JPH0688230A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

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Publication number
JPH0688230A
JPH0688230A JP26285592A JP26285592A JPH0688230A JP H0688230 A JPH0688230 A JP H0688230A JP 26285592 A JP26285592 A JP 26285592A JP 26285592 A JP26285592 A JP 26285592A JP H0688230 A JPH0688230 A JP H0688230A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
target material
reaction chamber
holes
backing plate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP26285592A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Kawasaki
篤 川▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
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Publication of JPH0688230A publication Critical patent/JPH0688230A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な構造をもってターゲット材を監視し、
その寿命を的確に判断することが可能なスパッタリング
装置を提供する。 【構成】 ターゲット材のバッキングプレート側に穿設
された所定の深さの空孔と反応室とが連通したことをガ
スの流入に伴う圧力の変化などにより検出することで、
簡単にターゲット材の摩耗による寿命を知ることがで
き、メンテナンス時期を的確に判断することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング装置に関
し、特にターゲット及びその周辺の構造に特徴を有する
スパッタリング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】スパッタリング装置にあっては、裏面側
がバッキングプレートにより支持されたターゲット材を
スパッタさせて基板上に薄膜を形成するようになってい
る。ここで、ターゲット材はスパッタされることにより
経時的に摩耗するが、通常その摩耗パターンは均一でな
く、図7に示すように、ターゲット材27は、例えばス
パッタ面の周縁部と中心部との間の部分が極端に抉れた
ように摩耗する。
【0003】従来は、上記ターゲット材の交換などのメ
ンテナンスを行うのに、その摩耗状態をターゲット材の
使用時間とスパッタ反応のためのプラズマを発生させる
ための投入電力との積の積算量から判断したり、スパッ
タリング処理前若しくは後に反応室からターゲット材を
取出して目視により調べることにより判断していた。
【0004】しかしながら、ターゲット材の使用時間と
スパッタ反応のためのプラズマを発生させるための投入
電力との積の積算量からその摩耗状態を判断すると、タ
ーゲット材の摩耗速度の面内の偏りによっては判断を誤
り、場合によってはバッキングプレートが露出してバッ
キングプレート自体がスパッタリングされることによる
ウエハの汚染を招いたり、あるいは良好なスパッタリン
グが行えなくなる等の問題があった。また、スパッタリ
ング処理を行う度に反応室からターゲット材を取出して
目視により調べると、タイムロスを伴うことから処理効
率が低下する問題もあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記したよう
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、簡単な構造をもってターゲット材を監視し、
その寿命を的確に判断することが可能なスパッタリング
装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、第1のガスが充填された反応室内に、ターゲッ
ト材及び該ターゲット材をその裏面側から支持するバッ
キングプレートを具備するターゲットユニットと、処理
を施すべき基板とを配置してなるスパッタリング装置で
あって、前記ターゲット材の前記バッキングプレート側
に穿設された所定の深さの空孔と、前記ターゲット材が
摩耗して前記空孔が前記反応室に連通したことを検出す
る手段とを有することを特徴とするスパッタリング装置
を提供することにより達成される。
【0007】
【作用】このように、空孔と反応室との連通を検出する
ことで、スパッタリングの最中も含め任意のタイミング
でターゲット材の摩耗程度を判断することができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。
【0009】図1は、本発明が適用されたスパッタリン
グ装置の第1の実施例を模式的な構成で示す断面図であ
る。
【0010】装置本体1内に郭成された反応室2内には
回転可能なホルダ3に支持された基板Bが設けられてい
る。この基板Bに対向するように、ホルダ4に支持され
たターゲットユニット5が設けられている。ホルダ4内
には冷却水が外部との間で循環する冷却水室4aが郭成
されている。また、ターゲットユニット5には電源6が
接続され負極をなしている。
【0011】図2(a)に示すように、ターゲットユニ
ット5は、ターゲット材7と、このターゲット材7を支
持するべくその裏面側で密着するバッキングプレート8
とから構成されている。また、ターゲット材7のバッキ
ングプレート8との対向面側には、適所に所定の深さを
なす多数の凹部9aを有すると共に互いに連通する複数
の環状溝が穿設され、バッキングプレート8との間で図
2(b)に示すようなパターンの空孔9をなしている。
この空孔9はバッキングプレート8に設けられたポート
9b及びガス供給管10を介してポンプ11から後記す
る所定の圧力でArガスが供給されている(図1)。
尚、空孔9はターゲット材7の摩耗パターンに応じて任
意のパターンに形成して良く、例えば図3のような格子
状にしても良い。
【0012】一方、反応室2内はガス供給管12からA
rガスが供給されると共に図示されない真空ポンプによ
り減圧されることにより、Arガスが所定の圧力で充填
された状態となる。この圧力は圧力センサ13により常
に監視されている。ここで、上記空孔9には反応室2内
よりも高い圧力でArガスが供給されている。
【0013】次に本実施例の作動要領について説明す
る。まず、従来と同様に反応室2内をArガスで充填し
た状態で、ターゲットユニット5に電圧を印加し、領域
Aにプラズマを発生させてスパッタリングにより基板B
の表面に薄膜を形成する。この作業を繰り返すことによ
り、図4に示すようにターゲット材7が徐々に摩耗す
る。そして、ターゲット材7が所定量摩耗した時点で空
孔9が反応室2に連通する。すると、Arガスの供給圧
力が反応室2内よりも空孔9の方が高いことから、空孔
9から反応室2内に向けてArガスが流入し、反応室2
内の圧力が上昇する。これが圧力センサ13により検出
されることにより、ターゲット材7の交換時期であるこ
とが判断できる。
【0014】図5、図6は、本発明が適用されたスパッ
タリング装置の第2の実施例を示す図1、図2と同様な
図であり、第1の実施例と同様な部分には同一の符号を
付し、その詳細な説明を省略する。本実施例では第1の
実施例と同様な空孔19が外部のガス供給手段に連通し
ておらず密封されている。また、空孔19内にはArガ
スでなくHeガスが充填されている。更に、圧力センサ
に代えて反応室2内のHeガスの有無を検出するガスセ
ンサ23が設けられている。
【0015】本実施例の作動要領を説明すると、ターゲ
ット材7が徐々に摩耗して、空孔19が反応室2に連通
した時点でHeガスが反応室2内に流入し、これがガス
センサ23により検出されることにより、ターゲット材
7の交換時期であることが判断できる。従って、本実施
例では空孔へのガス供給路、ポンプなどを設ける必要が
なく、第1の実施例に比較してその構造が簡単になって
いる。それ以外の構成は第1の実施例と同様である。
【0016】尚、本発明は上記実施例に限定されず様々
な応用が可能であることは云うまでもなく、例えば上記
第1の実施例では反応室内に充填されるガスと同種のガ
スを空孔に供給したが、第2の実施例のように異種ガス
を供給して反応室内にてこの異種ガスの有無を検出して
も良い。また、上記第1の実施例では空孔9から反応室
2内に向けてArガスが流入したことを圧力センサ13
により検出したが、例えばガス供給管10に流量センサ
を設け、このガス供給管10をガスが流れたことを検出
しても良い。
【0017】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によるスパッタリング装置によれば、ターゲット材の
バッキングプレート側に穿設された所定の深さの空孔と
反応室とが連通したことをガスの流入に伴う圧力の変化
などにより検出することで、簡単にターゲット材の摩耗
による寿命を知ることができ、メンテナンス時期を的確
に判断することができる。更に、誤って、バッキングプ
レートの金属がスパッタされることにより、ウエハを汚
染するといった品質事故を未然に防止することが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されたスパッタリング装置の第1
の実施例を示す模式的な構成を示す断面図である。
【図2】(a)部は図1の要部拡大図であり、(b)部
は(a)部を図に於ける下方から見た図である。
【図3】第1の実施例の変形実施例を示す図2(b)と
同様な図である。
【図4】ターゲット材の摩耗状態を示す図2(a)と同
様な図である。
【図5】本発明が適用されたスパッタリング装置の第2
の実施例を示す図1と同様な図である。
【図6】本発明が適用されたスパッタリング装置の第2
の実施例を示す図2(a)と同様な図である。
【図7】従来のターゲット材の摩耗状態を示す図2
(a)と同様な図である。
【符号の説明】
1 装置本体 2 反応室 3 ホルダ 4 ホルダ 4a 冷却水室 5 ターゲットユニット 6 電源 7 ターゲット材 8 バッキングプレート 9 空孔 9b 凹部 10 ガス供給管 11 ポンプ 12 ガス供給管 13 圧力センサ 19 空孔 23 ガスセンサ 27 ターゲット

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1のガスが充填された反応室内に、
    ターゲット材及び該ターゲット材をその裏面側から支持
    するバッキングプレートを具備するターゲットユニット
    と、処理を施すべき基板とを配置してなるスパッタリン
    グ装置であって、 前記ターゲット材の前記バッキングプレート側に穿設さ
    れた所定の深さの空孔と、 前記ターゲット材が摩耗して前記空孔が前記反応室に連
    通したことを検出する手段とを有することを特徴とする
    スパッタリング装置。
  2. 【請求項2】 前記連通検出手段が、前記空孔に連通
    するガス供給路と、 前記ガス供給路に第2のガスを供給する手段と、 前記ガス供給路から前記空孔を介して前記反応室内に前
    記第2のガスが流入したことを検出する手段とを有する
    ことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装
    置。
  3. 【請求項3】 前記第2のガスが前記第1のガスと同
    じ種類のガスからなり、 前記第2のガスが前記ガス供給路から前記空孔に前記反
    応室の圧力よりも高い圧力で供給されており、 前記ガス流入検出手段が前記反応室の圧力を計測する手
    段からなることを特徴とする請求項2に記載のスパッタ
    リング装置。
  4. 【請求項4】 前記第2のガスが前記第1のガスと同
    じ種類のガスからなり、 前記第2のガスが前記ガス供給路から前記空孔に前記反
    応室の圧力と異なる圧力で供給されており、 前記ガス流入検出手段が前記ガス供給路のガス流量を計
    測する手段からなることを特徴とする請求項2に記載の
    スパッタリング装置。
  5. 【請求項5】 前記第2のガスが前記第1のガスと異
    なる種類のガスからなり、 前記ガス流入検出手段が、前記反応室に前記第2のガス
    が流入したことを検出するガスセンサ手段からなること
    を特徴とする請求項2に記載のスパッタリング装置。
  6. 【請求項6】 前記連通検出手段が、前記ターゲット
    材の前記バッキングプレート側に所定の深さに穿設さ
    れ、かつ密封された空孔と、 前記第1のガスと異なる種類であり、かつ前記空孔内に
    充填された第2のガスと、 前記空孔から前記反応室に前記第2のガスが流入したこ
    とを検出するためのセンサ手段とを有することを特徴と
    する請求項1に記載のスパッタリング装置。
JP26285592A 1992-09-04 1992-09-04 スパッタリング装置 Withdrawn JPH0688230A (ja)

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JP26285592A JPH0688230A (ja) 1992-09-04 1992-09-04 スパッタリング装置

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JP26285592A Withdrawn JPH0688230A (ja) 1992-09-04 1992-09-04 スパッタリング装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7891536B2 (en) 2005-09-26 2011-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
CN102994970A (zh) * 2012-11-16 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种靶材使用检测系统和方法
US8795486B2 (en) 2005-09-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. PVD target with end of service life detection capability

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7891536B2 (en) 2005-09-26 2011-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
US8276648B2 (en) 2005-09-26 2012-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
US8795486B2 (en) 2005-09-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. PVD target with end of service life detection capability
CN102994970A (zh) * 2012-11-16 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种靶材使用检测系统和方法

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Date Code Title Description
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Effective date: 19991130