JPS62163246A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents

イオンビ−ム発生装置

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Publication number
JPS62163246A
JPS62163246A JP61004693A JP469386A JPS62163246A JP S62163246 A JPS62163246 A JP S62163246A JP 61004693 A JP61004693 A JP 61004693A JP 469386 A JP469386 A JP 469386A JP S62163246 A JPS62163246 A JP S62163246A
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JP
Japan
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ion beam
electrode
pressure
needle
helium gas
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Pending
Application number
JP61004693A
Other languages
English (en)
Inventor
Morikazu Konishi
守一 小西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS62163246A publication Critical patent/JPS62163246A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/08Ion sources
    • H01J2237/0802Field ionization sources
    • H01J2237/0807Gas field ion sources [GFIS]

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、針状電極近傍の気体を高電圧によりイオン化
するいわゆる集束イオンビームWiZ(FIB)等のイ
オンビーム発生装置に関する。
〔発明の1既要〕 本発明は、針状電極近傍の気体を高電圧によりイオン化
するイオンビーム発生装置において、イオンビーム発生
装置内の気体の圧力を測定する手段及び当該気体を制御
する手段を設けることにより、針状電極近傍の気体の圧
力を正確に制御して針状電極の寿命を長期化させるもの
である。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造工程に用いるイオンビーム発生装置と
して、第5図に示すようなイオンビーム発生装置51が
知られている。
従来のイオンビーム発生装置51は、例えばタングステ
ン等の高融点金属材料で形成され気体をイオン化するた
めのエミッタ電極である針状ff1i52及び該針状電
極52との間で高電界を形成するための引き出し電極5
3からなるイオンガン部54と、発生したイオンビーム
を校るためのアパーチャー55と、レンズ系によってイ
オンビームを集束させるための集束レンズ部56と、イ
オンビームを走査するための例えば対向する電極等から
なる走査部57及び半導体基板等を@置するためのステ
ージ部58からなっている。
これら各部よりなるイオンビーム発生装置51は、装面
全体を真空状態にするだめの真空子^ンハー59内に配
設され、更にこの真空チャンバー59には真空ポンプ6
0が接続し、上記イオンガン部54と接続しヘリウムガ
スを供給するためのヘリウムガス供給管61も接続して
いる。またζ真空チャンバー59内の真空度を測定する
ための真空ゲージ62も取り付けられ、排気系をコント
ロールするだめのバルブ63も取り付けられている。
このようなイオンビーム発生装置51のイオンガン部5
4については、詳しくは第6図に示す構造になっている
。すなわち、上記針状電極52と引き出し電極53から
なるイオンガン部54は、冷凍JIj64の下部に、ヘ
リウムガス供給管61と接続し且つ該ヘリウムガスを針
状電極52近傍に供給するための絶縁サファイヤ台65
を介して取り付けられている。そして、上記針状電極5
2は、先端が尖鋭化され、効率よくイオンと−ムを発生
させるために極低温(4に程度)に維持される。
ところで、このような構造を有するイオンビーム発生装
置51の真空度の測定は、上記真空ゲージ62によって
行われている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述のような構造のイオンビーム発生装
置51は、真空チャンバー59の側壁に設けられた真空
ゲージ62によって、真空度を測定する機構であるため
、針状電極52近傍の気体の圧力を正確に把握すること
ができず、このため針状電極の損傷等の弊害が生じてい
る。
即ち、真空ゲージ62の測定データによって、真空度が
適正か否かを判断するが、この真空ゲージ62の測定デ
ータは、当該真空ゲージ62近傍の値であって、直接に
針状電極52近傍の気体の圧力の値とならない。このた
めヘリウムガス等の気体の圧力が変動した場合には、安
定したイオンビームを発生させることができず、また、
ガス圧を一定値以上にすると針状電極52と引き出し電
極53との間で放電が生じて、当該針状電極52の先端
部が損傷したりする。
そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、針状電極の長寿
命化、イオンビームの安定化を実現するイオンビーム発
生装置の提供を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、針状電橋近傍の気体を高電圧によりイオン化
するイオンビーム発生装置において、上記気体の圧力を
測定する手段と上記測定した圧力により上記イオンビー
ム発生装置内の圧力を制御する手段とををするイオンビ
ーム発生装置により上述の問題点を解決する。
ここで、気体の圧力を測定する手段は、例えばイオンビ
ーム電流を測定するファラデーカップを用いることがで
きる。
〔作用〕
本発明者等は、上述の如き目的を達成せんと鋭意検討の
結果、第3図に示すようなガス圧力と放電開始電圧の相
関関係及び第4図に示すようなガス圧力とイオンビーム
電流の相関関係をLy2識するに至り、本発明のイオン
ビーム発生装置は、この関係を利用して針状電極の長寿
命化等を実現するものである。
先ず、第3図に示すように、縦軸の針状電極と引き出し
電極との間の放電が始まる電圧である放電開始電圧■S
と横軸のヘリウムガスの圧力Phの関係は、ヘリウムガ
スの圧力Phが高くなるに従って放電開始電圧Vsが低
くなるような関係になっており、その関係は、略右下が
りの直線Aで表すことができる6針状電穫と引き出し電
掻間の印加電圧は、針状電極の破損防止のため、上記放
電開始電圧Vs以下に抑える必要があり、結局ヘリウム
ガスの圧力Phとの関係で、該ヘリウムガスの圧力ph
が高くなった場合には、上記印加電圧を低く<シなけれ
ば、針状電極の損傷につながる。尚、第3図は針状電極
と引き出し電極との距離を1mmとした場合のデータで
ある。
また、第4図に示すように、縦軸のイオンビーム電流+
iと横軸のヘリウムガスの圧力phとの関係は、ヘリウ
ムガスの圧力Phが高くなるに従ってイオンビーム電流
■1も線形関係をもって大きくなり、この相関関係は、
右上がりの直線Bで表される。このためイオンビーム電
流1iから直接にヘリウムガスの圧力Phを求めること
ができる。
したがって、上記印加電圧を好適なイオンビームの発生
が可能な一定の値とした場合に、イオンビームを流ri
を測定することでヘリウムガスの圧力phを特定するこ
とができ、上記印加電圧が放電開始電圧Vs以下に常に
制御されるように、ヘリウムガスの圧力phをコントロ
ールすれば良い。そして、このように制御することで針
状電極の長寿命化を図ることができる。
そこで、本発明は、これらのガス圧力と放電開始電圧の
相関関係及びガス圧力とイオンビーム電流の相関関係を
それぞれ認識するに至った結果なされたものであり、ガ
ス圧力の正確な把握からガス圧の制御を行って針状電極
と引き出し電極の放電を防止する。
即ち、上記気体の圧力を測定する手段は、イオンビーム
?1t2itI iを測定して直接にヘリウムガスの圧
力Ph)f−検出する手段であり、例えはイオンビーム
電流を測定するファラデーカップを用いることによって
、正確なヘリウムガスの圧力Phの値を得ることができ
る。従来は真空チャンバー等の側壁等に配設された真空
ゲージを用いて真空度を測定し、これをヘリウムガスの
圧力Phの値として取り扱っていたが、イオンビームT
4’1M、 I iの値は、第4図に示すガス圧力とイ
オンビーム電流の関係から正確にモニターすることがで
きる。
また、上記測定した圧力により上記イオンビーム発生装
置内の圧力を制御する手段によって、ヘリウムガスの圧
力を放電現象が生じないような圧力に維持する。これは
上記測定した圧力のθ11定値が上述のように正確なた
め、確実なコントロールを実現することが可能であり、
針状電極の損傷等は有効に防止されることになる。
〔実施例〕
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
本実施例のイオンビーム発生装置は、気体の圧力を測定
する手段としてイオンビーム電流を測定するファラデー
カップを用いている。また、上記測定した圧力により上
記イオンビーム発生装置内の圧力を制御する手段には、
コントローラーおよびバルブ駆動装置を用いており、ガ
スの圧力を放電が生じないような圧力に制御している。
即ち、第1図および第2図に示すように、本実施例のイ
オンビーム発生装置1は、気体の圧力を測定する手段と
してイオンビーム電流1iを測定するファラデーカップ
2と、イオンビーム発生装置内の圧力を制御する手段と
してファラデーカップ2からのデータによってコントロ
ール信号を発生させるコントローラー3と、該コントロ
ーラー3からの信号に応じてヘリウムガスの供給管4及
び排気管5に設けられたパルプ6a、6bを制御するバ
ルブ駆動装置7を有している。
上記ファラデーカップ2は、針状電極8及び引き出し電
極9からなるイオンガン部10の下部に配されている。
ここで針状電極8は、上記ヘリウムガスの供給管4によ
って供給されたヘリウムガスを高電界によってイオン化
するためのものであり、タングステン等の高融点材料で
形成され、その先端部が尖鋭化されている。また、引き
出し電極9は、高電圧を印加して高電界を咳針状電極8
との間で形成するためのものである。上記ファラデーカ
ップ2は、さらに上記イオンガン部IOで発生したイオ
ンビームを絞るためのアパーチャー11の上部に配され
ており、またイオンビームの照射径に対して半径方向に
移動自在に配されている。
尚、レンズ系によってイオンビームを集束させるための
集束レンズ部12と、イオンビームを走査するための例
えば対向する電極等からなる走査部13及び半導体基板
等を載置するためのステージ部14が上記イオンガン部
1oの下部に配設されている。また、以上の構成を有す
るイオンビーム発生装置1の各部は、好適なイオンビー
ムを発生させるための所定の低圧に維持するための真空
チャンバー15に配設されている。そして、この真空チ
ャンバー15には、上記差動排気のガスの経路となり上
記コントローラー3の信号によって作動するバルブ駆動
装置7にそれぞれ制御される上記ヘリウムガスの供給管
4及び排気管5がそれぞれ外部より接読されている。
上記コントローラー3は、上記ファラデーカップ2から
のデータによってコントロール信号を発生させるもので
ある。上記ファラデーカップ2はイオンビーム電流1i
の値をJII定することができるため、先ず、当該コン
トローラー3内でヘリウムガスの圧力Phを上述の相関
関係に基づいて計算する。そして、コントローラー3は
、この計算されたヘリウムガスの圧力phに基づいて上
記針状電極8と引き出し電極9に印加されている電圧に
おいて放電が生じないような方向にバルブを駆動させる
ための信号をバルブ駆動装置7に供給する。
上記バルブ駆動装置7は、上記コントローラー3からの
信号に応してヘリウムガスの供給管4に設けられたバル
ブ6aや、排気管5に設けられたハルプロbを制御する
ものである。このようにハルプロa、6bをコントロー
ルすることによって上記供給管4及び排気管5を有して
なる差動排気形のイオンビーム発生装置1においてもヘ
リウムガスの圧力を所望の値にすることができる。
以上のような構成を有する本実施例のイオンビーム発生
装面1は、上記ファラデーカップ2によって測定された
イオンビーム電流1iの値からヘリウムガスの圧力Ph
を直接に特定し、上記コントローラー3及びバルブ駆動
装置7によって針状電極8と引き出し電極9との間の放
電が生しないようにヘリウムガスの供給管4に設けられ
たハルプロaや、排気管5に設けられたハルプロbを制
御する機構になっている。例えば、一定の印加電圧でイ
オンビームを発生させている場合に、ヘリウムガスの圧
力Phが高くなった場合には、放電による針状電極9の
損傷などの弊害が生ずるおそれがあり、このため上記コ
ントローラー3からの信号を上記バルブ駆動装置7に送
りバルブ6bを一層開くように操作して、ヘリウムガス
の圧力Phを下げて所定の圧力に維持するように制御す
ることができる。また、供給管4に設けられたハルプロ
aを操作するようにしても良く、共に駆動操作するよう
にしても良い。
以上の動作によって、本実施例のイオンビーム発生値で
1は、確実にイオンビームの発生時のヘリウムガスの圧
力をコントロールすることができる。このため、針状電
極8と引き出し電極9の放電等の弊害は除去され、当該
針状電極8の長寿命化を図ることができる。また、イオ
ンビーム発生については、ヘリウムガスの圧力が一定と
なるため、安定した強度で半導体装置等へ当該イオンビ
ームを照射し得る。
尚、上述の実施例においては、イオンビームを発生させ
るための気体をヘリウムガスとしたが他のイオン源とな
るガスでも良い。また、制御の手段はコントローラー3
及びバルブ駆動装置7に限定されない。
また、第2図に示すような真空ゲージ16との組み合わ
せによる圧力の測定も可能である。
〔発明の効果〕
本発明のイオンビーム発生装置は、気体の圧力を測定す
る手段によって正確な針状電極近傍の気体圧力を測定す
ることができ、このデータに基づいてバルブ等を制御す
るため、確実に針状電極と引き出し電極の間の電圧を放
電開始電圧以下にコントロールすることができる。この
ため、針状電極の長寿命化を実現することができる。ま
た、気体の圧力が一定値に制御されるため、イオンビー
ムは安定して発生し、信顛性の高い処理を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のイオンビーム発生装置の構造を示す模
式図、第2図はその部分拡大図、第3図は放電開始電圧
Vsとガス圧Phの相関関係を示す特性図、第4図はイ
オンビーム電’/k I iとガス圧Phの相関関係を
示す特性図である。 また、第5図は従来のイオンビーム発生装置の構造の一
例を示す模式図、第6図は従来のイオンビーム発生装置
のイオンガン部の拡大図である。 1・・・イオンビーム発生WIZ 2・・・ファラデーカップ 3・・・コントローラー 4・・・供給管 5・・・排気管 6a、6b・・・バルブ 7・・・バルブ駆動装置 8・・・針状電極 9・・・引き出し電極 10・・・イオンガン部 15・・・真空チャンバー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 針状電極近傍の気体を高電圧によりイオン化するイオン
    ビーム発生装置において、上記気体の圧力を測定する手
    段と上記測定した圧力により上記イオンビーム発生装置
    内の圧力を制御する手段とを有するイオンビーム発生装
    置。
JP61004693A 1986-01-13 1986-01-13 イオンビ−ム発生装置 Pending JPS62163246A (ja)

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JP61004693A JPS62163246A (ja) 1986-01-13 1986-01-13 イオンビ−ム発生装置

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JP61004693A JPS62163246A (ja) 1986-01-13 1986-01-13 イオンビ−ム発生装置

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JPS62163246A true JPS62163246A (ja) 1987-07-20

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01315940A (ja) * 1988-06-15 1989-12-20 Hitachi Ltd 質量分析方法及び質量分析計
JPH06349430A (ja) * 1993-06-07 1994-12-22 Japan Aviation Electron Ind Ltd イオン源
EP2124244A1 (en) 2008-05-21 2009-11-25 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh Ultra high precision measurement tool with control loop

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