。欧州特許公開第4
16683号の実施例では、この反応はアルカリ金属又
はアルカリ土類金属の炭酸塩の存在下の液相で行われて
いる。欧州特許公開第417825号の実施例では、気
相反応を開始するに先立って、触媒を2時間アルカリ水
溶液に浸漬しておき、次いで中性となるまで水洗するこ
とによって無酸状態となるように洗浄する。塩基存在下
で反応の行われる液相反応においても、また、触媒が中
性であるような気相反応においても、脱水反応防止のた
めに温度を厳重に制御することの重要性が強調されてい
る。従って、どちらの欧州特許出願にも、最大温度は1
50℃である旨記載されている。反応は好ましくは14
5℃未満で行われ、至適温度は135〜142℃付近に
ある。
も、脱水反応が起こらないように反応条件を注意深く制
御する。脱水反応によりシメンが生じて所望の8-ヒドロ
キシシメンの収率が低下してしまうからである。このた
め、これらの出願では、脱水素反応時に無酸条件に維持
することの重要性が強調されている。欧州特許公開第4
16683号の実施例では、この反応はアルカリ金属又
はアルカリ土類金属の炭酸塩の存在下の液相で行われて
いる。欧州特許公開第417825号の実施例では、気
相反応を開始するに先立って、触媒を2時間アルカリ水
溶液に浸漬しておき、次いで中性となるまで水洗するこ
とによって無酸状態となるように洗浄する。塩基存在下
で反応の行われる液相反応においても、また、触媒が中
性であるような気相反応においても、脱水反応防止のた
めに温度を厳重に制御することの重要性が強調されてい
る。従って、どちらの欧州特許出願にも、最大温度は1
50℃である旨記載されている。反応は好ましくは14
5℃未満で行われ、至適温度は135〜142℃付近に
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法とは対照
的に、今回、アルカリ性脱水素触媒を利用して145℃
よりも実質的に高い温度で気相脱水素を成功裡に行い得
ることが判明した。これにより、8-ヒドロキシシメンの
収率を増大させるとともにシメン(脱水生成物)の量を
許容範囲内に維持することができる。
的に、今回、アルカリ性脱水素触媒を利用して145℃
よりも実質的に高い温度で気相脱水素を成功裡に行い得
ることが判明した。これにより、8-ヒドロキシシメンの
収率を増大させるとともにシメン(脱水生成物)の量を
許容範囲内に維持することができる。
【0006】
【課題を解決するための手段】従って、本発明は、8-ヒ
ドロキシメンテンの8-ヒドロキシシメンへの気相接触変
換法にして、145℃よりも高い温度で8-ヒドロキシメ
ンテンをアルカリ性脱水素触媒で処理することを特徴と
する方法を提供する。
ドロキシメンテンの8-ヒドロキシシメンへの気相接触変
換法にして、145℃よりも高い温度で8-ヒドロキシメ
ンテンをアルカリ性脱水素触媒で処理することを特徴と
する方法を提供する。
【0007】本発明の方法で使用する出発原料は8-ヒド
ロキシメンテンであり、その種類を問わない。メンテン
類の炭素構造は、Bernthsen著“Textbo
okof Organic Chemistry, S
udborough Revision”(1922)
609頁及び613頁(発行元D.Van Nostr
and Company,ニューヨーク州ニューヨー
ク)に記載されている。本明細書では、この文献に記載
された炭素原子の番号付けの体系を用いた。7位の炭素
で表されるメチル基は、イソプロピル基に対してパラ
位、オルト位又はメタ位のいずれにあってもよい。8-ヒ
ドロキシメンタジエン類も8-ヒドロキシメンテンという
用語に包含される。
ロキシメンテンであり、その種類を問わない。メンテン
類の炭素構造は、Bernthsen著“Textbo
okof Organic Chemistry, S
udborough Revision”(1922)
609頁及び613頁(発行元D.Van Nostr
and Company,ニューヨーク州ニューヨー
ク)に記載されている。本明細書では、この文献に記載
された炭素原子の番号付けの体系を用いた。7位の炭素
で表されるメチル基は、イソプロピル基に対してパラ
位、オルト位又はメタ位のいずれにあってもよい。8-ヒ
ドロキシメンタジエン類も8-ヒドロキシメンテンという
用語に包含される。
【0008】ヒドロキシメンテンは、純粋な化合物であ
ってもよいし、混合物、例えばそれらを十分に含む留分
などであってもよい。8-ヒドロキシ‐1-p-メンテン(即
ち、α‐テルピネオール)を例に挙げると、非常に純粋
なものを用いてもよいし、一般にテルペンアルコールの
混合物である普通の市販パイン油を用いてもよい。使用
した8-ヒドロキシメンテンが8-ヒドロキシ‐1-p-メンテ
ンのようにパラ‐メンテン型の配置をしている場合に
は、得られる誘導体は同じくパラ型配置のものが得られ
る。同様に、オルト及びメタ型ヒドロキシメンテンから
はそれぞれオルト及びメタ型の生成物が得られる。
ってもよいし、混合物、例えばそれらを十分に含む留分
などであってもよい。8-ヒドロキシ‐1-p-メンテン(即
ち、α‐テルピネオール)を例に挙げると、非常に純粋
なものを用いてもよいし、一般にテルペンアルコールの
混合物である普通の市販パイン油を用いてもよい。使用
した8-ヒドロキシメンテンが8-ヒドロキシ‐1-p-メンテ
ンのようにパラ‐メンテン型の配置をしている場合に
は、得られる誘導体は同じくパラ型配置のものが得られ
る。同様に、オルト及びメタ型ヒドロキシメンテンから
はそれぞれオルト及びメタ型の生成物が得られる。
【0009】気相状態にするための方法は幾つかあり、
上記の先行文献に記載されている。例えば、8-ヒドロキ
シメンテン原料の温度をその沸点より高い温度に上げれ
ばよい。α‐テルピネオールの沸点は大気圧下で約22
0℃である。反応の進行と速度を注意深く制御するため
に、反応は好ましくは減圧下、特に8kPa未満の圧
力、最も好ましくは0.1〜5kPa未満の圧力下で行
う。別法として、窒素のような不活性キャリヤー気体又
は水蒸気のような蒸気又はこれらの混合物を利用して基
質を気化することによって、気相状態とすることもでき
る。制御された低圧又はキャリヤー気体もしくは蒸気を
用いると、変換反応時に反応系から発生する水素ガスの
除去にも役立ち、8-ヒドロキシメンタン生成量を最小限
に抑えられる。
上記の先行文献に記載されている。例えば、8-ヒドロキ
シメンテン原料の温度をその沸点より高い温度に上げれ
ばよい。α‐テルピネオールの沸点は大気圧下で約22
0℃である。反応の進行と速度を注意深く制御するため
に、反応は好ましくは減圧下、特に8kPa未満の圧
力、最も好ましくは0.1〜5kPa未満の圧力下で行
う。別法として、窒素のような不活性キャリヤー気体又
は水蒸気のような蒸気又はこれらの混合物を利用して基
質を気化することによって、気相状態とすることもでき
る。制御された低圧又はキャリヤー気体もしくは蒸気を
用いると、変換反応時に反応系から発生する水素ガスの
除去にも役立ち、8-ヒドロキシメンタン生成量を最小限
に抑えられる。
【0010】変換は好ましくは300℃未満の温度、好
ましくは250℃未満、より好ましくは230℃未満の
温度で行われる。温度範囲の下限として、150℃以上
の温度が好ましい。反応系は、熱油もしくは蒸気のよう
な伝熱系を用いるか又は直接電気加温法で所望の温度に
維持する。
ましくは250℃未満、より好ましくは230℃未満の
温度で行われる。温度範囲の下限として、150℃以上
の温度が好ましい。反応系は、熱油もしくは蒸気のよう
な伝熱系を用いるか又は直接電気加温法で所望の温度に
維持する。
【0011】触媒は、好ましくは活性型の第VIII族金
属、特にパラジウムであるが、白金、ルテニウム、ロジ
ウム、イリジウム又はオスミウムのような金属も使用で
きる。これらの金属は、シリカ、アルミナ、炭素のよう
な従来の担体材料に、好適には0.1〜10重量%の量
で担持し得る。特に好ましい担体は、Engelhar
d PGCS2のような市販のアルミナ担体上の0.2
重量%パラジウムである。触媒は、アルカリ金属もしく
はアルカリ土類金属の水酸化物もしくは炭酸塩もしくは
他の適当な塩のような塩基性添加剤又は適当なイオン交
換樹脂でアルカリ性にすることができる。触媒をアルカ
リ性にするための簡便な方法は、塩基性溶液で予備洗浄
することであり、その塩基性溶液は後で除去すればよ
い。触媒のアルカリ価は少なくとも0.1mgKOH/
触媒でなければならず、好ましくは1.0mg以上、通
常は2.8mg以上である。
属、特にパラジウムであるが、白金、ルテニウム、ロジ
ウム、イリジウム又はオスミウムのような金属も使用で
きる。これらの金属は、シリカ、アルミナ、炭素のよう
な従来の担体材料に、好適には0.1〜10重量%の量
で担持し得る。特に好ましい担体は、Engelhar
d PGCS2のような市販のアルミナ担体上の0.2
重量%パラジウムである。触媒は、アルカリ金属もしく
はアルカリ土類金属の水酸化物もしくは炭酸塩もしくは
他の適当な塩のような塩基性添加剤又は適当なイオン交
換樹脂でアルカリ性にすることができる。触媒をアルカ
リ性にするための簡便な方法は、塩基性溶液で予備洗浄
することであり、その塩基性溶液は後で除去すればよ
い。触媒のアルカリ価は少なくとも0.1mgKOH/
触媒でなければならず、好ましくは1.0mg以上、通
常は2.8mg以上である。
【0012】空気又は酸素を反応系に導入してもよい。
酸素は水素受容体として作用し、遊離の水素を水蒸気と
して反応系から除去する。他の適当な水素受容体を使用
してもよい。水の生成反応は非常に発熱性が高く、反応
温度の制御に注意を要する。従って、空気又は酸素を系
に導入する場合、酸素と水素の組合わせが危険性の少な
い混合物として存在するような5kPa未満の圧力で変
換を行うのが望ましい。或いは、空気又は酸素と上記不
活性気体又は蒸気との混合物を使用してもよい。このよ
うにすると、基質が気化されるだけでなく、水素受容体
への水素の移動が制御される。
酸素は水素受容体として作用し、遊離の水素を水蒸気と
して反応系から除去する。他の適当な水素受容体を使用
してもよい。水の生成反応は非常に発熱性が高く、反応
温度の制御に注意を要する。従って、空気又は酸素を系
に導入する場合、酸素と水素の組合わせが危険性の少な
い混合物として存在するような5kPa未満の圧力で変
換を行うのが望ましい。或いは、空気又は酸素と上記不
活性気体又は蒸気との混合物を使用してもよい。このよ
うにすると、基質が気化されるだけでなく、水素受容体
への水素の移動が制御される。
【0013】反応を回分式で行う場合には、触媒を回収
して再使用することができる。回分法のみならず連続法
でも、触媒の寿命は反応温度及び原料中に存在する可能
性のある触媒毒成分によって影響される。特に、硫黄及
びハロゲンの化合物並びにある種の炭化水素は触媒寿命
に悪影響を与えるが、これらすべてについて、ある種の
原料中に微量存在している可能性がある。従って、この
ような不純物を含有する原料を予備精製処理に付すのが
好ましい場合もある。予備精製処理としては、塩基によ
る加熱もしくは洗浄、酸化(例えば過酸化水素によ
る)、還元、活性炭、犠牲用金属触媒処理、又はPur
aspec 7186やPuraspec7040(K
atalco社製)のような市販の脱硫剤もしくは脱ハ
ロゲン剤による処理、の1つ又はそれ以上が挙げられ
る。もう一つの有効な処理法は触媒洗浄剤の使用である
(Beren Blyum A.S.他,Kinet.
Katal. 1985, 26(3),626〜6
31頁参照)。
して再使用することができる。回分法のみならず連続法
でも、触媒の寿命は反応温度及び原料中に存在する可能
性のある触媒毒成分によって影響される。特に、硫黄及
びハロゲンの化合物並びにある種の炭化水素は触媒寿命
に悪影響を与えるが、これらすべてについて、ある種の
原料中に微量存在している可能性がある。従って、この
ような不純物を含有する原料を予備精製処理に付すのが
好ましい場合もある。予備精製処理としては、塩基によ
る加熱もしくは洗浄、酸化(例えば過酸化水素によ
る)、還元、活性炭、犠牲用金属触媒処理、又はPur
aspec 7186やPuraspec7040(K
atalco社製)のような市販の脱硫剤もしくは脱ハ
ロゲン剤による処理、の1つ又はそれ以上が挙げられ
る。もう一つの有効な処理法は触媒洗浄剤の使用である
(Beren Blyum A.S.他,Kinet.
Katal. 1985, 26(3),626〜6
31頁参照)。
【0014】従って、本発明は、8-ヒドロキシメンテン
に富む気相接触変換用原料にして、触媒毒となる不純物
の除去処理を行った原料も包含する。
に富む気相接触変換用原料にして、触媒毒となる不純物
の除去処理を行った原料も包含する。
【0015】本発明の方法で得られた8-ヒドロキシシメ
ンは、文献に記載された通常の方法で反応混合物から分
離することができ、ムスク系方向物質のインダン及びテ
トラリン系前駆体の製造に極めて適している。反応で得
られた生成混合物を、8-ヒドロキシシメンの分離を行わ
ずにそのまま使用することもできる。
ンは、文献に記載された通常の方法で反応混合物から分
離することができ、ムスク系方向物質のインダン及びテ
トラリン系前駆体の製造に極めて適している。反応で得
られた生成混合物を、8-ヒドロキシシメンの分離を行わ
ずにそのまま使用することもできる。
【0016】以下の実施例により、本発明をさらに説明
する。
する。
【0017】
【実施例】実施例1 図1に概略を示すステンレス製管状反応器(1)を使用
した。この反応器は減圧下で操作することができるもの
で、ヒーター(2)、中心熱電対鞘(4)を備えてい
て、フラクションカッター(8)、凝縮器(10)及び
コールドトラップ(12)を介して真空ポンプ(6)に
接続している。内径25mmのステンレス製反応器に、1
56gのEngelhard PGCS2触媒(球状
(卵形)アルミナに担持した0.2重量%パラジウム)
を充填する。触媒層(14)の上には、フラッシュヒー
ターとして機能するガラスヘリックスが詰め込まれた部
分(16)がある。触媒層の長さは45cmであり、フ
ラッシュヒーターの長さは10cmである。触媒層の下
にはニットメッシュの詰め込まれた部分(18)があ
り、その外部には凝縮器として働く冷却コイル(20)
が備え付けられている。使用前に、触媒の入った反応器
に0.2重量%水酸化ナトリウム溶液を満たし、3時間
放置した。次いで蒸留水で2回洗浄した。洗浄後に反応
器から排出された蒸留水のpHは13であった。湿った
触媒を不活性気体(窒素)中で約150℃に加温して乾
燥させた。反応条件に必要な圧力(約0.5kPa)ま
で圧力を段階的に下げると、水は全く残らなかった。
した。この反応器は減圧下で操作することができるもの
で、ヒーター(2)、中心熱電対鞘(4)を備えてい
て、フラクションカッター(8)、凝縮器(10)及び
コールドトラップ(12)を介して真空ポンプ(6)に
接続している。内径25mmのステンレス製反応器に、1
56gのEngelhard PGCS2触媒(球状
(卵形)アルミナに担持した0.2重量%パラジウム)
を充填する。触媒層(14)の上には、フラッシュヒー
ターとして機能するガラスヘリックスが詰め込まれた部
分(16)がある。触媒層の長さは45cmであり、フ
ラッシュヒーターの長さは10cmである。触媒層の下
にはニットメッシュの詰め込まれた部分(18)があ
り、その外部には凝縮器として働く冷却コイル(20)
が備え付けられている。使用前に、触媒の入った反応器
に0.2重量%水酸化ナトリウム溶液を満たし、3時間
放置した。次いで蒸留水で2回洗浄した。洗浄後に反応
器から排出された蒸留水のpHは13であった。湿った
触媒を不活性気体(窒素)中で約150℃に加温して乾
燥させた。反応条件に必要な圧力(約0.5kPa)ま
で圧力を段階的に下げると、水は全く残らなかった。
【0018】この実施例で用いた反応器は6つの反応チ
ューブから成っていたが、これらの反応チューブは並列
に操作し、共通の塗膜エバポレータ(wiped fi
lmevaporator)で駆動された。各反応チュ
ーブは、上述の通り、内径25mmで、洗浄済みの触媒が
触媒層の長さで45cm充填されていた。反応器は適当
な寸法の真空ポンプ及び凝縮系を備えていた。反応器に
は触媒967g(洗浄前の乾燥重量)が装填されてい
た。圧力を0.5kPaに下げた後、0.6kPaの水
素流で触媒層を1.5時間還元した。水素の流速は約
0.1g/分であった。140〜160℃のテルピネオ
ール蒸気(このテルピネオール原料は約78%のα異性
体と10%のγ異性体を含んでいた)を反応層に0.4
kg/時の速度で導入し、水素の流れを止めた。反応器
の温度を195〜200℃に上げ、系が平衡に達した後
で236.9kgのテルピネオールを0.4kg/時の
速度で588時間にわたって反応器に導入した(588
時間後に至っても触媒活性の損失は全くみられなかっ
た。)。受容器から濃縮粗生成物231.3kgを真空
ポンプで回収した。生成物は154.78kgのp-シメ
ン‐8-オール、49.40kgの各種ジヒドロテルピネ
オール、11.98kgのp-シメン及び10.2kgの
テルピネオールを含んでいた。回収量は98.2%であ
った。
ューブから成っていたが、これらの反応チューブは並列
に操作し、共通の塗膜エバポレータ(wiped fi
lmevaporator)で駆動された。各反応チュ
ーブは、上述の通り、内径25mmで、洗浄済みの触媒が
触媒層の長さで45cm充填されていた。反応器は適当
な寸法の真空ポンプ及び凝縮系を備えていた。反応器に
は触媒967g(洗浄前の乾燥重量)が装填されてい
た。圧力を0.5kPaに下げた後、0.6kPaの水
素流で触媒層を1.5時間還元した。水素の流速は約
0.1g/分であった。140〜160℃のテルピネオ
ール蒸気(このテルピネオール原料は約78%のα異性
体と10%のγ異性体を含んでいた)を反応層に0.4
kg/時の速度で導入し、水素の流れを止めた。反応器
の温度を195〜200℃に上げ、系が平衡に達した後
で236.9kgのテルピネオールを0.4kg/時の
速度で588時間にわたって反応器に導入した(588
時間後に至っても触媒活性の損失は全くみられなかっ
た。)。受容器から濃縮粗生成物231.3kgを真空
ポンプで回収した。生成物は154.78kgのp-シメ
ン‐8-オール、49.40kgの各種ジヒドロテルピネ
オール、11.98kgのp-シメン及び10.2kgの
テルピネオールを含んでいた。回収量は98.2%であ
った。
【図1】本願発明の方法の実施に使用することのできる
反応系の説明図。
反応系の説明図。
1 ステンレス製管状反応器 2 ヒーター 4 熱電対鞘 6 真空ポンプ 8 フラクションカッター 10 凝縮器 12 コールドトラップ 14 触媒層 16 ガラスヘリックス層 18 ニットメッシュ層 20 冷却コイル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年4月6日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
Claims (14)
- 【請求項1】 8-ヒドロキシメンテンの8-ヒドロキシシ
メンへの気相接触変換法にして、145℃よりも高い温
度で8-ヒドロキシメンテンをアルカリ性脱水素触媒で処
理することを特徴とする方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法において、8-ヒドロ
キシメンテンが8-ヒドロキシ‐1-p-メンテンであること
を特徴とする方法。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載の方法におい
て、前記脱水素触媒が第VIII族金属を含んでなるもので
あることを特徴とする方法。 - 【請求項4】 請求項3記載の方法において、前記脱水
素触媒がパラジウムを含んでなるものであることを特徴
とする方法。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれか1項記
載の方法において、前記変換を150℃以上の温度で行
うことを特徴とする方法。 - 【請求項6】 請求項5記載の方法において、前記変換
を150℃〜250℃の温度で行うことを特徴とする方
法。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項6のいずれか1項記
載の方法において、前記変換を8kPa未満の圧力で行
うことを特徴とする方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の方法において、前記変換
を0.1〜5.0kPa未満の圧力で行うことを特徴と
する方法。 - 【請求項9】 請求項1乃至請求項8のいずれか1項記
載の方法において、不活性な気体又は蒸気を利用して8-
ヒドロキシメンテンを触媒系に導入することを特徴とす
る方法。 - 【請求項10】 請求項9記載の方法において、前記不
活性蒸気が水蒸気であることを特徴とする方法。 - 【請求項11】 請求項1乃至請求項10のいずれか1
項記載の方法において、空気又は酸素を水素受容体とし
て8-ヒドロキシメンテンと共に添加することを特徴とす
る方法。 - 【請求項12】 145℃よりも高い温度でアルカリ性
脱水素触媒を使用する8-ヒドロキシメンテンの8-ヒドロ
キシシメンへの気相接触変換法によって得られる生成混
合物の、ムスク系香料のインダン又はテトラリン前駆体
の製造における使用。 - 【請求項13】 8-ヒドロキシメンテンに富む気相接触
変換用原料にして、触媒毒となる不純物の除去処理を行
った原料。 - 【請求項14】 請求項13記載の原料において、該原
料がパイン油の処理によって得たものであることを特徴
とする原料。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB92303006.8 | 1992-04-06 | ||
EP92303006 | 1992-04-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH069457A true JPH069457A (ja) | 1994-01-18 |
JP2769769B2 JP2769769B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=8211313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5096437A Expired - Lifetime JP2769769B2 (ja) | 1992-04-06 | 1993-04-01 | 脱水素法による8−ヒドロキシシメンの製造 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5313008A (ja) |
EP (1) | EP0565159B1 (ja) |
JP (1) | JP2769769B2 (ja) |
AT (1) | ATE141249T1 (ja) |
DE (1) | DE69303957T2 (ja) |
ES (1) | ES2090839T3 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1070761C (zh) * | 1996-01-31 | 2001-09-12 | 日本写真印刷株式会社 | 带图案制品的制造设备及制造方法 |
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EP0416683A1 (en) * | 1989-09-06 | 1991-03-13 | Quest International B.V. | P-cymenol preparation by transfer dehydrogenation |
EP0417825A2 (en) * | 1989-09-06 | 1991-03-20 | Quest International B.V. | Cymenol preparation by direct dehydrogenation |
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US2361532A (en) * | 1941-03-29 | 1944-10-31 | Hercules Powder Co Ltd | Treatment of terpene alcohols |
US2366409A (en) * | 1941-03-29 | 1945-01-02 | Hercules Powder Co Ltd | Treatment of terpene alcohols |
GB699062A (en) * | 1950-12-14 | 1953-10-28 | Polak & Schwarz S Essencefabri | Improvements in the synthetic preparation of -a-phenylethanol |
-
1993
- 1993-03-22 EP EP93200823A patent/EP0565159B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-22 AT AT93200823T patent/ATE141249T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-03-22 DE DE69303957T patent/DE69303957T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-22 ES ES93200823T patent/ES2090839T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-01 JP JP5096437A patent/JP2769769B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-06 US US08/042,776 patent/US5313008A/en not_active Expired - Fee Related
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JPH03106842A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-05-07 | Quest Internatl Bv | 転移脱水素化によるシメノール製造 |
JPH03236336A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-10-22 | Quest Internatl Bv | 直接脱水素法によるシメノールの製造 |
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CN1070761C (zh) * | 1996-01-31 | 2001-09-12 | 日本写真印刷株式会社 | 带图案制品的制造设备及制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2769769B2 (ja) | 1998-06-25 |
DE69303957D1 (de) | 1996-09-19 |
EP0565159A1 (en) | 1993-10-13 |
ES2090839T3 (es) | 1996-10-16 |
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