JPH06837Y2 - 固体素子リレ− - Google Patents
固体素子リレ−Info
- Publication number
- JPH06837Y2 JPH06837Y2 JP6274487U JP6274487U JPH06837Y2 JP H06837 Y2 JPH06837 Y2 JP H06837Y2 JP 6274487 U JP6274487 U JP 6274487U JP 6274487 U JP6274487 U JP 6274487U JP H06837 Y2 JPH06837 Y2 JP H06837Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- solid
- wiring
- relay
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、製造工程の容易な固体素子リレーに関する。
[従来の技術] 従来、この種の固体素子リレーは、第2図の回路図に示
すように、電界効果トランジスタ19,19′のゲート
電極20,20′が同電位になるように接続される。例
えば、前記電界効果トランジスタ19,19′がNチャ
ネル構造の場合には、ゲート電極20,20′は受光素
子21の正(+)電位側22に接続され、Pチャネル構
造の場合には、これらは受光素子の負(−)電位側23
に接続される必要がある。なお、6は共通出力端子、
8,8′は出力端子、15,15′は操作入力端子であ
る。
すように、電界効果トランジスタ19,19′のゲート
電極20,20′が同電位になるように接続される。例
えば、前記電界効果トランジスタ19,19′がNチャ
ネル構造の場合には、ゲート電極20,20′は受光素
子21の正(+)電位側22に接続され、Pチャネル構
造の場合には、これらは受光素子の負(−)電位側23
に接続される必要がある。なお、6は共通出力端子、
8,8′は出力端子、15,15′は操作入力端子であ
る。
従来、このような接続は、第3図に示すように、受光素
子チップ2の一つの正(+)電極3から二つの電界効果
トランジスタチップ10,10′のそれぞれのゲート電
極11,11′に電気配線12,12′を橋渡すること
により行なっていた。なお、5は負電位電極である。
子チップ2の一つの正(+)電極3から二つの電界効果
トランジスタチップ10,10′のそれぞれのゲート電
極11,11′に電気配線12,12′を橋渡すること
により行なっていた。なお、5は負電位電極である。
[解決すべき問題点] 上述した従来の固体素子リレーの製造においては、ボン
ディング用ワイヤーを受光素子チップの一つの電極から
二つの電界効果トランジスターのそれぞれのゲート電極
に配線するため、いわゆるステッチボンディング配線が
必要である。このため、この種の配線にはキャピラリー
と呼ばれるワイヤーボンディング用の接続治具として専
用のタイプのものを用意しなければならず、これを他の
部分の配線作業と共用化することは困難である。
ディング用ワイヤーを受光素子チップの一つの電極から
二つの電界効果トランジスターのそれぞれのゲート電極
に配線するため、いわゆるステッチボンディング配線が
必要である。このため、この種の配線にはキャピラリー
と呼ばれるワイヤーボンディング用の接続治具として専
用のタイプのものを用意しなければならず、これを他の
部分の配線作業と共用化することは困難である。
したがって、従来の固体素子リレーの製造においては、
連続した組立工程とするために複数種類の配線装置を用
意しなければならない問題点がある。
連続した組立工程とするために複数種類の配線装置を用
意しなければならない問題点がある。
本考案は、上述した従来技術の問題点にかんがみてなさ
れたもので、組立て配線工程および製造設備の簡略化を
可能とする固体素子リレーの提供を目的とする。
れたもので、組立て配線工程および製造設備の簡略化を
可能とする固体素子リレーの提供を目的とする。
[問題点の解決手段] 上記目的を達成するために、本考案の固体素子リレー
は、操作入力部の発光素子より出力される光を受光素子
によって電気信号に変換し、開閉部としての電界効果ト
ランジスターをオンさせる構成の固体素子リレーにおい
て、裏面部を絶縁させた受光素子をリードフレームの中
吊りタブ部上に設置し、この受光素子のいずれかの電極
を上記中吊りタブ部に電気的に接続するとともに、複数
の電界効果トランジスタのゲート電極を上記中吊りタブ
部に電気的に接続した構成としてある。
は、操作入力部の発光素子より出力される光を受光素子
によって電気信号に変換し、開閉部としての電界効果ト
ランジスターをオンさせる構成の固体素子リレーにおい
て、裏面部を絶縁させた受光素子をリードフレームの中
吊りタブ部上に設置し、この受光素子のいずれかの電極
を上記中吊りタブ部に電気的に接続するとともに、複数
の電界効果トランジスタのゲート電極を上記中吊りタブ
部に電気的に接続した構成としてある。
[実施例] 次に、本考案の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は、本考案の一実施例に係る固体素子リレーの一
部切欠き斜視図である。
部切欠き斜視図である。
同図において、鉄または銅系合金よりなるリードフレー
ムの中吊りタブ部1上には裏面部が絶縁された受光素子
チップ2が、設置・固定されている。受光素子チップ2
の正電位電極3と中吊りタブ部1とは、主に金属の線材
よりなる電気配線4によって電気的に接続されている。
受光素子チップ2の負電位電極5と共通出力端子6のア
イランド部とは電気配線7によって接続されている。
ムの中吊りタブ部1上には裏面部が絶縁された受光素子
チップ2が、設置・固定されている。受光素子チップ2
の正電位電極3と中吊りタブ部1とは、主に金属の線材
よりなる電気配線4によって電気的に接続されている。
受光素子チップ2の負電位電極5と共通出力端子6のア
イランド部とは電気配線7によって接続されている。
また、出力端子8,8′のアイランド部の上に裏面がド
レイン電極9,9′となっているMOS形電界効果トラ
ンジスタチップ10,10′が、配置・固定されてい
る。そして、MOS形電界効果トランジスタチップ1
0,10′のゲート電極11,11′は、電気配線1
2,12′によって中吊りタブ部1に接続されている。
このように本考案によれば、ゲート電極11,11′と
正電位電極3との配線において、ステッチボンディング
配線が不要となるので配線工程が著しく簡略化できる。
レイン電極9,9′となっているMOS形電界効果トラ
ンジスタチップ10,10′が、配置・固定されてい
る。そして、MOS形電界効果トランジスタチップ1
0,10′のゲート電極11,11′は、電気配線1
2,12′によって中吊りタブ部1に接続されている。
このように本考案によれば、ゲート電極11,11′と
正電位電極3との配線において、ステッチボンディング
配線が不要となるので配線工程が著しく簡略化できる。
また、MOS形電界効果トランジスタチップ10,1
0′のソース電極13,13′と共通出力端子6とが電
気配線14,14′によって接続されている。
0′のソース電極13,13′と共通出力端子6とが電
気配線14,14′によって接続されている。
さらに、操作入力端子15のアイランド部にガリウム・
ヒ素等の化合物半導体よりなる発光素子チップ16が、
配置・固定され、その上面部より電気配線17によって
もう一つの操作入力端子15′のアイランド部へ接続さ
れている。そして、これらのチップ、配線等はエポキシ
系モールド樹脂よりなる外装部18によって固定され
て、固定素子リレーを成している。
ヒ素等の化合物半導体よりなる発光素子チップ16が、
配置・固定され、その上面部より電気配線17によって
もう一つの操作入力端子15′のアイランド部へ接続さ
れている。そして、これらのチップ、配線等はエポキシ
系モールド樹脂よりなる外装部18によって固定され
て、固定素子リレーを成している。
次に、本実施例の固体素子リレーの動作について説明す
る。
る。
操作入端子15,15′に入力された電気信号は、発光
素子チップ16において光に変換され、この光を受信し
た受光素子チップ2はこれを電気信号に戻し電圧を発生
する。この電圧が、正電位電極3から中吊りタブ部1を
介して二つのMOS形電界効果トランジスタチップ1
0,10′のゲート電極11,11′に印加される。こ
こで、ソース電極13,13′は共通出力端子6を介し
て受光素子チップ2の負電位電極5に接続されているた
め、二つのMOS形電界効果トランジスタチップ10,
10′は同時にターンオン動作を行ない、この結果出力
端子8,8′が導通状態となり、リレーとして機能す
る。
素子チップ16において光に変換され、この光を受信し
た受光素子チップ2はこれを電気信号に戻し電圧を発生
する。この電圧が、正電位電極3から中吊りタブ部1を
介して二つのMOS形電界効果トランジスタチップ1
0,10′のゲート電極11,11′に印加される。こ
こで、ソース電極13,13′は共通出力端子6を介し
て受光素子チップ2の負電位電極5に接続されているた
め、二つのMOS形電界効果トランジスタチップ10,
10′は同時にターンオン動作を行ない、この結果出力
端子8,8′が導通状態となり、リレーとして機能す
る。
[考案の効果] 以上説明したように本考案の固体素子リレーは、ステッ
チボンディング配線を排して簡単に配線できる構成を有
しているので、組立て配線工程および製造設備の簡略化
を図ることができる効果がある。
チボンディング配線を排して簡単に配線できる構成を有
しているので、組立て配線工程および製造設備の簡略化
を図ることができる効果がある。
第1図は本考案の一実施例に係る固定素子リレーの一部
切欠き斜視図、第2図は本考案および従来例に係る固定
素子リレーの回路図、第3図は従来例に係る固定素子リ
レーの一部切欠き斜視図である。 1:中吊りタブ部、 2:受光素子チップ、 3:正電位電極 4,7,12,12′,14,14′,17:電気配線、 5:負電位電極、 6:共通出力端子、 8,8′:出力端子、 9,9′:ドレイン電極、 10,10′:MOS形電界効果トランジスタチップ、 11,11′:ゲート電極、 13,13′:ソース電極、 15,15′:操作入力、 16:発光素子チップ、 18:外装部、 19,19′:MOS形トランジスタ、 20,20′:ゲート電極、 21:受光素子、 22:受光素子正電位側、23:受光素子負電位側。
切欠き斜視図、第2図は本考案および従来例に係る固定
素子リレーの回路図、第3図は従来例に係る固定素子リ
レーの一部切欠き斜視図である。 1:中吊りタブ部、 2:受光素子チップ、 3:正電位電極 4,7,12,12′,14,14′,17:電気配線、 5:負電位電極、 6:共通出力端子、 8,8′:出力端子、 9,9′:ドレイン電極、 10,10′:MOS形電界効果トランジスタチップ、 11,11′:ゲート電極、 13,13′:ソース電極、 15,15′:操作入力、 16:発光素子チップ、 18:外装部、 19,19′:MOS形トランジスタ、 20,20′:ゲート電極、 21:受光素子、 22:受光素子正電位側、23:受光素子負電位側。
Claims (1)
- 【請求項1】操作入力部の発光素子より出力される光を
受光素子によって電気信号に変換し、開閉部としての電
界効果トランジスターをオンさせる構成の固体素子リレ
ーにおいて、裏面部を絶縁させた受光素子をリードフレ
ームの中吊りタブ部上に設置し、この受光素子のいずれ
かの電極を上記中吊りタブ部に電気的に接続するととも
に、複数の電界効果トランジスタのゲート電極を上記中
吊りタブ部に電気的に接続したことを特徴とする固体素
子リレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6274487U JPH06837Y2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 固体素子リレ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6274487U JPH06837Y2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 固体素子リレ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63170976U JPS63170976U (ja) | 1988-11-07 |
JPH06837Y2 true JPH06837Y2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=30897313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6274487U Expired - Lifetime JPH06837Y2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 固体素子リレ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06837Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH085571Y2 (ja) * | 1988-12-24 | 1996-02-14 | 日本電気株式会社 | 光結合半導体装置 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP6274487U patent/JPH06837Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63170976U (ja) | 1988-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2605687B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7095099B2 (en) | Low profile package having multiple die | |
KR960000799B1 (ko) | 3상브리지 변환회로 모듈 | |
US20190348333A1 (en) | Semiconductor device with integrated shunt resistor and method for producing same | |
JPH06837Y2 (ja) | 固体素子リレ− | |
JPH0397257A (ja) | 大電力半導体装置 | |
GB1245610A (en) | Improvements in and relating to semiconductor devices | |
US6838830B2 (en) | Half-bridge | |
JPS57164548A (en) | Semiconductor device | |
US6201263B1 (en) | Semiconductor device | |
JP2767529B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
US4998160A (en) | Substrate power supply contact for power integrated circuits | |
JPH04129233A (ja) | 半導体hブリッジ回路 | |
JPS63160285A (ja) | 定電流発光ダイオードおよびその製造方法 | |
US20040256721A1 (en) | Package for semiconductor devices | |
KR100506802B1 (ko) | 모오스 트랜지스터 패키지 | |
JPS61172376A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0719160Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS6251231A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH11274548A (ja) | 半導体リレー | |
JPS5980950U (ja) | リレ−接点保護回路 | |
EP0379878A1 (en) | Substrate power supply contact for power integrated circuits | |
JPH04206859A (ja) | 半導体装置 | |
JPS59101447U (ja) | 半導体装置 | |
JPS63160258A (ja) | 半導体装置 |