JPH0677603A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0677603A JPH0677603A JP22713992A JP22713992A JPH0677603A JP H0677603 A JPH0677603 A JP H0677603A JP 22713992 A JP22713992 A JP 22713992A JP 22713992 A JP22713992 A JP 22713992A JP H0677603 A JPH0677603 A JP H0677603A
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- Japan
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- semiconductor laser
- receiving element
- light
- light receiving
- resin layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 モニタ用受光素子のへのレーザ光の入射量を
高めることができる歩留りの良い半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。 【構成】 表面部にモニター用受光素子４が形成された
半導体基板１上に半導体レーザ素子５を上記受光素子４
の前方に位置するように配置し、この受光素子４上に上
記半導体レーザ素子５のレーザ光出射領域６より高い部
分をもつ透光性ブロック体７をこの半導体レーザ素子５
に近接して載置し、この透光性ブロック体７の周辺部を
樹脂層８で覆う。
高めることができる歩留りの良い半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。 【構成】 表面部にモニター用受光素子４が形成された
半導体基板１上に半導体レーザ素子５を上記受光素子４
の前方に位置するように配置し、この受光素子４上に上
記半導体レーザ素子５のレーザ光出射領域６より高い部
分をもつ透光性ブロック体７をこの半導体レーザ素子５
に近接して載置し、この透光性ブロック体７の周辺部を
樹脂層８で覆う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はモニター用受光素子を備
えた半導体レーザ装置に関する。
えた半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置として、例えば
半導体基板の表面部の一部に該基板と反対導電型の不純
物を選択的に拡散してフォトダイオードを作り、この半
導体基板上のフォトダイオード形成部近傍にレーザ素子
を設置したものが開発されている。この半導体レーザ装
置は、前記レーザ素子の後端面からのレーザ光をフォト
ダイオードにより検出し、この検出した信号に基づいて
レーザ光の出力制御を行おうとするものである。
半導体基板の表面部の一部に該基板と反対導電型の不純
物を選択的に拡散してフォトダイオードを作り、この半
導体基板上のフォトダイオード形成部近傍にレーザ素子
を設置したものが開発されている。この半導体レーザ装
置は、前記レーザ素子の後端面からのレーザ光をフォト
ダイオードにより検出し、この検出した信号に基づいて
レーザ光の出力制御を行おうとするものである。
【０００３】しかしながら、このような構成のレーザ装
置では、前記レーザ光のフォトダイオードへの入射角が
小さいため、フォトダイオードに入射されるレーザ光の
入射光量が少く、正確なモニターがでいないといった問
題があった。
置では、前記レーザ光のフォトダイオードへの入射角が
小さいため、フォトダイオードに入射されるレーザ光の
入射光量が少く、正確なモニターがでいないといった問
題があった。
【０００４】この他、フォトダイオード表面の結露や塵
の付着等により、フォトダイオードに入射されるレーザ
光の入射光量が減少するといった問題もあった。
の付着等により、フォトダイオードに入射されるレーザ
光の入射光量が減少するといった問題もあった。
【０００５】この問題を解決する装置として、図４に示
すような半導体レーザ装置が実開昭６１−６１８６４号
（Ｈ０１Ｓ ３／１８）公報に開示されている。斯る装
置は、表面の一部にフォトダイオードからなるモニター
用受光素子４が形成された半導体基板１上に半導体レー
ザ素子５が前記受光素子４形成部近傍にダイボンディン
グされている。前記受光素子４上には塗布形成された光
透過性を有する透光性樹脂層５０が形成されている。
尚、１０は受光素子４の表面部を覆うＳｉＯ2等からな
る絶縁層である。
すような半導体レーザ装置が実開昭６１−６１８６４号
（Ｈ０１Ｓ ３／１８）公報に開示されている。斯る装
置は、表面の一部にフォトダイオードからなるモニター
用受光素子４が形成された半導体基板１上に半導体レー
ザ素子５が前記受光素子４形成部近傍にダイボンディン
グされている。前記受光素子４上には塗布形成された光
透過性を有する透光性樹脂層５０が形成されている。
尚、１０は受光素子４の表面部を覆うＳｉＯ2等からな
る絶縁層である。
【０００６】この装置では、半導体基板１の受光素子４
形成部表面に光導波路となる透光性樹脂層５０を形成し
ているので、該樹脂層５０と空気の屈折率の相違により
レーザ素子５のレーザ光出射領域６からのレーザ光を受
光素子４に効率よく入射できる。
形成部表面に光導波路となる透光性樹脂層５０を形成し
ているので、該樹脂層５０と空気の屈折率の相違により
レーザ素子５のレーザ光出射領域６からのレーザ光を受
光素子４に効率よく入射できる。
【０００７】この装置のほか、特開平４−１１７９５号
（Ｈ０１Ｓ ３／１８）公報に半導体レーザ素子の後端
面からフォトダイオード表面上に亘って透光性樹脂層が
塗布形成された半導体レーザ装置が開示されている。
（Ｈ０１Ｓ ３／１８）公報に半導体レーザ素子の後端
面からフォトダイオード表面上に亘って透光性樹脂層が
塗布形成された半導体レーザ装置が開示されている。
【０００８】しかしながら、これら半導体レーザ装置で
は、フォトダイオード表面上に透光性樹脂層を塗布形成
するので、該樹脂層を所望の形状（特に所望の厚み）を
再現性良く形成するのが困難で、歩留まりの点で問題が
あった。
は、フォトダイオード表面上に透光性樹脂層を塗布形成
するので、該樹脂層を所望の形状（特に所望の厚み）を
再現性良く形成するのが困難で、歩留まりの点で問題が
あった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題点
に鑑み成されたものであり、半導体レーザ素子から受光
素子へのレーザ光の入射量を高めることができる歩留ま
りの良い半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
に鑑み成されたものであり、半導体レーザ素子から受光
素子へのレーザ光の入射量を高めることができる歩留ま
りの良い半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面部にモニ
ター用受光素子が形成された半導体基板上の該受光素子
が存在しない部分に半導体レーザ素子を該受光素子に近
接するように設置した半導体レーザ装置において、上記
受光素子上に上記半導体レーザ素子の後端面のレーザ光
出射領域より高い部分をもつ透光性ブロック体を該半導
体レーザ素子に近接して載置し、該透光性ブロック体の
周辺部を樹脂層で覆うことを特徴とする。
ター用受光素子が形成された半導体基板上の該受光素子
が存在しない部分に半導体レーザ素子を該受光素子に近
接するように設置した半導体レーザ装置において、上記
受光素子上に上記半導体レーザ素子の後端面のレーザ光
出射領域より高い部分をもつ透光性ブロック体を該半導
体レーザ素子に近接して載置し、該透光性ブロック体の
周辺部を樹脂層で覆うことを特徴とする。
【００１１】特に、上記樹脂層が透光性樹脂層からなる
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１２】
【作用】上記構成では、受光素子上に半導体レーザ素子
の後端面のレーザ光出射領域より高い部分をもつ透光性
ブロック体を上記半導体レーザ素子に近接して載置し、
該透光性ブロック体の周辺部を樹脂層で覆うことによ
り、受光素子に直進するレーザ光以外のレーザ光も透光
性ブロック体により受光素子に導光させているので、該
受光素子へのレーザ光の入射量を高めることができると
共に後端面からのレーザ光が結露や塵の付着等のある表
面に入射することがないので、受光素子へのレーザ光の
入射量が減少することがない。
の後端面のレーザ光出射領域より高い部分をもつ透光性
ブロック体を上記半導体レーザ素子に近接して載置し、
該透光性ブロック体の周辺部を樹脂層で覆うことによ
り、受光素子に直進するレーザ光以外のレーザ光も透光
性ブロック体により受光素子に導光させているので、該
受光素子へのレーザ光の入射量を高めることができると
共に後端面からのレーザ光が結露や塵の付着等のある表
面に入射することがないので、受光素子へのレーザ光の
入射量が減少することがない。
【００１３】また、光導波路が透光性ブロック体により
構成されるので、作製時に所定の形状の光導波路が歩留
まり良くできる。
構成されるので、作製時に所定の形状の光導波路が歩留
まり良くできる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図に従い説明す
る。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の断面図で
ある。尚、従来例と同一部分及び対応する部分には同一
符号を付す。
る。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の断面図で
ある。尚、従来例と同一部分及び対応する部分には同一
符号を付す。
【００１５】１は例えばシリコンからなるＮ+型半導体
基板、２は該半導体基板１の表面部に選択的に形成され
たＮ-型拡散層、３は該拡散層２の表面部に選択的に形
成されたＰ+型拡散層であり、この半導体基板１及び拡
散層２、３によりモニター用受光素子４となるＰＩＮ型
フォトダイオードが基板１の表面部に構成される。尚、
上記受光素子４は上記半導体基板１の材料や導電型を適
宜変更した構成でもよく、更にはＰＮ型のフォトダイオ
ードであっても良い。
基板、２は該半導体基板１の表面部に選択的に形成され
たＮ-型拡散層、３は該拡散層２の表面部に選択的に形
成されたＰ+型拡散層であり、この半導体基板１及び拡
散層２、３によりモニター用受光素子４となるＰＩＮ型
フォトダイオードが基板１の表面部に構成される。尚、
上記受光素子４は上記半導体基板１の材料や導電型を適
宜変更した構成でもよく、更にはＰＮ型のフォトダイオ
ードであっても良い。
【００１６】５は半導体レーザ素子で、前記受光素子４
が存在しない前記半導体基板１上に該受光素子４に近接
して配置され、ダイボンディングされている。この半導
体レーザ素子５はその上下面にそれぞれ図示しない電極
層が形成されており、６はレーザ光を出射する活性層領
域、即ちレーザ光出射領域である。尚、前記受光素子４
の表面部には、ＳｉＯ2等からなる透光性の絶縁層１０
が形成されている。
が存在しない前記半導体基板１上に該受光素子４に近接
して配置され、ダイボンディングされている。この半導
体レーザ素子５はその上下面にそれぞれ図示しない電極
層が形成されており、６はレーザ光を出射する活性層領
域、即ちレーザ光出射領域である。尚、前記受光素子４
の表面部には、ＳｉＯ2等からなる透光性の絶縁層１０
が形成されている。
【００１７】７は上記受光素子４上に上記半導体レーザ
素子５の後端面に近接して載置されたガラス、石英、又
はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、スチレンア
クリロニトリル（ＳＡＮ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポ
リカボネート（ＰＣ）等の樹脂等から構成され、この載
置された状態において上記レーザ光出射領域６より高い
部分を少なくとももつように成形されている透光性ブロ
ック体であり、本実施例では長方形状である。
素子５の後端面に近接して載置されたガラス、石英、又
はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、スチレンア
クリロニトリル（ＳＡＮ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポ
リカボネート（ＰＣ）等の樹脂等から構成され、この載
置された状態において上記レーザ光出射領域６より高い
部分を少なくとももつように成形されている透光性ブロ
ック体であり、本実施例では長方形状である。
【００１８】８は少なくとも上記透光性ブロック体７の
周辺部を覆う透光性の樹脂層で、例えばシリコン樹脂、
エポキシ樹脂等の粘性樹脂を硬化して形成したものであ
る。尚、樹脂層８が上記半導体レーザ素子５の後方から
透光性ブロック体７上全面を覆うようにした方が該樹脂
層８を容易に形成できるので望ましい。この樹脂層８は
透光性ブロック体７と、半導体レーザ素子５の後端面及
び受光素子４との間に生じる隙間を充填または密閉し
て、レーザ光が通過する受光素子４、半導体レーザ素子
５、透光性ブロック体７の表面に結露や塵等が付着しな
いように外気と遮断している。尚、上記隙間に樹脂層８
が充填されない場合は、この樹脂層８は透光性樹脂でな
くともよい。
周辺部を覆う透光性の樹脂層で、例えばシリコン樹脂、
エポキシ樹脂等の粘性樹脂を硬化して形成したものであ
る。尚、樹脂層８が上記半導体レーザ素子５の後方から
透光性ブロック体７上全面を覆うようにした方が該樹脂
層８を容易に形成できるので望ましい。この樹脂層８は
透光性ブロック体７と、半導体レーザ素子５の後端面及
び受光素子４との間に生じる隙間を充填または密閉し
て、レーザ光が通過する受光素子４、半導体レーザ素子
５、透光性ブロック体７の表面に結露や塵等が付着しな
いように外気と遮断している。尚、上記隙間に樹脂層８
が充填されない場合は、この樹脂層８は透光性樹脂でな
くともよい。
【００１９】この半導体レーザ装置においては、上記受
光素子４上にレーザ光出射領域６より高い部分をもつ透
光性ブロック体７を上記半導体レーザ素子５に近接して
載置し、該透光性ブロック体７の周辺部を樹脂層８で覆
うので、受光素子４に直進するレーザ光以外のレーザ光
も透光性ブロック体７により受光素子４に導光され、該
受光素子４へのレーザ光の入射量を高めることができ
る。また後端面からのレーザ光が結露や塵の付着等のあ
る表面に入射することがないため、受光素子４へのレー
ザ光の入射量が減少する惧れがない。
光素子４上にレーザ光出射領域６より高い部分をもつ透
光性ブロック体７を上記半導体レーザ素子５に近接して
載置し、該透光性ブロック体７の周辺部を樹脂層８で覆
うので、受光素子４に直進するレーザ光以外のレーザ光
も透光性ブロック体７により受光素子４に導光され、該
受光素子４へのレーザ光の入射量を高めることができ
る。また後端面からのレーザ光が結露や塵の付着等のあ
る表面に入射することがないため、受光素子４へのレー
ザ光の入射量が減少する惧れがない。
【００２０】更に、この半導体レーザ装置では、前記透
光性ブロック体７が予め成形されているので、従来の装
置のように樹脂の粘性、硬化条件に考慮する必要がな
く、所望の形状の光導波路を歩留まりよく作成できる。
光性ブロック体７が予め成形されているので、従来の装
置のように樹脂の粘性、硬化条件に考慮する必要がな
く、所望の形状の光導波路を歩留まりよく作成できる。
【００２１】図２は本発明の第２実施例に係る半導体レ
ーザ装置の断面図である。この実施例において、第１実
施例と異なる点は透光性ブロック体と樹脂層の形状であ
る。
ーザ装置の断面図である。この実施例において、第１実
施例と異なる点は透光性ブロック体と樹脂層の形状であ
る。
【００２２】この透光性ブロック体１７も上記受光素子
４上に上記半導体レーザ素子５の後端面に近接して載置
固定され、上記レーザ光出射領域６より高い部分を少な
くとももつように成形されている透光性ブロック体であ
り、本実施例では断面略三角形状である。尚、この実施
例では樹脂層１８は上記半導体レーザ素子５の後方から
透光性ブロック体１７上を覆っている。
４上に上記半導体レーザ素子５の後端面に近接して載置
固定され、上記レーザ光出射領域６より高い部分を少な
くとももつように成形されている透光性ブロック体であ
り、本実施例では断面略三角形状である。尚、この実施
例では樹脂層１８は上記半導体レーザ素子５の後方から
透光性ブロック体１７上を覆っている。
【００２３】この実施例においては、透光性ブロック体
１７が断面三角形状であるので、受光素子４に導光され
るレーザ光の量が更に増加する。
１７が断面三角形状であるので、受光素子４に導光され
るレーザ光の量が更に増加する。
【００２４】図３は本発明の第３実施例に係る半導体レ
ーザ装置の断面図である。この実施例において、第１、
第２実施例と異なる点は透光性ブロック体と樹脂層の形
状であり、該樹脂層は透光性樹脂であることが必要条件
である。
ーザ装置の断面図である。この実施例において、第１、
第２実施例と異なる点は透光性ブロック体と樹脂層の形
状であり、該樹脂層は透光性樹脂であることが必要条件
である。
【００２５】この透光性ブロック体２７も上記受光素子
４上に上記半導体レーザ素子５の後端面に近接して載置
され、上記レーザ光出射領域６より高い部分を少なくと
ももつように成形されている透光性ブロック体であり、
本実施例では断面略三角形状である。尚、この実施例で
は樹脂層２８は上記半導体レーザ素子５の後方から透光
性ブロック体２７上を覆っている。
４上に上記半導体レーザ素子５の後端面に近接して載置
され、上記レーザ光出射領域６より高い部分を少なくと
ももつように成形されている透光性ブロック体であり、
本実施例では断面略三角形状である。尚、この実施例で
は樹脂層２８は上記半導体レーザ素子５の後方から透光
性ブロック体２７上を覆っている。
【００２６】前記透光性ブロック体２７は半導体レーザ
素子５の後端面に近接しているので、前記前記粘性樹脂
は上記透光性ブロック体２７のレーザ光出射領域６より
高い部分と半導体レーザ素子５の後端面に充填硬化さ
れ、透光性の樹脂層２８が上記高い部分以上の高さ位置
に形成される。従って、透光性の樹脂層２８がレーザ光
が通過する半導体レーザ素子５の後端面と透光性ブロッ
ク体２７の隙間に完全に充填される。
素子５の後端面に近接しているので、前記前記粘性樹脂
は上記透光性ブロック体２７のレーザ光出射領域６より
高い部分と半導体レーザ素子５の後端面に充填硬化さ
れ、透光性の樹脂層２８が上記高い部分以上の高さ位置
に形成される。従って、透光性の樹脂層２８がレーザ光
が通過する半導体レーザ素子５の後端面と透光性ブロッ
ク体２７の隙間に完全に充填される。
【００２７】この半導体レーザ装置においても、受光素
子４へのレーザ光の入射量を高めることができると共に
作製時の歩留まりが良好である。
子４へのレーザ光の入射量を高めることができると共に
作製時の歩留まりが良好である。
【００２８】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置は、受光素子
上に半導体レーザ素子の後端面のレーザ光出射領域より
高い部分をもつ透光性ブロック体を上記半導体レーザ素
子に近接して載置し、該透光性ブロック体の周辺部を樹
脂層で覆うので、従来の装置のように樹脂の粘性、硬化
条件に考慮する必要がなく、レーザ光を受光素子へ効率
良く導くことができる所望形状の光導波路を歩留まり良
く形成できる。
上に半導体レーザ素子の後端面のレーザ光出射領域より
高い部分をもつ透光性ブロック体を上記半導体レーザ素
子に近接して載置し、該透光性ブロック体の周辺部を樹
脂層で覆うので、従来の装置のように樹脂の粘性、硬化
条件に考慮する必要がなく、レーザ光を受光素子へ効率
良く導くことができる所望形状の光導波路を歩留まり良
く形成できる。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体レーザ装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る半導体レーザ装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第３実施例に係る半導体レーザ装置の
断面図である。
断面図である。
【図４】従来例の半導体レーザ装置の断面図である。
【符号の説明】 １ 半導体基板 ４ 受光素子 ５ 半導体レーザ素子 ６ レーザ光出射領域 ７ 透光性ブロック体 ８ 樹脂層 １７ 透光性ブロック体 ２７ 透光性ブロック体 １８ 樹脂層 ２８ 樹脂層
フロントページの続き (72)発明者 井上 泰明 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 吉年 慶一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 山口 隆夫 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 米山 裕文 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 野一色 慶夫 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 表面部にモニター用受光素子が形成され
た半導体基板上の該受光素子が存在しない部分に半導体
レーザ素子を該受光素子に近接するように設置した半導
体レーザ装置において、 上記受光素子上に上記半導体レーザ素子の後端面のレー
ザ光出射領域より高い部分をもつ透光性ブロック体を該
半導体レーザ素子に近接して載置し、該透光性ブロック
体の周辺部を樹脂層で覆うことを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項２】 上記樹脂層が透光性樹脂からなることを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22713992A JPH0677603A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22713992A JPH0677603A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677603A true JPH0677603A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16856099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22713992A Pending JPH0677603A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009540597A (ja) * | 2006-06-15 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｌｅｄ照明器具における正確な色制御、アウトカップリング、及びバックグラウンドリジェクションに関する角度選択的光センサ構造 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22713992A patent/JPH0677603A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009540597A (ja) * | 2006-06-15 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｌｅｄ照明器具における正確な色制御、アウトカップリング、及びバックグラウンドリジェクションに関する角度選択的光センサ構造 |
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