JPH0672790A - 活性材料の単結晶成長のための黒鉛モールド及びその製造方法 - Google Patents
活性材料の単結晶成長のための黒鉛モールド及びその製造方法Info
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- JPH0672790A JPH0672790A JP3212624A JP21262491A JPH0672790A JP H0672790 A JPH0672790 A JP H0672790A JP 3212624 A JP3212624 A JP 3212624A JP 21262491 A JP21262491 A JP 21262491A JP H0672790 A JPH0672790 A JP H0672790A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 黒鉛モールド基部１３の空洞１４がワックス
で充填された後、単結晶選別機ワックス構成要素２２の
上端は、小孔１１において黒鉛モールド基部１３にワッ
クス溶接され、組み立てられたワックス構成要素を形成
する。次に、焼き流し鋳造モールド製造法においてセラ
ミックコーティング適用の従来方法を、この組み立てら
れたワックス構成要素に適用する。次いで、ワックス除
去及びモールド焼成して単結晶成長のための単結晶選別
機後付き黒鉛モールドが得られる。 【効果】 モールド基部が不活性な黒鉛で作製され、単
結晶はこの黒鉛モールド基部とのみ接触した状態で成長
するので、溶融金属とセラミックシェルモールド材料と
の間の反応が防止され、低転位密度及び制御可能な成分
を有する高品質単結晶が得られる。
で充填された後、単結晶選別機ワックス構成要素２２の
上端は、小孔１１において黒鉛モールド基部１３にワッ
クス溶接され、組み立てられたワックス構成要素を形成
する。次に、焼き流し鋳造モールド製造法においてセラ
ミックコーティング適用の従来方法を、この組み立てら
れたワックス構成要素に適用する。次いで、ワックス除
去及びモールド焼成して単結晶成長のための単結晶選別
機後付き黒鉛モールドが得られる。 【効果】 モールド基部が不活性な黒鉛で作製され、単
結晶はこの黒鉛モールド基部とのみ接触した状態で成長
するので、溶融金属とセラミックシェルモールド材料と
の間の反応が防止され、低転位密度及び制御可能な成分
を有する高品質単結晶が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶成長方法、特に
ＡｌまたはＡｌ−Ｌｉのような高活性材料の単結晶成長
に関する。
ＡｌまたはＡｌ−Ｌｉのような高活性材料の単結晶成長
に関する。
【０００２】
【従来の技術】低転位密度及び制御可能な成分を有する
高品質単結晶は、化学研究及び工学応用において重要な
役割を果たしている。一般に、単結晶成長のための方法
として、 １）チェクラルスキ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）結晶引
っ張り法、 ２）浮遊領域結晶成長法、 ３）ブリッジマン（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）結晶成長法、及
び ４）方向性凍結結晶成長法 などが挙げられる。
高品質単結晶は、化学研究及び工学応用において重要な
役割を果たしている。一般に、単結晶成長のための方法
として、 １）チェクラルスキ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）結晶引
っ張り法、 ２）浮遊領域結晶成長法、 ３）ブリッジマン（Ｂｒｉｄｇｍａｎ）結晶成長法、及
び ４）方向性凍結結晶成長法 などが挙げられる。
【０００３】時間及びコストの節約のため、単結晶超合
金タービンブレードのような金属の単結晶材料の成長に
は、ブリッジマン結晶成長法、方向性凍結結晶成長法、
又は上記２法の改良法が用いられることが多い。ブリッ
ジマン結晶成長法及び方向性凍結結晶成長法において
は、出発物質は真空又は制御された雰囲気中に保持され
る。材料の温度勾配の調節又は単方向性の熱放散によっ
て、前記出発材料から溶融した液体金属は固化され始め
る。単結晶選別機によって、この金属は結晶化し単結晶
を形成する。したがって、単結晶選別機は上記２法にお
いて極めて重要である。単結晶選別機は、円錐型、ネッ
ク型、複数ネック型、Ｓ形型、Ｚ形型、らせん型などを
含むさまざまな型であってよい。単結晶選別機の形状が
複雑であるので、一般に、単結晶成長に使用されるモー
ルドは、適当な結合材料とともにセラミック粉末（Ｓｉ
Ｏ2又はＡｌ2Ｏ3）から製造された焼流し精密鋳造シェ
ルモールドである。
金タービンブレードのような金属の単結晶材料の成長に
は、ブリッジマン結晶成長法、方向性凍結結晶成長法、
又は上記２法の改良法が用いられることが多い。ブリッ
ジマン結晶成長法及び方向性凍結結晶成長法において
は、出発物質は真空又は制御された雰囲気中に保持され
る。材料の温度勾配の調節又は単方向性の熱放散によっ
て、前記出発材料から溶融した液体金属は固化され始め
る。単結晶選別機によって、この金属は結晶化し単結晶
を形成する。したがって、単結晶選別機は上記２法にお
いて極めて重要である。単結晶選別機は、円錐型、ネッ
ク型、複数ネック型、Ｓ形型、Ｚ形型、らせん型などを
含むさまざまな型であってよい。単結晶選別機の形状が
複雑であるので、一般に、単結晶成長に使用されるモー
ルドは、適当な結合材料とともにセラミック粉末（Ｓｉ
Ｏ2又はＡｌ2Ｏ3）から製造された焼流し精密鋳造シェ
ルモールドである。
【０００４】単結晶が成長したとき、セラミック粉末で
製造されたこのシェルモールドは、長時間にわたって溶
融金属と接触することになる。特に、シェルモールドの
成分は、成長しつつある単結晶の品質及び純度に悪影響
を及ぼすことがある。純粋なアルミニウム、アルミニウ
ム合金またはマグネシウム合金のような活性材料が成長
する際、シェルモールドの成分は溶融金属と反応する。
その結果、単結晶の成分はほとんど制御不可能となり、
これによって、良好な単結晶の成長に有害な新しい粒子
の核形成が促進される。単結晶が得られる可能性は、ま
だわずかに残っているが、その転位密度は余りにも高い
ため高品質単結晶にはならない。
製造されたこのシェルモールドは、長時間にわたって溶
融金属と接触することになる。特に、シェルモールドの
成分は、成長しつつある単結晶の品質及び純度に悪影響
を及ぼすことがある。純粋なアルミニウム、アルミニウ
ム合金またはマグネシウム合金のような活性材料が成長
する際、シェルモールドの成分は溶融金属と反応する。
その結果、単結晶の成分はほとんど制御不可能となり、
これによって、良好な単結晶の成長に有害な新しい粒子
の核形成が促進される。単結晶が得られる可能性は、ま
だわずかに残っているが、その転位密度は余りにも高い
ため高品質単結晶にはならない。
【０００５】この問題を解決するために以下の方法が用
いられた。 １）Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2，ＺｒＳｉＯ4などのような熱動
力学的に安定した材料をセラミックシェルモールドに使
用すること、または ２）溶融金属をシェルモールドから単離するためにシェ
ルモールド上に適切なコーティングを施すこと。例え
ば、黒鉛、シリコンカーバイド（ＣＳｉ）、酸化ジルコ
ニウム（ＺｒＯ2）などが広く使用されている。
いられた。 １）Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2，ＺｒＳｉＯ4などのような熱動
力学的に安定した材料をセラミックシェルモールドに使
用すること、または ２）溶融金属をシェルモールドから単離するためにシェ
ルモールド上に適切なコーティングを施すこと。例え
ば、黒鉛、シリコンカーバイド（ＣＳｉ）、酸化ジルコ
ニウム（ＺｒＯ2）などが広く使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
は欠点も有している。セラミック粉末及びコーティング
は、それらがモールドに適用されるときに結合材料と混
合される。結合材料は、通常、水ガラス（けい酸ナトリ
ウム）、シリカゲル溶液、またはエチルシリケートから
選択される。焼成後、結合材料の残渣がまだある。この
残渣は溶融金属と反応し、コーティングの破砕及び破壊
の原因となる。更に、このコーティング材料がシェルモ
ールドに適用されるときに、狭い孔（類）を有する単結
晶選別機はコーティング材料が詰まり易く、これによっ
て単結晶が成長できなくなる。
は欠点も有している。セラミック粉末及びコーティング
は、それらがモールドに適用されるときに結合材料と混
合される。結合材料は、通常、水ガラス（けい酸ナトリ
ウム）、シリカゲル溶液、またはエチルシリケートから
選択される。焼成後、結合材料の残渣がまだある。この
残渣は溶融金属と反応し、コーティングの破砕及び破壊
の原因となる。更に、このコーティング材料がシェルモ
ールドに適用されるときに、狭い孔（類）を有する単結
晶選別機はコーティング材料が詰まり易く、これによっ
て単結晶が成長できなくなる。
【０００７】純粋なアルミニウム、アルミニウム合金ま
たはマグネシウム合金のような高活性材料の成長におい
て、黒鉛は理想的な不活性るつぼ材料であることが知ら
れていた。一方、商業的に供給される大量の黒鉛片は、
加工が容易である。したがって、黒鉛は、旋盤によって
単結晶成長のためのるつぼを作製するのに用いられた。
旋盤の限界の故に、黒鉛は、単結晶選別のためのるつぼ
の底部に円錐状の空洞を形成するようにしか加工できな
い。しかしながら、円錐型単結晶選別機は、多数の粒子
が核形成することがあり、かつ、最適成長方向において
単結晶選別の能力を有していないため、良好な選別機と
はいえない。したがって、このような選別機の効果は、
満足すべきものではない。
たはマグネシウム合金のような高活性材料の成長におい
て、黒鉛は理想的な不活性るつぼ材料であることが知ら
れていた。一方、商業的に供給される大量の黒鉛片は、
加工が容易である。したがって、黒鉛は、旋盤によって
単結晶成長のためのるつぼを作製するのに用いられた。
旋盤の限界の故に、黒鉛は、単結晶選別のためのるつぼ
の底部に円錐状の空洞を形成するようにしか加工できな
い。しかしながら、円錐型単結晶選別機は、多数の粒子
が核形成することがあり、かつ、最適成長方向において
単結晶選別の能力を有していないため、良好な選別機と
はいえない。したがって、このような選別機の効果は、
満足すべきものではない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、低転位密度及
び制御可能な成分を有する高品質単結晶成長のために、
活性材料成長のための黒鉛モールドを製造する方法及び
その方法により製造された黒鉛モールドを提供すること
を目的とする。本発明のもうひとつの目的は、単結晶成
長のための単結晶選別機を有するモールドを提供するこ
とである。単結晶成長において、溶融金属と接触するモ
ールドの部分は、不活性な黒鉛材料からできている。
び制御可能な成分を有する高品質単結晶成長のために、
活性材料成長のための黒鉛モールドを製造する方法及び
その方法により製造された黒鉛モールドを提供すること
を目的とする。本発明のもうひとつの目的は、単結晶成
長のための単結晶選別機を有するモールドを提供するこ
とである。単結晶成長において、溶融金属と接触するモ
ールドの部分は、不活性な黒鉛材料からできている。
【０００９】本発明によれば、単結晶成長のための黒鉛
モールド製造方法は、 ａ）上端を有する単結晶選別機ワックス構成要素を作製
し； ｂ）底部に該単結晶選別機ワックス構成要素の上端の直
径と等しい直径の孔を有する黒鉛モールド基部を作製
し； ｃ）該黒鉛モールド基部へワックスを充填し、かつ、該
孔に該単結晶選別機ワックス構成要素をワックス溶接し
て黒鉛シェルを有する組み立てられたワックス構成要素
を形成し； ｄ）該組み立てられたワックス構成要素に、浸積、焼成
及びワックス除去を含む焼流し精密鋳造モールド製造法
を適用し、単結晶選別機付きで、かつセラミックシェル
及び成長した単結晶と接触する黒鉛の内部表面を有する
黒鉛モールドを作製する；ことからなる。
モールド製造方法は、 ａ）上端を有する単結晶選別機ワックス構成要素を作製
し； ｂ）底部に該単結晶選別機ワックス構成要素の上端の直
径と等しい直径の孔を有する黒鉛モールド基部を作製
し； ｃ）該黒鉛モールド基部へワックスを充填し、かつ、該
孔に該単結晶選別機ワックス構成要素をワックス溶接し
て黒鉛シェルを有する組み立てられたワックス構成要素
を形成し； ｄ）該組み立てられたワックス構成要素に、浸積、焼成
及びワックス除去を含む焼流し精密鋳造モールド製造法
を適用し、単結晶選別機付きで、かつセラミックシェル
及び成長した単結晶と接触する黒鉛の内部表面を有する
黒鉛モールドを作製する；ことからなる。
【００１０】以下、本発明を図面に基づいて更に詳細に
説明する。図１に示す筒状の黒鉛モールド基部１３は、
切断、彫刻または上記２法の組み合わせによって作製さ
れる。このモールド基部１３の空洞１４は、さまざまな
形状の単結晶をそれぞれ成長させるために、さまざまな
形状であってよい。例えば、空洞１４の形状は、円筒、
楕円円筒、正方形カラム、長方形カラムまたはタービン
ブレードであってよい。空洞１４の上部１５は、典型的
には多結晶インゴットである出発材料を適量入れるため
に拡張されている。単結晶選別機との接続の便宜のため
に、空洞１４の底部１２は、円錐状になっている。更
に、モールド基部１３の底部端近くのネジ山１６は、黒
鉛モールド基部１３へのセラミックシェルの付着を向上
させるように設計されている。黒鉛モールド基部１３の
底部には、小孔１１が穿設してある。この小孔１１の直
径は、単結晶選別機ワックス構成要素２２の上端２３の
それに等しい（図２及び図６参照）。
説明する。図１に示す筒状の黒鉛モールド基部１３は、
切断、彫刻または上記２法の組み合わせによって作製さ
れる。このモールド基部１３の空洞１４は、さまざまな
形状の単結晶をそれぞれ成長させるために、さまざまな
形状であってよい。例えば、空洞１４の形状は、円筒、
楕円円筒、正方形カラム、長方形カラムまたはタービン
ブレードであってよい。空洞１４の上部１５は、典型的
には多結晶インゴットである出発材料を適量入れるため
に拡張されている。単結晶選別機との接続の便宜のため
に、空洞１４の底部１２は、円錐状になっている。更
に、モールド基部１３の底部端近くのネジ山１６は、黒
鉛モールド基部１３へのセラミックシェルの付着を向上
させるように設計されている。黒鉛モールド基部１３の
底部には、小孔１１が穿設してある。この小孔１１の直
径は、単結晶選別機ワックス構成要素２２の上端２３の
それに等しい（図２及び図６参照）。
【００１１】単結晶選別機ワックス構成要素２２の形状
は、円錐型、ネック型、複数ネック型、Ｓ形型、Ｚ形
型、らせん型、またはその他の所望の型を含むさまざま
な型であってよい。
は、円錐型、ネック型、複数ネック型、Ｓ形型、Ｚ形
型、らせん型、またはその他の所望の型を含むさまざま
な型であってよい。
【００１２】図２に示したように、黒鉛モールド基部１
３の空洞１４がワックスで充填された後、単結晶選別機
ワックス構成要素２２の上端は、小孔１１において該黒
鉛モールド基部１３にワックス溶接され、組み立てられ
たワックス構成要素を形成する。次に、焼き流し鋳造モ
ールド製造法においてセラミックコーティング適用の従
来方法を、この組み立てられたワックス構成要素に適用
する。ワックス除去及びモールド焼成後に、図３に示し
たような単結晶成長のための単結晶選別機付き黒鉛モー
ルドが得られる。黒鉛モールド全体の外面３１は、従来
の焼き流し鋳造に使用されたシェルモールドと同じセラ
ミック材料である。単結晶選別機を除いて、溶融金属に
接触する黒鉛モールドの内側部分は黒鉛モールド基部１
３である。
３の空洞１４がワックスで充填された後、単結晶選別機
ワックス構成要素２２の上端は、小孔１１において該黒
鉛モールド基部１３にワックス溶接され、組み立てられ
たワックス構成要素を形成する。次に、焼き流し鋳造モ
ールド製造法においてセラミックコーティング適用の従
来方法を、この組み立てられたワックス構成要素に適用
する。ワックス除去及びモールド焼成後に、図３に示し
たような単結晶成長のための単結晶選別機付き黒鉛モー
ルドが得られる。黒鉛モールド全体の外面３１は、従来
の焼き流し鋳造に使用されたシェルモールドと同じセラ
ミック材料である。単結晶選別機を除いて、溶融金属に
接触する黒鉛モールドの内側部分は黒鉛モールド基部１
３である。
【００１３】上述の工程によって作製された黒鉛モール
ドは、ブリッジマン結晶成長法、又は方向性凍結結晶成
長法において、単結晶を成長させるために使用すること
ができる。最初に、出発材料片を空洞１４に入れ、次に
真空または制御された雰囲気中で溶融する。その後、溶
融金属を、単結晶選別機２２の底部端２１からモールド
の先端への方向に漸次冷却し、これによって、新しい粒
子の核形成が促進される。これらの粒子が成長する間、
それらのうちのひとつのみが単結晶選別機を通過でき、
そして空洞１４中へ成長する。この時、空洞１４中で成
長する単結晶は、不活性な黒鉛モールド基部１３にのみ
接触した状態にある。したがって、溶融金属及びセラミ
ックシェルモールドの材料の間の反応が防止される。低
転位密度及び制御可能な成分を有する高品質単結晶がこ
のようにして得られる。
ドは、ブリッジマン結晶成長法、又は方向性凍結結晶成
長法において、単結晶を成長させるために使用すること
ができる。最初に、出発材料片を空洞１４に入れ、次に
真空または制御された雰囲気中で溶融する。その後、溶
融金属を、単結晶選別機２２の底部端２１からモールド
の先端への方向に漸次冷却し、これによって、新しい粒
子の核形成が促進される。これらの粒子が成長する間、
それらのうちのひとつのみが単結晶選別機を通過でき、
そして空洞１４中へ成長する。この時、空洞１４中で成
長する単結晶は、不活性な黒鉛モールド基部１３にのみ
接触した状態にある。したがって、溶融金属及びセラミ
ックシェルモールドの材料の間の反応が防止される。低
転位密度及び制御可能な成分を有する高品質単結晶がこ
のようにして得られる。
【００１４】
【実施例】本発明による種々の態様の実施例のひとつを
以下に記載した。これは、さらに明確に理解するための
説明的実施例であり、限定的実施例ではない。図４は、
本発明による黒鉛モールドを示したものである。図５
は、図４に示した黒鉛モールドに使用された黒鉛モール
ド基部を示しており、それは、旋盤によって円筒状黒鉛
片から作製されている。この黒鉛モールド基部の空洞の
上部は、内径３０ｍｍ及び外径３６ｍｍを有している。
単結晶が成長する場であるこの黒鉛モールド基部の空洞
は、内径１５ｍｍ及び外径２１ｍｍを有している。この
黒鉛モールド基部の空洞の底部は円錐状である。内径
４．５ｍｍの小孔が、この黒鉛モールド基部の底部表面
に穿設されている。図６に示したらせん型単結晶選別機
ワックス構成要素が利用される。
以下に記載した。これは、さらに明確に理解するための
説明的実施例であり、限定的実施例ではない。図４は、
本発明による黒鉛モールドを示したものである。図５
は、図４に示した黒鉛モールドに使用された黒鉛モール
ド基部を示しており、それは、旋盤によって円筒状黒鉛
片から作製されている。この黒鉛モールド基部の空洞の
上部は、内径３０ｍｍ及び外径３６ｍｍを有している。
単結晶が成長する場であるこの黒鉛モールド基部の空洞
は、内径１５ｍｍ及び外径２１ｍｍを有している。この
黒鉛モールド基部の空洞の底部は円錐状である。内径
４．５ｍｍの小孔が、この黒鉛モールド基部の底部表面
に穿設されている。図６に示したらせん型単結晶選別機
ワックス構成要素が利用される。
【００１５】純粋アルミニウム及びＡｌ−Ｌｉ合金の出
発物質約８０ｇを、それぞれ、図４に示したように２つ
の黒鉛モールドに充填する。ブリッジマン結晶成長法に
よって、純粋アルゴンの制御雰囲気下において、純粋ア
ルミニウム及びＡｌ−Ｌｉ合金の単結晶ロッドが５×１
０-6ｍ／ｓの速度で成長する。これらの単結晶ロッドの
特徴は、下記のようである。
発物質約８０ｇを、それぞれ、図４に示したように２つ
の黒鉛モールドに充填する。ブリッジマン結晶成長法に
よって、純粋アルゴンの制御雰囲気下において、純粋ア
ルミニウム及びＡｌ−Ｌｉ合金の単結晶ロッドが５×１
０-6ｍ／ｓの速度で成長する。これらの単結晶ロッドの
特徴は、下記のようである。
【００１６】１）単結晶選別機上には１つの単結晶しか
ない。 ２）これらの単結晶の化学組成は、極めて変化が少な
い。例えば、９９．８％の純粋なアルミニウム出発物質
から成長する単結晶の化学組成の変化は、測定不可能で
ある。Ａｌ−３％Ｌｉ合金の出発物質の別の実施例で
は、単結晶Ｌｉ損失は１５％未満である。この結果は、
例えば、Ｙ．Ｍｉｕｒａ，Ａ．Ｍａｔｓｕｉ，Ｍ．Ｆｕ
ｒｕｋａｗａ及びＭ．Ｎｅｍｏｔｏ：アルミニウム−リ
チウムIII、Ｃ．Ｂａｋｅｒ，Ｐ．Ｊ．Ｇｒｅｇｓｏ
ｎ，Ｓ．Ｊ．Ｈａｒｒｉｓ及びＣ．Ｊ．Ｐｅｅｌ編著
（金属学会（Ｔｈｅ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｅ
ｔａｌｓ）、ロンドン、１９８６）４２７頁などの最近
の参考論文にあるものよりも優れている。 ３）純粋アルミニウム及びＡｌ−Ｌｉ合金単結晶の転位
密度はそれぞれ、１．７２×１０8ｍ-2及び９．１１×
１０7ｍ-2であり、これらは、先行技術よりも１乃至２
桁低い。
ない。 ２）これらの単結晶の化学組成は、極めて変化が少な
い。例えば、９９．８％の純粋なアルミニウム出発物質
から成長する単結晶の化学組成の変化は、測定不可能で
ある。Ａｌ−３％Ｌｉ合金の出発物質の別の実施例で
は、単結晶Ｌｉ損失は１５％未満である。この結果は、
例えば、Ｙ．Ｍｉｕｒａ，Ａ．Ｍａｔｓｕｉ，Ｍ．Ｆｕ
ｒｕｋａｗａ及びＭ．Ｎｅｍｏｔｏ：アルミニウム−リ
チウムIII、Ｃ．Ｂａｋｅｒ，Ｐ．Ｊ．Ｇｒｅｇｓｏ
ｎ，Ｓ．Ｊ．Ｈａｒｒｉｓ及びＣ．Ｊ．Ｐｅｅｌ編著
（金属学会（Ｔｈｅ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｅ
ｔａｌｓ）、ロンドン、１９８６）４２７頁などの最近
の参考論文にあるものよりも優れている。 ３）純粋アルミニウム及びＡｌ−Ｌｉ合金単結晶の転位
密度はそれぞれ、１．７２×１０8ｍ-2及び９．１１×
１０7ｍ-2であり、これらは、先行技術よりも１乃至２
桁低い。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次の効果が奏せられる。請求項１−３の黒鉛モールド及
びその製造方法においては、モールド基部が、不活性な
性質を有する黒鉛で作製され、単結晶は、この黒鉛モー
ルド基部とのみ接触した状態で成長するので、溶融金属
とセラミックシェルモールド材料との間の反応が防止さ
れ、その結果、低転位密度及び制御可能な成分を有する
高品質単結晶が得られる。請求項４の黒鉛モールドにお
いては、出発材料の充填が容易になる。請求項５の黒鉛
モールドにおいては、黒鉛モールド基部へのセラミック
シェルの付着性が向上する。請求項６の黒鉛モールドに
おいては、黒鉛モールド基部と単結晶選別機との接続性
が向上する。
次の効果が奏せられる。請求項１−３の黒鉛モールド及
びその製造方法においては、モールド基部が、不活性な
性質を有する黒鉛で作製され、単結晶は、この黒鉛モー
ルド基部とのみ接触した状態で成長するので、溶融金属
とセラミックシェルモールド材料との間の反応が防止さ
れ、その結果、低転位密度及び制御可能な成分を有する
高品質単結晶が得られる。請求項４の黒鉛モールドにお
いては、出発材料の充填が容易になる。請求項５の黒鉛
モールドにおいては、黒鉛モールド基部へのセラミック
シェルの付着性が向上する。請求項６の黒鉛モールドに
おいては、黒鉛モールド基部と単結晶選別機との接続性
が向上する。
【図１】黒鉛モールド基部の断面図。
【図２】黒鉛モールド基部及び単結晶選別機を含む組み
立てられたワックス構成要素の断面図。
立てられたワックス構成要素の断面図。
【図３】本発明による黒鉛モールドの断面図。
【図４】本発明による黒鉛モールドの側面図。
【図５】黒鉛モールド基部の側面図。
【図６】単結晶選別機ワックス構成要素の側面図。
１１ 小孔 １２ 底部 １３ 黒鉛モールド基部 １４ 空洞 １５ 上部 １６ ネジ山 ２１ 底部端 ２２ 単結晶選別機ワックス構成要素 ２３ 上端 ３１ 外面
Claims (6)
- 【請求項１】 ａ）上端を有する単結晶選別機ワックス
構成要素を作製し； ｂ）底部に該単結晶選別機ワックス構成要素の上端の直
径と等しい直径の孔を有する黒鉛モールド基部を作製
し； ｃ）該黒鉛モールド基部へワックスを充填し、かつ、該
孔に該単結晶選別機ワックス構成要素をワックス溶接し
て黒鉛シェルを有する組み立てられたワックス構成要素
を形成し； ｄ）該組み立てられたワックス構成要素に、浸積、焼成
及びワックス除去を含む焼流し精密鋳造モールド製造法
を適用し、単結晶選別機付きで、かつセラミックシェル
及び成長した単結晶と接触する黒鉛の内部表面を有する
黒鉛モールドを作製する；ことからなる単結晶成長のた
めの黒鉛モールド製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法に従って製造された
単結晶成長のための黒鉛モールド。 - 【請求項３】 底部端、上端、黒鉛内側部分及びセラミ
ック外側部分を有するモールド本体と、該黒鉛内側部分
において単結晶が成長する該モールド本体の該底部端に
接続されたセラミック単結晶選別機とからなる単結晶成
長のための黒鉛モールド。 - 【請求項４】 前記モールド本体の上端が拡張されてい
る請求項３記載の黒鉛モールド。 - 【請求項５】 前記黒鉛内側部分の底部端の外部表面に
ネジ山が設置されている請求項３記載の黒鉛モールド。 - 【請求項６】 前記モールド本体の前記底部端が実質的
にその中に形成された円錐状の空洞を有する請求項３記
載の黒鉛モールド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212624A JPH075426B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 活性材料の単結晶成長のための黒鉛モールド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212624A JPH075426B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 活性材料の単結晶成長のための黒鉛モールド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0672790A true JPH0672790A (ja) | 1994-03-15 |
| JPH075426B2 JPH075426B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=16625763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212624A Expired - Lifetime JPH075426B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 活性材料の単結晶成長のための黒鉛モールド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075426B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990010544A1 (en) * | 1989-03-07 | 1990-09-20 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Thermal transfer sheet |
| CN110306237A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-10-08 | 泰州市金鹰精密铸造有限公司 | 一种设计高效选晶器的方法 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3212624A patent/JPH075426B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990010544A1 (en) * | 1989-03-07 | 1990-09-20 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Thermal transfer sheet |
| CN110306237A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-10-08 | 泰州市金鹰精密铸造有限公司 | 一种设计高效选晶器的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH075426B2 (ja) | 1995-01-25 |
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