JPH0684874A - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
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- JPH0684874A JPH0684874A JP25386992A JP25386992A JPH0684874A JP H0684874 A JPH0684874 A JP H0684874A JP 25386992 A JP25386992 A JP 25386992A JP 25386992 A JP25386992 A JP 25386992A JP H0684874 A JPH0684874 A JP H0684874A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- cleaning
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- substrate cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板表面に電気的に結合したパーティ
クルを除去する。 【構成】 洗浄液5を満たした洗浄槽1内に台座3に装
着した半導体基板4を配置し、配管6、循環ポンプ7、
フィルタ8からなる循環系により洗浄液5を循環させ
る。超音波発振器9を発振させてパーティクルを基板か
ら物理的に離脱させるとともに、直流対向電極10によ
り直流電界を発生させて、半導体基板と電気的に結合し
ているパーティクルを離脱させる。
クルを除去する。 【構成】 洗浄液5を満たした洗浄槽1内に台座3に装
着した半導体基板4を配置し、配管6、循環ポンプ7、
フィルタ8からなる循環系により洗浄液5を循環させ
る。超音波発振器9を発振させてパーティクルを基板か
ら物理的に離脱させるとともに、直流対向電極10によ
り直流電界を発生させて、半導体基板と電気的に結合し
ているパーティクルを離脱させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板洗浄装置に
関し、特に半導体基板に付着したパーティクルの除去を
目的とした洗浄技術に関する。
関し、特に半導体基板に付着したパーティクルの除去を
目的とした洗浄技術に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の浸漬型半導体基板洗浄装
置の断面図である。同図において、1は洗浄槽、2は外
槽、3は半導体基板台座、4は半導体基板、5は洗浄
液、6は配管、7は循環ポンプ、8はフィルタ、9は超
音波発振器である。
置の断面図である。同図において、1は洗浄槽、2は外
槽、3は半導体基板台座、4は半導体基板、5は洗浄
液、6は配管、7は循環ポンプ、8はフィルタ、9は超
音波発振器である。
【0003】図3の装置においては、循環系(配管6、
ポンプ7、フィルタ8)を介して洗浄液を循環させて、
半導体基板上のパーティクルを基板から離脱させ液上に
浮き上がらせている。このパーティクルはオーバフロー
する洗浄液と共に外槽へ移され、フィルタ8により除去
される。
ポンプ7、フィルタ8)を介して洗浄液を循環させて、
半導体基板上のパーティクルを基板から離脱させ液上に
浮き上がらせている。このパーティクルはオーバフロー
する洗浄液と共に外槽へ移され、フィルタ8により除去
される。
【0004】その際、超音波発振器9は洗浄液中にキャ
ビテーションを発生させ、その衝撃力によりパーティク
ルを半導体基板から離脱させている。また、半導体基板
表面への洗浄液の回り込みを均一化してパーティクル除
去効果を上げるために台座3を揺動させることもある。
ビテーションを発生させ、その衝撃力によりパーティク
ルを半導体基板から離脱させている。また、半導体基板
表面への洗浄液の回り込みを均一化してパーティクル除
去効果を上げるために台座3を揺動させることもある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の浸漬型
の半導体基板洗浄装置は、洗浄液の回り込み、震動、置
換といった物理的な方法により半導体基板表面上のパー
ティクル除去を行うものであったため、下地と電気的に
結合したパーティクルについてはその除去が困難であっ
た。
の半導体基板洗浄装置は、洗浄液の回り込み、震動、置
換といった物理的な方法により半導体基板表面上のパー
ティクル除去を行うものであったため、下地と電気的に
結合したパーティクルについてはその除去が困難であっ
た。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板洗浄
装置は、洗浄槽内に半導体基板に対して直流電界を発生
させるための対向電極が配置されたものである。
装置は、洗浄槽内に半導体基板に対して直流電界を発生
させるための対向電極が配置されたものである。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1の(a)は、本発明の第1の実施例を
示す断面図であり、図1の(b)は、電極の配置状態を
示す平面図である。同図において、1は洗浄液5が満た
されている洗浄槽、2は洗浄槽1をオーバフローした洗
浄液5を受け入れる外槽、3は半導体基板4が装着され
る半導体基板台座、6は外槽2と洗浄槽1との間に敷設
された配管、7は洗浄液を循環させる循環ポンプ、8は
洗浄液からパーティクルを除去するフィルタ、9は超音
波発振器、10は半導体基板4に対して基板面に垂直な
電界を発生させるための直流対向電極である。
て説明する。図1の(a)は、本発明の第1の実施例を
示す断面図であり、図1の(b)は、電極の配置状態を
示す平面図である。同図において、1は洗浄液5が満た
されている洗浄槽、2は洗浄槽1をオーバフローした洗
浄液5を受け入れる外槽、3は半導体基板4が装着され
る半導体基板台座、6は外槽2と洗浄槽1との間に敷設
された配管、7は洗浄液を循環させる循環ポンプ、8は
洗浄液からパーティクルを除去するフィルタ、9は超音
波発振器、10は半導体基板4に対して基板面に垂直な
電界を発生させるための直流対向電極である。
【0008】本実施例の装置においても、従来例と同様
の物理的なパーティクル除去動作は行われる。それに加
えて、本実施例では、半導体基板4に基板面に垂直な電
界を加えることにより、その電気的エネルギーで半導体
基板表面とパーティクルの電気的な結合を破壊してパー
ティクルを離脱させる。
の物理的なパーティクル除去動作は行われる。それに加
えて、本実施例では、半導体基板4に基板面に垂直な電
界を加えることにより、その電気的エネルギーで半導体
基板表面とパーティクルの電気的な結合を破壊してパー
ティクルを離脱させる。
【0009】図2の(a)は、本発明の第2の実施例の
断面図であり、図2の(b)は、その電極の配置状態を
示す平面図である。本実施例の先の実施例と相違する点
は、直流対向電極10の面が、半導体基板面と垂直にな
るようになされている点である。
断面図であり、図2の(b)は、その電極の配置状態を
示す平面図である。本実施例の先の実施例と相違する点
は、直流対向電極10の面が、半導体基板面と垂直にな
るようになされている点である。
【0010】本実施例では、半導体基板表面に対して平
行に直流電界を加えることにより、その電気的なエネル
ギーでコンタクトホール側壁とパーティクルとの電気的
な結合を破壊してコンタクトホール内のパーティクルを
離脱させている。
行に直流電界を加えることにより、その電気的なエネル
ギーでコンタクトホール側壁とパーティクルとの電気的
な結合を破壊してコンタクトホール内のパーティクルを
離脱させている。
【0011】上記各実施例において、洗浄動作中に直流
対向電極10に印加する電圧を断、続することができ
る。また、一定期間毎に極性を切り替えるようにしても
よい。さらに、第1の実施例と第2の実施例とを組み合
わせて、半導体基板面に垂直な電界を発生させる電極と
平行な電界を発生させる電極とを同一槽内に並設するよ
うにすることができる。その場合、垂直な電界を発生さ
せる期間と平行な電界を発生させる期間とを分けること
が望ましい。
対向電極10に印加する電圧を断、続することができ
る。また、一定期間毎に極性を切り替えるようにしても
よい。さらに、第1の実施例と第2の実施例とを組み合
わせて、半導体基板面に垂直な電界を発生させる電極と
平行な電界を発生させる電極とを同一槽内に並設するよ
うにすることができる。その場合、垂直な電界を発生さ
せる期間と平行な電界を発生させる期間とを分けること
が望ましい。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体基
板洗浄装置は、洗浄槽内において半導体基板表面に対し
て垂直方向および/または平行に直流電界を加えるもの
であるので、本発明によれば、従来の洗浄装置では除去
が困難であった半導体基板と電気的に結合しているパー
ティクルの除去が可能となり、高集積化デバイスの歩留
りを向上させることができる。
板洗浄装置は、洗浄槽内において半導体基板表面に対し
て垂直方向および/または平行に直流電界を加えるもの
であるので、本発明によれば、従来の洗浄装置では除去
が困難であった半導体基板と電気的に結合しているパー
ティクルの除去が可能となり、高集積化デバイスの歩留
りを向上させることができる。
【図1】本発明の第1の実施例の側面図と平面図。
【図2】本発明の第2の実施例の側面図と平面図。
【図3】従来例の側面図。
1 洗浄槽 2 外槽 3 半導体基板台座 4 半導体基板 5 洗浄液 6 配管 7 循環ポンプ 8 フィルタ 9 超音波発振器 10 直流対向電極
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板が配置される空間内に電界を
発生させるための電極が、洗浄槽内に1乃至複数対設け
られている半導体基板洗浄装置。 - 【請求項2】 装着された半導体基板の表面に垂直方向
の電界を発生させる電極および平行方向の電界を発生さ
せる電極のいずれか一方または両方が設置されている請
求項1記載の半導体基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4253869A JP3036990B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4253869A JP3036990B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0684874A true JPH0684874A (ja) | 1994-03-25 |
JP3036990B2 JP3036990B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=17257267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4253869A Expired - Fee Related JP3036990B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3036990B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
KR20210063973A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-02 | 주식회사 에이피텍 | 금속 부재 세정 및 검사 장치 및 이를 이용한 금속 부재 세정 방법 |
KR20210086893A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4253869A patent/JP3036990B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
KR20210063973A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-02 | 주식회사 에이피텍 | 금속 부재 세정 및 검사 장치 및 이를 이용한 금속 부재 세정 방법 |
KR20210086893A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11869778B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-01-09 | Semes Co., Ltd. | Liquid supply unit, and apparatus and method for processing substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3036990B2 (ja) | 2000-04-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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