JPH0669640A - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成方法Info
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- JPH0669640A JPH0669640A JP10257292A JP10257292A JPH0669640A JP H0669640 A JPH0669640 A JP H0669640A JP 10257292 A JP10257292 A JP 10257292A JP 10257292 A JP10257292 A JP 10257292A JP H0669640 A JPH0669640 A JP H0669640A
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- electrode
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上の電極に湿式工程や真空工程なしで、ま
た機械的衝撃をかけることなく高精度な半田バンプを形
成する。 【構成】ポンチ１とダイス３を用いて半田シート１４を
打ち抜いてポンチ１の先端で打ち抜いた半田片４を表面
に接着層をもつ仮配置板に接触させ所定の位置に配置し
た後、仮配置板２１を予めフラックス５を塗布した基板
上の電極８に位置合わせし、半田片４を電極８上に転写
する。次いで半田片４を電極８上に溶着させ半田バンプ
１２とする。
た機械的衝撃をかけることなく高精度な半田バンプを形
成する。 【構成】ポンチ１とダイス３を用いて半田シート１４を
打ち抜いてポンチ１の先端で打ち抜いた半田片４を表面
に接着層をもつ仮配置板に接触させ所定の位置に配置し
た後、仮配置板２１を予めフラックス５を塗布した基板
上の電極８に位置合わせし、半田片４を電極８上に転写
する。次いで半田片４を電極８上に溶着させ半田バンプ
１２とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半田バンプ形成方法、特
に、半導体素子実装用の半田バンプ形成方法に関する。
に、半導体素子実装用の半田バンプ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子のフリップチップ
実装などで必要な半田バンプの形成方法としては、メッ
キや蒸着で半田を供給する技術がある。
実装などで必要な半田バンプの形成方法としては、メッ
キや蒸着で半田を供給する技術がある。
【０００３】図４（ａ）〜（ｄ）は、メッキ法で半導体
素子上に半田バンプを形成する方法を示す工程断面図で
ある。まず、シリコン基板１１上に配線層１５、保護層
１０が形成されたＬＳＩ９の全面にスパッタなどでＣｒ
等の接着層１７、Ｎｉ等の拡散防止層１６順次積層す
る。〔図４（ａ）〕次いで、レジスト層２０を全面に塗
布し露光、現像して電極部分のレジスト層２０を除去す
る。その後、メッキにより厚い半田層１９を電極部に形
成する。〔図４（ｂ）〕メッキ後は、レジスト層２０を
除去し半田層１９をマスクとして電極部以外の拡散防止
層１６、接着層１７をエッチング除去し、半田供給工程
が完了する。〔図４（ｃ）〕蒸着で半田を供給する場
合、接着層、拡散防止層は、レジスト層を形成して電極
部以外を予め除去しておき、メッキに代わる蒸着工程で
は、電極部のみ穴を明けた金属板を取付け、電極部のみ
に半田層を形成する。 通常、ＬＳＩ上の半田層１９は
加熱溶融され球面状の半田バンプ１２に成形される。
〔図４（ｄ）〕 図５（ａ），（ｂ）は特願平０２ー１７８８５４で提案
した、金属シートをポンチ、ダイスを用いて所定の径と
厚みで打ち抜き、ポンチを使って直接電極上に金属片を
圧着する方法を示す。基板７上の所定の位置にポンチ１
とダイス３を位置ぎめする。金属シート２をポンチ１で
打ち抜き、打ち抜かれた金属片１８をポンチ１先端で基
板７上へ圧着する。この方法は、半田供給にも応用でき
る。
素子上に半田バンプを形成する方法を示す工程断面図で
ある。まず、シリコン基板１１上に配線層１５、保護層
１０が形成されたＬＳＩ９の全面にスパッタなどでＣｒ
等の接着層１７、Ｎｉ等の拡散防止層１６順次積層す
る。〔図４（ａ）〕次いで、レジスト層２０を全面に塗
布し露光、現像して電極部分のレジスト層２０を除去す
る。その後、メッキにより厚い半田層１９を電極部に形
成する。〔図４（ｂ）〕メッキ後は、レジスト層２０を
除去し半田層１９をマスクとして電極部以外の拡散防止
層１６、接着層１７をエッチング除去し、半田供給工程
が完了する。〔図４（ｃ）〕蒸着で半田を供給する場
合、接着層、拡散防止層は、レジスト層を形成して電極
部以外を予め除去しておき、メッキに代わる蒸着工程で
は、電極部のみ穴を明けた金属板を取付け、電極部のみ
に半田層を形成する。 通常、ＬＳＩ上の半田層１９は
加熱溶融され球面状の半田バンプ１２に成形される。
〔図４（ｄ）〕 図５（ａ），（ｂ）は特願平０２ー１７８８５４で提案
した、金属シートをポンチ、ダイスを用いて所定の径と
厚みで打ち抜き、ポンチを使って直接電極上に金属片を
圧着する方法を示す。基板７上の所定の位置にポンチ１
とダイス３を位置ぎめする。金属シート２をポンチ１で
打ち抜き、打ち抜かれた金属片１８をポンチ１先端で基
板７上へ圧着する。この方法は、半田供給にも応用でき
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半田バンプ形成方法は以下のような問題点があった。す
なわち、メッキ法や蒸着法は、工程が複雑であること、
大きい膜厚の半田層を付けるには処理処理時間が長くな
ること、このため、バンプ形成コストが高くなること、
大きな設備投資が必要であることなどの問題があった。
さらに、これらの方法では、組成のずれが起き易く信頼
性の高い半田を得にくいこと、半導体素子などでは歩留
を低下させる要因となること、ウエハー状態で処理する
必要があり柔軟性にかけるなどの問題もある。またメッ
キ法では均一な膜を得にくいので形状の均一なバンプを
得られないといった問題もある。半田シートをポンチ、
ダイスで打ち抜き、打ち抜き用ポンチを使って半田片を
直接圧着する方法は、上述のような欠点がないが、電極
部に半田の打ち抜き片を加圧して供給するので、表面層
が機械的強度が弱い半導体素子の場合ポンチ加圧力の高
度の制御が必要となる。また、半田と電極との接着力を
得るには、半田と合金化しやすいＡｕなどを電極表面に
つけ、基板加熱を行う必要があり、Ａｕの半田中への拡
散など信頼性上の問題があった。
半田バンプ形成方法は以下のような問題点があった。す
なわち、メッキ法や蒸着法は、工程が複雑であること、
大きい膜厚の半田層を付けるには処理処理時間が長くな
ること、このため、バンプ形成コストが高くなること、
大きな設備投資が必要であることなどの問題があった。
さらに、これらの方法では、組成のずれが起き易く信頼
性の高い半田を得にくいこと、半導体素子などでは歩留
を低下させる要因となること、ウエハー状態で処理する
必要があり柔軟性にかけるなどの問題もある。またメッ
キ法では均一な膜を得にくいので形状の均一なバンプを
得られないといった問題もある。半田シートをポンチ、
ダイスで打ち抜き、打ち抜き用ポンチを使って半田片を
直接圧着する方法は、上述のような欠点がないが、電極
部に半田の打ち抜き片を加圧して供給するので、表面層
が機械的強度が弱い半導体素子の場合ポンチ加圧力の高
度の制御が必要となる。また、半田と電極との接着力を
得るには、半田と合金化しやすいＡｕなどを電極表面に
つけ、基板加熱を行う必要があり、Ａｕの半田中への拡
散など信頼性上の問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半田バンプ形成
方法は、プレス加工して形成した半田片を基板の電極の
配置を反転した配置で仮配置板上に配置した後、仮配置
板と基板とを重ね合わせて配置された半田片と電極とを
接触させ、半田片を仮配置板から基板の電極に転写する
方法である。ここで、半田片を仮配置板から基板の電極
に転写した後、基板を加熱することにより、転写された
半田片を溶融して球面形状にするとともに電極に接着さ
せてもよい。本発明のもう一つの半田バンプ形成方法
は、プレス加工して形成した半田片を基板の電極の配置
を反転した配置で仮配置板上に配置した後、仮配置板と
基板とを重ね合わせ配置された半田片と電極を接触さ
せ、次いで基板を加熱することにより配置した半田片を
仮配置板から基板の電極に転写すると同時に溶融せしめ
て球面形状にするとともに電極に接着させる方法であ
る。仮配置板への半田片の配置は、シート状半田材料を
打ち抜き加工して形成した半田片を打ち抜き加工に用い
たポンチを使って直接仮配置板に押し付ける、または仮
配置板上に落とすことにより行う。
方法は、プレス加工して形成した半田片を基板の電極の
配置を反転した配置で仮配置板上に配置した後、仮配置
板と基板とを重ね合わせて配置された半田片と電極とを
接触させ、半田片を仮配置板から基板の電極に転写する
方法である。ここで、半田片を仮配置板から基板の電極
に転写した後、基板を加熱することにより、転写された
半田片を溶融して球面形状にするとともに電極に接着さ
せてもよい。本発明のもう一つの半田バンプ形成方法
は、プレス加工して形成した半田片を基板の電極の配置
を反転した配置で仮配置板上に配置した後、仮配置板と
基板とを重ね合わせ配置された半田片と電極を接触さ
せ、次いで基板を加熱することにより配置した半田片を
仮配置板から基板の電極に転写すると同時に溶融せしめ
て球面形状にするとともに電極に接着させる方法であ
る。仮配置板への半田片の配置は、シート状半田材料を
打ち抜き加工して形成した半田片を打ち抜き加工に用い
たポンチを使って直接仮配置板に押し付ける、または仮
配置板上に落とすことにより行う。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施例１
の工程図である。まず、ダイシングなどで用いられる加
熱により接着層が発泡し接着力が低下する加熱発泡剥離
シート１３をガラス板５上に張り付け、仮配置板２１と
した。〔図１（ａ）〕次いで、150μｍ厚の錫鉛の半田
シート１４を200μｍ径のポンチ１、ダイス３により打
ち抜き、半田片４をポンチ１により直接加熱発泡剥離シ
ート１３上に押し付けることにより、仮配置板２１上に
半田片４を並べた。半田片４の配置は、ＬＳＩ９の電極
配置を反転した配置にしておく必要がある。〔図１
（ｂ）〕次いで、フラックス５を約7μｍ回転塗布機で
塗布したＬＳＩ９上に、ＬＳＩ９の電極８と半田片４の
位置が一致するよう仮配置板２１を位置合わせしながら
ＬＳＩ電極８上に載せ、低加圧で押し付けながら仮配置
板２１を100 ℃に加熱した。〔図１（ｃ）〕次いで、仮
配置板２１を引き上げると、半田片４は仮配置板２１か
ら離れ、ＬＳＩ電極８に転写される。〔図１（ｄ）〕こ
の後、ＬＳＩ９を200℃に加熱して半田片４を溶融し球
面形状の半田バンプ１２にした。〔図１（ｅ）〕仮配置
板２１の加熱発泡剥離シートは100℃加熱により粘着性
を失ったのに対しフラックスには粘着性があるので、Ｌ
ＳＩ電極８への転写が可能となる。上記のポンチ１、ダ
イス３を用いて直接電極上に半田片４をのせる場合、電
極表面層はＡｕのような半田と接着しやすい金属である
必要があり、またポンチ１の加圧力は40ｇ以上にする必
要であったが、本発明の場合、Ｎｉ、Ｃｕ等の表面層で
あってもよく、しかも１電極当たりの押し付け力は約３
ｇでも良好な転写ができた。また、ＬＳＩに塗布するフ
ラックス５は、転写後の溶融時に半田および電極の酸化
層を除去する働きを兼ねることができるが、厚すぎると
半田片が流れ出し、ブリッジや１つの電極に半田が集ま
る不良が起きやすく、一方、薄すぎると溶融時の還元作
用が不足しバンプ形状が悪くなる。フラックスの厚さと
しては半田材料の4〜50パーセントが適当であった。
の工程図である。まず、ダイシングなどで用いられる加
熱により接着層が発泡し接着力が低下する加熱発泡剥離
シート１３をガラス板５上に張り付け、仮配置板２１と
した。〔図１（ａ）〕次いで、150μｍ厚の錫鉛の半田
シート１４を200μｍ径のポンチ１、ダイス３により打
ち抜き、半田片４をポンチ１により直接加熱発泡剥離シ
ート１３上に押し付けることにより、仮配置板２１上に
半田片４を並べた。半田片４の配置は、ＬＳＩ９の電極
配置を反転した配置にしておく必要がある。〔図１
（ｂ）〕次いで、フラックス５を約7μｍ回転塗布機で
塗布したＬＳＩ９上に、ＬＳＩ９の電極８と半田片４の
位置が一致するよう仮配置板２１を位置合わせしながら
ＬＳＩ電極８上に載せ、低加圧で押し付けながら仮配置
板２１を100 ℃に加熱した。〔図１（ｃ）〕次いで、仮
配置板２１を引き上げると、半田片４は仮配置板２１か
ら離れ、ＬＳＩ電極８に転写される。〔図１（ｄ）〕こ
の後、ＬＳＩ９を200℃に加熱して半田片４を溶融し球
面形状の半田バンプ１２にした。〔図１（ｅ）〕仮配置
板２１の加熱発泡剥離シートは100℃加熱により粘着性
を失ったのに対しフラックスには粘着性があるので、Ｌ
ＳＩ電極８への転写が可能となる。上記のポンチ１、ダ
イス３を用いて直接電極上に半田片４をのせる場合、電
極表面層はＡｕのような半田と接着しやすい金属である
必要があり、またポンチ１の加圧力は40ｇ以上にする必
要であったが、本発明の場合、Ｎｉ、Ｃｕ等の表面層で
あってもよく、しかも１電極当たりの押し付け力は約３
ｇでも良好な転写ができた。また、ＬＳＩに塗布するフ
ラックス５は、転写後の溶融時に半田および電極の酸化
層を除去する働きを兼ねることができるが、厚すぎると
半田片が流れ出し、ブリッジや１つの電極に半田が集ま
る不良が起きやすく、一方、薄すぎると溶融時の還元作
用が不足しバンプ形状が悪くなる。フラックスの厚さと
しては半田材料の4〜50パーセントが適当であった。
【０００８】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例２
を示す工程断面図である。実施例１と同様に仮配置板２
１として加熱発泡剥離シートを張ったガラス板を用い半
田片４を並べた。本実施例では、ＬＳＩ９には電極上に
のみスクリーン印刷でフラックス７を形成した。〔図２
（ａ）〕次いでＬＳＩ９の電極８と半田片４の位置が一
致するよう仮配置板２１を位置合わせして載せ、低加圧
を加えながら仮配置板２１を100℃に加熱した。〔図２
（ｂ）〕次いで、仮配置板２１を引き上げると、半田片
４は仮配置板２１から離れ、ＬＳＩ電極８に転写され
る。この後、ＬＳＩ９を200℃に加熱して半田片４を溶
融し球面形状の半田バンプ１２にした。〔図２（ｃ）〕
この場合、電極のみにフラックスが形成されているの
で、溶融時の半田片の流れだしなどによる不良がよりい
っそう発生しにくい。
を示す工程断面図である。実施例１と同様に仮配置板２
１として加熱発泡剥離シートを張ったガラス板を用い半
田片４を並べた。本実施例では、ＬＳＩ９には電極上に
のみスクリーン印刷でフラックス７を形成した。〔図２
（ａ）〕次いでＬＳＩ９の電極８と半田片４の位置が一
致するよう仮配置板２１を位置合わせして載せ、低加圧
を加えながら仮配置板２１を100℃に加熱した。〔図２
（ｂ）〕次いで、仮配置板２１を引き上げると、半田片
４は仮配置板２１から離れ、ＬＳＩ電極８に転写され
る。この後、ＬＳＩ９を200℃に加熱して半田片４を溶
融し球面形状の半田バンプ１２にした。〔図２（ｃ）〕
この場合、電極のみにフラックスが形成されているの
で、溶融時の半田片の流れだしなどによる不良がよりい
っそう発生しにくい。
【０００９】なお、実施例１，２ではガラス板５の表面
に張り付けるシートとして加熱発泡剥離シートを用いた
が、紫外線の光照射で接着性が低下するＵＶ硬化型シー
トであってもよい。実施例のように基板と重ね合わせて
から接着性低下のための処理をする場合、仮配置板２１
の基材はガラス板５のような照射光を通す材料にする必
要がある。また実施例１、２では、基板９と重ね合わせ
てから接着性を低下させる処理をしたが、半田片４を仮
配置板２１に配置した直後に処理をしてから基板９を重
ね合わせてもよい。
に張り付けるシートとして加熱発泡剥離シートを用いた
が、紫外線の光照射で接着性が低下するＵＶ硬化型シー
トであってもよい。実施例のように基板と重ね合わせて
から接着性低下のための処理をする場合、仮配置板２１
の基材はガラス板５のような照射光を通す材料にする必
要がある。また実施例１、２では、基板９と重ね合わせ
てから接着性を低下させる処理をしたが、半田片４を仮
配置板２１に配置した直後に処理をしてから基板９を重
ね合わせてもよい。
【００１０】図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例３
を示す工程断面図である。本実施例では仮配置板２１と
してフラックス５を塗布したガラス板５を使用した。
〔図３（ａ）〕半田片４をポンチ１とダイス３を用いて
配置する。次いでＬＳＩ９を100℃に加熱し、仮配置板
２１をＬＳＩ９に位置ぎめして載せ、ＬＳＩ９及び仮配
置板２１を加熱し半田片４を電極上に溶着させた。〔図
３（ｃ）〕この後、仮配置板２１を半田溶融中に引き上
げ球形状の半田バンプ１２を得た。〔図３（ｄ）〕本実
施例の場合、仮配置板２１をＬＳＩ９へ位置決めしたま
ま半田片を溶融するので、加熱時は半田バンプ１２がつ
ぶれないようにガラス板５下面と電極８との距離を一定
に保持するのが望ましい。尚、本実施例の仮配置板２１
として表面が細かい凹凸状態である半田とは馴染まい材
質の平板を用いても良い。この場合、半田片は表面の凹
凸により仮固定されており、半田溶融時には仮配置板２
１に溶着することはない。
を示す工程断面図である。本実施例では仮配置板２１と
してフラックス５を塗布したガラス板５を使用した。
〔図３（ａ）〕半田片４をポンチ１とダイス３を用いて
配置する。次いでＬＳＩ９を100℃に加熱し、仮配置板
２１をＬＳＩ９に位置ぎめして載せ、ＬＳＩ９及び仮配
置板２１を加熱し半田片４を電極上に溶着させた。〔図
３（ｃ）〕この後、仮配置板２１を半田溶融中に引き上
げ球形状の半田バンプ１２を得た。〔図３（ｄ）〕本実
施例の場合、仮配置板２１をＬＳＩ９へ位置決めしたま
ま半田片を溶融するので、加熱時は半田バンプ１２がつ
ぶれないようにガラス板５下面と電極８との距離を一定
に保持するのが望ましい。尚、本実施例の仮配置板２１
として表面が細かい凹凸状態である半田とは馴染まい材
質の平板を用いても良い。この場合、半田片は表面の凹
凸により仮固定されており、半田溶融時には仮配置板２
１に溶着することはない。
【００１１】本発明の方法では、プレス打ち抜きにより
半田片を形成するので、その供給量の均一性は良好であ
り、溶融後のバンプ高さは、150±2μｍであった。この
ようにして得られた高精度なＬＳＩ電極上の半田バンプ
は大型で、高密度に配列された電極を持つＬＳＩのフリ
ップチップ実装に適している。以上のように本発明の方
法を用いることにより、高密度に配列されたＬＳＩ電極
上に半田バンプを従来に比べ高精度、低コストでしかも
機械的衝撃を加えることなく形成することができる。
尚、本発明に用いる半田は、錫鉛半田のみではなく、金
錫半田、インジウム系半田、錫系半田、金シリコン半
田、金ゲルマニウム半田等にも適用できる。また本発明
は、ＬＳＩだけでなく機械的衝撃に弱い配線基板のバン
プ形成にも適用する。
半田片を形成するので、その供給量の均一性は良好であ
り、溶融後のバンプ高さは、150±2μｍであった。この
ようにして得られた高精度なＬＳＩ電極上の半田バンプ
は大型で、高密度に配列された電極を持つＬＳＩのフリ
ップチップ実装に適している。以上のように本発明の方
法を用いることにより、高密度に配列されたＬＳＩ電極
上に半田バンプを従来に比べ高精度、低コストでしかも
機械的衝撃を加えることなく形成することができる。
尚、本発明に用いる半田は、錫鉛半田のみではなく、金
錫半田、インジウム系半田、錫系半田、金シリコン半
田、金ゲルマニウム半田等にも適用できる。また本発明
は、ＬＳＩだけでなく機械的衝撃に弱い配線基板のバン
プ形成にも適用する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プレス法
で形成した半田片を仮配置板に供給してから転写する方
法であるので、均一な体積の半田バンプを比較的容易に
基板に機械的負荷をかけることなく形成できるという効
果がある。また、湿式工程や真空工程が不要であり工程
が簡略であるとともに、供給する半田材料、電極構造に
対しての制約が少なく、信頼性の高い接合を得やすいと
いう利点がある。
で形成した半田片を仮配置板に供給してから転写する方
法であるので、均一な体積の半田バンプを比較的容易に
基板に機械的負荷をかけることなく形成できるという効
果がある。また、湿式工程や真空工程が不要であり工程
が簡略であるとともに、供給する半田材料、電極構造に
対しての制約が少なく、信頼性の高い接合を得やすいと
いう利点がある。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の工程
断面図である。
断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例の工程
断面図である。
断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３の実施例の工程
断面図である。
断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は従来のメッキ法による半田バ
ンプ形成方法を示す工程断面図である。
ンプ形成方法を示す工程断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は従来のポンチとダイスを用い
た打ち抜き法による半田供給方法を示す工程断面図であ
る。
た打ち抜き法による半田供給方法を示す工程断面図であ
る。
１ ポンチ ２ 金属シート ３ ダイス ４ 半田片 ５ ガラス板 ６ フラックス ７ 基板 ８ 電極 ９ ＬＳＩ １０ 保護層 １１ シリコン基板 １２ 半田バンプ １３ 加熱発泡剥離シート １４ 半田シート １５ 配線層 １６ 拡散防止層 １７ 接着層 １８ 金属片 １９ 半田層 ２０ レジスト層 ２１ 仮配置板
Claims (11)
- 【請求項１】プレス加工して形成した半田片を基板の電
極の配置を反転した配置で仮配置板上に順次配置した
後、前記仮配置板と前記基板とを重ね合わせて前記配置
された半田片と前記電極とを接触させ、前記配置した半
田片を前記仮配置板から前記基板の電極に転写すること
を特徴とする半田バンプ形成方法。 - 【請求項２】半田片を仮配置板から基板の電極に転写し
た後、前記基板を加熱し前記転写された半田片を溶融し
て球面形状にするとともに前記電極に接着させる請求項
１記載の半田バンプ形成方法。 - 【請求項３】プレス加工して形成した半田片を基板の電
極の配置を反転した配置で仮配置板上に順次配置した
後、仮配置板と基板とを重ね合わせて配置された半田片
と電極とを接触させ、次いで基板を加熱することにより
配置した半田片を仮配置板から基板の電極に転写すると
同時に溶融して球面形状にするとともに電極に接着させ
ることを特徴とする半田バンプ形成方法。 - 【請求項４】シート状半田材料を打ち抜き加工して形成
した半田片を前記打ち抜き加工に用いたポンチを使って
直接仮配置板に押し付ける、あるいは仮配置板上に落と
すことにより配置する請求項１〜３記載の半田バンプ形
成方法。 - 【請求項５】仮配置板の表面層が加熱により接着性が低
下する層よりなり、半田片を配置した後、基板への転写
と同時またはそれ以前に加熱処理を行う工程を有する請
求項１〜４記載の半田バンプ形成方法。 - 【請求項６】仮配置板の表面層が光照射により接着性が
低下する層よりなり、半田片を配置した後、基板への転
写と同時またはそれ以前に光照射を行う工程を有する請
求項１〜４記載の半田バンプ形成方法。 - 【請求項７】仮配置板の表面が細かい凹凸状態である、
またはフラックスが塗布されている請求項３記載の半田
バンプ形成方法。 - 【請求項８】表面にフラックスを塗布した基板に半田片
を転写する請求項１〜７記載の半田バンプ形成方法。 - 【請求項９】フラックスの塗布が半田片が転写される電
極部のみに行われる請求項８記載の半田バンプ形成方
法。 - 【請求項１０】半田片の材料が、錫系半田、錫鉛半田、
金錫半田、インジウム系半田、金シリコン半田、金ゲル
マニウム半田の中のいずれかの半田である請求項１〜９
記載の半田バンプ形成方法。 - 【請求項１１】形成された半田バンプが半導体素子の接
続に適用される請求項１〜１０記載の半田バンプ形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102572A JP2910398B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102572A JP2910398B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 半田バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669640A true JPH0669640A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2910398B2 JP2910398B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=14330946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4102572A Expired - Lifetime JP2910398B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910398B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479703A (en) * | 1992-12-23 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method of making a printed circuit board or card |
| US5735452A (en) * | 1996-06-17 | 1998-04-07 | International Business Machines Corporation | Ball grid array by partitioned lamination process |
| US6115515A (en) * | 1907-09-19 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Optical device mounting board |
| KR101022912B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-03-17 | 삼성전기주식회사 | 금속범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP4102572A patent/JP2910398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6115515A (en) * | 1907-09-19 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Optical device mounting board |
| US5479703A (en) * | 1992-12-23 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method of making a printed circuit board or card |
| US5735452A (en) * | 1996-06-17 | 1998-04-07 | International Business Machines Corporation | Ball grid array by partitioned lamination process |
| KR101022912B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-03-17 | 삼성전기주식회사 | 금속범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2910398B2 (ja) | 1999-06-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
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