JPH0687093A - 超高純度流体供給配管系用溶接システム - Google Patents
超高純度流体供給配管系用溶接システムInfo
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- JPH0687093A JPH0687093A JP3331352A JP33135291A JPH0687093A JP H0687093 A JPH0687093 A JP H0687093A JP 3331352 A JP3331352 A JP 3331352A JP 33135291 A JP33135291 A JP 33135291A JP H0687093 A JPH0687093 A JP H0687093A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高純度ガス供給配管系施工時に、溶接部表
面近傍ならびガス供給系内部に付着した金属を容易にし
かも完全に除去することが可能で、短時間で超高純度ガ
ス供給系を立ち上げることが可能な超高純度ガス供給配
管系用溶接システムを提供することを目的とする。 【構成】 複数の被溶接部材を溶接にて接続するガス供
給配管系用溶接システムにおいて、第１の被溶接部材１
１３に不活性ガスまたは溶接用のバックシールガス供給
手段と超純水供給手段とを設け、第２の被溶接部材１１
４に前記不活性ガスまたはバックシ一ルガスの排出手段
と超純水排出手段とを設け、前記不活性ガスまたはバッ
クシールガスを流しながら前記第１及び第２の被溶接部
材を溶接し、溶接後に超純水を流して、溶接により前記
被溶接部材内表面に付着した金属ヒュームを洗浄除去で
きる構造としたことを特徴とする。
面近傍ならびガス供給系内部に付着した金属を容易にし
かも完全に除去することが可能で、短時間で超高純度ガ
ス供給系を立ち上げることが可能な超高純度ガス供給配
管系用溶接システムを提供することを目的とする。 【構成】 複数の被溶接部材を溶接にて接続するガス供
給配管系用溶接システムにおいて、第１の被溶接部材１
１３に不活性ガスまたは溶接用のバックシールガス供給
手段と超純水供給手段とを設け、第２の被溶接部材１１
４に前記不活性ガスまたはバックシ一ルガスの排出手段
と超純水排出手段とを設け、前記不活性ガスまたはバッ
クシールガスを流しながら前記第１及び第２の被溶接部
材を溶接し、溶接後に超純水を流して、溶接により前記
被溶接部材内表面に付着した金属ヒュームを洗浄除去で
きる構造としたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高純度ガス供給配管
系用溶接システムに係わり、特に高性能な半導体デバイ
ス等の製造装置に要求される超高純度ガス供給系等の施
工費を低減し、施工後の速い高性能な立ち上がりを可能
とする超高純度ガス供給配管系用溶接システムに関す
る。
系用溶接システムに係わり、特に高性能な半導体デバイ
ス等の製造装置に要求される超高純度ガス供給系等の施
工費を低減し、施工後の速い高性能な立ち上がりを可能
とする超高純度ガス供給配管系用溶接システムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ガス供給配管系に用いられる配管並びに
バルブ、レギュレータ等のガス部品の接合方法として、
タングステン・イナートガス溶接、アークガス溶接、電
子ビ−ム溶接等が広く用いられている。しかし、これら
従来の溶接技術においては、溶接部の表面粗度、溶融部
から発生する金属ヒュ−ムの供給系配管内表面への金属
付着について考慮が払われていないのが現状である。特
に、従来のガス供給配管並び溶接部を有する部品では、
溶接により生じた金属ヒュームの供給系配管内表面への
金属付着について何等処理がなされていないため、極め
て活性な特殊材料ガスに接触すると、これら付着金属は
腐食、剥離する。その結果、ガスを使用する半導体製造
装置等のユースポイントで金属汚染が起こり、半導体デ
バイスの高性能化を妨げる要因となることが判明した。
また、不活性な一般ガスに対しては、短期間では如実な
問題は発生しないものの、長期的な信頼性においては、
多分の問題を有するが本発明者により見いだされてい
る。
バルブ、レギュレータ等のガス部品の接合方法として、
タングステン・イナートガス溶接、アークガス溶接、電
子ビ−ム溶接等が広く用いられている。しかし、これら
従来の溶接技術においては、溶接部の表面粗度、溶融部
から発生する金属ヒュ−ムの供給系配管内表面への金属
付着について考慮が払われていないのが現状である。特
に、従来のガス供給配管並び溶接部を有する部品では、
溶接により生じた金属ヒュームの供給系配管内表面への
金属付着について何等処理がなされていないため、極め
て活性な特殊材料ガスに接触すると、これら付着金属は
腐食、剥離する。その結果、ガスを使用する半導体製造
装置等のユースポイントで金属汚染が起こり、半導体デ
バイスの高性能化を妨げる要因となることが判明した。
また、不活性な一般ガスに対しては、短期間では如実な
問題は発生しないものの、長期的な信頼性においては、
多分の問題を有するが本発明者により見いだされてい
る。
【０００３】従来のガス供給配管系溶接による金属ヒュ
−ムの付着、溶接部の表面荒れについて、図４を用いて
より詳しく述べる。図４は配管材料のタングステンイナ
−トガス溶接による溶接部を示す。図において、４０１
はタングステン電極であり、４０２は溶接を行う配管材
料ある。４０３は溶接部を示し、４０４はこの溶融部で
発生する金属ヒュ−ムである。この金属ヒューム４０４
はアークガスやバックシールガスの流れにより溶接部４
０３の下流側の配管材料４０２の表面に付着し付着金属
４０５となる。この付着金属４０５は、不活性ガスに対
しては剥離という問題は生じないが腐食性ガス、例えば
塩化水素ガスを流すと材料表面に結合ではなく単に付着
しているだけの付着金属４０５は剥離がする。剥離する
金属としては、金属材料に主として含まれるＦｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ｍｎであり、これら金属はＬＳＩの特性に大
きく影響するため、これら金属の除去は半導体製造にお
いて極めて重大な問題である。
−ムの付着、溶接部の表面荒れについて、図４を用いて
より詳しく述べる。図４は配管材料のタングステンイナ
−トガス溶接による溶接部を示す。図において、４０１
はタングステン電極であり、４０２は溶接を行う配管材
料ある。４０３は溶接部を示し、４０４はこの溶融部で
発生する金属ヒュ−ムである。この金属ヒューム４０４
はアークガスやバックシールガスの流れにより溶接部４
０３の下流側の配管材料４０２の表面に付着し付着金属
４０５となる。この付着金属４０５は、不活性ガスに対
しては剥離という問題は生じないが腐食性ガス、例えば
塩化水素ガスを流すと材料表面に結合ではなく単に付着
しているだけの付着金属４０５は剥離がする。剥離する
金属としては、金属材料に主として含まれるＦｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ｍｎであり、これら金属はＬＳＩの特性に大
きく影響するため、これら金属の除去は半導体製造にお
いて極めて重大な問題である。
【０００４】しかしながら、現状の半導体製造装置のガ
ス供給配管系施工方法においては、以上の金属汚染を効
果的に除去するものはなく、特に高清浄な雰囲気を要求
される装置に適用可能な溶接システムが強く望まれてい
る。
ス供給配管系施工方法においては、以上の金属汚染を効
果的に除去するものはなく、特に高清浄な雰囲気を要求
される装置に適用可能な溶接システムが強く望まれてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の点に鑑
みなされたものであり、超高純度ガス供給配管系施工時
に、溶接部表面近傍ならびガス供給系内部に付着した金
属を容易にしかも完全に除去することが可能で、短時間
で超高純度ガス供給系を立ち上げることが可能な超高純
度ガス供給配管系用溶接システムを提供することを目的
とする。
みなされたものであり、超高純度ガス供給配管系施工時
に、溶接部表面近傍ならびガス供給系内部に付着した金
属を容易にしかも完全に除去することが可能で、短時間
で超高純度ガス供給系を立ち上げることが可能な超高純
度ガス供給配管系用溶接システムを提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の被溶接
部材を溶接にて接続するガス供給配管系用溶接システム
において、第１の被溶接部材に不活性ガスまたは溶接用
のバックシールガス供給手段と超純水供給手段とを設
け、第２の被溶接部材に前記不活性ガスまたはバックシ
一ルガスの排出手段と超純水排出手段とを設け、前記不
活性ガスまたはバックシールガスを流しながら前記第１
及び第２の被溶接部材を溶接し、溶接後に超純水を流し
て、溶接により前記被溶接部材内表面に付着した金属ヒ
ュームを洗浄除去できる構造とした超高純度ガス供給配
管系用溶接システムに存在する。
部材を溶接にて接続するガス供給配管系用溶接システム
において、第１の被溶接部材に不活性ガスまたは溶接用
のバックシールガス供給手段と超純水供給手段とを設
け、第２の被溶接部材に前記不活性ガスまたはバックシ
一ルガスの排出手段と超純水排出手段とを設け、前記不
活性ガスまたはバックシールガスを流しながら前記第１
及び第２の被溶接部材を溶接し、溶接後に超純水を流し
て、溶接により前記被溶接部材内表面に付着した金属ヒ
ュームを洗浄除去できる構造とした超高純度ガス供給配
管系用溶接システムに存在する。
【０００７】
【作用】不活性ガス供給手段またはバックシールガス供
給手段を介し、不活性ガスあるいはバックシールガスを
溶接部に流すことにより、パーティクル汚染源となる溶
接部表面の焼けを防止することができる。溶接時に溶融
部より金属ヒューム発生し、溶接部の下流側に再付着す
る。
給手段を介し、不活性ガスあるいはバックシールガスを
溶接部に流すことにより、パーティクル汚染源となる溶
接部表面の焼けを防止することができる。溶接時に溶融
部より金属ヒューム発生し、溶接部の下流側に再付着す
る。
【０００８】次に超純水供給手段から超純水を導入し、
溶接部を通して排出手段から排出することにより、溶接
により配管系内表面に付着した金属を洗浄除去すること
ができる。この洗浄は、付着金属洗浄除去後の残さ物を
極めて低減し、２次汚染を防ぐためにも、超純水を使用
し、特に比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ以上、金属成分含有量１
００ｐｐｔ以下のものが望ましい。また、水温は、洗浄
効果を高めるために２０〜１００℃が好ましく、４０〜
８０℃がより好ましい。洗浄時間は、水温により異なる
が、４０℃の場合、１時間程度である。
溶接部を通して排出手段から排出することにより、溶接
により配管系内表面に付着した金属を洗浄除去すること
ができる。この洗浄は、付着金属洗浄除去後の残さ物を
極めて低減し、２次汚染を防ぐためにも、超純水を使用
し、特に比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ以上、金属成分含有量１
００ｐｐｔ以下のものが望ましい。また、水温は、洗浄
効果を高めるために２０〜１００℃が好ましく、４０〜
８０℃がより好ましい。洗浄時間は、水温により異なる
が、４０℃の場合、１時間程度である。
【０００９】洗浄後は、窒素ガスやＡｒガス等の不活性
ガスを流し、内表面を乾燥して常時清浄な雰囲気に保っ
ておくのが好ましい。
ガスを流し、内表面を乾燥して常時清浄な雰囲気に保っ
ておくのが好ましい。
【００１０】本発明の溶接システムは、特にその配管施
工時の際に、ブロック毎に溶接・超純水洗浄・乾燥を行
うことができ、溶接を終了したブロックから、洗浄乾燥
を行えるため、超高純度ガス供給系施工スピードを損ね
ることなく、超高純度ガス供給配管系の施工が可能とな
る。
工時の際に、ブロック毎に溶接・超純水洗浄・乾燥を行
うことができ、溶接を終了したブロックから、洗浄乾燥
を行えるため、超高純度ガス供給系施工スピードを損ね
ることなく、超高純度ガス供給配管系の施工が可能とな
る。
【００１１】
【実施例】以下本発明の超高純度ガス供給配管系用溶接
システムを実施例を挙げて説明するが、本発明がこれら
実施例に限定されないことはいうまでもない。
システムを実施例を挙げて説明するが、本発明がこれら
実施例に限定されないことはいうまでもない。
【００１２】（実施例１）本発明の第１の実施例を図１
に示す。図ｌは、半導体ガス供給装置１１７からガスの
ユースポイントである半導体処理装置１１８へのガス供
給系を本発明の溶接システムで施工するための一構成例
を示したものである。
に示す。図ｌは、半導体ガス供給装置１１７からガスの
ユースポイントである半導体処理装置１１８へのガス供
給系を本発明の溶接システムで施工するための一構成例
を示したものである。
【００１３】１０１二連三方弁の開閉により配管１０２
に接続されているガス供給システムより、ＡｒガスをＳ
ＵＳ３１６Ｌ製配管１１３、１１４に供給し、二連三方
弁１１６を介して系外に放出する。この状態で配管１１
３と１１４をタングステンイナートガス溶接により溶接
した。１１５は、溶接に用いるタングステン電極であ
る。
に接続されているガス供給システムより、ＡｒガスをＳ
ＵＳ３１６Ｌ製配管１１３、１１４に供給し、二連三方
弁１１６を介して系外に放出する。この状態で配管１１
３と１１４をタングステンイナートガス溶接により溶接
した。１１５は、溶接に用いるタングステン電極であ
る。
【００１４】次に、二連三方弁１０１及び１１６を切り
替え、超純水を溶接の終了した配管内に流し、配管内部
に付着した金属ヒューム等の不純物を洗い流し、排水ラ
イン１０６に放出した。
替え、超純水を溶接の終了した配管内に流し、配管内部
に付着した金属ヒューム等の不純物を洗い流し、排水ラ
イン１０６に放出した。
【００１５】３０℃の超純水を５時間流した後、三方弁
１０１、１１６を再び切り替え、配管１１３及び１１４
中に窒素ガスを導入して水を排出し、水分が完全にパー
ジされるまで流し続けた。
１０１、１１６を再び切り替え、配管１１３及び１１４
中に窒素ガスを導入して水を排出し、水分が完全にパー
ジされるまで流し続けた。
【００１６】以上のガス供給系の清浄度を評価するため
に、従来法で施工した同一形状のガス供給系と共に以下
の試験を行った。
に、従来法で施工した同一形状のガス供給系と共に以下
の試験を行った。
【００１７】半導体ガス供給装置１１７から１．４ｐｐ
ｍの水分を含む塩化水素ガスをガス供給系に導入し，
２．５Ｋｇ／ｃｍ2で１２時間放置した。その後，Ａｒ
ガスを２５０ｃｃ／ｍｉｎで流して、半導体処理装置１
１８のガス導入口でシリコンウエハ上にガス中の金属元
素を補収し、ＴＲ−ＸＦＳ（Total Reflection X-ray
fluorescence Specroscopy）で、金属元素の定量を行
った。従来例のガス供給系からは，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｍｎ等の金属が検出されたが、本実施例のガス供給系か
らは金属は全く検出されなかった。
ｍの水分を含む塩化水素ガスをガス供給系に導入し，
２．５Ｋｇ／ｃｍ2で１２時間放置した。その後，Ａｒ
ガスを２５０ｃｃ／ｍｉｎで流して、半導体処理装置１
１８のガス導入口でシリコンウエハ上にガス中の金属元
素を補収し、ＴＲ−ＸＦＳ（Total Reflection X-ray
fluorescence Specroscopy）で、金属元素の定量を行
った。従来例のガス供給系からは，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｍｎ等の金属が検出されたが、本実施例のガス供給系か
らは金属は全く検出されなかった。
【００１８】尚、図１に示した超純水供給システムにお
いては、超純水を使用していないときには原水タンク１
０５ヘ超純水をリターンすることで水質並びに純水供給
システムの汚染を防ぐことが可能である。洗浄済みの超
純水の排水回収ライン１０６はパ−ティクル測定装置並
びに比抵抗測定装置等等の水質検査装置１０７が備え付
けられ排水品質をモニターし二連三方弁１０８の開閉に
より比較的清浄度の高い排水は配管１０９を介して原水
タンク１０５へ戻し、比較的清浄度の低い排水は配管１
１０を介し系外に排出する。特に二連三方弁１０１は自
動弁とすることで洗浄時間設定で溶接部の自動洗浄・乾
燥が可能である。また上記例では洗浄済みの超純水の排
水回収ライン１０６は原水タンク１０５ヘ接続されてい
るが、活性炭塔１１１とイオン交換樹脂塔１１２の間に
接続されてもよい。また活性炭塔１１１とイオン交換樹
脂塔１１２の間に殺菌並びに水中の有機物除去のための
紫外線照射装置を用いてもよい。 （実施例２）本発明の第２の実施例を図２に示す。図２
は、ガス供給配管系をブロックに分け、溶接・超純水洗
浄後の窒素パージと超純水洗浄とを同時に行い、ガス供
給系の施工スピードを高めた溶接システムである。
いては、超純水を使用していないときには原水タンク１
０５ヘ超純水をリターンすることで水質並びに純水供給
システムの汚染を防ぐことが可能である。洗浄済みの超
純水の排水回収ライン１０６はパ−ティクル測定装置並
びに比抵抗測定装置等等の水質検査装置１０７が備え付
けられ排水品質をモニターし二連三方弁１０８の開閉に
より比較的清浄度の高い排水は配管１０９を介して原水
タンク１０５へ戻し、比較的清浄度の低い排水は配管１
１０を介し系外に排出する。特に二連三方弁１０１は自
動弁とすることで洗浄時間設定で溶接部の自動洗浄・乾
燥が可能である。また上記例では洗浄済みの超純水の排
水回収ライン１０６は原水タンク１０５ヘ接続されてい
るが、活性炭塔１１１とイオン交換樹脂塔１１２の間に
接続されてもよい。また活性炭塔１１１とイオン交換樹
脂塔１１２の間に殺菌並びに水中の有機物除去のための
紫外線照射装置を用いてもよい。 （実施例２）本発明の第２の実施例を図２に示す。図２
は、ガス供給配管系をブロックに分け、溶接・超純水洗
浄後の窒素パージと超純水洗浄とを同時に行い、ガス供
給系の施工スピードを高めた溶接システムである。
【００１９】ガス供給系のブロック２０１は、溶接と超
純水洗浄が終了し、窒素ガスパージを行っている段階で
ある。ガス供給系ブロック２０１の一端からは超高純度
ガス供給源から窒素ガスが導入され、純水洗浄済み配管
供給系２０１をパージ乾燥を行っている。分流弁２０３
は、溶接時の排ガス弁及び超純水洗浄時の排水弁として
使われたものであり、図では開の状態であり、パージガ
スはこの弁を介し系外に放出される。２０４二連三方弁
は閉の状態にある。また、分流弁２０３は、最も下流の
ものだけを開とし残りは閉としてもよい。
純水洗浄が終了し、窒素ガスパージを行っている段階で
ある。ガス供給系ブロック２０１の一端からは超高純度
ガス供給源から窒素ガスが導入され、純水洗浄済み配管
供給系２０１をパージ乾燥を行っている。分流弁２０３
は、溶接時の排ガス弁及び超純水洗浄時の排水弁として
使われたものであり、図では開の状態であり、パージガ
スはこの弁を介し系外に放出される。２０４二連三方弁
は閉の状態にある。また、分流弁２０３は、最も下流の
ものだけを開とし残りは閉としてもよい。
【００２０】一方、ブロック２０６は、バルブによりブ
ロック２０１と遮断され、超純水洗浄が行われている段
階を示している。このブロック２０６は、二連三方弁２
０４を介して純水供給システムと接続されており、超純
水が配管２０７に供給され洗浄を行う。洗浄済みの超純
水の排水は分流弁２０３’を介して回収される。
ロック２０１と遮断され、超純水洗浄が行われている段
階を示している。このブロック２０６は、二連三方弁２
０４を介して純水供給システムと接続されており、超純
水が配管２０７に供給され洗浄を行う。洗浄済みの超純
水の排水は分流弁２０３’を介して回収される。
【００２１】以上述べたように、ガス供給配管系のブロ
ック毎で、溶接、超純水洗浄、及び乾燥を行うことで、
施工スピードを速めることが可能となる。
ック毎で、溶接、超純水洗浄、及び乾燥を行うことで、
施工スピードを速めることが可能となる。
【００２２】（実施例３）本発明の第３の実施例を図３
に示す。
に示す。
【００２３】図３に溶接施工の終了した配管系を洗浄し
ながら、次の溶接施工が継続可能な溶接システムを示
す。配管３０１は不活性ガス供給源またはバックシ−ル
ガス供給源に接続されており、これらガスは分流弁３０
２を介してパージすることができる。配管３０１に導入
された不活性ガスまたはバックシ−ルガスは三連四方弁
３０３、３０４及びバイパス配管３０９を介して溶接施
工中の配管３０５へ供給される。また、溶接施工の終了
したガス供給系３０６に三連四方弁３０３を介して超純
水供給システムに接続された配管３０７から超純水を供
給することで溶接施工の終了したガス供給系３０６を洗
浄する。その際、洗浄済みの超純水の排水は三連四方弁
３０４を介しての排水ライン３０８を通して、実施例１
に示す原水タンクヘ戻すかまたは系外に排出する。
ながら、次の溶接施工が継続可能な溶接システムを示
す。配管３０１は不活性ガス供給源またはバックシ−ル
ガス供給源に接続されており、これらガスは分流弁３０
２を介してパージすることができる。配管３０１に導入
された不活性ガスまたはバックシ−ルガスは三連四方弁
３０３、３０４及びバイパス配管３０９を介して溶接施
工中の配管３０５へ供給される。また、溶接施工の終了
したガス供給系３０６に三連四方弁３０３を介して超純
水供給システムに接続された配管３０７から超純水を供
給することで溶接施工の終了したガス供給系３０６を洗
浄する。その際、洗浄済みの超純水の排水は三連四方弁
３０４を介しての排水ライン３０８を通して、実施例１
に示す原水タンクヘ戻すかまたは系外に排出する。
【００２４】本実施例の溶接システムは、特に長距離に
渡るガス供給系で、超純水洗浄処理が溶接施工終了の配
管内表面に対して均一に行えない場合は三連四方弁３０
３、３０４をガス供給系内に適度の距離で配置し、部分
的に洗浄を行うことで洗浄効果を高めることができる。
また本実施例では溶接施工時について説明したが、三連
四方弁をガス供給系内に適度の間隔で配置して、超高純
度ガス供給系全系を施工終了した後に、超純水による洗
浄を部分的に追加してもよい。
渡るガス供給系で、超純水洗浄処理が溶接施工終了の配
管内表面に対して均一に行えない場合は三連四方弁３０
３、３０４をガス供給系内に適度の距離で配置し、部分
的に洗浄を行うことで洗浄効果を高めることができる。
また本実施例では溶接施工時について説明したが、三連
四方弁をガス供給系内に適度の間隔で配置して、超高純
度ガス供給系全系を施工終了した後に、超純水による洗
浄を部分的に追加してもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の溶接システ
ムによれば、溶融部から発生した金属ヒュームによる溶
接部表面近傍ヘの金属付着を除去することが可能であり
また洗浄後は超高純度の不活性ガスにより乾燥させるた
め、活性な特殊材料ガス、特に腐食ガス性を有する塩化
水素ガスを流しても溶接部の腐食、付着金属の剥離の問
題を防ぐことができる。従って、本発明の超高純度ガス
配管用溶接システムを用いることで、長期に渡り信頼性
の高い高純度ガス供給配管系を提供することが可能とな
る。
ムによれば、溶融部から発生した金属ヒュームによる溶
接部表面近傍ヘの金属付着を除去することが可能であり
また洗浄後は超高純度の不活性ガスにより乾燥させるた
め、活性な特殊材料ガス、特に腐食ガス性を有する塩化
水素ガスを流しても溶接部の腐食、付着金属の剥離の問
題を防ぐことができる。従って、本発明の超高純度ガス
配管用溶接システムを用いることで、長期に渡り信頼性
の高い高純度ガス供給配管系を提供することが可能とな
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概念図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す概念図。
【図３】本発明の第３の実施例を示す概念図。
【図４】従来の溶接技術の問題点を示す概念図。
１０１ 二連三方弁、 １０２ ガス供給配管、 １０３ 超純水供給配管、 １０４ 超純水循環配管、 １０５ 原水タンク、 ｌ０６ 排水回収ライン、 ｌ０７ パ−ティクル測定装置及び比抵抗測定装置、 １０８，１１６ 二連三方弁、 １０９ 配管、 １１０ 排水配管、 １１１ 活性炭塔、 １１２ イオン交換樹脂塔、 １１３，１１４ 被溶接配管、 １１５ タングステン電極、 １１７ 半導体ガス供給装置、 １１８ 半導体処理装置、 ２０１，２０６ ガス供給系のブロック、 ２０３，２０３’ 分流弁、 ２０４ 二連三方弁、 ２０５ 超純水供給ライン、 ３０１ 配管、 ３０２ 分流弁、 ３０３，３０４ 三連四方弁、 ３０５ 配管、 ３０６ 超純水洗浄中のブロック、 ３０７ 超純水供給ライン、 ３０８ 排水ライン、 ３０９ バイパス配管、 ４０１ タングステン電極、 ４０２ 溶接を行う配管材料、 ４０３ 溶接部、 ４０４ 金属ヒュ−ム、 ４０５ 付着金属。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年５月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 超高純度流体供給配管系用溶接システ
ム
ム
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高純度流体供給配管
系用溶接システムに係わり、特に高性能な半導体デバイ
ス等の製造装置に要求される超高純度ガスあるいは純水
やの薬液や供給系等の施工費を低減し、施工後の速い高
性能な立ち上がりを可能とする超高純度ガス供給配管系
用溶接システムに関する。
系用溶接システムに係わり、特に高性能な半導体デバイ
ス等の製造装置に要求される超高純度ガスあるいは純水
やの薬液や供給系等の施工費を低減し、施工後の速い高
性能な立ち上がりを可能とする超高純度ガス供給配管系
用溶接システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】流体供給配管系に用いられる配管並びに
バルブ、レギュレータ等の流体部品の接合方法として、
タングステン・イナートガス溶接、アークガス溶接、電
子ビ−ム溶接等が広く用いられている。しかし、これら
従来の溶接技術においては、溶接部の表面粗度、溶融部
から発生する金属ヒュ−ムの供給系配管内表面への金属
付着について考慮が払われていないのが現状である。特
に、従来のガス供給配管並び溶接部を有する部品では、
溶接により生じた金属ヒュームの供給系配管内表面への
金属付着について何等処理がなされていないため、極め
て活性な特殊材料ガスに接触すると、これら付着金属は
腐食、剥離する。その結果、ガスを使用する半導体製造
装置等のユースポイントで金属汚染が起こり、半導体デ
バイスの高性能化を妨げる要因となることが判明した。
また、不活性な一般ガスに対しては、短期間では如実な
問題は発生しないものの、長期的な信頼性においては、
多分の問題を有するが本発明者により見いだされてい
る。
バルブ、レギュレータ等の流体部品の接合方法として、
タングステン・イナートガス溶接、アークガス溶接、電
子ビ−ム溶接等が広く用いられている。しかし、これら
従来の溶接技術においては、溶接部の表面粗度、溶融部
から発生する金属ヒュ−ムの供給系配管内表面への金属
付着について考慮が払われていないのが現状である。特
に、従来のガス供給配管並び溶接部を有する部品では、
溶接により生じた金属ヒュームの供給系配管内表面への
金属付着について何等処理がなされていないため、極め
て活性な特殊材料ガスに接触すると、これら付着金属は
腐食、剥離する。その結果、ガスを使用する半導体製造
装置等のユースポイントで金属汚染が起こり、半導体デ
バイスの高性能化を妨げる要因となることが判明した。
また、不活性な一般ガスに対しては、短期間では如実な
問題は発生しないものの、長期的な信頼性においては、
多分の問題を有するが本発明者により見いだされてい
る。
【０００３】従来の流体ガス供給配管系溶接による金属
ヒュ−ムの付着、溶接部の表面荒れについて、図４を用
いてより詳しく述べる。図４は配管材料のタングステン
イナ−トガス溶接による溶接部を示す。図において、４
０１はタングステン電極であり、４０２は溶接を行う配
管材料ある。４０３は溶接部を示し、４０４はこの溶融
部で発生する金属ヒュ−ムである。この金属ヒューム４
０４はアークガスやバックシールガスの流れにより溶接
部４０３の下流側の配管材料４０２の表面に付着し付着
金属４０５となる。この付着金属４０５は、不活性ガス
に対しては剥離という問題は生じないが腐食性ガス、例
えば塩化水素ガスを流すと材料表面に結合ではなく単に
付着しているだけの付着金属４０５は剥離がする。剥離
する金属としては、金属材料に主として含まれるＦｅ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎであり、これら金属はＬＳＩの特性に
大きく影響するため、これら金属の除去は半導体製造に
おいて極めて重大な問題である。
ヒュ−ムの付着、溶接部の表面荒れについて、図４を用
いてより詳しく述べる。図４は配管材料のタングステン
イナ−トガス溶接による溶接部を示す。図において、４
０１はタングステン電極であり、４０２は溶接を行う配
管材料ある。４０３は溶接部を示し、４０４はこの溶融
部で発生する金属ヒュ−ムである。この金属ヒューム４
０４はアークガスやバックシールガスの流れにより溶接
部４０３の下流側の配管材料４０２の表面に付着し付着
金属４０５となる。この付着金属４０５は、不活性ガス
に対しては剥離という問題は生じないが腐食性ガス、例
えば塩化水素ガスを流すと材料表面に結合ではなく単に
付着しているだけの付着金属４０５は剥離がする。剥離
する金属としては、金属材料に主として含まれるＦｅ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎであり、これら金属はＬＳＩの特性に
大きく影響するため、これら金属の除去は半導体製造に
おいて極めて重大な問題である。
【０００４】しかしながら、現状の半導体製造装置等の
流体供給配管系施工方法においては、以上の金属汚染を
効果的に除去するものはなく、特に高清浄な雰囲気を要
求される装置に適用可能な溶接システムが強く望まれて
いる。
流体供給配管系施工方法においては、以上の金属汚染を
効果的に除去するものはなく、特に高清浄な雰囲気を要
求される装置に適用可能な溶接システムが強く望まれて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の点に鑑
みなされたものであり、超高純度流体供給配管系施工時
に、溶接部表面近傍ならび流体供給系内部に付着した金
属を容易にしかも完全に除去することが可能で、短時間
で超高純度流体供給系を立ち上げることが可能な超高純
度流体供給配管系用溶接システムを提供することを目的
とする。
みなされたものであり、超高純度流体供給配管系施工時
に、溶接部表面近傍ならび流体供給系内部に付着した金
属を容易にしかも完全に除去することが可能で、短時間
で超高純度流体供給系を立ち上げることが可能な超高純
度流体供給配管系用溶接システムを提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の被溶接
部材を溶接にて接続する流体供給配管系用溶接システム
において、第１の被溶接部材に不活性ガスまたは溶接用
のバックシールガス供給手段と超純水供給手段とを設
け、第２の被溶接部材に前記不活性ガスまたはバックシ
一ルガスの排出手段と超純水排出手段とを設け、前記不
活性ガスまたはバックシールガスを流しながら前記第１
及び第２の被溶接部材を溶接し、溶接後に超純水を流し
て、溶接により前記被溶接部材内表面に付着した金属ヒ
ュームを洗浄除去できる構造とした超高純度流体供給配
管系用溶接システムに存在する。
部材を溶接にて接続する流体供給配管系用溶接システム
において、第１の被溶接部材に不活性ガスまたは溶接用
のバックシールガス供給手段と超純水供給手段とを設
け、第２の被溶接部材に前記不活性ガスまたはバックシ
一ルガスの排出手段と超純水排出手段とを設け、前記不
活性ガスまたはバックシールガスを流しながら前記第１
及び第２の被溶接部材を溶接し、溶接後に超純水を流し
て、溶接により前記被溶接部材内表面に付着した金属ヒ
ュームを洗浄除去できる構造とした超高純度流体供給配
管系用溶接システムに存在する。
【０００７】
【作用】不活性流体供給手段またはバックシールガス供
給手段を介し、不活性ガスあるいはバックシールガスを
溶接部に流すことにより、パーティクル汚染源となる溶
接部表面の焼けを防止することができる。溶接時に溶融
部より金属ヒュームが発生し、溶接部の下流側に再付着
する。
給手段を介し、不活性ガスあるいはバックシールガスを
溶接部に流すことにより、パーティクル汚染源となる溶
接部表面の焼けを防止することができる。溶接時に溶融
部より金属ヒュームが発生し、溶接部の下流側に再付着
する。
【０００８】次に超純水供給手段から超純水を導入し、
溶接部を通して排出手段から排出することにより、溶接
により配管系内表面に付着した金属を洗浄除去すること
ができる。この洗浄は、付着金属洗浄除去後の残さ物を
極めて低減し、２次汚染を防ぐためにも、超純水を使用
し、特に比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ以上、金属成分含有量１
００ｐｐｔ以下のものが望ましい。また、水温は、洗浄
効果を高めるために２０〜１００℃が好ましく、４０〜
８０℃がより好ましい。洗浄時間は、水温により異なる
が、４０℃の場合、１時間程度である。
溶接部を通して排出手段から排出することにより、溶接
により配管系内表面に付着した金属を洗浄除去すること
ができる。この洗浄は、付着金属洗浄除去後の残さ物を
極めて低減し、２次汚染を防ぐためにも、超純水を使用
し、特に比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ以上、金属成分含有量１
００ｐｐｔ以下のものが望ましい。また、水温は、洗浄
効果を高めるために２０〜１００℃が好ましく、４０〜
８０℃がより好ましい。洗浄時間は、水温により異なる
が、４０℃の場合、１時間程度である。
【０００９】洗浄後は、窒素ガスやＡｒガス等の不活性
ガスを流し、内表面を乾燥して常時清浄な雰囲気に保っ
ておくのが好ましい。
ガスを流し、内表面を乾燥して常時清浄な雰囲気に保っ
ておくのが好ましい。
【００１０】本発明の溶接システムは、特にその配管施
工時の際に、ブロック毎に溶接・超純水洗浄・乾燥を行
うことができ、溶接を終了したブロックから、洗浄乾燥
を行えるため、超高純度流体供給系の施工スピードを損
ねることなく、超高純度流体供給配管系の施工が可能と
なる。
工時の際に、ブロック毎に溶接・超純水洗浄・乾燥を行
うことができ、溶接を終了したブロックから、洗浄乾燥
を行えるため、超高純度流体供給系の施工スピードを損
ねることなく、超高純度流体供給配管系の施工が可能と
なる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の超高純度流体供給配管系用溶接
システムを実施例を挙げて説明するが、本発明がこれら
実施例に限定されないことはいうまでもない。
システムを実施例を挙げて説明するが、本発明がこれら
実施例に限定されないことはいうまでもない。
【００１２】（実施例１）本発明の第１の実施例を図１
に示す。図ｌは、半導体流体供給装置１１７からガスの
ユースポイントである例えば、半導体処理装置１１８へ
のガス供給系を本発明の溶接システムで施工するための
一構成例を示したものである。
に示す。図ｌは、半導体流体供給装置１１７からガスの
ユースポイントである例えば、半導体処理装置１１８へ
のガス供給系を本発明の溶接システムで施工するための
一構成例を示したものである。
【００１３】１０１二連三方弁の開閉により配管１０２
に接続されているガス供給システムより、ＡｒガスをＳ
ＵＳ３１６Ｌ製配管１１３、１１４に供給し、二連三方
弁１１６を介して系外に放出する。この状態で配管１１
３と１１４をタングステンイナートガス溶接により溶接
した。１１５は、溶接に用いるタングステン電極であ
る。
に接続されているガス供給システムより、ＡｒガスをＳ
ＵＳ３１６Ｌ製配管１１３、１１４に供給し、二連三方
弁１１６を介して系外に放出する。この状態で配管１１
３と１１４をタングステンイナートガス溶接により溶接
した。１１５は、溶接に用いるタングステン電極であ
る。
【００１４】次に、二連三方弁１０１及び１１６を切り
替え、超純水を溶接の終了した配管内に流し、配管内部
に付着した金属ヒューム等の不純物を洗い流し、排水ラ
イン１０６に放出した。
替え、超純水を溶接の終了した配管内に流し、配管内部
に付着した金属ヒューム等の不純物を洗い流し、排水ラ
イン１０６に放出した。
【００１５】３０℃の超純水を５時間流した後、三方弁
１０１、１１６を再び切り替え、配管１１３及び１１４
中に窒素ガスを導入して水を排出し、水分が完全にパー
ジされるまで流し続けた。
１０１、１１６を再び切り替え、配管１１３及び１１４
中に窒素ガスを導入して水を排出し、水分が完全にパー
ジされるまで流し続けた。
【００１６】以上のガス供給系の清浄度を評価するため
に、従来法で施工した同一形状のガス供給系と共に以下
の試験を行った。
に、従来法で施工した同一形状のガス供給系と共に以下
の試験を行った。
【００１７】半導体ガス供給装置１１７から１．４ｐｐ
ｍの水分を含む塩化水素ガスをガス供給系に導入し，
２．５Ｋｇ／ｃｍ2で１２時間放置した。その後，Ａｒ
ガスを２５０ｃｃ／ｍｉｎで流して、半導体処理装置１
１８のガス導入口でシリコンウエハ上にガス中の金属元
素を補収し、ＴＲ−ＸＦＳ（Total Reflection X-ray
fluorescence Specroscopy）で、金属元素の定量を行
った。従来例のガス供給系からは，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｍｎ等の金属が検出されたが、本実施例のガス供給系か
らは金属は全く検出されなかった。
ｍの水分を含む塩化水素ガスをガス供給系に導入し，
２．５Ｋｇ／ｃｍ2で１２時間放置した。その後，Ａｒ
ガスを２５０ｃｃ／ｍｉｎで流して、半導体処理装置１
１８のガス導入口でシリコンウエハ上にガス中の金属元
素を補収し、ＴＲ−ＸＦＳ（Total Reflection X-ray
fluorescence Specroscopy）で、金属元素の定量を行
った。従来例のガス供給系からは，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｍｎ等の金属が検出されたが、本実施例のガス供給系か
らは金属は全く検出されなかった。
【００１８】尚、図１に示した超純水供給システムにお
いては、超純水を使用していないときには原水タンク１
０５ヘ超純水をリターンすることで水質並びに純水供給
システムの汚染を防ぐことが可能である。洗浄済みの超
純水の排水回収ライン１０６はパ−ティクル測定装置並
びに比抵抗測定装置等等の水質検査装置１０７が備え付
けられ排水品質をモニターし二連三方弁１０８の開閉に
より比較的清浄度の高い排水は配管１０９を介して原水
タンク１０５へ戻し、比較的清浄度の低い排水は配管１
１０を介し系外に排出する。特に二連三方弁１０１は自
動弁とすることで洗浄時間設定で溶接部の自動洗浄・乾
燥が可能である。また上記例では洗浄済みの超純水の排
水回収ライン１０６は原水タンク１０５ヘ接続されてい
るが、活性炭塔１１１とイオン交換樹脂塔１１２の間に
接続されてもよい。また活性炭塔１１１とイオン交換樹
脂塔１１２の間に殺菌並びに水中の有機物除去のための
紫外線照射装置を用いてもよい。
いては、超純水を使用していないときには原水タンク１
０５ヘ超純水をリターンすることで水質並びに純水供給
システムの汚染を防ぐことが可能である。洗浄済みの超
純水の排水回収ライン１０６はパ−ティクル測定装置並
びに比抵抗測定装置等等の水質検査装置１０７が備え付
けられ排水品質をモニターし二連三方弁１０８の開閉に
より比較的清浄度の高い排水は配管１０９を介して原水
タンク１０５へ戻し、比較的清浄度の低い排水は配管１
１０を介し系外に排出する。特に二連三方弁１０１は自
動弁とすることで洗浄時間設定で溶接部の自動洗浄・乾
燥が可能である。また上記例では洗浄済みの超純水の排
水回収ライン１０６は原水タンク１０５ヘ接続されてい
るが、活性炭塔１１１とイオン交換樹脂塔１１２の間に
接続されてもよい。また活性炭塔１１１とイオン交換樹
脂塔１１２の間に殺菌並びに水中の有機物除去のための
紫外線照射装置を用いてもよい。
【００１９】（実施例２）本発明の第２の実施例を図２
に示す。図２は、流体供給配管系をブロックに分け、溶
接・超純水洗浄後の窒素パージと超純水洗浄とを同時に
行い、流体供給系の施工スピードを高めた溶接システム
である。
に示す。図２は、流体供給配管系をブロックに分け、溶
接・超純水洗浄後の窒素パージと超純水洗浄とを同時に
行い、流体供給系の施工スピードを高めた溶接システム
である。
【００２０】流体供給系のブロック２０１は、溶接と超
純水洗浄が終了し、窒素ガスパージを行っている段階で
ある。流体供給系ブロック２０１の一端からは超高純度
流体供給源から窒素ガスが導入され、純水洗浄済み配管
供給系２０１をパージ乾燥を行っている。分流弁２０３
は、溶接時の排ガス弁及び超純水洗浄時の排水弁として
使われたものであり、図では開の状態であり、パージガ
スはこの弁を介し系外に放出される。２０４二連三方弁
は閉の状態にある。また、分流弁２０３は、最も下流の
ものだけを開とし残りは閉としてもよい。
純水洗浄が終了し、窒素ガスパージを行っている段階で
ある。流体供給系ブロック２０１の一端からは超高純度
流体供給源から窒素ガスが導入され、純水洗浄済み配管
供給系２０１をパージ乾燥を行っている。分流弁２０３
は、溶接時の排ガス弁及び超純水洗浄時の排水弁として
使われたものであり、図では開の状態であり、パージガ
スはこの弁を介し系外に放出される。２０４二連三方弁
は閉の状態にある。また、分流弁２０３は、最も下流の
ものだけを開とし残りは閉としてもよい。
【００２１】一方、ブロック２０６は、バルブによりブ
ロック２０１と遮断され、超純水洗浄が行われている段
階を示している。このブロック２０６は、二連三方弁２
０４を介して純水供給システムと接続されており、超純
水が配管２０７に供給され洗浄を行う。洗浄済みの超純
水の排水は分流弁２０３’を介して回収される。
ロック２０１と遮断され、超純水洗浄が行われている段
階を示している。このブロック２０６は、二連三方弁２
０４を介して純水供給システムと接続されており、超純
水が配管２０７に供給され洗浄を行う。洗浄済みの超純
水の排水は分流弁２０３’を介して回収される。
【００２２】以上述べたように、流体供給配管系のブロ
ック毎で、溶接、超純水洗浄、及び乾燥を行うことで、
施工スピードを速めることが可能となる。
ック毎で、溶接、超純水洗浄、及び乾燥を行うことで、
施工スピードを速めることが可能となる。
【００２３】（実施例３）本発明の第３の実施例を図３
に示す。
に示す。
【００２４】図３に溶接施工の終了した配管系を洗浄し
ながら、次の溶接施工が継続可能な溶接システムを示
す。配管３０１は不活性ガス供給源またはバックシ−ル
ガス供給源に接続されており、これらガスは分流弁３０
２を介してパージすることができる。配管３０１に導入
された不活性ガスまたはバックシ−ルガスは三連四方弁
３０３、３０４及びバイパス配管３０９を介して溶接施
工中の配管３０５へ供給される。また、溶接施工の終了
したガス供給系３０６に三連四方弁３０３を介して超純
水供給システムに接続された配管３０７から超純水を供
給することで溶接施工の終了したガス供給系３０６を洗
浄する。その際、洗浄済みの超純水の排水は三連四方弁
３０４を介しての排水ライン３０８を通して、実施例１
に示す原水タンクヘ戻すかまたは系外に排出する。
ながら、次の溶接施工が継続可能な溶接システムを示
す。配管３０１は不活性ガス供給源またはバックシ−ル
ガス供給源に接続されており、これらガスは分流弁３０
２を介してパージすることができる。配管３０１に導入
された不活性ガスまたはバックシ−ルガスは三連四方弁
３０３、３０４及びバイパス配管３０９を介して溶接施
工中の配管３０５へ供給される。また、溶接施工の終了
したガス供給系３０６に三連四方弁３０３を介して超純
水供給システムに接続された配管３０７から超純水を供
給することで溶接施工の終了したガス供給系３０６を洗
浄する。その際、洗浄済みの超純水の排水は三連四方弁
３０４を介しての排水ライン３０８を通して、実施例１
に示す原水タンクヘ戻すかまたは系外に排出する。
【００２５】本実施例の溶接システムは、特に長距離に
わたる流体供給系で、超純水洗浄処理が溶接施工終了の
配管内表面に対して均一に行えない場合は三連四方弁３
０３、３０４を流体供給系内に適度の距離で配置し、部
分的に洗浄を行うことで洗浄効果を高めることができ
る。また本実施例では溶接施工時について説明したが、
三連四方弁を流体供給系内に適度の間隔で配置して、超
高純度流体供給系全系を施工終了した後に、超純水によ
る洗浄を部分的に追加してもよい。
わたる流体供給系で、超純水洗浄処理が溶接施工終了の
配管内表面に対して均一に行えない場合は三連四方弁３
０３、３０４を流体供給系内に適度の距離で配置し、部
分的に洗浄を行うことで洗浄効果を高めることができ
る。また本実施例では溶接施工時について説明したが、
三連四方弁を流体供給系内に適度の間隔で配置して、超
高純度流体供給系全系を施工終了した後に、超純水によ
る洗浄を部分的に追加してもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の溶接システ
ムによれば、溶融部から発生した金属ヒュームによる溶
接部表面近傍ヘの金属付着を除去することが可能であり
また洗浄後は超高純度の不活性ガスにより乾燥させるた
め、活性な特殊材料ガス、特に腐食ガス性を有する塩化
水素ガスを流しても溶接部の腐食、付着金属の剥離の問
題を防ぐことができる。従って、本発明の超高純度流体
配管用溶接システムを用いることで、長期に渡り信頼性
の高い高純度ガス供給配管系を提供することが可能とな
る。
ムによれば、溶融部から発生した金属ヒュームによる溶
接部表面近傍ヘの金属付着を除去することが可能であり
また洗浄後は超高純度の不活性ガスにより乾燥させるた
め、活性な特殊材料ガス、特に腐食ガス性を有する塩化
水素ガスを流しても溶接部の腐食、付着金属の剥離の問
題を防ぐことができる。従って、本発明の超高純度流体
配管用溶接システムを用いることで、長期に渡り信頼性
の高い高純度ガス供給配管系を提供することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す概念図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す概念図。
【図３】本発明の第３の実施例を示す概念図。
【図４】従来の溶接技術の問題点を示す概念図。
【符号の説明】 １０１ 二連三方弁、 １０２ ガス供給配管、 １０３ 超純水供給配管、 １０４ 超純水循環配管、 １０５ 原水タンク、 ｌ０６ 排水回収ライン、 ｌ０７ パ−ティクル測定装置及び比抵抗測定装置、 １０８，１１６ 二連三方弁、 １０９ 配管、 １１０ 排水配管、 １１１ 活性炭塔、 １１２ イオン交換樹脂塔、 １１３，１１４ 被溶接配管、 １１５ タングステン電極、 １１７ 半導体ガス供給装置、 １１８ 半導体処理装置、 ２０１，２０６ ガス供給系のブロック、 ２０３，２０３’ 分流弁、 ２０４ 二連三方弁、 ２０５ 超純水供給ライン、 ３０１ 配管、 ３０２ 分流弁、 ３０３，３０４ 三連四方弁、 ３０５ 配管、 ３０６ 超純水洗浄中のブロック、 ３０７ 超純水供給ライン、 ３０８ 排水ライン、 ３０９ バイパス配管、 ４０１ タングステン電極、 ４０２ 溶接を行う配管材料、 ４０３ 溶接部、 ４０４ 金属ヒュ−ム、 ４０５ 付着金属。
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の被溶接部材を溶接にて接続するガ
ス供給配管系用溶接システムにおいて、第１の被溶接部
材に不活性ガスまたは溶接用のバックシールガス供給手
段と超純水供給手段とを設け、第２の被溶接部材に前記
不活性ガスまたはバックシ一ルガスの排出手段と超純水
排出手段とを設け、前記不活性ガスまたはバックシール
ガスを流しながら前記第１及び第２の被溶接部材を溶接
し、溶接後に超純水を流して、溶接により前記被溶接部
材内表面に付着した金属ヒュームを洗浄除去できる構造
とした超高純度ガス供給配管系用溶接システム。 - 【請求項２】 前記不活性ガスまたはバックシールガス
供給手段および超純水供給手段と前記不活性ガスまたは
バックシールガス排出手段および超純水排出手段とは、
それぞれ超純水と不活性ガスまたはバックシールガスと
の切り替えが可能なバルブを有することを特徴とする請
求項１記載の超高純度ガス配管用溶接システム。 - 【請求項３】 前記不活性ガスは、Ａｒガスまたは窒素
ガスであることを特徴とする請求項ｌまたは２に記載の
超高純度ガス配管用溶接システム。 - 【請求項４】 前記バックシールガスは、Ａｒガスに水
素ガスを添加したことを特徴とする請求項１または２に
記載の超高純度ガス配管用溶接システム。
Priority Applications (4)
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