JPH0684804A - プラズマ膜堆積装置 - Google Patents
プラズマ膜堆積装置Info
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- JPH0684804A JPH0684804A JP23336592A JP23336592A JPH0684804A JP H0684804 A JPH0684804 A JP H0684804A JP 23336592 A JP23336592 A JP 23336592A JP 23336592 A JP23336592 A JP 23336592A JP H0684804 A JPH0684804 A JP H0684804A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステップカバレージ特性，平坦性に優れた良
質なＳｉＯ2膜を低温で形成することができるプラズマ
膜堆積装置を提供することを目的とする。 【構成】 プラズマ膜堆積装置において、反応ガスとし
てＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用いることによ
り、低温での良質な膜形成が可能となる。また、高周波
電極１５を１００〜２００℃程度に加熱することによ
り、基板２２上でのＯ3（オゾン）ガスの分解をより効
果的に行うことができるので低温で平坦性に優れた良質
なＳｉＯ2膜を形成することができる。
質なＳｉＯ2膜を低温で形成することができるプラズマ
膜堆積装置を提供することを目的とする。 【構成】 プラズマ膜堆積装置において、反応ガスとし
てＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用いることによ
り、低温での良質な膜形成が可能となる。また、高周波
電極１５を１００〜２００℃程度に加熱することによ
り、基板２２上でのＯ3（オゾン）ガスの分解をより効
果的に行うことができるので低温で平坦性に優れた良質
なＳｉＯ2膜を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業などの薄膜
を形成する工程に利用されているプラズマ膜堆積装置に
関する。
を形成する工程に利用されているプラズマ膜堆積装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ膜堆積装置は、ＳｉＮ（窒化
膜），ＳｉＯ2（酸化珪素），ＳｉＯＮ（オキシ窒化珪
素）などの膜を堆積する装置であり、半導体においては
層間絶縁膜，保護膜などに利用されている。特に多層配
線の層間絶縁膜には平坦性が要求され、ＴＥＯＳ（Tetr
a ethyl ortho Silicate（テトラエチルオルソシリケー
ト）：Ｓｉ（ｏＣ2Ｈ5）4）ガスを利用したＳｉＯ2膜が
用いられている。
膜），ＳｉＯ2（酸化珪素），ＳｉＯＮ（オキシ窒化珪
素）などの膜を堆積する装置であり、半導体においては
層間絶縁膜，保護膜などに利用されている。特に多層配
線の層間絶縁膜には平坦性が要求され、ＴＥＯＳ（Tetr
a ethyl ortho Silicate（テトラエチルオルソシリケー
ト）：Ｓｉ（ｏＣ2Ｈ5）4）ガスを利用したＳｉＯ2膜が
用いられている。
【０００３】以下、図面を参照しながら、上述したプラ
ズマ膜堆積装置の一例についてＴＥＯＳガスを用いたＳ
ｉＯ2膜を堆積する場合について説明する。
ズマ膜堆積装置の一例についてＴＥＯＳガスを用いたＳ
ｉＯ2膜を堆積する場合について説明する。
【０００４】図３は従来のプラズマ膜堆積装置の断面図
を示すものである。反応室１は真空排気口２を有し接地
されている。３は電極で高周波発振器からの電力はマッ
チングチューナー，高周波電力供給部４を通って電極３
に供給される。電極３はガス導入管５から供給された反
応ガスを反応室１内に分散させて供給するため、多孔の
ガス流出孔６を有する。７は反応室１と電極３とを絶縁
するための絶縁リングである。８はガス導入管５と電極
３とを絶縁するための絶縁管である。９は基板１０を載
置するための基板台であり接地されている。また、基板
台９には基板１０を加熱し温度制御するためヒーターお
よび熱電対（図示せず）が埋め込まれている。電極３，
絶縁リング７，基板台９にはＯリング（図示せず）が用
いられ、反応室１内の真空を保っている。１１は、ガス
導入管５に供給されたガスを加熱保温するためのヒータ
ーである。１２はＯリングが２００℃以上に加熱されな
いように冷却水を流すための冷却溝である。
を示すものである。反応室１は真空排気口２を有し接地
されている。３は電極で高周波発振器からの電力はマッ
チングチューナー，高周波電力供給部４を通って電極３
に供給される。電極３はガス導入管５から供給された反
応ガスを反応室１内に分散させて供給するため、多孔の
ガス流出孔６を有する。７は反応室１と電極３とを絶縁
するための絶縁リングである。８はガス導入管５と電極
３とを絶縁するための絶縁管である。９は基板１０を載
置するための基板台であり接地されている。また、基板
台９には基板１０を加熱し温度制御するためヒーターお
よび熱電対（図示せず）が埋め込まれている。電極３，
絶縁リング７，基板台９にはＯリング（図示せず）が用
いられ、反応室１内の真空を保っている。１１は、ガス
導入管５に供給されたガスを加熱保温するためのヒータ
ーである。１２はＯリングが２００℃以上に加熱されな
いように冷却水を流すための冷却溝である。
【０００５】以上のように構成されたプラズマ膜堆積装
置について、以下説明する。基板１０を約４００℃に加
熱し、ガス導入管５からＴＥＯＳガスとＯ2（酸素）ガ
スが供給される。ＴＥＯＳガスは、ＴＥＯＳガス供給装
置（図示せず）でＴＥＯＳを８０℃に加熱し蒸気化して
供給される。ヒーター１１は約１００℃に加熱されＴＥ
ＯＳが再液化することを防止している。ＴＥＯＳガス４
００ＳＣＣＭ，Ｏ2ガス４００ＳＣＣＭ流した状態で約
４Ｔｏｒｒの真空に反応室１は保たれる。電極３には１
３．５６ＭＨｚの高周波電力が、２Ｗ／cm2供給され、
電極３と基板台９間でプラズマ放電を起こす。反応室１
中の反応ガスとしてのＴＥＯＳガス，Ｏ 2ガスはプラズ
マのエネルギーにより分解されＴＥＯＳ分子の中間体お
よび活性酸素が形成される。この活性酸素はＴＥＯＳ分
子が中間体に分解するための触媒的役割りをする。この
中間体は基板１０上に到達し、プラズマからのイオン衝
撃および基板台９からの熱エネルギーによって分解，脱
離反応が起こり基板１０上にＳｉＯ2膜を堆積する。
置について、以下説明する。基板１０を約４００℃に加
熱し、ガス導入管５からＴＥＯＳガスとＯ2（酸素）ガ
スが供給される。ＴＥＯＳガスは、ＴＥＯＳガス供給装
置（図示せず）でＴＥＯＳを８０℃に加熱し蒸気化して
供給される。ヒーター１１は約１００℃に加熱されＴＥ
ＯＳが再液化することを防止している。ＴＥＯＳガス４
００ＳＣＣＭ，Ｏ2ガス４００ＳＣＣＭ流した状態で約
４Ｔｏｒｒの真空に反応室１は保たれる。電極３には１
３．５６ＭＨｚの高周波電力が、２Ｗ／cm2供給され、
電極３と基板台９間でプラズマ放電を起こす。反応室１
中の反応ガスとしてのＴＥＯＳガス，Ｏ 2ガスはプラズ
マのエネルギーにより分解されＴＥＯＳ分子の中間体お
よび活性酸素が形成される。この活性酸素はＴＥＯＳ分
子が中間体に分解するための触媒的役割りをする。この
中間体は基板１０上に到達し、プラズマからのイオン衝
撃および基板台９からの熱エネルギーによって分解，脱
離反応が起こり基板１０上にＳｉＯ2膜を堆積する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、堆積温度が４００℃と高い。また、堆積
温度を低くして堆積した場合、たとえば、３００℃で膜
を堆積した膜の膜質をＦＴ−ＩＲで分析すると、膜中に
Ｓｉ−ＯＨやＣ＝Ｏがかなり含有されており、付着力が
弱くクラックが発生しやすい膜となるという問題点を有
していた。また、多層配線の層間絶縁膜としてプラズマ
を利用したＴＥＯＳガスによるＳｉＯ2膜が用いられて
いるが、より平坦化するためＳＯＧ（スピンオングラ
ス）膜などと組み合わせて用いられており、よりカバレ
ージの優れた膜が必要となる。
うな構成では、堆積温度が４００℃と高い。また、堆積
温度を低くして堆積した場合、たとえば、３００℃で膜
を堆積した膜の膜質をＦＴ−ＩＲで分析すると、膜中に
Ｓｉ−ＯＨやＣ＝Ｏがかなり含有されており、付着力が
弱くクラックが発生しやすい膜となるという問題点を有
していた。また、多層配線の層間絶縁膜としてプラズマ
を利用したＴＥＯＳガスによるＳｉＯ2膜が用いられて
いるが、より平坦化するためＳＯＧ（スピンオングラ
ス）膜などと組み合わせて用いられており、よりカバレ
ージの優れた膜が必要となる。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、平坦性に優
れ、Ｓｉ−ＯＨやＣ＝Ｏをほとんど含有せず、膜付着力
が強くかつクラックの発生がないＳｉＯ2膜を低温で形
成することを可能とするプラズマ膜堆積装置を提供する
ことを目的とするものである。
れ、Ｓｉ−ＯＨやＣ＝Ｏをほとんど含有せず、膜付着力
が強くかつクラックの発生がないＳｉＯ2膜を低温で形
成することを可能とするプラズマ膜堆積装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプラズマ膜堆積装置は、反応ガス導入口と
真空排気口を有する反応室と、前記反応室内に基板を載
置し加熱するための加熱機構を有する基板台と、前記基
板台に対向した位置に配置された高周波電極とからな
り、前記反応ガス導入口から有機シリコンソースガスと
してのＴＥＯＳガスとオゾンガスを導入するというもの
である。また、オゾンガスの分解をより効果的にするた
めに高周波電極を１００〜２００℃程度に加熱する手段
を有するというものである。
に、本発明のプラズマ膜堆積装置は、反応ガス導入口と
真空排気口を有する反応室と、前記反応室内に基板を載
置し加熱するための加熱機構を有する基板台と、前記基
板台に対向した位置に配置された高周波電極とからな
り、前記反応ガス導入口から有機シリコンソースガスと
してのＴＥＯＳガスとオゾンガスを導入するというもの
である。また、オゾンガスの分解をより効果的にするた
めに高周波電極を１００〜２００℃程度に加熱する手段
を有するというものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成によって、反応ガスとし
て、ＴＥＯＳガスとオゾンガスを用いることにより、Ｔ
ＥＯＳを分解する活性酸素Ｏがオゾンから容易に形成さ
れるためより低エネルギー，低温での膜形成が可能とな
る。すなわち、通常のＴＥＯＳガスとＯ2ガスを使った
プラズマ膜堆積装置では、Ｏ2がプラズマ放電により、
酸素イオン，活性酸素が生成され、ＴＥＯＳガスを分解
する。このＯ2ガスをオゾンガスにすることにより、容
易に活性酸素が生成され低エネルギー，低温度で同等以
上の膜形成が可能となる。また、基板温度を低温にする
ことにより基板上に到達したＴＥＯＳ分子が分解して生
成された重合体は、基板温度が低いことから基板上での
脱水，脱有機反応がゆっくりと進むため、良好なフロー
効果が得られ、より優れた平坦化膜を得ることができ
る。
て、ＴＥＯＳガスとオゾンガスを用いることにより、Ｔ
ＥＯＳを分解する活性酸素Ｏがオゾンから容易に形成さ
れるためより低エネルギー，低温での膜形成が可能とな
る。すなわち、通常のＴＥＯＳガスとＯ2ガスを使った
プラズマ膜堆積装置では、Ｏ2がプラズマ放電により、
酸素イオン，活性酸素が生成され、ＴＥＯＳガスを分解
する。このＯ2ガスをオゾンガスにすることにより、容
易に活性酸素が生成され低エネルギー，低温度で同等以
上の膜形成が可能となる。また、基板温度を低温にする
ことにより基板上に到達したＴＥＯＳ分子が分解して生
成された重合体は、基板温度が低いことから基板上での
脱水，脱有機反応がゆっくりと進むため、良好なフロー
効果が得られ、より優れた平坦化膜を得ることができ
る。
【００１０】また、オゾンは２００℃以上に加熱される
と分解反応の半減期は数秒以内となる。すなわち、オゾ
ンを基板到達前に前もって２００℃程度に加熱されてい
ることが、基板上で容易に分解し得ることになる。
と分解反応の半減期は数秒以内となる。すなわち、オゾ
ンを基板到達前に前もって２００℃程度に加熱されてい
ることが、基板上で容易に分解し得ることになる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例のプラズマ膜堆
積装置について、図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明の第１の実施例におけるプラズマ膜堆積装置
の断面図を示すものである。
積装置について、図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明の第１の実施例におけるプラズマ膜堆積装置
の断面図を示すものである。
【００１２】図１において、反応室１３は真空排気口１
４を有し接地されている。１５は電極で高周波発振器か
らの電力はマッチングチューナ，高周波電力供給部１６
を通って電極１５に供給される。電極１５はガス導入管
１７から供給された反応ガスを反応室１３内に分散させ
て供給するために、多孔のガス流出孔１８を有する。１
９は反応室１３と電極１５とを絶縁するための絶縁リン
グである。２０はガス導入管１７と電極１５とを絶縁す
るためのテフロンからなる絶縁管である。２１は基板２
２を載置するための基板台であり接地されている。ま
た、基板台２１には基板２２を加熱し温度制御するため
のヒーターおよび熱電対（図示せず）が埋め込まれてい
る。電極１５，絶縁リング１９，基板台２１にはＯリン
グ（図示せず）が用いられ反応室１３内の真空を保って
いる。２３はガス導入管１７に供給されたガスを加熱保
温するためのヒーターである。２４は、反応室１３内を
真空に保持するため反応室１３と基板台２１間に挿入さ
れたＯリング（図示せず）が２００℃以上に加熱されな
いように冷却水を流すための冷却溝である。
４を有し接地されている。１５は電極で高周波発振器か
らの電力はマッチングチューナ，高周波電力供給部１６
を通って電極１５に供給される。電極１５はガス導入管
１７から供給された反応ガスを反応室１３内に分散させ
て供給するために、多孔のガス流出孔１８を有する。１
９は反応室１３と電極１５とを絶縁するための絶縁リン
グである。２０はガス導入管１７と電極１５とを絶縁す
るためのテフロンからなる絶縁管である。２１は基板２
２を載置するための基板台であり接地されている。ま
た、基板台２１には基板２２を加熱し温度制御するため
のヒーターおよび熱電対（図示せず）が埋め込まれてい
る。電極１５，絶縁リング１９，基板台２１にはＯリン
グ（図示せず）が用いられ反応室１３内の真空を保って
いる。２３はガス導入管１７に供給されたガスを加熱保
温するためのヒーターである。２４は、反応室１３内を
真空に保持するため反応室１３と基板台２１間に挿入さ
れたＯリング（図示せず）が２００℃以上に加熱されな
いように冷却水を流すための冷却溝である。
【００１３】以上のように構成されたプラズマ膜堆積装
置について、以下説明する。基板２２を約３００℃に加
熱し、ガス導入管１７からＴＥＯＳガスとＯ3（オゾ
ン）ガスを供給する。ＴＥＯＳガスは、ＴＥＯＳガス供
給装置（図示せず）でＴＥＯＳを８０℃に加熱し蒸気化
して供給される。Ｏ3ガスはオゾン発生装置（図示せ
ず）によって供給される。ヒーター２３は約１００℃に
加熱されＴＥＯＳガスが再液化することを防止してい
る。ＴＥＯＳガス４００ＳＣＣＭ，Ｏ3ガス４００ＳＣ
ＣＭ流した状態で約４Ｔｏｒｒの真空に反応室１３は保
たれる。電極１５には１３．５６ＭＨｚの高周波電力が
２Ｗ／cm2供給され、電極１５と基板台２１間でプラズ
マ放電を起こす。反応室１３中の反応ガスとしてのＴＥ
ＯＳガス，Ｏ3ガスはプラズマのエネルギーおよび基板
台２１からの熱エネルギーにより分解されＴＥＯＳ分子
の中間体および活性酸素，酸素イオンが形成される。こ
の活性酸素はＴＥＯＳ分子が中間体に分解するための触
媒的役割りをする。さらに、この中間体および活性酸素
は基板１８上に到達して高分子重合体（ポリマ）を形成
する。この重合体はさらに基板１８からの熱エネルギ
ー，活性酸素，プラズマからのイオン衝撃エネルギーに
より分解，脱離反応が起こり基板１８上にＳｉＯ2膜を
堆積する。本実施例で堆積した膜の特性を従来の方法で
堆積した膜と比較すると屈折率，ＢＨＦ（バッファード
フッ酸）エッチングレート，応力などでは、同等の膜質
が得られた。ＦＴ−ＩＲの分析からＳｉ−ＯＨ，Ｃ＝Ｏ
などの含有量も少なく、付着力も強くクラックの発生も
見られなかった。また、埋め込み平坦性では、従来用い
られている膜よりも本実施例の方が良好な結果が得られ
た。
置について、以下説明する。基板２２を約３００℃に加
熱し、ガス導入管１７からＴＥＯＳガスとＯ3（オゾ
ン）ガスを供給する。ＴＥＯＳガスは、ＴＥＯＳガス供
給装置（図示せず）でＴＥＯＳを８０℃に加熱し蒸気化
して供給される。Ｏ3ガスはオゾン発生装置（図示せ
ず）によって供給される。ヒーター２３は約１００℃に
加熱されＴＥＯＳガスが再液化することを防止してい
る。ＴＥＯＳガス４００ＳＣＣＭ，Ｏ3ガス４００ＳＣ
ＣＭ流した状態で約４Ｔｏｒｒの真空に反応室１３は保
たれる。電極１５には１３．５６ＭＨｚの高周波電力が
２Ｗ／cm2供給され、電極１５と基板台２１間でプラズ
マ放電を起こす。反応室１３中の反応ガスとしてのＴＥ
ＯＳガス，Ｏ3ガスはプラズマのエネルギーおよび基板
台２１からの熱エネルギーにより分解されＴＥＯＳ分子
の中間体および活性酸素，酸素イオンが形成される。こ
の活性酸素はＴＥＯＳ分子が中間体に分解するための触
媒的役割りをする。さらに、この中間体および活性酸素
は基板１８上に到達して高分子重合体（ポリマ）を形成
する。この重合体はさらに基板１８からの熱エネルギ
ー，活性酸素，プラズマからのイオン衝撃エネルギーに
より分解，脱離反応が起こり基板１８上にＳｉＯ2膜を
堆積する。本実施例で堆積した膜の特性を従来の方法で
堆積した膜と比較すると屈折率，ＢＨＦ（バッファード
フッ酸）エッチングレート，応力などでは、同等の膜質
が得られた。ＦＴ−ＩＲの分析からＳｉ−ＯＨ，Ｃ＝Ｏ
などの含有量も少なく、付着力も強くクラックの発生も
見られなかった。また、埋め込み平坦性では、従来用い
られている膜よりも本実施例の方が良好な結果が得られ
た。
【００１４】以上のように本実施例によれば、プラズマ
膜堆積装置を用いてＳｉＯ2膜を堆積するときに、反応
ガスとして、ＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用い
ることにより、基板温度が３００℃程度の低温でも良質
なＳｉＯ2膜を形成することができる。また、メタル配
線上での埋め込み平坦性もより優れた平坦化膜を形成す
ることができる。
膜堆積装置を用いてＳｉＯ2膜を堆積するときに、反応
ガスとして、ＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用い
ることにより、基板温度が３００℃程度の低温でも良質
なＳｉＯ2膜を形成することができる。また、メタル配
線上での埋め込み平坦性もより優れた平坦化膜を形成す
ることができる。
【００１５】以下、本発明の第２の実施例のプラズマ膜
堆積装置について、図面を参照しながら説明する。図２
は本発明の第２の実施例におけるプラズマ膜堆積装置の
断面図を示すものである。図２において図１と違うの
は、電極加熱用ヒーター２５をを設けたことである。こ
の電極加熱用ヒーター２５により電極１５は約２００℃
に加熱される。ガス導入管１７から導入されたＯ3ガス
が電極１５内で加熱されるため、基板２２上に到達した
とき容易に所望の温度に上昇し活性酸素に分解する。
堆積装置について、図面を参照しながら説明する。図２
は本発明の第２の実施例におけるプラズマ膜堆積装置の
断面図を示すものである。図２において図１と違うの
は、電極加熱用ヒーター２５をを設けたことである。こ
の電極加熱用ヒーター２５により電極１５は約２００℃
に加熱される。ガス導入管１７から導入されたＯ3ガス
が電極１５内で加熱されるため、基板２２上に到達した
とき容易に所望の温度に上昇し活性酸素に分解する。
【００１６】本実施例の膜堆積装置について、第１の実
施例における膜堆積装置と同じ条件で膜堆積した結果、
第１の実施例での成膜速度が６０００Å／分であるのに
対して、第２の実施例では７２００Å／分となり成膜速
度が大きくなった。また、本実施例で堆積した膜の特性
を比較すると、屈折率，ＢＨＦ（バッファードフッ酸）
エッチングレート，応力などでは、同等の膜質が得られ
た。ＦＴ−ＩＲの分析からＳｉ−ＯＨ，Ｃ＝Ｏなどの含
有量も少なく、付着力も良好でクラックの発生も見られ
なかった。埋め込み特性も第１の実施例と同等の良好な
結果が得られた。
施例における膜堆積装置と同じ条件で膜堆積した結果、
第１の実施例での成膜速度が６０００Å／分であるのに
対して、第２の実施例では７２００Å／分となり成膜速
度が大きくなった。また、本実施例で堆積した膜の特性
を比較すると、屈折率，ＢＨＦ（バッファードフッ酸）
エッチングレート，応力などでは、同等の膜質が得られ
た。ＦＴ−ＩＲの分析からＳｉ−ＯＨ，Ｃ＝Ｏなどの含
有量も少なく、付着力も良好でクラックの発生も見られ
なかった。埋め込み特性も第１の実施例と同等の良好な
結果が得られた。
【００１７】以上のように本実施例によれば、プラズマ
膜堆積装置を用いてＳｉＯ2膜を堆積するときに、反応
ガスとしてＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用いる
ことにより、基板温度が３００℃程度の低温でも良質な
ＳｉＯ2膜を形成することができる。また、メタル配線
上での埋め込み平坦性もより優れた平坦化膜を形成する
ことができる。
膜堆積装置を用いてＳｉＯ2膜を堆積するときに、反応
ガスとしてＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用いる
ことにより、基板温度が３００℃程度の低温でも良質な
ＳｉＯ2膜を形成することができる。また、メタル配線
上での埋め込み平坦性もより優れた平坦化膜を形成する
ことができる。
【００１８】なお、本実施例において、ＴＥＯＳガスを
用いたＳｉＯ2膜の堆積について説明したが、ジアセチ
ルジターシャルブトキシシラン（ＤＡＤＢＳ（Diacetox
y Ditertiary Buto Oxysilane））,テトラメチルシラン
（ＴＭＳ（Tetra Metyl Silane）），トリエチルシラン
（ＴＥＳ（Trietyl Silane）），ヘキサメチルジシロキ
サン（ＨＭＤＳ（HexaMethyl Disiloxane）），オクタ
メチルシクロラトラシラン（ＯＭＣＴＳ（OctaMethyl C
yelo Tetra Silxane））などの有機シリコンソースガス
にも応用できる。
用いたＳｉＯ2膜の堆積について説明したが、ジアセチ
ルジターシャルブトキシシラン（ＤＡＤＢＳ（Diacetox
y Ditertiary Buto Oxysilane））,テトラメチルシラン
（ＴＭＳ（Tetra Metyl Silane）），トリエチルシラン
（ＴＥＳ（Trietyl Silane）），ヘキサメチルジシロキ
サン（ＨＭＤＳ（HexaMethyl Disiloxane）），オクタ
メチルシクロラトラシラン（ＯＭＣＴＳ（OctaMethyl C
yelo Tetra Silxane））などの有機シリコンソースガス
にも応用できる。
【００１９】また、本実施例では、高周波電力の周波数
を１３．５６ＭＨｚとしたが、特にこの周波数に限定さ
れるものではない。
を１３．５６ＭＨｚとしたが、特にこの周波数に限定さ
れるものではない。
【００２０】また、本実施例では、電極１５は電極用ヒ
ーター２５によって約２００℃に加熱されているが、こ
れはオゾンガスの分解を基板２２上で容易に行わせ、よ
り効果的にオゾンを分解するために設けたものであり、
加熱をしなくてもオゾンの効果はある。
ーター２５によって約２００℃に加熱されているが、こ
れはオゾンガスの分解を基板２２上で容易に行わせ、よ
り効果的にオゾンを分解するために設けたものであり、
加熱をしなくてもオゾンの効果はある。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラズマ
膜堆積装置を用いてＳｉＯ2膜を堆積する場合、反応ガ
スとして、ＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用いる
ことにより、基板温度が３００℃の低温でも良質なＳｉ
Ｏ2膜を形成することができる。また、多層配線のメタ
ル配線上での埋め込み平坦性もより優れた平坦化膜を形
成することができる。さらに、高周波電極を１００〜２
００℃程度に加熱することにより、Ｏ3（オゾン）ガス
をより効果的に基板上で分解することができる。
膜堆積装置を用いてＳｉＯ2膜を堆積する場合、反応ガ
スとして、ＴＥＯＳガスとＯ3（オゾン）ガスを用いる
ことにより、基板温度が３００℃の低温でも良質なＳｉ
Ｏ2膜を形成することができる。また、多層配線のメタ
ル配線上での埋め込み平坦性もより優れた平坦化膜を形
成することができる。さらに、高周波電極を１００〜２
００℃程度に加熱することにより、Ｏ3（オゾン）ガス
をより効果的に基板上で分解することができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるプラズマ膜堆積
装置の断面図
装置の断面図
【図２】本発明の第２の実施例におけるプラズマ膜堆積
装置の断面図
装置の断面図
【図３】従来のプラズマ膜堆積装置の断面図
１３ 反応室 １４ 真空排気口 １５ 電極 １６ 高周波電力供給部 １７ ガス導入管 ２１ 基板台 ２２ 基板 ２３ ヒーター ２５ 電極加熱用ヒーター
Claims (3)
- 【請求項１】 反応ガス導入口と真空排気口を有する反
応室と、前記反応室内に基板を載置し加熱するための加
熱機構を有する基板台と、前記基板台に対向した位置に
配置された高周波電極とからなり、前記反応ガス導入口
から有機シリコンソースガスとオゾンガスを導入するこ
とを特徴とするプラズマ膜堆積装置。 - 【請求項２】 高周波電極を加熱する手段を有すること
を特徴とする請求項１記載のプラズマ膜堆積装置 - 【請求項３】 有機シリコンソースガスは、ＴＥＯＳ
（Tetra ethyl ortho Silicate：Ｓｉ（ｏＣ2Ｈ5）4）
ガスであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ膜
堆積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23336592A JPH0684804A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | プラズマ膜堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23336592A JPH0684804A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | プラズマ膜堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684804A true JPH0684804A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16954001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23336592A Pending JPH0684804A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | プラズマ膜堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684804A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015515744A (ja) * | 2012-03-09 | 2015-05-28 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23336592A patent/JPH0684804A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015515744A (ja) * | 2012-03-09 | 2015-05-28 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料 |
| JP2017022385A (ja) * | 2012-03-09 | 2017-01-26 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ディスプレイ・デバイスのためのバリア材料 |
| US10319862B2 (en) | 2012-03-09 | 2019-06-11 | Versum Materials Us, Llc | Barrier materials for display devices |
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