JPS58185768A - 蒸発速度制御装置 - Google Patents
蒸発速度制御装置Info
- Publication number
- JPS58185768A JPS58185768A JP6896682A JP6896682A JPS58185768A JP S58185768 A JPS58185768 A JP S58185768A JP 6896682 A JP6896682 A JP 6896682A JP 6896682 A JP6896682 A JP 6896682A JP S58185768 A JPS58185768 A JP S58185768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- evaporation rate
- electrode
- source
- current flowing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、イオンブレーティング装置において蒸発源
から蒸発する蒸発粒子の蒸発速度を制御する装置に関す
る。
から蒸発する蒸発粒子の蒸発速度を制御する装置に関す
る。
従来、蒸着装置やスパッタリング装置には、水晶発振式
の膜厚計を用い、水晶振動子に付着する膜の堆積速度に
応じて蒸発粒子の蒸発速度を制御する装置が使用されて
いるが、水晶振動子の寿命が短く、例えば蒸発粒子がア
ルミニウムの場合、４０μｍ以下、蒸発粒子がチタンの
場合、２４μｍ以下の膜厚までしか使用できず、ランニ
ングコストが高く、更に着脱作業が必要であるという問
題がめった。また干渉膜を利用した膜厚計を用いたもの
もあるが、これは光学？Ｖ膜作製には有効であるが、数
μｍの膜厚になると測定ヘッドを次々に交換しなければ
ならないので、取付場所が大きな面積をと９非常に使用
しにくいという問題があった。
の膜厚計を用い、水晶振動子に付着する膜の堆積速度に
応じて蒸発粒子の蒸発速度を制御する装置が使用されて
いるが、水晶振動子の寿命が短く、例えば蒸発粒子がア
ルミニウムの場合、４０μｍ以下、蒸発粒子がチタンの
場合、２４μｍ以下の膜厚までしか使用できず、ランニ
ングコストが高く、更に着脱作業が必要であるという問
題がめった。また干渉膜を利用した膜厚計を用いたもの
もあるが、これは光学？Ｖ膜作製には有効であるが、数
μｍの膜厚になると測定ヘッドを次々に交換しなければ
ならないので、取付場所が大きな面積をと９非常に使用
しにくいという問題があった。
この発明は、寿命が長く、測定ヘッドの取換作業が不要
な蒸発速度制御装置を提供することを目的とする。
な蒸発速度制御装置を提供することを目的とする。
以下、この発明を図示の１実施例に基づいて詳細に説明
する。第１図において、２は真空槽で、真空ポンプ４に
よって排気されている。この真空槽２内には蒸発源６が
設けられている。この蒸発源６の近傍には電子銃８が設
けられておシ、これから蒸発源６に対して電子ビーム１
ｏが照射され、蒸発源６から蒸発粒子が蒸発する０これ
ら蒸発粒子へは、蒸発源６の近傍に設けられ、蒸発源６
に対して正の電圧が印加されているイオン化電極１２に
よってイオン化され、蒸発源６と対面す乙ように配置し
た被処理物１４に付着する０１６はイオン他用′蕎源で
ある。
する。第１図において、２は真空槽で、真空ポンプ４に
よって排気されている。この真空槽２内には蒸発源６が
設けられている。この蒸発源６の近傍には電子銃８が設
けられておシ、これから蒸発源６に対して電子ビーム１
ｏが照射され、蒸発源６から蒸発粒子が蒸発する０これ
ら蒸発粒子へは、蒸発源６の近傍に設けられ、蒸発源６
に対して正の電圧が印加されているイオン化電極１２に
よってイオン化され、蒸発源６と対面す乙ように配置し
た被処理物１４に付着する０１６はイオン他用′蕎源で
ある。
ここで、イオン化電極１２に流れる電流と蒸発源６から
蒸発粒子が蒸発する速度との間には第２図に示すように
比例関係が成立することが判った。
蒸発粒子が蒸発する速度との間には第２図に示すように
比例関係が成立することが判った。
この発明は、この点に着目してなされたものである。す
なわち、イオン化電極１２と直列にシャント１８を接続
し、この両端に生じた電圧（イオン化電極１２に流れる
電流に比例した電圧）を帯域増幅器２０及び増幅器２２
で増幅して増幅検出出力電圧として比較器２４に供給す
る。比較器２４には基準電圧設定器２６から基準電圧も
供給されている。比較器２４は両者を比較し、増幅検出
出力電圧が基準電圧よりも大きいとき、制御部２日に制
御信号を供給する。
なわち、イオン化電極１２と直列にシャント１８を接続
し、この両端に生じた電圧（イオン化電極１２に流れる
電流に比例した電圧）を帯域増幅器２０及び増幅器２２
で増幅して増幅検出出力電圧として比較器２４に供給す
る。比較器２４には基準電圧設定器２６から基準電圧も
供給されている。比較器２４は両者を比較し、増幅検出
出力電圧が基準電圧よりも大きいとき、制御部２日に制
御信号を供給する。
制御部２８は、この制御信号に応動して、電子銃電源部
３ｏが電子銃８に供給している電流を小さくするように
制御する＠これによって、蒸発源６がらは熱電子放射フ
ィラメント、３４は熱電子放射用電源で、蒸発源６から
の熱電子の放出が非常に小さい場合に設けてイオン化を
促進するだめのものである。また、３６はメータで、＞
ｗ＋＝ｍ２ｚの出力を表示するだめのものである。
３ｏが電子銃８に供給している電流を小さくするように
制御する＠これによって、蒸発源６がらは熱電子放射フ
ィラメント、３４は熱電子放射用電源で、蒸発源６から
の熱電子の放出が非常に小さい場合に設けてイオン化を
促進するだめのものである。また、３６はメータで、＞
ｗ＋＝ｍ２ｚの出力を表示するだめのものである。
この発明による蒸発速度制御装置では、蒸発速度の検出
を、これに比例しているイオン化電極１２を流れる電流
をシャント１８ヲ用いて検出することによって行なって
いるので、内分が半永久的で極めて経済的であるばかり
でなく、検出ヘッドの取替作業が不要であるという利点
がある。
を、これに比例しているイオン化電極１２を流れる電流
をシャント１８ヲ用いて検出することによって行なって
いるので、内分が半永久的で極めて経済的であるばかり
でなく、検出ヘッドの取替作業が不要であるという利点
がある。
Claims (1)
- （１） 真空槽内に配置した蒸発源と、この蒸発源に
照射する電子ビームを制御信号に応動して制御する電子
銃と、上記蒸発源の近傍に設けられており上記蒸発源に
対して正の電圧が印加されているイオン化電極と、この
イオン化電極を流れる電流を検出する検出器と、この検
出器の出方と予め定めた基準信号とを比較しその比較結
果に基づいて上記制御信号を発生する比較器とからなる
蒸発速度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6896682A JPS58185768A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 蒸発速度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6896682A JPS58185768A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 蒸発速度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185768A true JPS58185768A (ja) | 1983-10-29 |
Family
ID=13388919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6896682A Pending JPS58185768A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 蒸発速度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185768A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0160479A2 (en) * | 1984-04-24 | 1985-11-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for forming a thin film |
| JPH0336268A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-15 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 金属材料の蒸発量制御装置 |
| JP2013060649A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Shinko Seiki Co Ltd | イオンプレーティング装置および方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5635763A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Tdk Corp | Film thickness controlling system |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP6896682A patent/JPS58185768A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5635763A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Tdk Corp | Film thickness controlling system |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0160479A2 (en) * | 1984-04-24 | 1985-11-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for forming a thin film |
| JPH0336268A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-15 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 金属材料の蒸発量制御装置 |
| JPH0735573B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1995-04-19 | 石川島播磨重工業株式会社 | 金属材料の蒸発量制御装置 |
| JP2013060649A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Shinko Seiki Co Ltd | イオンプレーティング装置および方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4579639A (en) | Method of sensing the amount of a thin film deposited during an ion plating process | |
| JPS58185768A (ja) | 蒸発速度制御装置 | |
| US3168418A (en) | Device for monitoring and controlling evaporation rate in vacuum deposition | |
| JPH1046324A (ja) | アークイオンプレーティング装置 | |
| JPH04196708A (ja) | 圧電素子の周波数調整装置および周波数調整方法 | |
| US3872351A (en) | Electron guns | |
| JP3403383B2 (ja) | イオン源制御方法およびイオン源制御装置 | |
| JPH0230384B2 (ja) | Supatsutahohooyobisochi | |
| JPH0634422B2 (ja) | 同位体分離用レ−ザ装置 | |
| US2952813A (en) | Device for the amplification of minute space currents | |
| JP2844213B2 (ja) | プラズマを使用する成膜装置の成膜速度制御装置 | |
| JPS6348930Y2 (ja) | ||
| JPS5635763A (en) | Film thickness controlling system | |
| US2775708A (en) | Mass spectrometer | |
| JPS6340016B2 (ja) | ||
| JPH061683B2 (ja) | 二次イオン質量分析計 | |
| JP2765013B2 (ja) | イオン源装置 | |
| US3260945A (en) | Device for the amplification of minute space currents | |
| JP3788632B2 (ja) | 連続イオンプレーティング装置 | |
| JPH01241744A (ja) | 電子ビーム発生装置 | |
| JPS6070174A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS62163246A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS59169044A (ja) | 電界放射形電子ビ−ム装置 | |
| JPH0570949A (ja) | アークイオンプレーテイング装置における蒸発量検出装置 | |
| JPH0241169Y2 (ja) |