JPH0684874A - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0684874A JPH0684874A JP25386992A JP25386992A JPH0684874A JP H0684874 A JPH0684874 A JP H0684874A JP 25386992 A JP25386992 A JP 25386992A JP 25386992 A JP25386992 A JP 25386992A JP H0684874 A JPH0684874 A JP H0684874A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- cleaning
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- substrate cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板表面に電気的に結合したパーティ
クルを除去する。 【構成】 洗浄液５を満たした洗浄槽１内に台座３に装
着した半導体基板４を配置し、配管６、循環ポンプ７、
フィルタ８からなる循環系により洗浄液５を循環させ
る。超音波発振器９を発振させてパーティクルを基板か
ら物理的に離脱させるとともに、直流対向電極１０によ
り直流電界を発生させて、半導体基板と電気的に結合し
ているパーティクルを離脱させる。
クルを除去する。 【構成】 洗浄液５を満たした洗浄槽１内に台座３に装
着した半導体基板４を配置し、配管６、循環ポンプ７、
フィルタ８からなる循環系により洗浄液５を循環させ
る。超音波発振器９を発振させてパーティクルを基板か
ら物理的に離脱させるとともに、直流対向電極１０によ
り直流電界を発生させて、半導体基板と電気的に結合し
ているパーティクルを離脱させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板洗浄装置に
関し、特に半導体基板に付着したパーティクルの除去を
目的とした洗浄技術に関する。
関し、特に半導体基板に付着したパーティクルの除去を
目的とした洗浄技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の浸漬型半導体基板洗浄装
置の断面図である。同図において、１は洗浄槽、２は外
槽、３は半導体基板台座、４は半導体基板、５は洗浄
液、６は配管、７は循環ポンプ、８はフィルタ、９は超
音波発振器である。
置の断面図である。同図において、１は洗浄槽、２は外
槽、３は半導体基板台座、４は半導体基板、５は洗浄
液、６は配管、７は循環ポンプ、８はフィルタ、９は超
音波発振器である。
【０００３】図３の装置においては、循環系（配管６、
ポンプ７、フィルタ８）を介して洗浄液を循環させて、
半導体基板上のパーティクルを基板から離脱させ液上に
浮き上がらせている。このパーティクルはオーバフロー
する洗浄液と共に外槽へ移され、フィルタ８により除去
される。
ポンプ７、フィルタ８）を介して洗浄液を循環させて、
半導体基板上のパーティクルを基板から離脱させ液上に
浮き上がらせている。このパーティクルはオーバフロー
する洗浄液と共に外槽へ移され、フィルタ８により除去
される。
【０００４】その際、超音波発振器９は洗浄液中にキャ
ビテーションを発生させ、その衝撃力によりパーティク
ルを半導体基板から離脱させている。また、半導体基板
表面への洗浄液の回り込みを均一化してパーティクル除
去効果を上げるために台座３を揺動させることもある。
ビテーションを発生させ、その衝撃力によりパーティク
ルを半導体基板から離脱させている。また、半導体基板
表面への洗浄液の回り込みを均一化してパーティクル除
去効果を上げるために台座３を揺動させることもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の浸漬型
の半導体基板洗浄装置は、洗浄液の回り込み、震動、置
換といった物理的な方法により半導体基板表面上のパー
ティクル除去を行うものであったため、下地と電気的に
結合したパーティクルについてはその除去が困難であっ
た。
の半導体基板洗浄装置は、洗浄液の回り込み、震動、置
換といった物理的な方法により半導体基板表面上のパー
ティクル除去を行うものであったため、下地と電気的に
結合したパーティクルについてはその除去が困難であっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板洗浄
装置は、洗浄槽内に半導体基板に対して直流電界を発生
させるための対向電極が配置されたものである。
装置は、洗浄槽内に半導体基板に対して直流電界を発生
させるための対向電極が配置されたものである。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１の（ａ）は、本発明の第１の実施例を
示す断面図であり、図１の（ｂ）は、電極の配置状態を
示す平面図である。同図において、１は洗浄液５が満た
されている洗浄槽、２は洗浄槽１をオーバフローした洗
浄液５を受け入れる外槽、３は半導体基板４が装着され
る半導体基板台座、６は外槽２と洗浄槽１との間に敷設
された配管、７は洗浄液を循環させる循環ポンプ、８は
洗浄液からパーティクルを除去するフィルタ、９は超音
波発振器、１０は半導体基板４に対して基板面に垂直な
電界を発生させるための直流対向電極である。
て説明する。図１の（ａ）は、本発明の第１の実施例を
示す断面図であり、図１の（ｂ）は、電極の配置状態を
示す平面図である。同図において、１は洗浄液５が満た
されている洗浄槽、２は洗浄槽１をオーバフローした洗
浄液５を受け入れる外槽、３は半導体基板４が装着され
る半導体基板台座、６は外槽２と洗浄槽１との間に敷設
された配管、７は洗浄液を循環させる循環ポンプ、８は
洗浄液からパーティクルを除去するフィルタ、９は超音
波発振器、１０は半導体基板４に対して基板面に垂直な
電界を発生させるための直流対向電極である。
【０００８】本実施例の装置においても、従来例と同様
の物理的なパーティクル除去動作は行われる。それに加
えて、本実施例では、半導体基板４に基板面に垂直な電
界を加えることにより、その電気的エネルギーで半導体
基板表面とパーティクルの電気的な結合を破壊してパー
ティクルを離脱させる。
の物理的なパーティクル除去動作は行われる。それに加
えて、本実施例では、半導体基板４に基板面に垂直な電
界を加えることにより、その電気的エネルギーで半導体
基板表面とパーティクルの電気的な結合を破壊してパー
ティクルを離脱させる。
【０００９】図２の（ａ）は、本発明の第２の実施例の
断面図であり、図２の（ｂ）は、その電極の配置状態を
示す平面図である。本実施例の先の実施例と相違する点
は、直流対向電極１０の面が、半導体基板面と垂直にな
るようになされている点である。
断面図であり、図２の（ｂ）は、その電極の配置状態を
示す平面図である。本実施例の先の実施例と相違する点
は、直流対向電極１０の面が、半導体基板面と垂直にな
るようになされている点である。
【００１０】本実施例では、半導体基板表面に対して平
行に直流電界を加えることにより、その電気的なエネル
ギーでコンタクトホール側壁とパーティクルとの電気的
な結合を破壊してコンタクトホール内のパーティクルを
離脱させている。
行に直流電界を加えることにより、その電気的なエネル
ギーでコンタクトホール側壁とパーティクルとの電気的
な結合を破壊してコンタクトホール内のパーティクルを
離脱させている。
【００１１】上記各実施例において、洗浄動作中に直流
対向電極１０に印加する電圧を断、続することができ
る。また、一定期間毎に極性を切り替えるようにしても
よい。さらに、第１の実施例と第２の実施例とを組み合
わせて、半導体基板面に垂直な電界を発生させる電極と
平行な電界を発生させる電極とを同一槽内に並設するよ
うにすることができる。その場合、垂直な電界を発生さ
せる期間と平行な電界を発生させる期間とを分けること
が望ましい。
対向電極１０に印加する電圧を断、続することができ
る。また、一定期間毎に極性を切り替えるようにしても
よい。さらに、第１の実施例と第２の実施例とを組み合
わせて、半導体基板面に垂直な電界を発生させる電極と
平行な電界を発生させる電極とを同一槽内に並設するよ
うにすることができる。その場合、垂直な電界を発生さ
せる期間と平行な電界を発生させる期間とを分けること
が望ましい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体基
板洗浄装置は、洗浄槽内において半導体基板表面に対し
て垂直方向および／または平行に直流電界を加えるもの
であるので、本発明によれば、従来の洗浄装置では除去
が困難であった半導体基板と電気的に結合しているパー
ティクルの除去が可能となり、高集積化デバイスの歩留
りを向上させることができる。
板洗浄装置は、洗浄槽内において半導体基板表面に対し
て垂直方向および／または平行に直流電界を加えるもの
であるので、本発明によれば、従来の洗浄装置では除去
が困難であった半導体基板と電気的に結合しているパー
ティクルの除去が可能となり、高集積化デバイスの歩留
りを向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の側面図と平面図。
【図２】本発明の第２の実施例の側面図と平面図。
【図３】従来例の側面図。
１ 洗浄槽 ２ 外槽 ３ 半導体基板台座 ４ 半導体基板 ５ 洗浄液 ６ 配管 ７ 循環ポンプ ８ フィルタ ９ 超音波発振器 １０ 直流対向電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板が配置される空間内に電界を
発生させるための電極が、洗浄槽内に１乃至複数対設け
られている半導体基板洗浄装置。 - 【請求項２】 装着された半導体基板の表面に垂直方向
の電界を発生させる電極および平行方向の電界を発生さ
せる電極のいずれか一方または両方が設置されている請
求項１記載の半導体基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253869A JP3036990B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253869A JP3036990B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684874A true JPH0684874A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3036990B2 JP3036990B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=17257267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4253869A Expired - Fee Related JP3036990B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036990B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
| KR20210063973A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-02 | 주식회사 에이피텍 | 금속 부재 세정 및 검사 장치 및 이를 이용한 금속 부재 세정 방법 |
| KR20210086893A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4253869A patent/JP3036990B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
| KR20210063973A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-02 | 주식회사 에이피텍 | 금속 부재 세정 및 검사 장치 및 이를 이용한 금속 부재 세정 방법 |
| KR20210086893A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11869778B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-01-09 | Semes Co., Ltd. | Liquid supply unit, and apparatus and method for processing substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3036990B2 (ja) | 2000-04-24 |
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Legal Events
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