JPH0670301U

JPH0670301U - 帯域通過ろ波器

Info

Publication number: JPH0670301U
Application number: JP1756093U
Authority: JP
Inventors: 博畠中
Original assignee: Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
Current assignee: Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
Priority date: 1993-03-15
Filing date: 1993-03-15
Publication date: 1994-09-30

Abstract

(57)【要約】【目的】製作が容易で、量産に適し、電気的特性の良好
な帯域通過ろ波器を実現する。【構成】帯域通過ろ波器を構成する共通の誘電体ブロッ
クに所要間隔を隔てて設けた共振素子のうち、入出力結
合容量回路に接続される共振素子の中で、所要共振長の
最も短い共振素子の共振長に誘電体ブロックの高さを一
様に一致させる。前記所要共振長の最も短い共振素子以
外の共振素子の開放端の周りにおける誘電体ブロックの
壁面に、縁部が共振素子の開放端と適宜間隔を隔てて対
向して、共振素子の開放端との間に容量を形成すると共
に、誘電体ブロックの側壁等に付着させた接地金属薄層
と電気的に接続される付加容量形成用金属薄層F₁ないし
F₃を設けてある。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、自動車電話等の移動通信装置における雑音除去用帯域通過ろ波器又は信号の合成分離用の共用器の構成用帯域通過ろ波器として好適な帯域通過ろ波器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

図１２は、従来の帯域通過ろ波器において用いられている共通の誘電体ブロックを示す側面図で、誘電体ブロックに穿った貫通孔（破線で示してある）の内周面に金属薄層を付着させて共振素子を形成する。図１３は、通過域における中心周波数の互いに異なる２個の帯域通過ろ波器を組み合わせて空中線等の共用器を形成する場合に、従来用いられている共通の誘電体ブロックを示す側面図である。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

帯域通過ろ波器の設計製作に当たって、各共振素子によって形成される共振器の負荷Ｑの比率及び共振素子の中心間隔を所要値に合わせることによって所要の電気的特性を得ようとする場合、入出力結合容量を介して入出力端子に結合される初段及び終段の共振素子は、負荷Ｑ及び入出力結合容量の関係から他の共振素子に較べて共振長（軸長）を短くする必要がある。したがって、帯域通過ろ波器に用いられる共通の誘電体ブロックの形状も、図１２に示すように、初段及び終段の共振素子部分の高さをH₁に、他の共振素子部分の高さをH₂に形成するために、誘電体ブロックの底壁面又は上壁面に段部を設ける必要がある。共用器を構成する２個の帯域通過ろ波器に共通に用いられる誘電体ブロックにおいては、図１３に示すように、左半分の誘電体ブロック部分によって形成される帯域通過ろ波器と右半分の誘電体ブロック部分によって形成される帯域通過ろ波器の各通過域における中心周波数が異なるから、左半分の誘電体ブロック部分における初段及び終段の共振素子の部分の高さをH₃、中間段の共振素子部分の高さをH₄、右半分の誘電体ブロック部分における初段及び終段の共振素子部分の高さをH₅、中間段の共振素子部分の高さをH₆にする必要があり、高さの変化する個所における段部の数も５個所となる。図１２及び図１３の何れの誘電体ブロックにおいても共振素子の数が図示のものよりも多くなり、所要の電気的特性に応じて中間段における共振素子の共振長をも互いに異ならせる必要のある場合には、誘電体ブロックの底壁面又は上壁面における段部の数は更に増加することとなる。このように、従来の誘電体ブロックは高さが一様ではないから、これを製作するための金型の形状が複雑となり、金型自体の製作が容易でなく、コスト高となるのを避けることができない。又、誘電体ブロックの各部の高さ、即ち、各共振素子の共振長を正確に所要値に一致させることは一般に困難で、電気的特性の良好な帯域通過ろ波器の量産は極めて困難である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案は、共通の誘電体ブロックの長手方向に所要間隔を隔てて複数個の共振素子を設け、共通の誘電体ブロックの共振素子の軸方向の高さを、複数個の共振素子のうち、入出力結合容量回路に結合される共振素子の共振長に一様に一致させ、共通の誘電体ブロックの側壁、端壁及び前記複数個の共振素子の各短絡端の周りの壁面に接地金属薄層を設け、複数個の共振素子のうち、入出力結合容量回路に結合される共振素子以外の共振素子の各開放端の周りの壁面に、縁部が共振素子の開放端と適宜間隔を隔てて対向して共振素子の開放端との間に容量を形成すると共に、前記接地金属薄層に電気的に接続される付加容量形成用金属薄層を設けた誘電体ブロックを用いることによって、従来の欠点を除こうとするものである。

【０００５】

【実施例】図１（ａ）は、本考案の一実施例の要部を示す平面図、図１（ｂ）は側面図、図１（ｃ）は正面図、図１（ｄ）は底面図で、１は誘電体ブロック、２は誘電体ブロック１に所要間隔を隔てて穿った貫通孔で、各貫通孔の内周面に銀等の金属薄層を付着させるか、筒状又は棒状の導体を嵌入して共振素子を形成する。本考案においては、誘電体ブロック１の高さを、共振素子の所要共振長に応じて異ならせることなく、一定の高さに形成するが、その高さは次のように定める。一般的な誘電体共振器における共振素子の共振長Ｌは、近似的に次式で表わされる。

【数１】 λg ：管内波長 X_C ：入出力結合容量のリアクタンス Z_OE ：誘電体共振器の特性インピ−ダンス誘電体共振器を複数段縱続接続すると共に、入出力結合回路を容量結合回路で形成して成る帯域通過ろ波器においては、初段及び終段の共振器を形成する共振素子には入出力結合容量が結合されるため、中間段の共振素子に較べて軸長が最も短いこととなる。本考案においては、初段又は終段の共振素子の所要共振長を誘電体ブロック全域の高さとする。共振素子相互の中心間隔は、所要の通過帯域幅等によって定まる共振素子相互の磁気結合係数Ｍを求め、この磁気結合係数Ｍから中心間隔を求める。又、誘電体ブロック１の側壁、端壁及び共振素子の短絡端側となる底壁には銀等の金属薄層を付着させ、各共振素子の短絡端を底壁に付着させた金属薄層に電気的に接続する。図１以下の各図において、誘電体ブロック１の外壁のうち、金属薄層を付着させた部分を符号Ｆ又はＦに添え字を付した符号で示し、金属薄層を付着させることなく誘電体ブロック１の地肌を直接露出させてある部分を符号Ｙで表わすこととする。帯域通過ろ波器においては、共振器の縱続接続方向の中心から初段側に到る共振器と終段側に到る共振器の各共振周波数が、中心に対して対称的になるように形成するのが一般であるから、誘電体ブロック１の高さを初段の共振素子の共振長に一致させて、各貫通孔２内に共振素子を形成した場合、終段の共振素子の共振長は所要値に一致するが、中間段の共振素子の共振長は所要値に満たないこととなる。

【０００６】そこで本考案においては、図１（ａ）に示すように、共振素子の開放端側における誘電体ブロック１の壁面（上壁面）のうち、初段と次段の貫通孔の中間部（中間部とは初段と次段の貫通孔内に各設けられる共振素子によって形成される初段の共振器と次段の共振器との境界の意味で、以下同様である）から次段の貫通孔の開口縁部に適宜近接する範囲、次段と第３段の貫通孔の間において次段の貫通孔の開口縁部に適宜近接する部分から第３段の貫通孔の開口縁部に適宜近接する範囲、第３段と終段の貫通孔の中間部から第３段の貫通孔の開口縁部に適宜近接する範囲の各範囲に、銀等の金属薄層より成る付加容量形成用金属薄層F₁、F₂ 及びF₃を付着させ、各付加容量形成用金属薄層を誘電体ブロック１の両側壁に付着させた金属薄層、即ち、接地金属薄層に電気的に接続する。このように構成するときは、誘電体ブロック１の上壁面の一部に付着させた付加容量形成用金属薄層F₁ないしF₃と次段及び第３段の貫通孔内に設ける共振素子の開放端との間に形成される容量が、共振器の分布容量に付加されるから、次段及び第３段の貫通孔内に設ける共振素子の開放端と付加容量形成用金属薄層F₁ないしF₃の縁部との間隔を適当に選んで付加容量を適当に定めることにより、次段及び第３段の貫通孔内に設ける共振素子の等価共振長を所要値に一致させることができる。初段と次段の貫通孔の中間部から次段の貫通孔の開口縁部に適宜近接する範囲に設けた付加容量形成用金属薄層F₁の縁部のうち、初段と次段の貫通孔の中間部側の縁部が初段の貫通孔の開口縁部に接近し過ぎると、初段の貫通孔内に設ける共振素子に容量が付加されて初段の共振素子の等価共振長が所要値よりも長くなるおそれがあるので、このようなおそれの生じないように縁部の位置を定める必要がある。第３段と終段の貫通孔の中間部から第３段の貫通孔の開口縁部に適宜近接する範囲に設けた付加容量形成用金属薄層F₃の縁部のうち、第３段と終段の貫通孔の中間部側の縁部についても同様である、付加容量形成用金属薄層F₁ないしF₃は、これを設けることによって共振素子の等価共振長を増加させる作用を生ずるばかりでなく、信号の伝送時に発生する容量性の不要モ−ドを阻止する作用をも生ずる。即ち、初段の共振素子に共振電流が流れると、初段の共振素子と誘電体ブロック１の外壁面に付着させた金属薄層の間に TEMモ−ド波が発生し、その磁界成分が、初段の共振素子と次段の共振素子の間における誘電体ブロック１の外壁面に設けた金属薄層によって形成されると共に、誘電体ブロック１の横幅によって遮断波長の定まるカットオフ導波管部を励振し（初段の共振素子がプロ−ブ、即ち、アンテナとなって励振が行われる）、結果的に H₁₁モ−ド波となって次段の共振素子を励振する。そして、この時に発生する容量性の不要モ−ドは、誘電体ブロック１の上壁面の一部に設けた付加容量形成用金属薄層F₁を介して地気に吸収除去され、以下同様にして信号の伝送が行われる。

【０００７】図２は、図１に示した本案誘電体ブロックを用いて形成した帯域通過ろ波器の等価回路図で、Ｔは入出力端子、Ｒは共振回路、Ｃは付加容量形成用金属薄層を設けることによって共振回路に付加した容量、Ｍは磁気結合係数である。尚、初段及び終段の共振回路と入出力端子間に挿入される入出力結合容量は、これを独立した形で示すことなく、初段及び終段の共振回路を形成する容量分と合成した形で示してある。

【０００８】図３は、本考案の他の実施例の要部、即ち、誘電体ブロック１の上壁面（共振素子の開放端側の壁面）を示す平面図で、本実施例においては、誘電体ブロック１の上壁面のうち、初段と次段の貫通孔の中間部から第３段と終段の貫通孔の中間部までの範囲に、次段と第３段の貫通孔の各開口部の周りのリング状の部分Ｙを除いて付加容量形成用金属薄層F₄を付着させ、この付加容量形成用金属薄層F₄ を誘電体ブロック１の側壁に付着させた接地金属薄層と電気的に接続する。本実施例においては、付加容量形成用金属薄層F₄の内周縁、即ち、次段及び第３段の貫通孔の各開口周縁と対向する縁部の形状が円形であるから、次段及び第３段の貫通孔内に各設ける共振素子の開放端と対向する付加容量形成用金属薄層 F₄の内周縁部の長さを、前実施例に比し長くすることができ、又、対向間隔を一様に狭めることができるから、共振器に付加する容量を前実施例に較べて大にすることが可能で、したがって初段及び終段の共振素子の所要共振長と中間段の共振素子の所要共振長の差が大なる場合に好適である。

【０００９】図４もまた本考案の他の実施例の要部、即ち、誘電体ブロック１の上壁面を示す平面図で、本実施例においても、誘電体ブロック１の上壁面のうち、初段と次段の貫通孔の中間部から第３段と終段の貫通孔の中間部までの範囲に、次段及び第３段の貫通孔の各開口部の周りの部分Ｙを除いて付加容量形成用金属薄層F₅を付着させ、この付加容量形成用金属薄層F₅を誘電体ブロック１の側壁に付着させた接地金属薄層と電気的に接続する。本実施例においては、付加容量形成用金属薄層F₅の内周縁、即ち、次段及び第３段の貫通孔の各開口周縁と対向する縁部の形状を正方形又はほぼ正方形に形成してあるから、前実施例のように円形に形成する場合に比し製作を容易にすることができる。

【００１０】図５もまた本考案の他の実施例の要部、即ち、誘電体ブロック１の上壁面を示す平面図で、本実施例においても、誘電体ブロック１の上壁面のうち、初段と次段の貫通孔の中間部から第３段と終段の貫通孔の中間部までの範囲に、次段及び第３段の貫通孔の各開口部の周りの部分Ｙを除いて図３に示したものと同様の付加容量形成用金属薄層F₆を付着させ、この付加容量形成用金属薄層F₆を誘電体ブロック１の側壁に付着させた接地金属薄層と電気的に接続すると共に、次段及び第３段の貫通孔の開口縁部の外周にもリング状の金属薄層F₇及びF₈を付着させ、このリング状の金属薄層F₇及びF₈を次段及び第３段の貫通孔の各内部に設ける共振素子の開放端に電気的に接続し、リング状の金属薄層F₇及びF₈の各外周縁と金属薄層F₆の内周縁との間に金属薄層を付着させることなく、誘電体ブロック１の地肌が直接露出しているリング状の部分Ｙを形成してある。図３に示した実施例のように、金属薄層F₄の内周縁を共振素子の開放端に対向させる場合に較べて、本実施例においては、共振素子の開放端に電気的に接続されるリング状の金属薄層F₇及びF₈の各外周縁と金属薄層F₆の内周縁とを対向させるように形成してあるので、対向周縁の長さを長くすることが可能で、対向間隙幅を適当に狭くすることにより、共振器に付加する容量を更に大にすることができる。図５には、付加容量形成用金属薄層F₆の内周縁並びにリング状の金属薄層F₇及びF₈の各外周縁の輪郭形状をおれぞれ円形に形成した場合を示してあるが、各輪郭形状を正方形又はほぼ正方形に形成してもよい。以上の各実施例においては、次数４の帯域通過ろ波器の場合について説明したが、次数を適宜増減しても本考案を実施することができる。

【００１１】図６は、本考案を共用器を構成する２個の帯域通過ろ波器に実施した一例の要部を示す図で、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は側面図、図６（ｃ）は正面図、図６（ｄ）は底面図で、１は共通の誘電体ブロック、２は貫通孔で、各貫通孔の内周面に金属薄層を付着させるか、筒状又は棒状の導体を各貫通孔内に嵌入して共振素子を形成すること前記各実施例と同様である。以下、図６（ａ）に向かって左半分の４個の貫通孔部分によって形成される帯域通過ろ波器を第１の帯域通過ろ波器、４個の貫通孔を左から初段、次段、第３段、終段の貫通孔と称し、右半分の部分によって形成される帯域通過ろ波器を第２の帯域通過ろ波器、右半分の４個の貫通孔を左から初段、次段、第３段、終段の貫通孔と称することとする。本実施例においては、誘電体ブロック１の高さを所要共振長の最も短い共振素子、例えば第２の帯域通過ろ波器を形成する初段又は終段の貫通孔内に設けられる共振素子の共振長に一致させ、第１の帯域通過ろ波器を構成する初段の貫通孔と左側の端壁の間、初段と次段の貫通孔の間、次段と第３段の貫通孔の間、第３段と終段の貫通孔の間、終段の貫通孔と第１及び第２の帯域通過ろ波器の境界との間、第２の帯域通過ろ波器を形成する初段と次段の貫通孔の間、次段と第３段の貫通孔の間、第３段と終段の貫通孔の間に付加容量形成用金属薄層F₉ないしF₁ ₆ を付着させ、各金属薄層F₉ないしF₁₆ の縁部と貫通孔内に設けられる共振素子の開放端との対向間隔を適当に定めることにより、各共振素子の共振長を所要値に一致させ得ること図１に示した実施例の場合と同様である。

【００１２】図７は、図６に示した誘電体ブロックを用いて構成した共用器の等価回路図で、T₁は第１の帯域通過ろ波器の入力（又は出力）端子、T₂は第２の帯域通過ろ波器の入力（又は出力）端子、T_Cは共通の出力（又は入力）端子、Ｒは共振回路、Ｃは付加容量、Ｍは磁気結合係数である。図８は、本考案を共用器を構成する帯域通過ろ波器に実施した他の例の要部、即ち、共通の誘電体ブロック１の上壁面を示す図で、本実施例は、図３に示した実施例における付加容量形成用金属薄層と同様の金属薄層F₁₇ 及びF₁₈ を設け、付加容量形成用金属薄層F₁₇ 及びF₁₈ の各内周縁と各貫通孔の開口縁部との間に金属薄層を設けないリング状の部分Ｙを設けたもので、その作用効果も図３に示した実施例と同様である。図９もまた本考案を共用器を構成する帯域通過ろ波器に実施した他の例の要部、即ち、共通の誘電体ブロック１の上壁面を示す図で、本実施例は、図４に示した実施例における付加容量形成用金属薄層と同様の金属薄層F₁₉ 及びF₂₀ を設け、付加容量形成用金属薄層F₁₉ 及びF₂₀ の各内周縁と各貫通孔の開口縁部との間に金属薄層を設けないリング状の部分Ｙを設けたもので、その作用効果も図４に示した実施例と同様である。図１０もまた本考案を共用器を構成する帯域通過ろ波器に実施した他の例の要部、即ち、共通の誘電体ブロック１の上壁面を示す図で、本実施例は、図５に示した実施例における付加容量形成用金属薄層と同様の金属薄層F₂₁ 及びF₂₂ を設け、第２の帯域通過ろ波器側における初段及び終段の貫通孔を除く他の貫通孔の各開口縁部の外周にもリング状の金属薄層F₂₃ ないしF₂₈ を付着させ、このリング状の金属薄層F₂₃ ないしF₂₈ を各対応する貫通孔の内部に設ける共振素子の開放端に電気的に接続し、リング状の金属薄層F₂₃ ないしF₂₈ の各外周縁と金属薄層F₂₁ 及びF₂₂ の各内周縁との間に金属薄層を付着させることなく、誘電体ブロック１の地肌が直接露出しているリング状の部分Ｙを形成したもので、その作用効果も図５に示した実施例と同様である。又、リング状の金属薄層F₂₃ ないしF₂₈ の各外周縁の輪郭形状及び金属薄層F₂ ₁ 及びF₂₂ の各内周縁の輪郭形状を正方形又はほぼ正方形に形成してもよいこと図５において説明したとおりである。以上は、何れも共用器を構成する第１及び第２の帯域通過ろ波器の次数が４の場合について説明したが、次数を適宜増減した場合でも本考案を実施することができる。

【００１３】以上の各実施例は、何れも本考案をコムライン型帯域通過ろ波器に実施した場合であるが、本考案はインタディジタル型帯域通過ろ波器にも実施することができる。図１１は、本考案をインタディジタル型帯域通過ろ波器に実施した一例を示す図で、図１１（ａ）は平面図、図１１（ｂ）は側面図、図１１（ｃ）は正面図、図１１（ｄ）は底面図で、１は誘電体ブロック、２は貫通孔で、各貫通孔の内周面に金属薄層を付着させるか、筒状又は棒状の導体を各貫通孔内に嵌入して共振素子を形成すること、入出力結合容量回路が接続される初段又は終段の共振素子の共振長に誘電体ブロック１の高さを一致させること等は、図１に示した実施例と同様である。本実施例においては、共振素子をインタディジタル型の配列とするため、図１１に向かって左端の貫通孔内に形成される共振素子を初段の共振素子とし、誘電体ブロック１の上壁面のうち、初段、第３段及び終段の各共振素子の上端部の周りにおける壁面には金属薄層を付着することなく、誘電体ブロック１の地肌が直接露出する部分Ｙに形成し、誘電体ブロック１の底壁面のうち、初段、第３段及び終段の各共振素子の下端部の周りにおける壁面に金属薄層Ｆを付着させ、これらの金属薄層Ｆを誘電体ブロック１の側壁及び端壁に付着させた金属薄層Ｆと電気的に接続すると共に、初段、第３段及び終段の共振素子の各下端部との間を電気的に接続し、誘電体ブロック１の上壁面のうち、次段及び第４段の各共振素子の上端部の周りにおける壁面に金属薄層Ｆを付着させ、これらの金属薄層Ｆを誘電体ブロック１の側壁及び端壁に付着させた金属薄層Ｆと電気的に接続すると共に、次段及び第４段の共振素子の各上端部と電気的に接続し、誘電体ブロック１の底壁のうち、次段及び第４段の共振素子の各下端部の周りにおける壁面には金属薄層を付着することなく、誘電体ブロック１の地肌が直接露出する部分Ｙに形成することにより、初段、第３段及び終段の共振素子の各上端部が開放端、各下端部が短絡端となり、次段及び第４段の共振素子の各下端部が開放端、各上端部が短絡端となる。本実施例においても次段ないし第４段の共振素子における共振長の不足分を補うために、図１１（ａ）に示すように、第３段の共振素子の開放端の周りの壁面に、図３に示したものと同様の付加容量形成用金属薄層F₂₉ を付着させると共に、図１１（ｄ）に示すように、次段及び第４段の共振素子の各開放端の周りの壁面に図３に示したものと同様の付加容量形成用金属薄層F₃₀ 及びF₃₁ を付着させることによって各共振素子の共振長を所要値に一致させることができる。

【００１４】図１１には、付加容量形成用金属薄層F₂₉ ないしF₃₁ を図３に示したものと同様に形成した場合を例示したが、図１、図４又は図５に示したものと同様に形成してもよく、図５に示したものと同様に形成する場合には、共振素子の開放端に接続される金属薄層の外周縁の輪郭形状及びその周りに付着させる金属薄層の内周縁の輪郭形状を共に正方形又はほぼ正方形に形成してもよいこと図５について説明したとおりである。又、図１１には次数が５の帯域通過ろ波器に本考案を実施した場合を示してあるが、次数を適宜増減しても本考案を実施することができる。

【００１５】

【考案の効果】

本考案における誘電体ブロックは、高さ及び横幅が一様であるから誘電体ブロックを製作するための金型の形状製作が簡潔容易で、誘電体ブロックの壁面に従来のような段部がなく平坦であるから、壁面の研磨が容易で、誘電体ブロックの高さ及び横幅の寸法を所要値に正確に一致させることが容易で、誘電体ブロックの壁面への金属薄層の付着に当たって精密シルク印刷技術を利用することができ、したがって、金属薄層の厚さ、形状寸法等を精度高く保って付着させることが可能となり、電気的特性の良好一様な帯域通過ろ波器を量産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例の要部を示す図である。

【図２】本案帯域通過ろ波器の等価回路図である。

【図３】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図４】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図５】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図６】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図７】本案帯域通過ろ波器によって構成した共用器の
等価回路図である。

【図８】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図９】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図１０】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図１１】本考案の他の実施例の要部を示す図である。

【図１２】帯域通過ろ波器を形成する従来の誘電体ブロ
ックを示す図である。

【図１３】帯域通過ろ波器を形成する従来の誘電体ブロ
ックを示す図である。

【符号の説明】

１誘電体ブロック２貫通孔Ｆ金属薄層 F₁〜F₃₁ 金属薄層Ｙ誘電体ブロックの地肌露出部分

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】共通の誘電体ブロックを備える帯域通過ろ
波器において、前記共通の誘電体ブロックの長手方向に所要間隔を隔て
て複数個の共振素子を設け、前記共通の誘電体ブロックの共振素子の軸方向の高さ
を、前記複数個の共振素子のうち、入出力結合容量回路
に結合される共振素子の中で、共振長の最も短い共振素
子の共振長に一様に一致させ、前記共通の誘電体ブロックの側壁、端壁及び前記複数個
の共振素子の各短絡端の周りの壁面に接地金属薄層を設
け、前記複数個の共振素子のうち、入出力結合容量回路に結
合される共振素子以外の共振素子の各開放端の周りの壁
面に、縁部が共振素子の開放端と適宜間隔を隔てて対向
して共振素子の開放端との間に容量を形成すると共に、
前記接地金属薄層に電気的に接続される付加容量形成用
金属薄層を設けたことを特徴とする帯域通過ろ波器。
【請求項２】付加容量形成用金属薄層が、円形の輪郭形状を有する内周縁が共振素子の開放端と適
宜間隔を隔てて対向し、外周縁が接地金属薄層に電気的
に接続される金属薄層より成る請求項１に記載の帯域通
過ろ波器。
【請求項３】付加容量形成用金属薄層が、方形の輪郭形状を有する内周縁が共振素子の開放端と適
宜間隔を隔てて対向し、外周縁が接地金属薄層に電気的
に接続される金属薄層より成る請求項１に記載の帯域通
過ろ波器。
【請求項４】付加容量形成用金属薄層が、外周縁の輪郭形状が円形で、内周縁が共振素子の開放端
に電気的に接続される金属薄層と、円形の輪郭形状を有する内周縁が、前記共振素子の開放
端に接続される金属薄層の外周縁と適宜間隔を隔てて対
向し、外周縁が接地金属薄層に電気的に接続される金属
薄層より成る請求項１に記載の帯域通過ろ波器。
【請求項５】付加容量形成用金属薄層が、外周縁の輪郭形状が方形で、内周縁が共振素子の開放端
に電気的に接続される金属薄層と、方形の輪郭形状を有する内周縁が、前記共振素子の開放
端に接続される金属薄層の外周縁と適宜間隔を隔てて対
向し、外周縁が接地金属薄層に電気的に接続される金属
薄層より成る請求項１に記載の帯域通過ろ波器。