KR20000066861A - 웨이퍼 가공기의 웨이퍼 온도 제어장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (2)
- 웨이퍼를 지지할 수 있도록 웨이퍼 스테이지의 상부면에 보호막이 표면처리된 웨이퍼 가공기에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지와 보호막 사이의 상부에 위치되어 웨이퍼의 온도를 직접적으로 검출하기 위한 박막상태의 온도검출센서와,기기의 모든 동작을 제어하는 콘트롤러를 구성하면서 상기 온도검출센서에 의해 검출된 온도값과 기 입력된 기준 온도값을 비교하는 비교부와,상기 웨이퍼 스테이지와 보호막 사이의 하부에 위치되어 콘트롤러의 제어에 따라 펠티어효과에 의해 웨이퍼의 온도를 제어하는 온도제어수단으로 구성하여서 됨을 특징으로 하는 웨이퍼 가공기의 웨이퍼 온도 제어장치.
- 제 1 항에 있어서,온도제어수단은 하부에 위치되어 전원을 공급받는 전극과,상기 전극 위에 위치되어 전극으로 공급되는 전류량에 따라 흡열하거나 발열하는 열전반도체와,상기 열전반도체의 상부면에 도포되어 열전반도체를 보호하는 접촉층으로 구성됨을 특징으로 하는 웨이퍼 가공기의 웨이퍼 온도 조절장치.
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- 1999-04-21 KR KR1019990014244A patent/KR100325294B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
KR100420226B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-03-04 | 동부전자 주식회사 | 플라즈마 처리장치용 정전척 |
KR101337225B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2013-12-09 | 호서대학교 산학협력단 | 열전 소자를 이용한 방열 특성 성능 측정 장치 및 그 측정 방법 |
KR102543728B1 (ko) * | 2022-07-20 | 2023-06-14 | 주식회사 위트코퍼레이션 | 에지 영역의 특성 측정이 가능한 모니터링 기기 및 이를 제조하는 방법 |
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