JPH0686629B2 - 低損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製造方法ならびにその製造装置 - Google Patents

低損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製造方法ならびにその製造装置

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JPH0686629B2
JPH0686629B2 JP62266553A JP26655387A JPH0686629B2 JP H0686629 B2 JPH0686629 B2 JP H0686629B2 JP 62266553 A JP62266553 A JP 62266553A JP 26655387 A JP26655387 A JP 26655387A JP H0686629 B2 JPH0686629 B2 JP H0686629B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、方向性ケイ素鋼帯の製造方法ならびにその製
造装置に係り、特に極薄鋼帯で、かつ高磁束密度、超低
鉄損で配向性の高い方向性ケイ素鋼帯が能率的に得られ
る製造方法、ならびにその製造装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来、特開昭55-131128号公報に記載されているような
ゴス組織を有する鋼板の製造方法が提案されている。
この製造方法は、ゴス組織を有する鋼板を、一次結晶を
発生させるために冷間圧延し、その後の加熱によつて三
次再結晶を発生させるために焼なましを行う方法におい
て、前記冷間圧延で40〜85%減厚し、700〜900℃に加熱
した後、さらに1300〜1500℃で焼なましを行う方法であ
る。
この方法は具体的には、ゴス組織を有する鋼板を冷間圧
延後に700〜900℃で1〜3分間保持し、次に100℃/時
間(0.08℃/秒)という非常にゆっくりとした昇温速度
で数時間かけて焼なまし温度(1300〜1500℃)まで昇温
し、その焼なまし温度で0.5〜1時間保持される。
ところが前記冷間圧延後の鋼板を700〜900℃で1〜3分
間保持し、その後100℃/時間(0.08℃/秒)という非
常にゆっくりとした昇温速度で昇温して、しかも焼なま
し時間が短いことから、(110)〔001〕の結晶核が多量
に生成し、高温短時間で(110)〔001〕の方向性ケイ素
鋼板を製造することはできるが、結晶数が多過ぎて、結
晶粒径は大きくすることができない。
また前述のようにゆるやかな昇温速度で昇温すると、
(110)〔001〕以外の結晶粒も生成する。このようなこ
とから配向性の悪く、磁束密度などの磁気特性の良くな
いケイ素鋼板となる。
本出願人らは先に、特願昭62-3270号として後記のよう
な方向性ケイ素鋼極薄帯の製造方法を提案した。すなわ
ちこの発明は、(110)〔001〕結晶粒集合組織を有する
一方向性ケイ素鋼帯素材を冷間圧延することにより、厚
さ150μm以下の(111)〔112〕集合組織を有する中間
極薄帯を作る第1工程と、その後に前記中間極薄帯を非
酸化性雰囲気中において高温熱処理することにより、平
均結晶粒径が5mm以上の高度に集積された(110)〔00
1〕方位を有する3次再結晶粒の集合結晶組織からなる
極薄帯を得る第2工程とを経由することを特徴とするも
のである。
第6図は、この発明における第2工程での温度カーブの
一例を示す特性図である。同図に示すように、前記第1
工程で冷間圧延した中間極薄帯を最初、2.5℃/秒の昇
温速度で常温より一度に加熱昇温し、1200℃で8時間保
持した後、25℃/分の速度で冷却するような熱処理条件
になつている。
第7図ならびに第8図は、このようにして得られた方向
性ケイ素鋼極薄帯の鉄損特性図ならびにB-Hループ特性
図である。これらの図から明らかなように、磁束密度が
高く、保磁力が小さいとともに、鉄損の少なく配向性の
高い方向性ケイ素鋼帯を得ることができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、この方法は第6図に示すように、常温(室温)
から所定の熱処理温度(第6図の例であれば1200℃)ま
で一度に昇温するので、この熱処理工程毎に常温まで熱
処理炉を冷却させる必要があり、そのために熱損失が大
きい欠点があつた。
また、常温から1200℃まで昇温するため短時間に大きな
熱量を供給する必要があり、大規模な炉能力が必要とな
り、ランニングコストが高くつくなどの技術的な問題点
がある。
本発明の目的は、前述したような従来技術の問題点を解
消し、優れた磁気特性を損うことなく、効率良く、エネ
ルギーロスの少ない、低損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製
造方法ならびに製造装置を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
前述の目的を達成するため、本発明は、(110)〔001〕
結晶粒集合組織を有し、ケイ素の含有率が2〜8重量%
の方向性ケイ素鋼帯素材を冷間圧延することにより、厚
さ150μm以下の(111)〔112〕集合組織を有する中間
極薄帯を作る第1工程と、 非酸化性雰囲気あるいは減圧雰囲気下で、前記中間極薄
帯を高温熱処理する第2工程とを経由する方向性ケイ素
鋼極薄帯の製造方法を対象とするものである。
そして前記第2工程が、 前記中間極薄帯を非酸化性雰囲気あるいは減圧雰囲気下
で、3次再結晶が完全に開始される前の温度、例えば60
0℃未満の温度まで、室温(常温)より昇温する予熱工
程と、 その後に中間極薄帯を、非酸化雰囲気あるいは減圧雰囲
気下で600℃以上では1.5℃/秒以上の昇温速度で1000〜
1400℃まで昇温し、その温度で3時間以上保持する本熱
処理工程と、 次にその中間極薄帯を、非酸化性雰囲気あるいは減圧雰
囲気下で室温(常温)まで冷却する冷却工程とを有して
いることを特徴とするものである。
前述の目的を達成するため、さらに本発明は、(110)
〔001〕結晶粒集合組織を有し、ケイ素の含有率が2〜
8重量%の方向性ケイ素鋼帯素材を冷間圧延することに
より、厚さが150μm以下の(111)〔112〕集合組織を
有する中間極薄帯を作る第1工程と、 非酸化性雰囲気あるいは減圧雰囲気下で、前記中間極薄
帯を高温熱処理する第2工程とを経由するものにおい
て、 前記第2工程の製造装置が、予熱室と本熱処理室と冷却
室を備え、 前記予熱室は前記冷却室との間に設けられた高温流体導
入手段からの高温流体によって、前記冷間圧延された後
の中間極薄帯を、非酸化性雰囲気で再結晶が完全に開始
される前の温度まで、室温より昇温する予熱室であっ
て、 前記本熱処理室は前記予熱後の中間極薄帯を、600℃以
上では1.5℃/秒以上の昇温速度で1000〜1400℃まで昇
温し、その温度で3時間以上保持する、非酸化性雰囲気
あるいは減圧雰囲気下の本熱処理室であり、 前記冷却室は冷却用の流体を導入する流体入口を備え、
該流体入口より導入した流体で前記本熱処理済みの中間
極薄帯を、非酸化性雰囲気で室温まで冷却し、該中間極
薄帯と熱交換し、高温となった高温流体は前記予熱室の
前記高温流体導入手段へ排出される冷却室であって、 前記中間極薄帯が予熱室、本熱処理室ならびに冷却室へ
と順次移動できる移動手段を有することを特徴とするも
のである。
〔実施例〕
本発明で使用するケイ素鋼帯中のケイ素含有率は、2〜
8重量%の範囲に規制する必要がある。ケイ素を2重量
%以上含有するケイ素鋼帯はγ変態がないので、高温焼
鈍によつて結晶粒を大きくしたり、2次ならびに3次の
再結晶を生じさせて好ましい集合組織を形成することが
できるが、ケイ素の含有率が2重量%未満ではこのよう
な特長が発揮されない。
一方、ケイ素の含有率が8重量%を超えると、飽和磁束
密度が約1.7T以下になつて磁性材料として不適当である
ばかりでなく、機械的に著しく脆弱になるので好ましく
ない。このような理由からケイ素の含有率を2〜8重量
%の範囲に規制する必要があり、特にケイ素の含有率が
2.5〜4.0重量%のものは、圧延などの機械的特性に優
れ、飽和磁束密度も1.95T以上であるため好適である。
本発明では市販のケイ素鋼帯が使用でき、板厚が300μ
mと350μmのものとがある。これらのケイ素鋼帯を素
材として用い、冷間圧延によつて板厚が150μm以下に
圧延される。この圧下率は50%以上であれば十分で、こ
の冷間圧延の本来の主旨は、(110)〔001〕方位の方向
性ケイ素鋼帯から、圧延方向に対してずれ角度の大き
い、換言すれば結晶歪のある(111)〔112〕方位を有す
る極薄の中間体を得ることにある。
また本発明では、150μmを超える板厚では(110)〔00
1〕方位の再結晶粒成長が生じ難いことが確められた。
この理由は、150μmを超える板厚では、表面エネルギ
ーが駆動力となつて、表面エネルギーの一番低い(11
0)面が成長するには板厚が厚すぎるためと考えられ
る。
冷間圧延後の熱処理は、熱処理中に金属が酸化されて磁
気特性が低下するのを防止するために、例えば窒素ガス
やアルゴンガスの如き不活性雰囲気,水素ガス雰囲気,
不活性ガスと水素ガスの混合ガス雰囲気,あるいは前記
のような各種ガスの減圧雰囲気,または単なる減圧雰囲
気で行なわれる。この減圧の場合は、例えば2×10-5
10-6トール程度の真空度にすれば良い。
次に本発明に係る処理方法の具体例について説明する。
素材として市販の方向性ケイ素鋼帯(新日本製鐵社製Z6
H)を用いた。この方向性ケイ素鋼帯の板厚は300μm、
密度は7.65g/cm3である。このケイ素鋼帯を濃硫酸と弗
酸との混合溶液(濃硫酸3対弗酸1)に30分間浸漬し、
その後水洗して、さらに10%の硝酸水溶液で酸洗い、水
洗して、鋼帯の表面に形成されている絶縁被膜や酸化被
膜を除去する。
次に2段ロール圧延機を用いて80μmまで圧延し、その
ときの圧下率は73%である。このように冷間圧延するこ
とによつて、結晶粒の集合組織は圧延方向に対する方位
のずれ角度が35.3度と大きいほぼ(111)〔112〕方位で
あることがX線極点図で確認された。
この中間極薄帯を9.75×10-6トールの真空下において、
赤外線集中加熱炉を用いて加熱し(加熱時間1時間)、
そのときの熱処理温度と磁気特性との関係を第2図に示
す。図中の曲線Aは熱処理温度と保磁力との関係を示す
特性曲線、曲線Bは熱処理温度と磁束密度との関係を示
す特性曲線である。
この図から明らかなように、常温から600℃付近までは
保磁力の急激な上昇は生じていない。すなわち、この結
果は、常温から約600℃までは結晶の回復過程にあり、
換言すれば完全に再結晶が開始される前の状態であり、
特に高速昇温の必要がない領域であることを示してい
る。
本発明はこの点に着目してなされたものであり、前述の
冷間圧延工程後、常温から再結晶が完全に開始されるま
での過程は、非酸化性雰囲気又は減圧雰囲気下で、例え
ば1.5℃/秒未満の比較的緩やかな昇温速度で予熱す
る。その後、所定の保持温度までを例えば1.5℃/秒以
上の比較的速い昇温速度で上昇させるようにしたもので
ある。さらにその後は所定の温度で例えば3時間以上保
持し、続いて非酸化性雰囲気あるいは減圧雰囲気下で冷
却する。
このような方法によつて、エネルギー効率が良く、結晶
粒径が5mm以上と極めて大きく、高度に集積された(11
0)〔001〕方位を有する3次再結晶粒の集合組織からな
る極薄帯を得ることができる。
第1図は、熱処理炉の構造を説明するための図である。
同図に示すように熱処理炉は、前の工程で冷間圧延した
中間極薄帯を予熱する予熱室1と、昇温保持室2と、高
温保持後に冷却する冷却室3の3室からなり、予熱室
1、昇温保持室2、冷却室3の順序で並んでいる。
予熱室1では、常温より約600℃まで冷却室3の排熱を
一部使用して約1.5℃/秒未満の速度、好ましくは600℃
より保持終了までと同一の時間で、常温より600℃まで
加熱可能な速度にて加熱する。
昇温保持室2では、約600℃より約1000℃〜1400℃ま
で、熱処理保持時間は3時間〜24時間、好ましくは結晶
成長に必要な時間を確保するため、7時間以上とする。
熱処理時の昇温速度は2次再結晶の成長を抑制するため
に、約1.5℃/秒以上で行ない、その後に非酸化雰囲気
になつている冷却室3で冷却して、熱処理炉外に出す。
これらの熱処理を行なう方法としては、連続的に中間極
薄帯8を供給する方式でも、中間極薄帯8をバツチ式に
並べて各室に供給する方式をとつても良い。
冷間圧延された後の中間極薄帯8は、台車7に搭載され
ている(中間極薄帯8の状態については後述する)。こ
の台車7を予熱室1に入れ、扉61を閉じ窒素ガスを入口
10から導入して空気と置換した後、電気ヒータ9で加熱
を開始する。このときの昇温速度は、前述したように比
較的緩になつている。600℃まで昇温すると、予熱室1
と昇温保持室2の間扉62が開放され台車7は、予め窒素
ガスで満たされ、素材温度600℃に相当する雰囲気に加
熱された昇温保持室2へ入る。
この後、扉62は閉となる。次にヒータ9で約3℃/秒で
加熱され1200℃まで昇温した後、約7時間保持し、次に
冷却室3との間の扉63が開放され台車7は、予め窒素ガ
スで満たされた冷却室3へ入り、扉63は閉となる。次に
窒素ガスが冷却室3へ連続的にガス入口10より導入さ
れ、中間極薄帯8の冷却により高温となつた窒素ガスは
排熱送風用管11を通り、予熱室1へ送られる。冷却後、
冷却室3と炉外との扉64が開放され、処理済みのものが
搬出される。
第1ロツトはこれで終了するが、第2ロツトはその第1
ロツトが昇温保持室2へ移動した時点で別の台車7で予
熱室1へ送られ、予熱を開始する。第2ロツトの台車7
が、昇温保持室2へ移動した後は、第3ロツトの台車7
が予熱室1へ送られ、その予熱に一部第1ロツトの冷却
排熱を利用する。
なお図中の4はレール、5は台車用ロープ、12は排出管
である。
第3ロツト以後の処理は、第1,第2ロツト同様であり、
昇温保持室2,冷却室3へと順次送られて加熱、冷却され
る。
第3図はこの第2工程の温度カーブを示す特性図で、前
述のように第2工程が予熱工程と、本熱処理工程と、冷
却工程とに分けられている。
第4図ならびに第5図は、第2工程で熱処理される中間
極薄帯8の状態を説明するための図である。
第4図の場合は、円筒状または円柱状のセラミツクス製
芯体13の周囲に中間極薄帯8が多数のセラミツスク製ス
ペーサ14を介して渦巻状の巻回され、各層間に微小の隙
間15が形成されている。
第5図の場合は、中間極薄帯8が多数のスペーサ14を介
して蛇行状に積重され、各層間に微小の隙間15が形成さ
れている。
なお、前記スペーサ14としては棒状体、あるいはメツシ
ユ状体のものが使用できる。第4図あるいは第5図のよ
うな状態にすることにより、中間極薄帯8に対して均一
な加熱が可能となる。
このようにして得られた処理済の方向性ケイ素鋼帯の、
各磁束密度に対する鉄損特性ならびにB-Hループ特性を
測定したところ、それぞれ第7図ならびに第8図と全く
同一の特性を示すことが確認された。
これら明らかなように、前述のようにして製造された方
向性ケイ素鋼極薄帯は、(110)〔001〕方位を有する3
次再結晶組織が高い配向性を有しているため、鉄損値を
極端に低下することができる。さらに3次再結晶粒が十
分に発達しているため、非常にシヤープなB-Hループ特
性を有していることが分かる。
〔発明の効果〕 本発明は前述のように、冷間圧延後の中間極薄帯を予熱
し、600℃以上では1.5℃/秒以上の速い昇温速度で1000
〜1400℃まで昇温するから、(110)〔001〕の結晶核の
発生数が少ない。そのため1000〜1400℃の温度で3時間
以上保持すると、結晶核の発生数が少ない分だけ結晶粒
径を十分に大きくすることができ、磁気特性を顕著に改
善することができる。また第2工程における電力使用量
を、先に提案したものに比較して約35%減少することが
可能で、ランニングコストを大幅に低減することができ
る。また、磁気特性等は第7図ならびに第8図に示すの
と同一であるため、優れた特性が損われることもない。
さらに製造装置にあっては、冷却室において高温状態の
中間極薄帯と熱交換して生成した高温流体が高温流体導
入手段によって予熱室に導入されて予熱に使用されるか
ら、熱効率がよく、ランニングコストの低減が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る製造装置の概略構成図、
第2図は熱処理温度と保磁力、磁束密度(B8)との関係を
示す特性図、第3図は本発明の実施例に係る熱処理温度
カーブを示す特性図、第4図ならびに第5図は中間極薄
帯の熱処理状態を説明するための図である。 第6図は先に提案した製造方法の熱処理温度カーブを示
す特性図、第7図はその熱処理後の鉄損と磁束密度との
関係を示す特性図、第8図はその熱処理後のB-Hループ
を示す特性図である。 1……予熱室、2……昇温保持室、3……冷却室、4…
…レール、5……台車ロープ、7……台車、8……中間
極薄帯、9……電気ヒータ、10……入口、11……排熱送
風用管、14……スペーサ、15……隙間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−131128(JP,A) 特開 昭61−217526(JP,A) 実開 昭54−51914(JP,U)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(110)〔001〕結晶粒集合組織を有し、ケ
    イ素の含有率が2〜8重量%の方向性ケイ素鋼帯素材を
    冷間圧延することにより、厚さが150μm以下の(111)
    〔112〕集合組織を有する中間極薄帯を作る第1工程
    と、 非酸化性雰囲気あるいは減圧雰囲気下で、前記中間極薄
    帯を高温熱処理する第2工程とを経由する方向性ケイ素
    鋼極薄帯の製造方法において、 前記第2工程が、 前記中間極薄帯を非酸化性雰囲気あるいは減圧雰囲気下
    で、再結晶が完全に開始される前の温度まで、室温より
    昇温する予熱工程と、 その後に中間極薄帯を、非酸化性雰囲気あるいは減圧雰
    囲気下で600℃以上では1.5℃/秒以上の昇温速度で1000
    〜1400℃まで昇温し、その温度で3時間以上保持する本
    熱処理工程と、 次にその中間極薄帯を、非酸化性雰囲気あるいは減圧雰
    囲気下で室温まで冷却する冷却工程とを有していること
    を特徴とする低損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製造方法。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第(1)項記載において、
    前記予熱工程の再結晶が完全に開始される前の温度が、
    600℃以下の温度であることを特徴とする低損失方向性
    ケイ素鋼極薄帯の製造方法。
  3. 【請求項3】特許請求の範囲第(2)項記載において、
    前記予熱工程の昇温速度が1.5℃/秒未満であることを
    特徴とする低損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製造方法。
  4. 【請求項4】(110)〔001〕結晶粒集合組織を有し、ケ
    イ素の含有率が2〜8重量%の方向性ケイ素鋼帯素材を
    冷間圧延することにより、厚さが150μm以下の(111)
    〔112〕集合組織を有する中間極薄帯を作る第1工程
    と、 非酸化性雰囲気あるいは減圧雰囲気下で、前記中間極薄
    帯を高温熱処理する第2工程とを経由するものにおい
    て、 前記第2工程の製造装置が、予熱室と本熱処理室と冷却
    室を備え、 前記予熱室は前記冷却室との間に設けられた高温流体導
    入手段からの高温流体によって、前記冷間圧延された後
    の中間極薄帯を、非酸化性雰囲気で再結晶が完全に開始
    される前の温度まで、室温より昇温する予熱室であっ
    て、 前記本熱処理室は前記予熱後の中間極薄帯を、600℃以
    上では1.5℃/秒以上の昇温速度で1000〜1400℃まで昇
    温し、その温度で3時間以上保持する、非酸化性雰囲気
    あるいは減圧雰囲気下の本熱処理室であり、 前記冷却室は冷却用の流体を導入する流体入口を備え、
    該流体入口より導入した流体で前記本熱処理済みの中間
    極薄帯を、非酸化性雰囲気で室温まで冷却し、該中間極
    薄帯と熱交換し、高温となった高温流体は前記予熱室の
    前記高温流体導入手段へ排出される冷却室であって、 前記中間極薄帯が予熱室、本熱処理室ならびに冷却室へ
    と順次移動できる移動手段を有することを特徴とする低
    損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製造装置。
  5. 【請求項5】特許請求の範囲第(4)項記載において、
    前記予熱室、本熱処理室ならびに冷却室へと移動する中
    間極薄帯が、耐熱性のスペーサを介して渦巻状に巻回さ
    れて、隣の中間極薄帯部分との間に隙間が形成されてい
    ることを特徴とする低損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製造
    装置。
  6. 【請求項6】特許請求の範囲第(4)項記載において、
    前記予熱室、本熱処理室ならびに冷却室へと移動する中
    間極薄帯が、耐熱性のスペーサを介して蛇行状に積重さ
    れて、隣の中間極薄帯部分との間に隙間が形成されてい
    ることを特徴とする低損失方向性ケイ素鋼極薄帯の製造
    装置。
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JPH01111817A (ja) 1989-04-28

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