JPH0688914A - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法Info
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- JPH0688914A JPH0688914A JP26536892A JP26536892A JPH0688914A JP H0688914 A JPH0688914 A JP H0688914A JP 26536892 A JP26536892 A JP 26536892A JP 26536892 A JP26536892 A JP 26536892A JP H0688914 A JPH0688914 A JP H0688914A
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- Japan
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- groove
- glass substrate
- soot
- light propagation
- propagation region
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 量産性に優れ安価でしかも信頼性の高い光導
波路を提供する。 【構成】 石英ガラス基板１の片面内に凹型の溝２を形
成し、ガラス基板１の溝２を形成した面上にＳｉＯ2に
主成分とするスート３を堆積させ、スート３上に石英ガ
ラス基板４を重ねて密着させながら加熱し、スート３を
ガラス化して溝２内に充填することによって、光伝搬領
域５を形成する。
波路を提供する。 【構成】 石英ガラス基板１の片面内に凹型の溝２を形
成し、ガラス基板１の溝２を形成した面上にＳｉＯ2に
主成分とするスート３を堆積させ、スート３上に石英ガ
ラス基板４を重ねて密着させながら加熱し、スート３を
ガラス化して溝２内に充填することによって、光伝搬領
域５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は通信、計測、情報処理等
に用いられる光導波路及びその製造方法に関する。
に用いられる光導波路及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通信、計測、情報処理等の分野において
は、光をより高度に利用するために種々の機能を有する
光集積回路（ＯＥＩＣ：Opto Electronic Integrated C
ircuits）が研究されており、このような光集積回路を
構成する基本要素としてＳｉＯ2あるいはこれに何等か
らのドーパントを加えて屈折率の高い領域（コア領域）
と低い領域（クラッド領域）を形成し、コア領域に光を
閉じ込めて伝搬させる光導波路が考えられている。
は、光をより高度に利用するために種々の機能を有する
光集積回路（ＯＥＩＣ：Opto Electronic Integrated C
ircuits）が研究されており、このような光集積回路を
構成する基本要素としてＳｉＯ2あるいはこれに何等か
らのドーパントを加えて屈折率の高い領域（コア領域）
と低い領域（クラッド領域）を形成し、コア領域に光を
閉じ込めて伝搬させる光導波路が考えられている。
【０００３】従来、このような光導波路を形成する製造
方法としては、火炎堆積法を利用したものがある。これ
は、図４（ａ）に示すように、石英ガラス基板上１０１
に酸水素バーナによってＳｉＯ2を主成分とし、これに
ＴｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＴａＯ3などの
屈折率を高くするためのドーパントを添加したスート１
０２を堆積させ、焼結させて同図（ｂ）に示すようにコ
ア膜１０３を形成するようにしたものである。
方法としては、火炎堆積法を利用したものがある。これ
は、図４（ａ）に示すように、石英ガラス基板上１０１
に酸水素バーナによってＳｉＯ2を主成分とし、これに
ＴｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＴａＯ3などの
屈折率を高くするためのドーパントを添加したスート１
０２を堆積させ、焼結させて同図（ｂ）に示すようにコ
ア膜１０３を形成するようにしたものである。
【０００４】上記のようにして形成した２次元のコア膜
１０３に対し、ホトリソグラフィー法によって光導波路
のパターンが描写された金属薄膜をマスクとして反応性
イオンエッチング法を施し、同図（ｃ）に示すように３
次元の光伝搬領域１０４を形成する。その後、この光伝
搬領域１０４上を含めてガラス基板１０１上に屈折率の
低いクラッド層１０５を積層する。このような火炎堆積
法において、屈折率を下げるにはＢ2Ｏ3、ＳｉＦ4など
をドーパントとして加えればよい。通常このようにして
形成された光導波路は、シングルモードの光ファイバと
結合する場合、光伝搬領域の高さ及び幅は１０μｍ程度
である。
１０３に対し、ホトリソグラフィー法によって光導波路
のパターンが描写された金属薄膜をマスクとして反応性
イオンエッチング法を施し、同図（ｃ）に示すように３
次元の光伝搬領域１０４を形成する。その後、この光伝
搬領域１０４上を含めてガラス基板１０１上に屈折率の
低いクラッド層１０５を積層する。このような火炎堆積
法において、屈折率を下げるにはＢ2Ｏ3、ＳｉＦ4など
をドーパントとして加えればよい。通常このようにして
形成された光導波路は、シングルモードの光ファイバと
結合する場合、光伝搬領域の高さ及び幅は１０μｍ程度
である。
【０００５】もっともガラス膜の形成は、ＣＶＤ法や電
子ビーム蒸着法、あるいはスパッタリング法によっても
可能であるが、これらの方法は、形成速度が遅く、厚さ
１μｍ以下の薄膜形成には適しているが、１０μｍ程度
の厚膜を形成する場合には、かなりの時間を要するとと
もに、膜内に大きな応力が発生し、均一な膜質を得るこ
とが難しく、火炎堆積法は有効な製造方法とされてい
る。
子ビーム蒸着法、あるいはスパッタリング法によっても
可能であるが、これらの方法は、形成速度が遅く、厚さ
１μｍ以下の薄膜形成には適しているが、１０μｍ程度
の厚膜を形成する場合には、かなりの時間を要するとと
もに、膜内に大きな応力が発生し、均一な膜質を得るこ
とが難しく、火炎堆積法は有効な製造方法とされてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
火炎堆積法は、ガラス基板あるいは酸水素バーナを移動
しながらガラス基板内にスートを堆積させるので、膜厚
の制御が非常に難しく、膜厚分布が激しくなり、火炎堆
積法をクラッド層の形成に適用する場合にはほとんど問
題はないものの、コア層の形成に適用する場合には精密
な膜厚制御が必要になる。
火炎堆積法は、ガラス基板あるいは酸水素バーナを移動
しながらガラス基板内にスートを堆積させるので、膜厚
の制御が非常に難しく、膜厚分布が激しくなり、火炎堆
積法をクラッド層の形成に適用する場合にはほとんど問
題はないものの、コア層の形成に適用する場合には精密
な膜厚制御が必要になる。
【０００７】特に、２本の導波路を接近させて方向性結
合部を形成し、分岐、分波を行うための素子の形成に
は、導波路寸法を厳密に制御しなければならないため、
コア層形成用の火炎堆積装置は、均一な膜厚を得るため
に制御機構が複雑になって高価になる。
合部を形成し、分岐、分波を行うための素子の形成に
は、導波路寸法を厳密に制御しなければならないため、
コア層形成用の火炎堆積装置は、均一な膜厚を得るため
に制御機構が複雑になって高価になる。
【０００８】また、従来の製造方法では、光導波路の断
面が凸型をしているために端面を研磨する際に導波路端
面の欠けが生じ易く、さらに光ファイバと接続する際
に、光導波路側に接続するために充分な面積を確保する
ことが難しく、充分な接続強度が得られない。
面が凸型をしているために端面を研磨する際に導波路端
面の欠けが生じ易く、さらに光ファイバと接続する際
に、光導波路側に接続するために充分な面積を確保する
ことが難しく、充分な接続強度が得られない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
願の第１発明は、２枚のガラス基板の少なくとも一方の
ガラス基板の面内に溝を形成し、この溝内にＳｉＯ2を
主成分とするスートを堆積させて、他方のガラス基板を
重ねて密着させながら加熱し、溝内のスートをガラス化
して光の伝搬領域を形成すると同時に、２枚のガラス基
板を融着した。
願の第１発明は、２枚のガラス基板の少なくとも一方の
ガラス基板の面内に溝を形成し、この溝内にＳｉＯ2を
主成分とするスートを堆積させて、他方のガラス基板を
重ねて密着させながら加熱し、溝内のスートをガラス化
して光の伝搬領域を形成すると同時に、２枚のガラス基
板を融着した。
【００１０】また、本願の第２発明は、２枚のガラス基
板の少なくとも一方のガラス基板の面内に溝を形成し、
この溝内にガラス基板の屈折率より高い屈折率をもち、
且つ基板同士を接着可能な接着剤を充填して光の伝搬領
域を形成するとともに、接着剤にて２枚のガラス基板を
接着した。
板の少なくとも一方のガラス基板の面内に溝を形成し、
この溝内にガラス基板の屈折率より高い屈折率をもち、
且つ基板同士を接着可能な接着剤を充填して光の伝搬領
域を形成するとともに、接着剤にて２枚のガラス基板を
接着した。
【００１１】
【作用】２枚のガラス基板に少なくとも一方のガラス基
板に形成した溝内にスートを堆積させてガラス化するこ
とによって、あるいはその溝内にガラス基板より屈折率
の高い接着剤を充填することによって、その溝が光の伝
搬領域となるので、寸法精度の高い光導波路が得られる
とともに、光の伝搬領域を挟む２枚のガラス基板がクラ
ッド層の役目をなすのでクラッド層形成工程を省略で
き、さらに導波路端面を研磨する際の保護材や光ファイ
バと接続する際の補強材の役目も兼ねることができる。
板に形成した溝内にスートを堆積させてガラス化するこ
とによって、あるいはその溝内にガラス基板より屈折率
の高い接着剤を充填することによって、その溝が光の伝
搬領域となるので、寸法精度の高い光導波路が得られる
とともに、光の伝搬領域を挟む２枚のガラス基板がクラ
ッド層の役目をなすのでクラッド層形成工程を省略で
き、さらに導波路端面を研磨する際の保護材や光ファイ
バと接続する際の補強材の役目も兼ねることができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は第１発明に係る光導波路の製
造過程を示す説明図、図２は第２発明に係る光導波路の
斜視図、図３は同光導波路の別実施例の斜視図である。
説明する。ここで、図１は第１発明に係る光導波路の製
造過程を示す説明図、図２は第２発明に係る光導波路の
斜視図、図３は同光導波路の別実施例の斜視図である。
【００１３】第１発明に係る光導波路の製造方法は、図
１（ａ）に示すように石英ガラス基板１の片面内に、ホ
トリソグラフィー法とイオンエッチング法によって幅及
び深さがともに１０μｍの凹型の溝２を形成する。次い
で、同図（ｂ）に示すようにガラス基板１の溝２を形成
した面上に、厚さ約１００μｍのＳｉＯ2にＧｅＯ2及び
Ｐ2Ｏ5を添加したスート３を堆積させる。これらのドー
パントを添加することにより、ガラス基板１のＳｉＯ2
よりも屈折率を高くすると同時に融点を低くすることが
できる。
１（ａ）に示すように石英ガラス基板１の片面内に、ホ
トリソグラフィー法とイオンエッチング法によって幅及
び深さがともに１０μｍの凹型の溝２を形成する。次い
で、同図（ｂ）に示すようにガラス基板１の溝２を形成
した面上に、厚さ約１００μｍのＳｉＯ2にＧｅＯ2及び
Ｐ2Ｏ5を添加したスート３を堆積させる。これらのドー
パントを添加することにより、ガラス基板１のＳｉＯ2
よりも屈折率を高くすると同時に融点を低くすることが
できる。
【００１４】その後、同図（ｃ）に示すようにスート３
上に石英ガラス基板４を重ねて密着させながら加熱し、
スート３をガラス化して溝２内に充填することによっ
て、同図（ｄ）に示すように光伝搬領域５を形成する。
上に石英ガラス基板４を重ねて密着させながら加熱し、
スート３をガラス化して溝２内に充填することによっ
て、同図（ｄ）に示すように光伝搬領域５を形成する。
【００１５】この場合、スート３をガラス化する際に
は、温度１３００℃、真空度１０ｔｏｒｒの減圧雰囲気
下で、ガラス基板４背面から０．１ｋｇ／ｃｍ2の荷重
を加えることによって、溝２内に気泡を発生させること
なく、ガラス基板１，４を融着することができる。ま
た、光伝搬領域５以外の部分に形成されるガラス基板
１，４同士の融着層は、極めて薄いためにこの部分に導
波モードは励起されない。
は、温度１３００℃、真空度１０ｔｏｒｒの減圧雰囲気
下で、ガラス基板４背面から０．１ｋｇ／ｃｍ2の荷重
を加えることによって、溝２内に気泡を発生させること
なく、ガラス基板１，４を融着することができる。ま
た、光伝搬領域５以外の部分に形成されるガラス基板
１，４同士の融着層は、極めて薄いためにこの部分に導
波モードは励起されない。
【００１６】このようにして形成される光導波路は、ガ
ラス基板１に形成した溝２が光伝搬領域５になるので、
高精度の光伝搬領域が得られる。また、ガラス基板４が
光伝搬領域５を取り囲むクラッドの一面をなすので、ク
ラッド層を新たに形成する必要がなくなる。
ラス基板１に形成した溝２が光伝搬領域５になるので、
高精度の光伝搬領域が得られる。また、ガラス基板４が
光伝搬領域５を取り囲むクラッドの一面をなすので、ク
ラッド層を新たに形成する必要がなくなる。
【００１７】さらに、コアとなるスート堆積も、従来の
光導波路のコア膜形成のスート堆積よりも約１／３厚さ
で充分であり、製造時間が大幅に短縮される。また、光
伝搬領域５はガラス基板１，５内に完全に埋め込まれる
ので、端面を研磨して光ファイバと接続する際にも、光
導波路端面の欠けや光ファイバとの接続不良を生じるこ
とがない。
光導波路のコア膜形成のスート堆積よりも約１／３厚さ
で充分であり、製造時間が大幅に短縮される。また、光
伝搬領域５はガラス基板１，５内に完全に埋め込まれる
ので、端面を研磨して光ファイバと接続する際にも、光
導波路端面の欠けや光ファイバとの接続不良を生じるこ
とがない。
【００１８】尚、上記実施例では、ガラス基板１のみに
光伝搬領域用の溝２を形成しているが、ガラス基板５に
も同様の溝を形成して、スートを挟んでガラス基板同士
を接合すれば、双方のガラス基板に光伝搬領域が形成さ
れるので、より集積度の高い光立体回路が得られる。
光伝搬領域用の溝２を形成しているが、ガラス基板５に
も同様の溝を形成して、スートを挟んでガラス基板同士
を接合すれば、双方のガラス基板に光伝搬領域が形成さ
れるので、より集積度の高い光立体回路が得られる。
【００１９】次に、図２に示す第２の発明に係る光導波
路１０は、上記実施例と同様に石英ガラス基板１１の片
面内に、ホトリソグラフィー法とイオンエッチング法に
よって幅及び深さがともに１０μｍの凹型の溝１２を形
成し、この溝１２内に接着剤を充填して、石英ガラス１
３と貼り合わせて、溝１２内の接着剤にて光伝搬領域１
４を形成している。
路１０は、上記実施例と同様に石英ガラス基板１１の片
面内に、ホトリソグラフィー法とイオンエッチング法に
よって幅及び深さがともに１０μｍの凹型の溝１２を形
成し、この溝１２内に接着剤を充填して、石英ガラス１
３と貼り合わせて、溝１２内の接着剤にて光伝搬領域１
４を形成している。
【００２０】ここで、接着剤としては、ガラス基板１
１，１３の屈折率よりも高い屈折率を持ち、かつガラス
基板１１，１３同士を接着可能なものを使用する。ここ
では、屈折率が１．４７５の紫外線硬化樹脂を使用した
が、これ以外にもテトラエトラキシシラン、テトラエト
キシゲルマニウム、水、塩酸を加えたゾル状の液体をゲ
ル化して用いることもできる。
１，１３の屈折率よりも高い屈折率を持ち、かつガラス
基板１１，１３同士を接着可能なものを使用する。ここ
では、屈折率が１．４７５の紫外線硬化樹脂を使用した
が、これ以外にもテトラエトラキシシラン、テトラエト
キシゲルマニウム、水、塩酸を加えたゾル状の液体をゲ
ル化して用いることもできる。
【００２１】２枚にガラス基板１１，１３の貼り合わせ
は、減圧雰囲気下で、ガラス基板１３の背面から荷重を
加えることによって、溝１２内に接着剤を充填するとと
もに、溝１２以外の部分に極めて薄い接着層を形成して
行い、これによって溝１２内が周辺部より屈折率の高い
光伝搬領域１４となる。このとき、光伝搬領域１４以外
の部分に形成される接着層は、極めて薄いためにこの部
分に導波モードは励起されない。
は、減圧雰囲気下で、ガラス基板１３の背面から荷重を
加えることによって、溝１２内に接着剤を充填するとと
もに、溝１２以外の部分に極めて薄い接着層を形成して
行い、これによって溝１２内が周辺部より屈折率の高い
光伝搬領域１４となる。このとき、光伝搬領域１４以外
の部分に形成される接着層は、極めて薄いためにこの部
分に導波モードは励起されない。
【００２２】この光導波路１０にあっても、上記実施例
で得た光導波路と同様に、高精度の光伝搬領域が得ら
れ、ガラス基板１３が光伝搬領域１４を取り囲むクラッ
ドの一面をなすので、クラッド層を新たに形成する必要
がなくなり、また光伝搬領域１４はガラス基板１１，１
３内に完全に埋め込まれるので、端面を研磨して光ファ
イバと接続する際にも、光導波路端面の欠けや光ファイ
バとの接続不良を生じることがない。
で得た光導波路と同様に、高精度の光伝搬領域が得ら
れ、ガラス基板１３が光伝搬領域１４を取り囲むクラッ
ドの一面をなすので、クラッド層を新たに形成する必要
がなくなり、また光伝搬領域１４はガラス基板１１，１
３内に完全に埋め込まれるので、端面を研磨して光ファ
イバと接続する際にも、光導波路端面の欠けや光ファイ
バとの接続不良を生じることがない。
【００２３】また、この光導波路１０においても、２枚
のガラス基板１１，１３のいずれにも光伝搬領域用の溝
を形成することによって、より集積度の高い光立体回路
が得られる。
のガラス基板１１，１３のいずれにも光伝搬領域用の溝
を形成することによって、より集積度の高い光立体回路
が得られる。
【００２４】次に、図３に示す光導波路２０は、２枚の
石英ガラス基板２１，２２のいずれにも上記光導波路１
０と同様に接着面側に溝を形成して接着剤を充填するこ
とにより光伝搬領域２３，２４を形成し、さらにガラス
基板２１の光伝搬領域２３とガラス基板２２の光伝搬領
域２４とは、その一部を長手方向にわたって所要の長さ
だけ隣接させて光結合領域２５となしている。
石英ガラス基板２１，２２のいずれにも上記光導波路１
０と同様に接着面側に溝を形成して接着剤を充填するこ
とにより光伝搬領域２３，２４を形成し、さらにガラス
基板２１の光伝搬領域２３とガラス基板２２の光伝搬領
域２４とは、その一部を長手方向にわたって所要の長さ
だけ隣接させて光結合領域２５となしている。
【００２５】これによって、一方のガラス基板の光伝搬
領域を伝搬する光が結合領域で他方のガラス基板の光伝
搬領域に分岐、分波する機能を有する光素子を、一平面
上でなく立体的に形成することができる。
領域を伝搬する光が結合領域で他方のガラス基板の光伝
搬領域に分岐、分波する機能を有する光素子を、一平面
上でなく立体的に形成することができる。
【００２６】また、ここでは、２枚のガラス基板を使用
して基板の片面にのみ光伝搬領域を形成しているが、基
板の両面に光導波路を形成し、３枚あるいはそれ以上の
基板を貼り合わせることによって、より集積度の高い光
立体回路を形成することが可能になる。
して基板の片面にのみ光伝搬領域を形成しているが、基
板の両面に光導波路を形成し、３枚あるいはそれ以上の
基板を貼り合わせることによって、より集積度の高い光
立体回路を形成することが可能になる。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
２枚のガラス基板に少なくとも一方のガラス基板に形成
した溝内にスートを堆積させてガラス化することによっ
て、あるいはその溝内にガラス基板より屈折率の高い接
着剤を充填して、２枚のガラス基板を融着あるいは接着
するようにしたので、ガラス基板の溝が光の伝搬領域と
なって寸法精度の高い光導波路が得られるとともに、ク
ラッド層形成工程を省略できて、安価で量産性に優れた
光導波路が得られる。さらに導波路端面を研磨する際の
保護材や光ファイバと接続する際の補強材の役目も兼ね
ることができ、導波路端面の欠けや光ファイバとの接続
不良を低減することができる。
２枚のガラス基板に少なくとも一方のガラス基板に形成
した溝内にスートを堆積させてガラス化することによっ
て、あるいはその溝内にガラス基板より屈折率の高い接
着剤を充填して、２枚のガラス基板を融着あるいは接着
するようにしたので、ガラス基板の溝が光の伝搬領域と
なって寸法精度の高い光導波路が得られるとともに、ク
ラッド層形成工程を省略できて、安価で量産性に優れた
光導波路が得られる。さらに導波路端面を研磨する際の
保護材や光ファイバと接続する際の補強材の役目も兼ね
ることができ、導波路端面の欠けや光ファイバとの接続
不良を低減することができる。
【図１】第１発明に係る光導波路の製造過程を示す説明
図
図
【図２】第２発明に係る光導波路の斜視図
【図３】同光導波路の別実施例の斜視図
【図４】従来の光導波路の製造過程の説明図
１，４，１１，１３，２１，２２…石英ガラス基板、
２，１２…溝、３…スート、５，１４，２３，２４…光
伝搬領域。
２，１２…溝、３…スート、５，１４，２３，２４…光
伝搬領域。
Claims (4)
- 【請求項１】 ２枚のガラス基板を融着して構成され、
これらガラス基板のうちの少なくとも一方のガラス基板
の他方のガラス基板に対向する面内には溝が形成され、
この溝内にはＳｉＯ2を主成分とするスートをガラス化
した光の伝搬領域が形成されていることを特徴とする光
導波路。 - 【請求項２】 ガラス基板の面内に溝を形成し、この溝
内にＳｉＯ2を主成分とするスートを堆積させて、次い
でスートが堆積した面に別のガラス基板を重ねて密着さ
せながら加熱し、前記溝内のスートをガラス化して光の
伝搬領域を形成すると同時に、前記２枚のガラス基板を
融着することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 ２枚のガラス基板がガラス基板の屈折率
より高い屈折率をもつ接着剤を介して接着して構成さ
れ、これらガラス基板のうちの少なくとも一方のガラス
基板の他方のガラス基板に対向する面内には溝が形成さ
れ、この溝内には前記ガラス基板の屈折率より高い屈折
率をもつ接着剤を硬化させて光の伝搬領域が形成されて
いることを特徴とする光導波路。 - 【請求項４】 ガラス基板の面内に溝を形成し、この溝
内及び溝を形成した面にガラス基板の屈折率より高い屈
折率をもつ接着剤を充填・塗布し、次いで接着剤を充填
・塗布した面に別のガラス基板を重ねて密着させながら
前記接着剤を硬化させて光の伝搬領域を形成するととも
に、前記接着剤にて前記２枚のガラス基板を接着するこ
とを特徴とする光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26536892A JPH0688914A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26536892A JPH0688914A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 光導波路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0688914A true JPH0688914A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17416211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26536892A Withdrawn JPH0688914A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 光導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0688914A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100367087B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2003-01-09 | 한국전자통신연구원 | 음각 식각을 이용한 평판형 광 도파로 제조 방법 |
| JP2003021741A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Hitachi Cable Ltd | 光導波路の製造方法 |
| JP2004078158A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路、光モジュールおよびその製造方法 |
| KR20040036759A (ko) * | 2002-10-24 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 실리콘 에칭을 이용한 평면 광도파로 제조방법 |
| WO2004088374A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Nhk Spring Co., Ltd. | 光導波回路部品及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP26536892A patent/JPH0688914A/ja not_active Withdrawn
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