JPH0682393A - 被覆欠陥検出装置および方法 - Google Patents

被覆欠陥検出装置および方法

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JPH0682393A
JPH0682393A JP5028442A JP2844293A JPH0682393A JP H0682393 A JPH0682393 A JP H0682393A JP 5028442 A JP5028442 A JP 5028442A JP 2844293 A JP2844293 A JP 2844293A JP H0682393 A JPH0682393 A JP H0682393A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガラスファイバなどの被覆ファイバ内の被覆
層に含まれる欠陥を容易に検出する。 【構成】 欠陥検出システムは、許容品質の被覆層を通
して照射される場合の前方パスおよび光強度を示す予想
前方散乱パターンを生成するように被覆ストランドに光
を照射するレーザ源と、前方散乱パターン内の強度レベ
ルにおいて、欠陥が被覆層内に存在することの指示とし
ての光の減少を監視するフォトダイオードとからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、インパターン、オンラ
イン被覆欠陥検出システムに関する。
【0002】
【従来の技術】ガラスファイバが、光通信システムの一
部として従わなければならない比較的厳しい動作上の制
約のため、ファイバ製造プロセスは正確に監視され制御
されなければならない。さらに、光ファイバの多くの動
作特性は、線引きプロセス中にファイバに塗布される保
護被覆に欠陥が存在する場合には、劣化する可能性があ
る。従って、監視は、ガラスストランドの線引きプロセ
スにのみ向けられるのではなく、被覆塗布プロセスにも
向けられるべきである。
【0003】しかし、緩変化パラメータを測定するため
に現在使用されている特定の装置は、線引き速度におい
ては短時間である欠陥を識別する信号を、正確に識別
し、それに応答することはできない。このような欠陥
は、走査方式を使用する現在利用可能なさまざまな被覆
モニタによる検出から漏れることが非常に多い。現在の
装置では一般に検出不可能な短時間信号のうちには、被
覆直径を変化させる粒子、および、頻繁に表面上に噴出
する捕捉された気泡または塗布器ダイを通して引き込ま
れた高粘土粒子の包含によって引き起こされる欠陥を示
すものがある。これらの各欠陥は、後のプロセスで光導
波路生産量の損失を引き起こすことがある欠陥の種類の
例である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】現在の技術の上記のよ
うな問題点に鑑みて、必要であり、従来技術によっては
与えられていないものは、光ファイバに塗布される被覆
層に存在する欠陥を正確に検出することができる信頼性
のあるシステムである。さらに、所望される被覆欠陥検
出システムは、検査の結果として被覆ファイバの品質を
劣化させないような非破壊検査技術を利用すべきであ
る。さらに、所望される被覆欠陥検査システムは、短時
間の欠陥を信頼性高く検出し、光ファイバの製造に使用
される従来のオンラインプロセス系列内に組み込まれる
のに適合したものでなければならない。
【0005】
【課題を解決するための手段】従来技術における前記の
問題点は、本発明によるインパターン、オンライン被覆
欠陥検出システムによって克服される。本発明のシステ
ムは、許容品質の被覆層を通して照射される場合の前方
パスおよび光強度を示す予想前方散乱パターンを生成す
るように被覆ストランドに光を照射する手段と、前方散
乱パターン内の強度レベルにおいて、欠陥が被覆層内に
存在することの指示としての光の減少を監視する手段と
からなる。
【0006】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細
に説明する。
【0007】本発明の被覆欠陥検出装置の光学的および
機械的構成の概要を図1に示す。一般的に、検出装置1
0は被覆ファイバに2本のビームを当てるために、2軸
の、空間的に離間された直交する照明機構を有する。更
に詳細には、本発明は、照明されている被覆ファイバの
特定部分に存在する被覆欠陥を検出するために、インパ
ターン(in-pattern)検査技術を使用する。本発明の好ま
しい実施例はガラス光ファイバに塗布された被覆を検査
することであるが、その他の非ガラス系ストランド材料
の被覆層を本発明により検査することもできる。
【0008】本明細書で使用される、“インパターン検
査”という用語は、適正に被覆されたファイバを通して
光が照射されたときに発生する前方散乱パターン内に、
何らかのタイプの光検出手段が正確に配置されているよ
うな技術を意味する。被覆欠陥を突き止めるために、イ
ンパターン技法により、受光量の減少について、予想さ
れる前方散乱パターン内の光の強度を連続的にモニター
する。このような光強度の低下は欠陥の存在を示す。こ
の欠陥は、正規の前方散乱パターンから逸脱して散乱さ
れる、被覆ファイバを通して照明される光の一部分に発
生する。
【0009】図1に示されるように、ヘリウムネオンレ
ーザ12からビーム14が発射される。このビームはミ
ラー16によりビームエクスパンダー18内に向けられ
る。好ましい実施例では、その後、ビーム14はビーム
スプリッター20(好ましくは、50/50キューブタ
イプのもの)により分割される。そして、2本の別々の
光通路22,24に沿って配向される。
【0010】3個の調整可能なミラー26,28および
30を使用することにより、光通路22および24に沿
って進行する分割ビームは、被覆層31を有するファイ
バ32に直交するように当射される。しかし、2本のビ
ームは互いに、および、底板34に対して、若干異なる
高さでファイバに当射しなければならない。好ましい高
低差は、ファイバのところで約1/8インチであり、発
生された2本の前方散乱パターンが互いに殆ど干渉しな
いようにしなければならない。更に、ファイバ通過開口
38は底板34の切欠き部として示されている。この切
欠き部を通してファイバ32は、ファイバ加工通路に沿
って前進するにつれて、底板34に対して垂直な方向に
通過する。
【0011】好ましくは、4個のレンズ/検出器レール
モジュール40,42,44および46を2本のビーム
通路22および24の前方散乱パターン内に配置する。
特に、モジュール40および44はミラー26および2
8を介するビーム22からの前方散乱光を受光する。一
方、モジュール42および46はミラー30を介するビ
ーム24からの前方散乱光を受光する。モジュール4
0,42,44および46の物理的構成は同一であり、
各モジュールは円筒状レンズと付属の光検出器とを有す
る。各モジュールの特定の形状はレール集成装置を使用
する。
【0012】このレール集成装置により、オペレータは
その対応する光検出器に対してレンズを正確に配向させ
ることができる。モジュール40,42,44および4
6の各種光学機械部品の詳細な図解は示されていない
が、光検出器に対してレンズを固定し、光軸合せするた
めの公知の全ての機構は本発明を実施するのに十分であ
る。参考として、下記にレンズ/検出器モジュールの一
例を説明する。
【0013】レンズ/検出器モジュール40,42,4
4および46は底板34に実装する前に、別々に組み立
てることができる。各モジュールの円筒状レンズを、シ
リコンゴムタイプの接着剤で、対応する保持レールに接
着する。好ましい実施例では、円筒状レンズの焦点距離
は25.4mmであり、平面と凸面を有する。レンズ/
検出器モジュール40,42,44および46内の4個
の光検出器は例えば、優れた周波数応答性と感度を有
し、比較的安価な、セントロニクス(Centronics)社製の
BPX65フォトダイオードが好ましい。
【0014】この検出器は1mm平方の活性領域を有
し、TO−18タイプの2ピンヘッダーに取付られる。
取付固定具を使用し、各フォトダイオードを1インチの
公称高さで、所望の方向に向けて保持する。取付固定具
は、モジュール軸と平行および垂直の両方向に向けて、
付属レンズに対して可動性であり、これにより、合焦光
をフォトダイオードの活性領域に正確に光軸合せするこ
とができる。
【0015】レンズを固定した後、検出器表面を、レン
ズの平面から約51mm離れるように位置決めする。モ
ジュール40,42,44および46は、レンズの凸面
がファイバ32から51mmの位置にくるように、底板
34上に実装される。レーザを底板上に有し、被覆ファ
イバが適所に配置されている場合、ほぼ合焦された光ス
ポットが検出器固定具上に形成されなければならない。
しかし、僅かに光軸がずれている場合、レンズおよび光
検出器を調整し、合焦光スポットをフォトダイオードの
活性領域内に配置させることができる。
【0016】本発明の好ましい実施例では、前方散乱パ
ターンの2箇所の異なる角度領域をモニターする。図2
に示されるように、比較的高いフォトダイオード光軸角
αまたは比較的低いフォトダイオード光軸角βの何れか
を使用することができる。“比較的高い光軸角α”は約
60°であり、“比較的低い光軸角β”は約15°であ
る。前記の特定角度は、直径が約125ミクロンで、全
体の直径を250ミクロンに増大させるポリマー被覆を
有し、被覆屈折率が約1.52で、レーザ波長が0.6
3〜0.68ミクロンの範囲内であるシリカファイバに
対応する。前記の特定の角度は、異なるファイバ直径、
被覆厚さおよび被覆材料を有する被覆ファイバについて
若干変更することができる。
【0017】低角度βを使用すると、被覆層31とファ
イバ自体32の両方を照明する散乱光をモニターするこ
とができる。低角度βの範囲内で操作し、ファイバおよ
び被覆の両方を照明する光をモニターすることにより、
ファイバ32、被覆層31内またはファイバ・被覆界面
に沿って存在する様々な欠陥または異常を発見すること
ができる。
【0018】しかし、比較的高い角度αを使用すると、
ポリマー被覆層31のみから反射された光が適当に軸合
せされたフォトダイオードに入射する。従って、被覆層
内の欠陥だけを検査したい場合、比較的高い光軸αを使
用することが好ましい。図2は、被覆ファイバ32の断
面を通過する反射光の光跡を示す。更に、散乱光は、低
い鋭角のときよりも、比較的高い角度では強度が低いの
で、集光素子が必要である。
【0019】本発明のビームエクスパンダー18は別に
組み立てることができる。6.35mmと40.0mm
のそれぞれ異なる焦点距離を有する2個の平円筒状レン
ズをシリコンゴム系接着剤でエクスパンダー装置のレー
ルに接着する。レンズを平面側同士が向き合うように取
付け、始めから46.35mmの間隔に離す。この特定
の間隔により、ほぼ再平行化された6.3倍の一方向ビ
ーム拡大率が得られる。ビームエクスパンダー18の好
ましい形状により、モジュールを実装した後に僅かな間
隔調整を行うことができ、ビームを平行化させることが
できる。ビームエクスパンダー18は底板上の、第1の
レンズ16とスプリッターキュウブ20との間に配置さ
れる。
【0020】図3に示されるように、欠陥検出電子回路
は、レンズ/検出器モジュール40,42,44および
46内のフォトダイオードからの信号を、回路内に含ま
れる4個の同じ電気的補償チャネル47において、比較
し、そして、結合させる。これら各補償チャネルは図3
で素子47として示されている。これらのチャネルのう
ちの一つを図4に詳細に図示する。同じ軸から補償回路
47により発生された欠陥信号は、図3のブロック図に
より電気的回路を用いて一緒に結合される。
【0021】好ましいフォトダイオード48の最速操作
モードは光伝導性である。光伝導モードはダイオード結
合に印加される逆バイアスを必要とする。図4に示され
るように、逆バイアスは、定電圧負15ボルト供給源5
2とフォトダイオード48のアノードとの間に直列に接
続された1MΩ抵抗50より印加される。フォトダイオ
ード48のカソードは回路が接地される共通の電源に戻
される。1MΩ抵抗50はダイオード48のための負荷
抵抗でもある。従って、抵抗50は入力信号電圧を発生
する。本発明の好ましい実施例では、入力信号電圧は、
ハリス(Harris)HA-2-252-/883 またはテレダイン・フィ
ルブリック(Teledyne Philbrick)TP1322演算増幅器54
の何れかの非反転入力に印加される。
【0022】選択された入力回路は高インピーダンスを
有するので、増幅器の入力はキャパシタンスを低く維持
するために結合されたD.C.(直流)である。オペア
ンプ54の利得はフィードバック対入力抵抗の比率によ
りコントロールされる。好ましい回路では25dbで安
定される。入力抵抗が接地側に帰される場合、増幅器出
力は、負供給電圧に極めて近い猛烈な飽和を起こすであ
ろう。従って、入力抵抗は低インピーダンスオフセット
電圧供給源に帰す。この低インピーダンスオフセット電
圧供給源の出力レベルは平衡探索補償回路によりコント
ロールされる。
【0023】補償回路47は各々、図4に示されたよう
に、電気的に形成されている。図4の各補償回路47は
1秒時定数を有する符号56で全体的に示される積分器
部分と、符号58で全体的に示される単一利得逆変換装
置部分とからなる。積分器部分56は、図4で素子60
として全体的に示される、二重オペアンプ62の第1の
部分の周囲に形成される。好ましい実施例では、二重オ
ペアンプ62はモトローラ社のMC1747である。
【0024】積分器部分56において、非反転入力は回
路接地に帰され、反転入力は1MΩ抵抗64によりオペ
アンプ54の出力に接続される。反転入力に対するフィ
ードバック電流は1μFコンデンサ66により供給さ
れ、積分回路56を形成する。積分器56からの出力電
圧は、オペアンプ62に帰還される前に反転されること
が好ましい。反転処理は二重オペアンプ62の第2の部
分(図4で素子68として全体的に示されている)で行
われる。非反転入力は接地され、入力およびフィードバ
ック成分として100K抵抗器70および72が使用さ
れる。
【0025】二重オペアンプ62の出力インピーダンス
はオペアンプ54の入力抵抗器の値に比例して低い。二
重オペアンプ62からの出力電圧はオペアンプ54の入
力抵抗器に印加される。これにより、オペアンプ54の
出力はゼロに戻される。二重オペアンプ62とオペアン
プ54の動作部分60および68は協動して補償回路4
7を形成する。この補償回路47は新たな静止フォトダ
イオード電流を約1秒間に自動調整する。同等の動作電
気構成部品を用いても本発明を実施することができる。
【0026】オペアンプ54からの平衡化出力は、多少
負に変化する入力電圧から高利得二極電圧信号を与え
る。1秒間よりも速く発生するフォトダイオード電流の
変化はオペアンプ54により増幅され、更に処理するた
めに他の回路に結合される。各補償回路47内におい
て、増幅出力信号は全波整流器(図示されていない)に
結合される。次いで、二極信号スイングは単極信号に変
換される。その振幅はフォトダイオード48における強
度変化に直接関連する。すなわち、欠陥の程度に直接関
連する。
【0027】図3に示されるように、各補償回路47の
出力は安定化された単極基準電圧に対して比較される。
基準電圧は較正中に調整され、装置感度を安定化する。
基準電圧および信号電圧は一連の電圧比較器80に対し
て区別をつけて入力される。各比較器80からの出力
は、相補レンズ/検出器モジュールからの欠陥信号を処
理する補償回路47の比較器出力と共に、ORゲート8
2により“OR”化される。次いで、“OR”化信号を
用いてパルス引きのばし回路84を起動させ、モニター
コンピュータ86の時間にデータを捕捉させる。引きの
ばされた出力88はオペレータ情報用のディスプレーL
ED90も照明する。図3に示された比較および引きの
ばし回路は反復され、直交検査軸内のモジュールからの
信号を処理する。
【0028】前記のように、光通信系で使用されるガラ
スファイバは線引き法により製造される。ガラスファイ
バの線引き中に、被覆層が塗布され、ファイバに追加的
な強度を付与するか、または、ファイバの動作を阻害す
る様々な環境素因からの保護手段を形成する。
【0029】一般的に、線引き法は連続的に実施される
一連のオンライン処理を含む。本発明は、未知の被覆欠
陥を有するファイバを通信ケーブル内に実装することを
避けるために、被覆欠陥を検出するための、オンライン
処理で取り込むことのできる、検出システムを提供す
る。本発明の瞬間検出システムは被覆層の塗布後で、フ
ァイバの巻き取り前の位置に取り付けられる。ファイバ
32が本発明のシステム内を通過するにつれて、光線ビ
ーム22および24はその全外径を横切って被覆ファイ
バ32の一部分を照明する。光線が被覆層31および/
またはファイバ32を通過するにつれて、図2に示され
た前方散乱パターンが各光源の反対側に発生される。
【0030】適正に被覆されたファイバにより発生され
ると予想されるファイバ散乱パターン内に一連のフォト
ダイオード48を配置する。しかし、各種の欠陥は、フ
ォトダイオード48の検出領域外に散乱される光線部分
にも生じる。本発明は実際の前方散乱パターンの光強度
レベルを連続的にモニターする。この実際の前方散乱パ
ターンの強度測定値を予想される前方散乱パターンの強
度と、図3の一連の比較器80により比較する。次い
で、各比較器80の出力をORゲート82を介して結合
させる。実際の前方散乱パターン内の光強度が予想前方
散乱パターンの光強度よりも低い場合、モニターコンピ
ュータ86またはLEDディスプレー90が被覆層内に
欠陥の存在を同定するように、検査結果を表示する。
【0031】前記のように、本発明で使用するインパタ
ーン検出技術の核心は、欠陥の存在を指示するために、
予想前方散乱パターン内に正確に配置された光検出器に
より、光強度の低下を認識することに依拠する。この明
細書に記載された特定の回路に限定されることなく、被
覆欠陥を検出するために前方散乱パターン内で光強度を
測定するための別の電子的な測定装置を使用することも
できる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガラスファイバなどの被覆ファイバ内の被覆層に含まれ
る欠陥を容易に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のインパターン被覆欠陥検出システムの
光学−機械的レイアウトを示す模式的上面図である。
【図2】被覆ファイバの断面を通過する反射光の光ビー
ム光跡を示す模式図である。
【図3】本発明の操作を行うために使用される全回路の
ブロック図である。
【図4】本発明で使用される入力増幅器および補償回路
の回路図である。
【符号の説明】
12 ヘリウムネオンレーザ 14 ビーム 16 ミラー 18 ビームエクスパンダー 20 ビームスプリッター 22,24 光通路 26,28,30 ミラー 31 被覆層 32 ファイバ 34 底板 38 ファイバ通過口 40,42,44,46 レールモジュール 47 電気的補償チャネル 48 フォトダイオード 50 1MΩ抵抗 52 定電圧負15ボルト供給源 54 演算増幅器 56 積分器部分 58 単一利得逆変換装置部分 60 素子 62 二重オペアンプ 64 1MΩ抵抗 66 コンデンサ 68 素子 70,72 100KΩ抵抗器 80 電圧比較器 82 ORゲート 86 モニターコンピュータ 88 出力 90 ディスプレイLED
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラルフ イー.フラジー,ジュニア アメリカ合衆国 08723 ニュージャージ ー ブリックタウン、ビナクル ロード 179 (72)発明者 チャールズ リドリー ラブレース アメリカ合衆国 30291 ジョージア ユ ニオン シティ、パーク ストリート 6374 (72)発明者 ポール モブリー モリス アメリカ合衆国 30033 ジョージア コ モン デカター、ケンブリッジ 1424 (72)発明者 デヴィッド ハリー スミスゴール アメリカ合衆国 08520 ニュージャージ ー イースト ウインザー、オーク クリ ーク ロード 185

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 許容品質の被覆層を通して照射される場
    合の前方パスおよび光強度を示す予想前方散乱パターン
    を生成するように被覆ストランドに光を照射する手段
    と、 前方散乱パターン内の強度レベルにおいて、欠陥が被覆
    層内に存在することの指示としての光の減少を監視する
    手段とからなることを特徴とする被覆層内の欠陥を検出
    する装置。
  2. 【請求項2】 照射手段が少なくとも1つのレーザ源か
    らなることを特徴とする請求項1の装置。
  3. 【請求項3】 照射手段がさらに、レーザ源から放出さ
    れる単一の光ビームから少なくとも2つのほぼ等価な光
    ビームを生成するビームスプリッタ手段からなることを
    特徴とする請求項2の装置。
  4. 【請求項4】 監視手段が、前方散乱パターン内に正確
    に位置する少なくとも2つの光検出器からなることを特
    徴とする請求項1の装置。
  5. 【請求項5】 被覆ストランドが、少なくとも2つの直
    角に配置された光ビームによって照射されることを特徴
    とする請求項1の装置。
  6. 【請求項6】 被覆ストランドを照射する光が、被覆ス
    トランドの外径より大きいビーム幅を有することを特徴
    とする請求項1の装置。
  7. 【請求項7】 許容品質の被覆層を通して照射される場
    合の前方パスおよび光強度を示す予想前方散乱パターン
    を生成するように被覆ストランドに光を照射するステッ
    プと、 前方散乱パターン内の強度レベルにおいて、欠陥が被覆
    層内に存在することの指示としての光の減少を監視する
    ステップとからなることを特徴とする被覆層内の欠陥を
    検出する方法。
  8. 【請求項8】 被覆ストランドが、少なくとも2つの直
    角に配置された光ビームによって照射されることを特徴
    とする請求項7の方法。
  9. 【請求項9】 被覆ストランドを照射する光が、被覆ス
    トランドの外径より大きいビーム幅を有することを特徴
    とする請求項7の方法。
  10. 【請求項10】 前方散乱パターンの光強度が、前方散
    乱パターン内に正確に位置する少なくとも2つのフォト
    ダイオードによって監視されることを特徴とする請求項
    7の方法。
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