JPH0668466A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0668466A JPH0668466A JP22141792A JP22141792A JPH0668466A JP H0668466 A JPH0668466 A JP H0668466A JP 22141792 A JP22141792 A JP 22141792A JP 22141792 A JP22141792 A JP 22141792A JP H0668466 A JPH0668466 A JP H0668466A
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- ferromagnetic metal
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- metal thin
- incident angle
- cooling
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
- C23C14/226—Oblique incidence of vaporised material on substrate in order to form films with columnar structure
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録媒体の製造方法において、高いＣ／
Ｎ比および優れた走行耐久性を有する強磁性金属薄膜型
磁気記録媒体を製造する。 【構成】 第１のクーリングキャン24の外周に沿って移
動される非磁性支持体20上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−
Ｎｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第１の
強磁性金属薄膜を斜方入射蒸着により成膜し、0.5 〜10
秒の間隔を置いた後、この非磁性支持体20を第２のクー
リングキャン26の外周に沿って移動させながら第１の強
磁性金属薄膜の上に同様に第２の強磁性金属薄膜を成膜
する。
Ｎ比および優れた走行耐久性を有する強磁性金属薄膜型
磁気記録媒体を製造する。 【構成】 第１のクーリングキャン24の外周に沿って移
動される非磁性支持体20上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−
Ｎｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第１の
強磁性金属薄膜を斜方入射蒸着により成膜し、0.5 〜10
秒の間隔を置いた後、この非磁性支持体20を第２のクー
リングキャン26の外周に沿って移動させながら第１の強
磁性金属薄膜の上に同様に第２の強磁性金属薄膜を成膜
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気記録に適した
強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関するもの
である。
強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】現在、磁気記録媒体としては、磁性粉末
をバインダー中に分散してなる磁性膜を非磁性支持体上
に塗布した塗布型のものが主として用いられている。近
年、情報量の増大とともに、８mmＶＴＲ用、デジタルＶ
ＴＲ用、ハイビジョンＶＴＲ用等の高密度記録域（例え
ば１bit ／μｍ2 程度）で使用される磁気記録媒体が求
められているが、塗布型磁気記録媒体はこのような高密
度記録には不十分なものである。そこで、近年、塗布型
磁気記録媒体に代わるものとして、強磁性金属薄膜を非
磁性支持体上に成膜してなる金属薄膜型磁気記録媒体が
開発されている。
をバインダー中に分散してなる磁性膜を非磁性支持体上
に塗布した塗布型のものが主として用いられている。近
年、情報量の増大とともに、８mmＶＴＲ用、デジタルＶ
ＴＲ用、ハイビジョンＶＴＲ用等の高密度記録域（例え
ば１bit ／μｍ2 程度）で使用される磁気記録媒体が求
められているが、塗布型磁気記録媒体はこのような高密
度記録には不十分なものである。そこで、近年、塗布型
磁気記録媒体に代わるものとして、強磁性金属薄膜を非
磁性支持体上に成膜してなる金属薄膜型磁気記録媒体が
開発されている。
【０００３】このような金属薄膜型磁気記録媒体におい
ても高密度磁気記録が望まれており、特に高Ｃ／Ｎ比の
ものが求められている。Ｃ／Ｎ比を高めるためには、磁
気記録媒体の平滑性を向上させ、スペーシングロスを減
ずる方法もあるが、この方法は耐久性の劣化を招くた
め、望ましくない。したがって、Ｃ／Ｎ比を高めるため
には強磁性金属薄膜の磁気特性を向上させることが好ま
しい。
ても高密度磁気記録が望まれており、特に高Ｃ／Ｎ比の
ものが求められている。Ｃ／Ｎ比を高めるためには、磁
気記録媒体の平滑性を向上させ、スペーシングロスを減
ずる方法もあるが、この方法は耐久性の劣化を招くた
め、望ましくない。したがって、Ｃ／Ｎ比を高めるため
には強磁性金属薄膜の磁気特性を向上させることが好ま
しい。
【０００４】強磁性金属薄膜の成膜方法としては、斜方
入射蒸着法（非磁性支持体に対して斜めに強磁性金属の
蒸気流を蒸着して非磁性支持体上に斜めに強磁性金属の
結晶柱を成長させる蒸着法）が特性（主に磁気特性）
上、優れた方法であるとして広く採用されている。
入射蒸着法（非磁性支持体に対して斜めに強磁性金属の
蒸気流を蒸着して非磁性支持体上に斜めに強磁性金属の
結晶柱を成長させる蒸着法）が特性（主に磁気特性）
上、優れた方法であるとして広く採用されている。
【０００５】特に、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ系の強磁性金属を斜
方入射蒸着により成膜してなる磁気記録媒体はＣ／Ｎ比
が高いものである。この磁気記録媒体は走行耐久性に難
点があったが、様々な改善がなされ、８mmＶＴＲ用テー
プとして実用化されるに至っている。
方入射蒸着により成膜してなる磁気記録媒体はＣ／Ｎ比
が高いものである。この磁気記録媒体は走行耐久性に難
点があったが、様々な改善がなされ、８mmＶＴＲ用テー
プとして実用化されるに至っている。
【０００６】８mmＶＴＲ用、ハイビジョンＶＴＲ用等の
斜方入射蒸着型強磁性金属磁気記録媒体において、さら
にＣ／Ｎ比を高めるため、様々な成膜法や層構造が提案
されている。
斜方入射蒸着型強磁性金属磁気記録媒体において、さら
にＣ／Ｎ比を高めるため、様々な成膜法や層構造が提案
されている。
【０００７】特開昭57-133519 号公報には、高入射角か
ら低入射角へと連続的に入射角を変化させた傾斜柱状構
造を有する蒸着磁性薄膜を２層重層にしてなる、電磁変
換特性および耐久性に優れた金属薄膜型磁気記録媒体が
開示されている。その成膜は同じクーリングキャンを用
いて２回に分けて行われている。
ら低入射角へと連続的に入射角を変化させた傾斜柱状構
造を有する蒸着磁性薄膜を２層重層にしてなる、電磁変
換特性および耐久性に優れた金属薄膜型磁気記録媒体が
開示されている。その成膜は同じクーリングキャンを用
いて２回に分けて行われている。
【０００８】特開昭58-26326号公報には、磁気異方性の
方向が同一である２層以上の強磁性金属薄膜を重層にす
ることにより、抗磁力を向上させることが開示されてい
る。
方向が同一である２層以上の強磁性金属薄膜を重層にす
ることにより、抗磁力を向上させることが開示されてい
る。
【０００９】特開昭57-141029 号公報には、前記特開昭
57-133519 号公報とは逆に、低入射角から高入射角へと
連続的に入射角を変化させた傾斜柱状構造を有する蒸着
磁性薄膜を２層重層にしてなる、非磁性支持体に対する
密着性ならびに耐候性および耐久性に優れた金属薄膜型
磁気記録媒体が開示されている。その成膜は同じクーリ
ングキャンを用いて２回に分けて行われている。
57-133519 号公報とは逆に、低入射角から高入射角へと
連続的に入射角を変化させた傾斜柱状構造を有する蒸着
磁性薄膜を２層重層にしてなる、非磁性支持体に対する
密着性ならびに耐候性および耐久性に優れた金属薄膜型
磁気記録媒体が開示されている。その成膜は同じクーリ
ングキャンを用いて２回に分けて行われている。
【００１０】特開昭56-72170号公報には、２個のクーリ
ングキャンを用いて強磁性金属薄膜と下地層や保護膜を
連続して成膜する方法が開示されている。この方法は巻
取りの際に蒸着面が直接ロールに当たらないようにし、
蒸着面の損傷を防止するものであるが、強磁性金属薄膜
を重層化することについては示唆するところのないもの
である。
ングキャンを用いて強磁性金属薄膜と下地層や保護膜を
連続して成膜する方法が開示されている。この方法は巻
取りの際に蒸着面が直接ロールに当たらないようにし、
蒸着面の損傷を防止するものであるが、強磁性金属薄膜
を重層化することについては示唆するところのないもの
である。
【００１１】磁性薄膜を重層構造にすること、および磁
性薄膜をＣｏの比率の高い組成とすることはＣ／Ｎ比を
高める上で好ましいと考えられるが、これらは走行耐久
性を大幅に劣化させることが認められた。このように、
従来の磁気記録媒体の製造方法では、高いＣ／Ｎ比と良
好な走行耐久性を両立させることは困難であった。
性薄膜をＣｏの比率の高い組成とすることはＣ／Ｎ比を
高める上で好ましいと考えられるが、これらは走行耐久
性を大幅に劣化させることが認められた。このように、
従来の磁気記録媒体の製造方法では、高いＣ／Ｎ比と良
好な走行耐久性を両立させることは困難であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の問題点に鑑み、高いＣ／Ｎ比と優れた走行耐
久性を有する磁気記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
従来技術の問題点に鑑み、高いＣ／Ｎ比と優れた走行耐
久性を有する磁気記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、第１のクーリングキャンおよび第２のクー
リングキャンを備えた真空槽内において、非磁性支持体
を前記第１のクーリングキャンの外周に沿って移動させ
ながら該非磁性支持体上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第１の強
磁性金属薄膜を該強磁性金属の蒸気流の入射角が高入射
角側から低入射角側に連続的に変化するように斜方入射
蒸着により成膜した後、前記非磁性支持体を前記第２の
クーリングキャンの外周に沿って移動させながら前記第
１の強磁性金属薄膜の上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第２の強
磁性金属薄膜を該強磁性金属の蒸気流の入射角が高入射
角側から低入射角側に連続的に変化するように斜方入射
蒸着により成膜することからなり、前記第１の強磁性金
属薄膜の成膜終了から前記第２の強磁性金属薄膜の成膜
開始までの間隔を0.5 〜10秒とすることを特徴とするも
のである。
製造方法は、第１のクーリングキャンおよび第２のクー
リングキャンを備えた真空槽内において、非磁性支持体
を前記第１のクーリングキャンの外周に沿って移動させ
ながら該非磁性支持体上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第１の強
磁性金属薄膜を該強磁性金属の蒸気流の入射角が高入射
角側から低入射角側に連続的に変化するように斜方入射
蒸着により成膜した後、前記非磁性支持体を前記第２の
クーリングキャンの外周に沿って移動させながら前記第
１の強磁性金属薄膜の上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第２の強
磁性金属薄膜を該強磁性金属の蒸気流の入射角が高入射
角側から低入射角側に連続的に変化するように斜方入射
蒸着により成膜することからなり、前記第１の強磁性金
属薄膜の成膜終了から前記第２の強磁性金属薄膜の成膜
開始までの間隔を0.5 〜10秒とすることを特徴とするも
のである。
【００１４】
【作用】本発明の製造方法によって製造された磁気記録
媒体の強磁性金属薄膜は斜方入射蒸着により成膜された
柱状結晶粒子によって構成されているため、周波数特性
が向上しており、低域（長波長記録）から高域（短波長
記録）までの出力が比較的高くなっている。
媒体の強磁性金属薄膜は斜方入射蒸着により成膜された
柱状結晶粒子によって構成されているため、周波数特性
が向上しており、低域（長波長記録）から高域（短波長
記録）までの出力が比較的高くなっている。
【００１５】また、強磁性金属薄膜を２層構造としたこ
とにより、単一層で同等の厚さを有するものと比べて柱
状結晶粒子の寸法が小さくなっており、この結果、ノイ
ズが低くなっている。
とにより、単一層で同等の厚さを有するものと比べて柱
状結晶粒子の寸法が小さくなっており、この結果、ノイ
ズが低くなっている。
【００１６】さらに、２層を構成する柱状結晶粒子の傾
きを同一方向としたことにより、短波長（高域）での出
力を大きくすることができ、また、磁気ヘッドからの磁
力線に沿った形で柱状結晶粒子が並んでいるため、全体
に出力が大きく取れるようになっている。
きを同一方向としたことにより、短波長（高域）での出
力を大きくすることができ、また、磁気ヘッドからの磁
力線に沿った形で柱状結晶粒子が並んでいるため、全体
に出力が大きく取れるようになっている。
【００１７】そして、柱状結晶粒子が高入射角側から低
入射角側へと連続的に入射角を変化させて蒸着されてい
るため、抗磁力が大きくなっている。
入射角側へと連続的に入射角を変化させて蒸着されてい
るため、抗磁力が大きくなっている。
【００１８】このような特性に加えて、本発明は、重層
構造の強磁性金属薄膜を有する磁気記録媒体において、
第１の強磁性金属薄膜を成膜してから第２の強磁性金属
薄膜を成膜するまでの時間が強磁性金属薄膜の耐久性に
大きく影響することを見出した結果、なされたものであ
る。
構造の強磁性金属薄膜を有する磁気記録媒体において、
第１の強磁性金属薄膜を成膜してから第２の強磁性金属
薄膜を成膜するまでの時間が強磁性金属薄膜の耐久性に
大きく影響することを見出した結果、なされたものであ
る。
【００１９】すなわち、この時間が長すぎると、強磁性
金属薄膜の同じ箇所を磁気ヘッドで長時間摺動すること
になるスチルモードでビデオの静止画像を再生する際の
いわゆるスチル時間が短くなる等、強磁性金属薄膜の耐
久性が低下してしまうことが認められた。
金属薄膜の同じ箇所を磁気ヘッドで長時間摺動すること
になるスチルモードでビデオの静止画像を再生する際の
いわゆるスチル時間が短くなる等、強磁性金属薄膜の耐
久性が低下してしまうことが認められた。
【００２０】これは、真空槽内に残存する微量のガス成
分が成膜されたばかりの強磁性金属薄膜表面に付着した
りして、その上に成膜される第２の強磁性金属薄膜の密
着を阻害するためではないかと推測される。
分が成膜されたばかりの強磁性金属薄膜表面に付着した
りして、その上に成膜される第２の強磁性金属薄膜の密
着を阻害するためではないかと推測される。
【００２１】一方、この時間が短すぎると、磁気特性が
低下し、充分なＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）比を得ることができな
い。この原因は明確にはなっていないが、成膜される第
１の強磁性金属薄膜上の原子の活性度が時間により相違
するために表面のミクロな構造が変化し、それがその上
に成膜される第２の強磁性金属薄膜の構造に影響を与え
るためではないかと推測される。
低下し、充分なＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）比を得ることができな
い。この原因は明確にはなっていないが、成膜される第
１の強磁性金属薄膜上の原子の活性度が時間により相違
するために表面のミクロな構造が変化し、それがその上
に成膜される第２の強磁性金属薄膜の構造に影響を与え
るためではないかと推測される。
【００２２】このため、本発明においては、第１の強磁
性金属薄膜の成膜終了から前記第２の強磁性金属薄膜の
成膜開始までの間隔を0.5 〜10秒、好ましくは0.5 〜５
秒とする。
性金属薄膜の成膜終了から前記第２の強磁性金属薄膜の
成膜開始までの間隔を0.5 〜10秒、好ましくは0.5 〜５
秒とする。
【００２３】本発明においては、同一真空槽内に第１お
よび第２のクーリングキャンを配し、これらクーリング
キャン間の距離に応じて非磁性支持体の搬送速度を定め
ることにより、第１の強磁性金属薄膜の成膜終了から第
２の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間隔を所定の時間
とすることができる。なお、クーリングキャンとは内部
に冷却機構を有するロールのことであり、磁気記録媒体
の製造に従来より広く用いられているものである。クー
リングキャンの温度は通常、−100 ℃〜０℃の範囲とす
ることが好ましい。
よび第２のクーリングキャンを配し、これらクーリング
キャン間の距離に応じて非磁性支持体の搬送速度を定め
ることにより、第１の強磁性金属薄膜の成膜終了から第
２の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間隔を所定の時間
とすることができる。なお、クーリングキャンとは内部
に冷却機構を有するロールのことであり、磁気記録媒体
の製造に従来より広く用いられているものである。クー
リングキャンの温度は通常、−100 ℃〜０℃の範囲とす
ることが好ましい。
【００２４】第１および第２の強磁性金属薄膜を構成す
る組成は同一であっても相違していもよい。強磁性金属
薄膜を構成する組成中、Ｃｏは優れた磁気特性、Ｏは耐
候性および抗磁力、Ｎｉは機械的耐久性（磁気ヘッドに
よる衝撃への耐性等）をそれぞれ強磁性金属薄膜に付与
するものである。
る組成は同一であっても相違していもよい。強磁性金属
薄膜を構成する組成中、Ｃｏは優れた磁気特性、Ｏは耐
候性および抗磁力、Ｎｉは機械的耐久性（磁気ヘッドに
よる衝撃への耐性等）をそれぞれ強磁性金属薄膜に付与
するものである。
【００２５】強磁性金属薄膜がＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系の組成
である場合、該組成におけるＮｉ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の比
は10原子％以下とすることが好ましい。また、第１の強
磁性金属薄膜はより短波長に作用することが知られてい
るため、第１の強磁性金属薄膜におけるこの比をより低
い値とすることが好ましい。
である場合、該組成におけるＮｉ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の比
は10原子％以下とすることが好ましい。また、第１の強
磁性金属薄膜はより短波長に作用することが知られてい
るため、第１の強磁性金属薄膜におけるこの比をより低
い値とすることが好ましい。
【００２６】また、強磁性金属薄膜中にＦｅ原子を導入
すると、飽和磁化を大きくすることができ、出力を高め
ることができるが、導入量が多すぎると抗磁力が低下し
たり、耐候性が劣化するため、その添加量は好ましくは
20重量％以下、より好ましくは10重量％以下とする。
すると、飽和磁化を大きくすることができ、出力を高め
ることができるが、導入量が多すぎると抗磁力が低下し
たり、耐候性が劣化するため、その添加量は好ましくは
20重量％以下、より好ましくは10重量％以下とする。
【００２７】強磁性金属薄膜中には、磁気特性をさらに
改良するために、他の元素、例えば、Ｔａ，Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｂ，Ｐｔ，Ｐｒ等を含有させることもできる。
改良するために、他の元素、例えば、Ｔａ，Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｂ，Ｐｔ，Ｐｒ等を含有させることもできる。
【００２８】成膜時には真空槽内に酸素を主成分とする
ガスを導入することが望ましい。成膜時に導入する酸素
の量を変えることによって強磁性金属薄膜中の酸素の量
を変えることが可能である。さらに、蒸着時のガスはＮ
2 、Ａｒ等を含むものであってもよい。
ガスを導入することが望ましい。成膜時に導入する酸素
の量を変えることによって強磁性金属薄膜中の酸素の量
を変えることが可能である。さらに、蒸着時のガスはＮ
2 、Ａｒ等を含むものであってもよい。
【００２９】第１および第２の強磁性金属薄膜の厚さに
ついては相互関係はなく、共に、好ましくは500 〜1500
オングストローム、より好ましくは600 〜1200オングス
トロームとする。
ついては相互関係はなく、共に、好ましくは500 〜1500
オングストローム、より好ましくは600 〜1200オングス
トロームとする。
【００３０】第１の強磁性金属薄膜の成膜終了から第２
の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間に前記第１の強磁
性金属薄膜の表面をプラズマ処理すると、第１の強磁性
金属薄膜と第２の強磁性金属薄膜との間の密着性を高め
て耐久性をさらに向上させることができ、また、帯電を
防止する効果もある。プラズマ処理はＡｒ、Ｏ2 等のガ
スを用い、ＲＦグロー、ＤＣグロー等のグロー放電処理
によって行うことができる。
の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間に前記第１の強磁
性金属薄膜の表面をプラズマ処理すると、第１の強磁性
金属薄膜と第２の強磁性金属薄膜との間の密着性を高め
て耐久性をさらに向上させることができ、また、帯電を
防止する効果もある。プラズマ処理はＡｒ、Ｏ2 等のガ
スを用い、ＲＦグロー、ＤＣグロー等のグロー放電処理
によって行うことができる。
【００３１】非磁性支持体表面に対する強磁性金属の蒸
気流の最小入射角は好ましくは20〜60°、より好ましく
は35〜50°とする。
気流の最小入射角は好ましくは20〜60°、より好ましく
は35〜50°とする。
【００３２】本発明に用いる非磁性支持体としては、Ｐ
ＥＴ、ＰＥＮ、アラミド、ポリイミド等の高分子フィル
ム材料を用いることができる。非磁性支持体表面は微小
な突起を有していることが好ましい。
ＥＴ、ＰＥＮ、アラミド、ポリイミド等の高分子フィル
ム材料を用いることができる。非磁性支持体表面は微小
な突起を有していることが好ましい。
【００３３】第２の強磁性金属薄膜上には有機潤滑剤も
しくはカーボン等の固体保護潤滑剤を設けることが好ま
しい。
しくはカーボン等の固体保護潤滑剤を設けることが好ま
しい。
【００３４】蒸着装置には、ルツボ、電子ビーム発生装
置、クーリングキャン等の組合わせからなる通常の巻取
り蒸着装置（ロールコーター）等を用いることができ
る。
置、クーリングキャン等の組合わせからなる通常の巻取
り蒸着装置（ロールコーター）等を用いることができ
る。
【００３５】ルツボは通常、マグネシア、アルミナ等の
セラミックから形成される。セラミックのみから構成さ
れるものでもよいが、繰返し使用回数を増すためにスタ
ンプ材（セラミック粉体＋珪酸ソーダ＋水）を約400 ℃
で加熱することにより焼結したものや周囲に金属枠を設
けたものを用いてもよい。
セラミックから形成される。セラミックのみから構成さ
れるものでもよいが、繰返し使用回数を増すためにスタ
ンプ材（セラミック粉体＋珪酸ソーダ＋水）を約400 ℃
で加熱することにより焼結したものや周囲に金属枠を設
けたものを用いてもよい。
【００３６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００３７】実施例１ 図１にその要部を模式的に示す真空槽10内において磁気
記録媒体の試料を作製した。真空槽10には排気口12A,12
B,12C,12D が設けられており、これらから排気を行うこ
とにより、真空槽10内を高真空度に維持することができ
るようになっている。真空槽10内において非磁性支持体
20は送出ロール22から送り出され、第１のクーリングキ
ャン24および第２のクーリングキャン26の外周に沿って
搬送された後、巻取ロール28によって巻き取られるよう
になっている。送出ロール22と第１のクーリングキャン
24との間、第１のクーリングキャン24と第２のクーリン
グキャン26との間、および第２のクーリングキャン26と
巻取ロール28との間にはグロー手段32,34,36が設けら
れ、非磁性支持体20および強磁性金属薄膜のプラズマ処
理が行えるようになっている。
記録媒体の試料を作製した。真空槽10には排気口12A,12
B,12C,12D が設けられており、これらから排気を行うこ
とにより、真空槽10内を高真空度に維持することができ
るようになっている。真空槽10内において非磁性支持体
20は送出ロール22から送り出され、第１のクーリングキ
ャン24および第２のクーリングキャン26の外周に沿って
搬送された後、巻取ロール28によって巻き取られるよう
になっている。送出ロール22と第１のクーリングキャン
24との間、第１のクーリングキャン24と第２のクーリン
グキャン26との間、および第２のクーリングキャン26と
巻取ロール28との間にはグロー手段32,34,36が設けら
れ、非磁性支持体20および強磁性金属薄膜のプラズマ処
理が行えるようになっている。
【００３８】第１のクーリングキャン24の近傍にはルツ
ボ40A が配されており、この中には強磁性金属からなる
蒸着材料50A が含まれており、電子銃60A からの電子ビ
ーム62A によって加熱され、強磁性金属の蒸気流52A が
発生するようになっている。蒸気流52A は仕切板70A お
よび入射角制限マスク80A によって制限され、入射角が
所定の最大入射角θmax から所定の最小入射角θmin ま
で連続的に変化するように第１のクーリングキャン24上
の非磁性支持体20の表面に蒸着され、第１の強磁性金属
薄膜が形成されるようになっている。この最小入射角地
点の近傍にはガス導入口90A が設けられており、酸素ガ
スが導入できるようになっている。
ボ40A が配されており、この中には強磁性金属からなる
蒸着材料50A が含まれており、電子銃60A からの電子ビ
ーム62A によって加熱され、強磁性金属の蒸気流52A が
発生するようになっている。蒸気流52A は仕切板70A お
よび入射角制限マスク80A によって制限され、入射角が
所定の最大入射角θmax から所定の最小入射角θmin ま
で連続的に変化するように第１のクーリングキャン24上
の非磁性支持体20の表面に蒸着され、第１の強磁性金属
薄膜が形成されるようになっている。この最小入射角地
点の近傍にはガス導入口90A が設けられており、酸素ガ
スが導入できるようになっている。
【００３９】同様に、第２のクーリングキャン26の近傍
にはルツボ40B が配されており、この中には強磁性金属
からなる蒸着材料50B が含まれており、電子銃60B から
の電子ビーム62B によって加熱され、強磁性金属の蒸気
流52B が発生するようになっている。蒸気流52B は仕切
板70B および入射角制限マスク80B によって制限され、
入射角が所定の最大入射角θ′max から所定の最小入射
角θ′min まで連続的に変化するように第２のクーリン
グキャン26上の非磁性支持体20上の第１の強磁性金属薄
膜の表面に蒸着され、第２の強磁性金属薄膜が形成され
るようになっている。この最小入射角地点の近傍にはガ
ス導入口90B が設けられており、酸素ガスが導入できる
ようになっている。
にはルツボ40B が配されており、この中には強磁性金属
からなる蒸着材料50B が含まれており、電子銃60B から
の電子ビーム62B によって加熱され、強磁性金属の蒸気
流52B が発生するようになっている。蒸気流52B は仕切
板70B および入射角制限マスク80B によって制限され、
入射角が所定の最大入射角θ′max から所定の最小入射
角θ′min まで連続的に変化するように第２のクーリン
グキャン26上の非磁性支持体20上の第１の強磁性金属薄
膜の表面に蒸着され、第２の強磁性金属薄膜が形成され
るようになっている。この最小入射角地点の近傍にはガ
ス導入口90B が設けられており、酸素ガスが導入できる
ようになっている。
【００４０】このような真空槽10内の初期真空度を１×
10-5torrとした後、ガス導入口90A,90B から酸素ガスを
200cc ／分の速度で導入した。非磁性支持体20として
は、強磁性金属薄膜を蒸着する側の表面に高さ250 オン
グストローム、２×107 個／mm2 のＳｉＯ2 微粒子から
なる微小突起が形成された10μｍ厚のＰＥＴフィルムを
用いた。この非磁性支持体20はグロー手段32でプラズマ
処理した後、50ｍ／分の搬送速度で搬送した。
10-5torrとした後、ガス導入口90A,90B から酸素ガスを
200cc ／分の速度で導入した。非磁性支持体20として
は、強磁性金属薄膜を蒸着する側の表面に高さ250 オン
グストローム、２×107 個／mm2 のＳｉＯ2 微粒子から
なる微小突起が形成された10μｍ厚のＰＥＴフィルムを
用いた。この非磁性支持体20はグロー手段32でプラズマ
処理した後、50ｍ／分の搬送速度で搬送した。
【００４１】蒸着材料50A,50B としてはＣｏ94Ｎｉ6 を
用い、θmax ＝θ′max ＝90°、θmin ＝θ′min ＝40
°とし、電子銃60A の出力を調節して非磁性支持体20上
に厚さ800 オングストロームの第１の強磁性金属薄膜を
形成し、グロー手段34でプラズマ処理した後、同様の条
件で電子銃60B の出力を調節して第１の強磁性金属薄膜
の上に厚さ800 オングストロームの第２の強磁性金属薄
膜を形成し、グロー手段36でプラズマ処理した後、第１
および第２の強磁性金属薄膜を有する非磁性支持体20を
巻取ロール28に巻き取った。第１の強磁性金属薄膜の成
膜終了から第２の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間隔
は１秒とした。
用い、θmax ＝θ′max ＝90°、θmin ＝θ′min ＝40
°とし、電子銃60A の出力を調節して非磁性支持体20上
に厚さ800 オングストロームの第１の強磁性金属薄膜を
形成し、グロー手段34でプラズマ処理した後、同様の条
件で電子銃60B の出力を調節して第１の強磁性金属薄膜
の上に厚さ800 オングストロームの第２の強磁性金属薄
膜を形成し、グロー手段36でプラズマ処理した後、第１
および第２の強磁性金属薄膜を有する非磁性支持体20を
巻取ロール28に巻き取った。第１の強磁性金属薄膜の成
膜終了から第２の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間隔
は１秒とした。
【００４２】このようにして得た蒸着原反を約100 ℃で
熱処理して平坦化し、次いで丸紅物産のクライトックス
Ｋ157 ＳＬ潤滑剤（厚さ約50オングストローム）を塗布
した後、バック層（カーボンブラック粒子と結合剤樹脂
を主体とする厚さ0.5 μｍの塗布層）を塗布し、８mm幅
にスリットしたものを試料とした。
熱処理して平坦化し、次いで丸紅物産のクライトックス
Ｋ157 ＳＬ潤滑剤（厚さ約50オングストローム）を塗布
した後、バック層（カーボンブラック粒子と結合剤樹脂
を主体とする厚さ0.5 μｍの塗布層）を塗布し、８mm幅
にスリットしたものを試料とした。
【００４３】実施例２〜７および比較例１〜７ 表１に示すように蒸着材料組成、（非磁性支持体20の搬
送速度を１〜100 ｍ／分の間で変化させ、第１のクーリ
ングキャン24と第２のクーリングキャン26との間の搬送
距離を中間ローラの水平移動により50cm〜３ｍの間で変
化させることによる）第１の強磁性金属薄膜の成膜終了
から第２の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間隔、およ
びプラズマ処理の有無を変化させたこと以外は実施例１
と同様にして磁気記録媒体の試料を得た。なお、これら
実施例および比較例においては、本発明の効果を明確に
するため、第１および第２の強磁性金属薄膜について膜
厚および蒸気流の入射角を同一にしたが、本発明はこの
ような場合に限定されるものではない。
送速度を１〜100 ｍ／分の間で変化させ、第１のクーリ
ングキャン24と第２のクーリングキャン26との間の搬送
距離を中間ローラの水平移動により50cm〜３ｍの間で変
化させることによる）第１の強磁性金属薄膜の成膜終了
から第２の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間隔、およ
びプラズマ処理の有無を変化させたこと以外は実施例１
と同様にして磁気記録媒体の試料を得た。なお、これら
実施例および比較例においては、本発明の効果を明確に
するため、第１および第２の強磁性金属薄膜について膜
厚および蒸気流の入射角を同一にしたが、本発明はこの
ような場合に限定されるものではない。
【００４４】次いで、これら試料の特性を測定した。ス
チル耐久性については、富士フィルム社製Ｈｉ８ムービ
ーＭ870 ＨＲを改造したものを用い、荷重25ｇを試料テ
ープの両端に印加し、記録を行った後、スチル再生を行
い、再生画像が得られなくなるまでの時間（スチル時
間）を測定した。
チル耐久性については、富士フィルム社製Ｈｉ８ムービ
ーＭ870 ＨＲを改造したものを用い、荷重25ｇを試料テ
ープの両端に印加し、記録を行った後、スチル再生を行
い、再生画像が得られなくなるまでの時間（スチル時
間）を測定した。
【００４５】Ｃ／Ｎ比は、同様に富士フィルム社製Ｈｉ
８ムービーＭ870 ＨＲを改造したものを用い、周波数７
ＭＨｚの短波長信号を最適記録電流で記録し、その時の
再生レベルと６ＭＨｚにおけるノイズレベルをＨＰ社の
スペクトルアナライザ3585Ａを用いて求め、Ｎｉを20原
子％含み、単層（膜厚1600オングストローム）からなる
比較例７の試料の測定値を０ｄＢとして表した。
８ムービーＭ870 ＨＲを改造したものを用い、周波数７
ＭＨｚの短波長信号を最適記録電流で記録し、その時の
再生レベルと６ＭＨｚにおけるノイズレベルをＨＰ社の
スペクトルアナライザ3585Ａを用いて求め、Ｎｉを20原
子％含み、単層（膜厚1600オングストローム）からなる
比較例７の試料の測定値を０ｄＢとして表した。
【００４６】磁気特性は、振動試料型磁束計（東英工業
社製ＶＳＭ）を用い、10kOe の外部磁界を印加して測定
した。
社製ＶＳＭ）を用い、10kOe の外部磁界を印加して測定
した。
【００４７】これらの測定結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、Ｃｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系の強磁性金属
の柱状結晶粒子からなる第１および第２の強磁性金属薄
膜を高入射角側から低入射角側へと連続的に入射角を変
化させて蒸着するとともに、この際、第１の強磁性金属
薄膜の成膜終了から第２の強磁性金属薄膜の成膜開始ま
での間隔を0.5 〜10秒とすることにより、高いＣ／Ｎ比
と優れた走行耐久性を有する磁気記録媒体を製造するこ
とができる。
ば、Ｃｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系の強磁性金属
の柱状結晶粒子からなる第１および第２の強磁性金属薄
膜を高入射角側から低入射角側へと連続的に入射角を変
化させて蒸着するとともに、この際、第１の強磁性金属
薄膜の成膜終了から第２の強磁性金属薄膜の成膜開始ま
での間隔を0.5 〜10秒とすることにより、高いＣ／Ｎ比
と優れた走行耐久性を有する磁気記録媒体を製造するこ
とができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法に用いられる
真空槽の１例を示す模式図
真空槽の１例を示す模式図
10 真空槽 20 非磁性支持体 22 送出ロール 24 第１のクーリングキャン 26 第２のクーリングキャン 28 巻取ロール 32 グロー手段 34 グロー手段 36 グロー手段 40A ルツボ 40B ルツボ 50A 蒸着材料 50B 蒸着材料 52A 蒸気流 52B 蒸気流 60A 電子銃 60B 電子銃 62A 蒸気流 62B 蒸気流 70A 仕切板 70B 仕切板 80A 入射角制限マスク 80B 入射角制限マスク 90A ガス導入口 90B ガス導入口
Claims (3)
- 【請求項１】 第１のクーリングキャンおよび第２のク
ーリングキャンを備えた真空槽内において、非磁性支持
体を前記第１のクーリングキャンの外周に沿って移動さ
せながら該非磁性支持体上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−
Ｎｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第１の
強磁性金属薄膜を該強磁性金属の蒸気流の入射角が高入
射角側から低入射角側に連続的に変化するように斜方入
射蒸着により成膜した後、前記非磁性支持体を前記第２
のクーリングキャンの外周に沿って移動させながら前記
第１の強磁性金属薄膜の上にＣｏ−Ｏ系もしくはＣｏ−
Ｎｉ−Ｏ系の強磁性金属の柱状結晶粒子からなる第２の
強磁性金属薄膜を該強磁性金属の蒸気流の入射角が高入
射角側から低入射角側に連続的に変化するように斜方入
射蒸着により成膜することからなり、前記第１の強磁性
金属薄膜の成膜終了から前記第２の強磁性金属薄膜の成
膜開始までの間隔を0.5 〜10秒とすることを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の強磁性金属薄膜の成膜終了か
ら前記第２の強磁性金属薄膜の成膜開始までの間に前記
第１の強磁性金属薄膜の表面をプラズマ処理することを
特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１および第２の強磁性金属薄膜の
組成がＣｏ−Ｎｉ−Ｏ系であって、該組成におけるＮｉ
／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の比が10原子％以下であることを特徴
とする請求項１もしくは２記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22141792A JPH0668466A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22141792A JPH0668466A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668466A true JPH0668466A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16766415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22141792A Withdrawn JPH0668466A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668466A (ja) |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22141792A patent/JPH0668466A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |