JPH05199011A

JPH05199011A - 誘電体共振器およびその製造方法

Info

Publication number: JPH05199011A
Application number: JP1000992A
Authority: JP
Inventors: Haruo Matsumoto; 治雄松本; Tadahiro Yorita; 忠弘寄田; Yasuo Yamada; 康雄山田; Hideyuki Kato; 英幸加藤; Yukihiro Kitaichi; 幸裕北市; Hisashi Mori; 久志毛利; Tatsuya Tsujiguchi; 達也辻口
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1992-01-23
Filing date: 1992-01-23
Publication date: 1993-08-06
Anticipated expiration: 2016-04-23
Also published as: JP3158593B2

Abstract

(57)【要約】【目的】個別部品としてのコイルやコンデンサを用いる
ことなく、所定の特性を有する一体型誘電体共振器を提
供する。【構成】誘電体ブロック１に内導体形成孔５，６，７お
よび外導体１２を設け、誘電体基板４に付加電極パター
ンを設け、両者を接合することによって一体型誘電体共
振器を得る。【効果】個別部品としてのコンデンサやコイルが不要と
なり、しかも所定の特性を有する一体型誘電体共振器が
得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、誘電体基板または誘
電体ブロックにアース電極と共振電極を形成してなる誘
電体共振器およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】誘電体ブロックの内部に共振電極（内導
体）を形成し、誘電体ブロックの外面にアース電極（外
導体）を形成した誘電体共振器や、誘電体基板の表面に
共振電極（ストリップライン）を形成し、対向面にアー
ス電極を形成した誘電体共振器が、たとえばマイクロ波
帯におけるフィルタなどとして用いられている。

【０００３】たとえば複数の誘電体共振器を用いるディ
スクリートタイプの誘電体フィルタでは、複数の誘電体
共振器とともに、共振器間の結合などを行うためのコイ
ル、コンデンサおよびこれらを搭載する基板などをケー
ス内に収めて構成している。

【０００４】また、このような構造の誘電体フィルタで
は、要求される仕様に合わせて多種多様の誘電体共振
器、コイルおよびコンデンサを用いている。また、一体
型の誘電体フィルタでは、当初より一体である、または
組立により一体化される誘電体ブロックや誘電体基板に
複数の共振器が構成され、たとえば多段の誘電体フィル
タとして用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前者のディスクリート
タイプの誘電体フィルタでは、複数の誘電体共振器とと
もにコイルやコンデンサなどの個別部品が必要であり、
部品点数が多く全体に大型化するとともに、その組立作
業工程も複雑であるという欠点を有する。後者の一体型
誘電体フィルタでは、そのような欠点はないものの、共
振電極またはアース電極のパターン形成だけでは限られ
た特性のフィルタしか得られず、またアース電極（外導
体）の一部をパターン化して平面回路などを構成した場
合には、電磁界リークに対し何らかの対策を講じること
が必要となる。

【０００６】この発明の目的は、基本的に一体型誘電体
共振器の構成をとり、小型でしかも所定の特性を容易に
得ることのできる誘電体共振器を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る誘電体共振器は、複数の共振電極を配列し、これらの
共振電極とアース電極間に誘電体を介在させた誘電体共
振器において、前記誘電体内に付加電極層を構成してな
る。

【０００８】請求項２に係る誘電体共振器の製造方法
は、複数の共振電極膜を形成した誘電体基板と付加電極
膜を形成した誘電体基板を含む複数の基板を接合して、
誘電体内部に付加電極層を有する誘電体共振器を製造す
ることを特徴とする。

【０００９】請求項３に係る誘電体共振器の製造方法
は、複数の共振電極膜とそれらの共振電極膜に対向して
付加電極膜を形成した誘電体基板と他の誘電体基板を含
む複数の基板を接合して、誘電体内部に付加電極層を有
する誘電体共振器を製造することを特徴とする。

【００１０】請求項４に係る誘電体共振器の製造方法
は、内部に複数の共振電極膜を形成した誘電体ユニット
を構成し、付加電極膜を形成した誘電体基板を前記誘電
体ユニットに接合して、誘電体内部に付加電極層を有す
る誘電体共振器を製造することを特徴とする。

【００１１】さらに請求項５に係る誘電体共振器の製造
方法は、複数の共振電極膜を形成した誘電体セラミック
グリーンシートと、付加電極膜を形成した誘電体セラミ
ックグリーンシートを用い、積層一体焼成して、誘電体
内部に付加電極層を有する誘電体共振器を製造すること
を特徴とする。

【００１２】

【作用】請求項１記載の誘電体共振器では、複数の共振
電極とアース電極が誘電体を介在して形成されていると
ともに、誘電体内に付加電極層が設けられている。この
付加電極層はたとえば共振電極と結合する電極、インダ
クタ、キャパシタ、ラインなどを構成する電極、あるい
はこれらを含む平面回路として作用し、複数の共振器と
ともにＢＰＦ、ＢＥＦ、ＬＰＦまたはＨＰＦなどの各種
フィルタなどを構成する。

【００１３】請求項２記載の誘電体共振器の製造方法で
は、複数の共振電極膜が形成された誘電体基板と付加電
極膜が形成された誘電体基板とを含む複数の基板が接合
されることによって、誘電体内部に付加電極層を有する
誘電体共振器が製造される。

【００１４】したがって誘電体内部に設けるべき付加電
極層はあらかじめ誘電体基板表面に形成すればよい。

【００１５】請求項３記載の誘電体共振器の製造方法で
は、ある１つの誘電体基板に複数の共振電極膜とこれら
の共振電極膜に対向する付加電極膜が形成され、この基
板に他の基板が接合される。

【００１６】請求項４記載の誘電体共振器の製造方法で
は、内部に複数の共振電極膜を形成した誘電体ユニット
に対し、付加電極膜を形成した誘電体基板が接合され
る。この場合には、誘電体ユニットが複数の誘電体共振
器を構成し、付加電極膜を有する誘電体基板の接合によ
って、それら複数の誘電体共振器に対し平面回路が付加
されることになる。

【００１７】請求項５記載の誘電体共振器の製造方法で
は、複数の共振電極膜が形成された誘電体セラミックグ
リーンシートと、付加電極膜が形成された誘電体セラミ
ックグリーンシートとが積層一体焼成される。したがっ
て、この場合には付加電極膜は誘電体セラミックグリー
ンシートに形成され、その後の一体焼成により誘電体内
部に付加電極層が構成されることになる。

【００１８】

【実施例】〈第１の実施例〉この発明の第１の実施例に
係る３段帯域阻止フィルタの構成を図１〜図４に示す。

【００１９】図１はフィルタの斜視図、図２はその組立
前の分解斜視図である。図２において１は略六面体形状
の誘電体ブロック、４は誘電体基板である。誘電体ブロ
ック１には内導体形成孔５，６，７を設け、内導体形成
孔５，６，７の内面には内導体を形成している。誘電体
ブロック１の誘電体基板４に対向する面を除く外面（五
面）には外導体１２を形成している。一方、誘電体基板
４の誘電体ブロック１に対向する面には後述する付加電
極パターンを形成している。この付加電極形成面以外の
五面に外導体１２を形成し、側面の一部に信号入出力電
極（１５など）を形成している。この図２に示した誘電
体ブロック１と誘電体基板４を接合することによって図
１に示す誘電体フィルタを得る。

【００２０】図３は図２に示した誘電体基板４の平面図
である。図３においてＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３は誘電体
ブロック１との接合状態で、図１および図２に示した内
導体形成孔５，６，７内の内導体とそれぞれ容量結合す
るキャパシタ電極、Ｌ１，Ｌ２は各キャパシタ電極間を
接続するインダクタ電極である。

【００２１】以上の構成によって構成される誘電体フィ
ルタの等価回路を図４に示す。図４においてＲ１，Ｒ
２，Ｒ３は図１に示した内導体形成孔５，６，７内の内
導体による共振器、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は図３に示したキ
ャパシタ電極Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３と各内導体間に形
成されるキャパシタ、Ｌ１，Ｌ２は図３に示した電極Ｌ
１，Ｌ２によるインダクタである。この構成により１
４，１５を信号入出力端子とする３段帯域阻止フィルタ
として作用する。

【００２２】なお、誘電体ブロック１の基板４に対向す
る面に付加電極を形成しても同様の特性を得ることがで
きる。

【００２３】〈第２の実施例〉この発明の第２の実施例
に係る３段帯域通過フィルタの構成を図５〜図８に示
す。

【００２４】図５は外観斜視図、図６は組み立て前の分
解斜視図である。図６において１は略六面体形状の誘電
体ブロック、４は誘電体基板である。誘電体ブロック１
には内導体形成孔５，６，７を設け、内導体形成孔５，
６，７の内面には内導体を形成している。誘電体ブロッ
ク１の誘電体基板４に対向する面を除く外面（五面）に
は外導体１２を形成している。一方、誘電体基板４の誘
電体ブロック１に対向する面には後述する付加電極パタ
ーンを形成している。この付加電極形成面以外の五面に
外導体１２を形成し、側面の一部に信号入出力電極（１
５など）を形成している。図２に示した第１の実施例と
異なり、内導体の開放端部を図における誘電体ブロック
１の底面部にまで延出形成し、内導体の一部を付加電極
パターンに直接接続するように構成している。この図６
に示した誘電体ブロック１と誘電体基板４を接合するこ
とによって図５に示す誘電体フィルタを得る。

【００２５】図７は図６に示した誘電体基板４の平面図
である。図７においてＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４はそれぞ
れ誘電体基板４の平面上に形成したコンデンサ電極、Ｅ
１，Ｅ２，Ｅ３は図６に示した内導体形成孔５，６，７
の開口面付近に引き出されている内導体に接続する電極
である。誘電体ブロック１と誘電体基板４を接合した状
態で、３つの内導体の開放部はそれぞれ電極Ｅ１，Ｅ
２，Ｅ３に直接接続されることになる。

【００２６】図８は以上に示した誘電体フィルタの等価
回路図である。図８においてＲ１，Ｒ２，Ｒ３は図５お
よび図６に示した内導体形成孔５，６，７内の内導体に
よる共振器、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は図７に示した電
極Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４によるキャパシタである。こ
の構成によって１４，１５を信号入出力端子とする３段
帯域通過フィルタとして作用する。

【００２７】〈第３の実施例〉第２の実施例では図６に
示した誘電体ブロックおよび図７に示した誘電体基板を
用いて帯域通過フィルタを構成したが、誘電体基板４と
して図９に示すような付加電極パターンを有するものを
用いることによって帯域阻止フィルタを構成することも
できる。図９においてＥ１，Ｅ２，Ｅ３は内導体の開放
部と直接接続する電極、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は電極Ｅ１，
Ｅ２，Ｅ３との間でキャパシタを構成するキャパシタ電
極、Ｌ１，Ｌ２はインダクタ電極である。このような付
加電極パターンを有する誘電体基板を用いることによっ
て、図４に示したような３段帯域阻止フィルタとして作
用する。

【００２８】次に、付加電極パターンを用いて有極化し
た誘電体フィルタの例を第４の実施例〜第７の実施例と
して示す。

【００２９】〈第４の実施例〉図１０は第４の実施例に
係る誘電体フィルタの斜視図、図１１はその組み立て前
の分解斜視図である。図１１において１は誘電体ブロッ
クであり、内導体形成孔５〜９を設けるとともに、誘電
体基板との接合面にＥ１０で示す付加電極パターンを形
成している。付加電極Ｅ１０のうちＥ１１で示す部分は
内導体形成孔６内の内導体と容量結合し、Ｅ１２は内導
体形成孔８内の内導体と容量結合する。

【００３０】したがって内導体形成孔６，８内の内導体
は付加電極Ｅ１０を介して容量結合する。また各内導体
形成孔５〜９内の内導体の開放部には先端容量が構成さ
れていて、共振器間はコムライン結合する。一方、同図
において４は誘電体基板であり、誘電体ブロック１の対
向面を除く五面に外導体１２を形成している。また誘電
体ブロック１との接合状態で内導体形成孔５，９内の内
導体とそれぞれ容量結合する電極パターンを設け、これ
らの電極を反対面側（図における上面）側に信号入出力
端子１４，１５として引き出している。この誘電体ブロ
ック１と誘電体基板４を接合することによって、図１０
に示すような一体型誘電体フィルタを得る。この場合５
段のうち第２段と第４段を容量結合したため、低域側に
極を持つ帯域通過フィルタとして作用する。

【００３１】〈第５の実施例〉図１２は第５の実施例に
係る誘電体フィルタの斜視図、図１３はその組み立て前
の分解斜視図である。図１３において１は誘電体ブロッ
ク、４は誘電体基板である。図１０および図１１に示し
た第４の実施例と異なる点は、付加電極を誘電体基板４
側に設けたことである。この場合、誘電体ブロック１と
誘電体基板４を接合した状態で、付加電極Ｅ１０は内導
体形成孔６，８内の内導体間を容量結合し、電極１４
´，１５´は内導体形成孔５，９内の内導体とそれぞれ
容量結合する。

【００３２】〈第６の実施例〉図１４は第６の実施例に
係る誘電体フィルタの斜視図、図１５はその組み立て前
の分解斜視図である。

【００３３】図１５において１は誘電体ブロック、４は
誘電体基板である。誘電体ブロック１には内導体形成孔
５〜８を設けている。誘電体基板４には、誘電体ブロッ
ク１との接合面に付加電極Ｅ１３，Ｅ１４を形成してい
る。付加電極Ｅ１３は誘電体ブロック１との接合状態で
内導体形成孔５，６内の内導体間を容量結合し、Ｅ１４
は内導体形成孔７，８内の内導体間を容量結合する。こ
の誘電体ブロック１と誘電体基板４を接合することによ
って図１４のような一体型誘電体フィルタを得る。この
ように４段のうち第１段−第２段間および第３段−第４
段間を容量結合したため、高域に極を有する帯域通過フ
ィルタが得られる。

【００３４】〈第７の実施例〉図１６は第７の実施例に
係る誘電体フィルタの斜視図、図１７はその組み立て前
の分解斜視図である。図１７において１は誘電体ブロッ
ク、４は誘電体基板である。図１４および図１５に示し
た第６の実施例と異なる点は、誘電体基板４を誘電体ブ
ロック１に対し軸方向に接合するようにしたことであ
る。したがって図１７に示すように誘電体ブロック１の
開放面側に付加電極Ｅ１３，Ｅ１４を形成している。こ
の誘電体ブロック１に誘電体基板４を接合することによ
って図１６に示す一体型誘電体フィルタを得る。

【００３５】第６，第７の実施例では、帯域通過フィル
タを例としたが、付加電極のパターンを変更すれば同じ
構造で帯域阻止フィルタを構成することもできる。

【００３６】次に、複数の誘電体基板を用いて構成した
誘電体フィルタの例を第８の実施例〜第１１の実施例と
して示す。

【００３７】〈第８の実施例〉図１８は第８の実施例に
係る誘電体フィルタの組み立て前の分解斜視図、図１９
はその組み立て後の断面図である。図１８において２，
３，４はそれぞれ誘電体基板である。誘電体基板２およ
び３は、両者の対向面にそれぞれ断面半円形の溝を形成
するとともに、その内面に内導体１６，１７，１８を形
成している。誘電体基板２の誘電体基板３に対向する面
を除く五面には外導体１２を形成し、誘電体基板３の４
側面に外導体１２を形成している。一方、誘電体基板４
には、誘電体基板３の対向面に付加電極を形成し、この
面を除く他の五面に外導体１２を形成している。付加電
極においてＣｅ１１，Ｃｅ１２，Ｃｅ１３は図１９に示
すように内導体１６，１７，１８の開放端付近と容量結
合し、Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３はそれぞれ外導体１２と
の間でキャパシタを構成する。さらにＬ１，Ｌ２はイン
ダクタとして作用する。

【００３８】図２０は第８の実施例に係る誘電体フィル
タの等価回路図である。図２０においてＲ１，Ｒ２，Ｒ
３は図１８に示した内導体１６，１７，１８による共振
器、Ｃｅ１，Ｃｅ２，Ｃｅ３は内導体１６，１７，１８
と電極Ｃｅ１１，Ｃｅ１２，Ｃｅ１３間に構成されるキ
ャパシタである。このようにして１４，１５を信号入出
力端子とする３段の帯域阻止フィルタとして作用する。

【００３９】なお、図１８〜２１では基板２と３を分離
した構造を例としたが、第１の実施例と同様、基板２，
３を一体にした誘電体ブロックを用いてもよい。

【００４０】〈第９の実施例〉図２１は第９の実施例に
係る誘電体フィルタの組み立て前の分解斜視図、図２２
は組み立て後の断面図である。両図において２，３，４
はそれぞれ誘電体基板である。図１８に示した第８の実
施例と異なる点は、内導体１６，１７，１８間にそれぞ
れシールド用電極１９，２０を配置したことである。こ
のようにシールド用電極１９，２０を設けたことによ
り、隣接する共振器の発する電磁界はシールド電極１
９，２０により遮蔽され、共振器間の結合が小さくな
り、共振器間の間隔を広げることなく帯域阻止フィルタ
としての特性を確保することができる。

【００４１】〈第１０の実施例〉第１０の実施例に係る
誘電体フィルタの断面図を図２３に示す。図２２に示し
た第９の実施例と異なる点は、シールド用電極１９，２
０の厚みを増して、共振器間のシールド効果を大きくし
たことである。このようなシールド用電極は、誘電体基
板２，３にそれぞれ溝を形成し、その溝内に導電材料を
埋設することによって得られる。

【００４２】〈第１１の実施例〉図２４は第１１の実施
例に係る誘電体フィルタの組み立て前の分解斜視図であ
る。構造上図２１に示した例と異なる点は、誘電体基板
３にストリップラインからなる共振電極１６，１７，１
８およびシールド用電極１９，２０を設けたことであ
る。このようにストリップラインを共振電極として用い
たものは、各誘電体セラミックグリーンシートに導体パ
ターンを形成し、積層一体焼成することによって製造す
ることができる。

【００４３】第８〜第１１の実施例では帯域阻止フィル
タを例としたが、付加電極の形状を変更することによ
り、同一の構造で帯域通過フィルタを構成することもで
きる。

【００４４】次に、複合一体型誘電体フィルタの例を第
１２の実施例として示す。

【００４５】〈第１２の実施例〉図２５は第１２の実施
例に係る誘電体フィルタの組み立て前の分解斜視図であ
る。図２５において１は誘電体ブロック、４は誘電体基
板である。誘電体ブロック１には内導体形成孔５〜１１
を形成し、誘電体基板４との接合面を除く五面に外導体
１２を形成している。誘電体基板４の誘電体ブロック１
に対する接合面にはＥ１５〜Ｅ２１およびＬ１，Ｌ２で
示す付加電極パターンを形成している。その他の面には
外導体１２を形成し、付加電極形成面とは反対面側（図
における裏面）に信号入出力電極（１３，１５など）を
延出形成している。図において電極Ｅ１５，Ｅ１６は内
導体形成孔５，６内の内導体間を容量結合し、電極Ｅ１
７，Ｅ１８は内導体形成孔７，８内の内導体間を容量結
合する。また、電極Ｅ１９，Ｅ２０，Ｅ２１は内導体形
成孔９，１０，１１内の内導体とそれぞれ容量結合し、
電極Ｅ１９−Ｅ２０間およびＥ２０−Ｅ２１間をそれぞ
れインダクタＬ１およびＬ２により接続する。この構成
により、内導体形成孔５〜８による共振器は４段の有極
帯域通過フィルタとして作用し、内導体形成孔９，１
０，１１による共振器は３段の帯域阻止フィルタとして
作用する。このような帯域通過フィルタと帯域阻止フィ
ルタを複合させた一体型誘電体フィルタはアンテナ共用
器、分波／合波器などとして用いることができる。

【００４６】図２５の例では、誘電体ブロック１と誘電
体基板４の双方を一体に構成したが、誘電体ブロック１
と誘電体基板４の何れか一方を二分割に構成してもよ
い。また、この例では帯域通過フィルタの最終段を構成
する電極Ｅ１８と帯域阻止フィルタの最終段を構成する
電極Ｅ１９を直結して、共用器，分波／合波器を構成し
たが、二つのフィルタの接続部を直結せずに、位相マッ
チング用の伝送ラインまたは、Ｌ，Ｃによる位相シフト
回路により接続してもよい。またさらに二つのフィルタ
を組み合わせは、この例に以外に帯域通過フィルタ同士
や帯域阻止フィルタ同士であってもよい。

【００４７】以上に示した第１〜第１２の実施例では、
誘電体ブロックの端面付近において内導体または共振電
極の開放部を形成したが、図２６に示すように、誘電体
ブロックの内部に内導体の開放部を形成してもよい。図
２６において（Ａ）は誘電体ブロックの２つの内導体形
成孔を通る断面図、（Ｂ）は誘電体ブロックの短絡面側
から見た正面図である。このように内導体形成孔５，６
内に内導体１６，１７を形成するとともに、内部に開放
部を設け、その部分に先端容量Ｃｓを形成する。このこ
とによって電磁界リークをさらに抑制し、近接する金属
体による影響をさらに抑制することができる。

【００４８】次に、誘電体フィルタの特性調整方法につ
いて図２７〜図３２を参照して説明する。

【００４９】図２７は誘電体ブロックを短絡面側から見
た正面図であり、Ｃ，Ｄは短絡面の導体および誘電体の
削除部である。図２７においてＳ１の領域で導体および
誘電体を部分的に削除することによって内導体形成孔５
による共振器の共振周波数が低下する。同様にＳ２の領
域で導体および誘電体を部分的に削除すれば、内導体形
成孔６による共振器の共振周波数が低下する。一方、Ｓ
１２の領域において導体および誘電体を部分的に削除す
れば両共振器間の結合度が低下する。ここで導体および
誘電体の削除による結合係数の変化例を図２８および図
３０に示す。図２８のように、２つの結合孔の中間位置
に幅ｄの導体削除部を設け、その面積Ｓを変化させたと
きの結合係数の変化を計測した。図２８においてａ＝
２．０ｍｍ、ｂ＝４．０ｍｍ、ｃ＝５．０ｍｍである。
図３０において横軸は導体削除面積Ｓ、縦軸はＳ＝０の
場合の結合係数をＫｏ、導体削除後の結合係数をＫａと
した場合の結合係数の変化比を示す。このように短絡面
における内導体形成孔間の導体削除面積によって結合係
数を調整することができる。またここで共振周波数の調
整例を図２９および図３１に示す。図２９のように内導
体形成孔から一定距離離れた箇所に幅ｆで長さｇの導体
削除部を設け、長さｇを変化させたときの共振周波数を
計測した。図２９においてａ＝２．０ｍｍ、ｅ＝３．０
ｍｍ、ｆ＝０．５ｍｍである。図３１において横軸は長
さｇ、縦軸はｇ＝０の場合の共振周波数を基準とした共
振周波数の変化量を示す。このように短絡面における内
導体形成孔周囲の導体削除によって共振周波数を調整す
ることができる。

【００５０】図２７〜図３１に示した例では２段の誘電
体共振器を例としたが、３段以上の誘電体共振器につい
ても同様に適用することができる。この場合、図３２に
示すように、短絡面において内導体形成孔の開口部間Ｓ
１２，Ｓ２３，・・・Ｓ_n-1 _nの領域の導体および誘電
体を部分削除することによって共振器間の結合度を調整
し、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３・・・・Ｓｎの領域の導体および
誘電体を部分削除することによって各共振器の共振周波
数を調整することができる。

【００５１】なお、内導体開放部形成側の開口面の電極
および誘電体を部分的に削除すれば、共振器とアース間
のストレ容量が減少し、共振周波数を上げる方向へ調整
することも可能となる。

【００５２】

【発明の効果】この発明の誘電体共振器およびその製造
方法によれば、部品点数の大幅な削減により全体に小型
化でき、その製造コストも削減される。また、誘電体内
に形成すべき付加電極層の設計によって、異なったフィ
ルタ特性を付与することができるため、共振器部分をユ
ニット化（標準化）して、付加電極層との組合せによっ
て仕様の異なる任意の特性を有するフィルタを構成する
ことができ、誘電体フィルタの設計上の自由度が大幅に
向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例に係る誘電体フィルタの斜視図で
ある。

【図２】第１の実施例に係る誘電体フィルタの組み立て
前の分解斜視図である。

【図３】第１の実施例に係る誘電体フィルタに用いる誘
電体基板の平面図である。

【図４】第１の実施例に係る誘電体フィルタの等価回路
図である。

【図５】第２の実施例に係る誘電体フィルタの斜視図で
ある。

【図６】第２の実施例に係る誘電体フィルタの分解斜視
図である。

【図７】第２の実施例に係る誘電体フィルタに用いる誘
電体基板の平面図である。

【図８】第２の実施例に係る誘電体フィルタの等価回路
図である。

【図９】第３の実施例に係る誘電体フィルタに用いる誘
電体基板の平面図である。

【図１０】第４の実施例に係る誘電体フィルタの斜視図
である。

【図１１】第４の実施例に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。

【図１２】第５の実施例に係る誘電体フィルタの斜視図
である。

【図１３】第５の実施例に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。

【図１４】第６の実施例に係る誘電体フィルタの斜視図
である。

【図１５】第６の実施例に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。

【図１６】第７の実施例に係る誘電体フィルタの斜視図
である。

【図１７】第７の実施例に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。

【図１８】第８の実施例に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。

【図１９】第８の実施例に係る誘電体フィルタの断面図
である。

【図２０】第８の実施例に係る誘電体フィルタの等価回
路図である。

【図２１】第９の実施例に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。

【図２２】第９の実施例に係る誘電体フィルタの断面図
である。

【図２３】第１０の実施例に係る誘電体フィルタの断面
図である。

【図２４】第１１の実施例に係る誘電体フィルタの分解
斜視図である。

【図２５】第１２の実施例に係る誘電体フィルタの分解
斜視図である。

【図２６】その他の実施例説明図であり、（Ａ）は断面
図、（Ｂ）は正面図である。

【図２７】誘電体フィルタ特性調整方法を示す誘電体フ
ィルタの正面図である。

【図２８】誘電体フィルタの特性測定のための導体削除
例を示す正面図である。

【図２９】誘電体フィルタの特性測定のための導体削除
例を示す部分正面図である。

【図３０】誘電体フィルタの結合係数変化の測定結果を
示す図である。

【図３１】誘電体フィルタの共振周波数変化の測定結果
を示す図である。

【図３２】誘電体フィルタの正面図である。

【符号の説明】

１−誘電体ブロック２，３，４−誘電体基板５〜１１−内導体形成孔１２−アース電極（外導体）１３，１４，１５−信号入出力電極１６〜１８−共振電極（内導体）１９，２０−シールド用電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｐ 1/205 Ｈ 1/213 Ｍ (72)発明者加藤英幸京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者北市幸裕京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者毛利久志京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者辻口達也京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の共振電極を配列し、これらの共振電
極とアース電極間に誘電体を介在させた誘電体共振器に
おいて、前記誘電体内に付加電極層を構成してなる誘電体共振
器。
【請求項２】複数の共振電極膜を形成した誘電体基板と
付加電極膜を形成した誘電体基板を含む複数の基板を接
合して、誘電体内部に付加電極層を有する誘電体共振器
を製造する誘電体共振器の製造方法。
【請求項３】複数の共振電極膜とそれらの共振電極膜に
対向して付加電極膜を形成した誘電体基板と他の誘電体
基板を含む複数の基板を接合して、誘電体内部に付加電
極層を有する誘電体共振器を製造する誘電体共振器の製
造方法。
【請求項４】内部に複数の共振電極膜を形成した誘電体
ユニットを構成し、付加電極膜を形成した誘電体基板を
前記誘電体ユニットに接合して、誘電体内部に付加電極
層を有する誘電体共振器を製造する誘電体共振器の製造
方法。
【請求項５】複数の共振電極膜を形成した誘電体セラミ
ックグリーンシートと、付加電極膜を形成した誘電体セ
ラミックグリーンシートを用い、積層一体焼成して、誘
電体内部に付加電極層を有する誘電体共振器を製造する
誘電体共振器の製造方法。