JPH0666857A - ダイオードのオン抵抗測定回路 - Google Patents
ダイオードのオン抵抗測定回路Info
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- JPH0666857A JPH0666857A JP22422492A JP22422492A JPH0666857A JP H0666857 A JPH0666857 A JP H0666857A JP 22422492 A JP22422492 A JP 22422492A JP 22422492 A JP22422492 A JP 22422492A JP H0666857 A JPH0666857 A JP H0666857A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定の動作点においてダイオードの自己発熱
の影響を受けず正確にダイオードのオン抵抗を測定する
ダイオードのオン抵抗測定回路を提供すること。 【構成】 定電流源１から供給される一定電流がバイア
ス電流として順方向に流されるダイオードＤ１と、前記
ダイオードＤ１に第一コンデンサＣ１を介して並列に接
続された既知の微少変動電流を供給する交流電流源３
と、前記ダイオードＤ１に並列に接続され前記ダイオー
ドＤ１の両端の交流電位差を測定する交流電位差測定装
置２とからなり、前記微小変動電流の値と前記交流電位
差測定装置２の指示とから前記ダイオードＤ１のオン抵
抗を測定することを特徴とするダイオードのオン抵抗測
定回路。
の影響を受けず正確にダイオードのオン抵抗を測定する
ダイオードのオン抵抗測定回路を提供すること。 【構成】 定電流源１から供給される一定電流がバイア
ス電流として順方向に流されるダイオードＤ１と、前記
ダイオードＤ１に第一コンデンサＣ１を介して並列に接
続された既知の微少変動電流を供給する交流電流源３
と、前記ダイオードＤ１に並列に接続され前記ダイオー
ドＤ１の両端の交流電位差を測定する交流電位差測定装
置２とからなり、前記微小変動電流の値と前記交流電位
差測定装置２の指示とから前記ダイオードＤ１のオン抵
抗を測定することを特徴とするダイオードのオン抵抗測
定回路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイオードのオン抵抗
測定回路に関するものである。
測定回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のダイオードのオン抵抗測
定回路図である。図８は、従来のダイオードのオン抵抗
測定を説明する為のダイオード特性図である。図７にお
いて、可変電圧源６の一端がダイオードＤ１のアノード
に、他端が基準電位に、電流測定装置７の一端がダイオ
ードＤ１のカソードに、他端が基準電位に接続されてい
る。
定回路図である。図８は、従来のダイオードのオン抵抗
測定を説明する為のダイオード特性図である。図７にお
いて、可変電圧源６の一端がダイオードＤ１のアノード
に、他端が基準電位に、電流測定装置７の一端がダイオ
ードＤ１のカソードに、他端が基準電位に接続されてい
る。
【０００３】次に、上記従来例の動作を説明する。可変
電圧源６よりダイオードＤ１に順方向電圧を連続的に上
げて印加し、それによってダイオードＤ１に流れる電流
を電流測定装置７で測定し、図８に示すようなダイオー
ドＤ１の順方向の電流−電圧特性を得る。図８におい
て、電圧がＶ1の時の電流値をＩ1とし、電圧がＶ2の時
の電流値をＩ2とすると、ダイオードＤ１のオン抵抗Ｒ
ONは、次式 ＲON＝（Ｖ2−Ｖ1）／（Ｉ2−Ｉ1） により算出して求めていた。
電圧源６よりダイオードＤ１に順方向電圧を連続的に上
げて印加し、それによってダイオードＤ１に流れる電流
を電流測定装置７で測定し、図８に示すようなダイオー
ドＤ１の順方向の電流−電圧特性を得る。図８におい
て、電圧がＶ1の時の電流値をＩ1とし、電圧がＶ2の時
の電流値をＩ2とすると、ダイオードＤ１のオン抵抗Ｒ
ONは、次式 ＲON＝（Ｖ2−Ｖ1）／（Ｉ2−Ｉ1） により算出して求めていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の技術
にあっては、ダイオードＤ１に電流を流すことでダイオ
ードＤ１は自己発熱するが、その電流が大きくなるにつ
れてダイオードＤ１自体の温度は上昇する。それにつれ
てダイオードＤ１のオン抵抗は下がってしまう為、正確
なオン抵抗測定ができないという問題点があった。本発
明は、従来の有するこのような問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、所定の動作点に
おいてダイオードの自己発熱の影響を受けず正確にダイ
オードのオン抵抗を測定できるダイオードのオン抵抗測
定回路を提供することである。
にあっては、ダイオードＤ１に電流を流すことでダイオ
ードＤ１は自己発熱するが、その電流が大きくなるにつ
れてダイオードＤ１自体の温度は上昇する。それにつれ
てダイオードＤ１のオン抵抗は下がってしまう為、正確
なオン抵抗測定ができないという問題点があった。本発
明は、従来の有するこのような問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、所定の動作点に
おいてダイオードの自己発熱の影響を受けず正確にダイ
オードのオン抵抗を測定できるダイオードのオン抵抗測
定回路を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、請求項１においては、定電流源１から供
給される一定電流がバイアス電流として順方向に流され
るダイオードＤ１と、前記ダイオードＤ１に第一コンデ
ンサＣ１を介して並列に接続された既知の微少変動電流
を供給する交流電流源３と、前記ダイオードＤ１に並列
に接続され前記ダイオードＤ１の両端の交流電位差を測
定する交流電位差測定装置２とからなり、前記微小変動
電流の値と前記交流電位差測定装置２の指示とから前記
ダイオードＤ１のオン抵抗を測定することを特徴とする
ダイオードのオン抵抗測定回路であり、請求項２におい
ては、既知のバイアス電流と微少変動電流とが重畳され
た変動電流を供給する電流源４からの電流が順方向に流
されるダイオードＤ１と、前記ダイオードＤ１の両端の
電位差を第一コンデンサＣ１を介して測定する第一電位
差測定装置５とからなり、前記微小変動電流の値と前記
第一電位差測定装置５の指示とから前記ダイオードＤ１
のオン抵抗を測定することを特徴とするダイオードのオ
ン抵抗測定回路であり、請求項３においては、前記請求
項２のダイオードのオン抵抗測定回路において、既知の
抵抗値を持つ抵抗Ｒ１を前記電流源４と前記ダイオード
Ｄ１との間に接続し、前記抵抗Ｒ１の両端の電位差を第
二コンデンサＣ２を介して測定する第二電位差測定装置
５０を設け、前記抵抗の値と前記第一電位差測定装置５
と前記第二電位差測定装置５０の指示から前記ダイオー
ドＤ１のオン抵抗を測定することを特徴とするダイオー
ドのオン抵抗測定回路である。
に、本発明は、請求項１においては、定電流源１から供
給される一定電流がバイアス電流として順方向に流され
るダイオードＤ１と、前記ダイオードＤ１に第一コンデ
ンサＣ１を介して並列に接続された既知の微少変動電流
を供給する交流電流源３と、前記ダイオードＤ１に並列
に接続され前記ダイオードＤ１の両端の交流電位差を測
定する交流電位差測定装置２とからなり、前記微小変動
電流の値と前記交流電位差測定装置２の指示とから前記
ダイオードＤ１のオン抵抗を測定することを特徴とする
ダイオードのオン抵抗測定回路であり、請求項２におい
ては、既知のバイアス電流と微少変動電流とが重畳され
た変動電流を供給する電流源４からの電流が順方向に流
されるダイオードＤ１と、前記ダイオードＤ１の両端の
電位差を第一コンデンサＣ１を介して測定する第一電位
差測定装置５とからなり、前記微小変動電流の値と前記
第一電位差測定装置５の指示とから前記ダイオードＤ１
のオン抵抗を測定することを特徴とするダイオードのオ
ン抵抗測定回路であり、請求項３においては、前記請求
項２のダイオードのオン抵抗測定回路において、既知の
抵抗値を持つ抵抗Ｒ１を前記電流源４と前記ダイオード
Ｄ１との間に接続し、前記抵抗Ｒ１の両端の電位差を第
二コンデンサＣ２を介して測定する第二電位差測定装置
５０を設け、前記抵抗の値と前記第一電位差測定装置５
と前記第二電位差測定装置５０の指示から前記ダイオー
ドＤ１のオン抵抗を測定することを特徴とするダイオー
ドのオン抵抗測定回路である。
【０００６】
【作用】このような本発明では、請求項１においては、
定電流源１から一定の直流のバイアス電流がダイオード
Ｄ１に流れると、ダイオードＤ１の動作点が定められ、
またダイオードＤ１の温度は一定に保たれる。ここでコ
ンデンサＣ１を介して交流電流源３から既知の振幅を持
った交流電流がダイオードＤ１に重畳されると、ダイオ
ードＤ１の両端に交流電流に対応した交流電位差が生じ
る。従って交流電流源の周波数をダイオードＤ１の熱応
答時定数に対して十分大きく設定すれば、ダイオードＤ
１の温度上昇によるオン抵抗の減少は無視できるものと
なり、所定の動作点におけるダイオードＤ１のオン抵抗
は、交流電流の振幅と交流電位差測定装置２で測定され
るダイオードＤ１の両端の交流電位差の振幅とから正確
に求められる。請求項２においては、電流源４から既知
のバイアス電流がダイオードＤ１に流れると、ダイオー
ドＤ１の動作点が定められ、またダイオードＤ１の温度
は一定に保たれる。ここで電流源４からバイアス電流に
パルス状の既知の微少変動電流が重畳された変動電流が
ダイオードＤ１に入力すると、第一コンデンサＣ１が直
流成分（バイアス電流に対応する）をカットするので、
変動電流が入力したことによって生じる電位差の微少変
動分のみがダイオードＤ１の両端の電位差となる。従っ
て微少変動電流はパルス状にきわめて短い時間に与えら
れるので、ダイオードＤ１の温度上昇によるオン抵抗の
減少は無視できるものとなり、所定の動作点におけるダ
イオードＤ１のオン抵抗は、パルス状の微少変動電流の
値と第一電位差測定装置５で測定されるダイオードＤ１
の両端の電位差の値とから正確に求められる。請求項３
においては、第二コンデンサＣ２が既知の抵抗値を持っ
た抵抗Ｒ１に入力される請求項２におけるバイアス電流
にパルス状の微少変動電流が重畳された変動電流の直流
成分（バイアス電流に対応する）をカットするので、変
動電流が入力したことによって生じる電位差の微少変動
分のみが抵抗Ｒ１の両端の電位差となる。従ってパルス
状の微少変動電流の値は、抵抗Ｒ１の値と第二電位差測
定装置５０で測定される抵抗Ｒ１の両端の電位差の値と
から正確に求められ、所定の動作点におけるダイオード
Ｄ１のオン抵抗は、請求項２における第一電位差測定装
置５で測定されるダイオードＤ１の両端の電位差の値と
先に求めたパルス状の微少変動電流の値とから正確に求
められる。
定電流源１から一定の直流のバイアス電流がダイオード
Ｄ１に流れると、ダイオードＤ１の動作点が定められ、
またダイオードＤ１の温度は一定に保たれる。ここでコ
ンデンサＣ１を介して交流電流源３から既知の振幅を持
った交流電流がダイオードＤ１に重畳されると、ダイオ
ードＤ１の両端に交流電流に対応した交流電位差が生じ
る。従って交流電流源の周波数をダイオードＤ１の熱応
答時定数に対して十分大きく設定すれば、ダイオードＤ
１の温度上昇によるオン抵抗の減少は無視できるものと
なり、所定の動作点におけるダイオードＤ１のオン抵抗
は、交流電流の振幅と交流電位差測定装置２で測定され
るダイオードＤ１の両端の交流電位差の振幅とから正確
に求められる。請求項２においては、電流源４から既知
のバイアス電流がダイオードＤ１に流れると、ダイオー
ドＤ１の動作点が定められ、またダイオードＤ１の温度
は一定に保たれる。ここで電流源４からバイアス電流に
パルス状の既知の微少変動電流が重畳された変動電流が
ダイオードＤ１に入力すると、第一コンデンサＣ１が直
流成分（バイアス電流に対応する）をカットするので、
変動電流が入力したことによって生じる電位差の微少変
動分のみがダイオードＤ１の両端の電位差となる。従っ
て微少変動電流はパルス状にきわめて短い時間に与えら
れるので、ダイオードＤ１の温度上昇によるオン抵抗の
減少は無視できるものとなり、所定の動作点におけるダ
イオードＤ１のオン抵抗は、パルス状の微少変動電流の
値と第一電位差測定装置５で測定されるダイオードＤ１
の両端の電位差の値とから正確に求められる。請求項３
においては、第二コンデンサＣ２が既知の抵抗値を持っ
た抵抗Ｒ１に入力される請求項２におけるバイアス電流
にパルス状の微少変動電流が重畳された変動電流の直流
成分（バイアス電流に対応する）をカットするので、変
動電流が入力したことによって生じる電位差の微少変動
分のみが抵抗Ｒ１の両端の電位差となる。従ってパルス
状の微少変動電流の値は、抵抗Ｒ１の値と第二電位差測
定装置５０で測定される抵抗Ｒ１の両端の電位差の値と
から正確に求められ、所定の動作点におけるダイオード
Ｄ１のオン抵抗は、請求項２における第一電位差測定装
置５で測定されるダイオードＤ１の両端の電位差の値と
先に求めたパルス状の微少変動電流の値とから正確に求
められる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図１は本発明の請求項１の実施例を示す回路
図である。図２は図１に示す回路の動作を説明する波形
図である。図１において、一定の直流のバイアス電流Ｉ
10を供給する定電流源１はダイオードＤ１のアノード
に、ダイオードＤ１のカソードは基準電位に、交流電位
差測定装置２はダイオードＤ１に並列に、交流電流源３
は第一コンデンサーＣ１を介してダイオードＤ１に並列
に接続されている。
説明する。図１は本発明の請求項１の実施例を示す回路
図である。図２は図１に示す回路の動作を説明する波形
図である。図１において、一定の直流のバイアス電流Ｉ
10を供給する定電流源１はダイオードＤ１のアノード
に、ダイオードＤ１のカソードは基準電位に、交流電位
差測定装置２はダイオードＤ１に並列に、交流電流源３
は第一コンデンサーＣ１を介してダイオードＤ１に並列
に接続されている。
【０００８】次に、上記実施例の動作を図２（ａ），
（ｂ）の波形図を用いて説明する。図１において、ダイ
オードＤ１に定電流源１から一定の直流のバイアス電流
Ｉ 10が流れている定常状態で、交流電流源３から図２
（ａ）に示す周波数をｆ10とし予め設定された振幅ΔＩ
10を持った正弦波形の交流電流が第一コンデンサーＣ１
を介してダイオードＤ１に流れると、ダイオードＤ１の
両端の電位差は、交流電位差測定装置２によって、図２
（ｂ）で示す、振幅ΔＶ10を持った正弦波形の電位差と
して測定される。従ってこの場合のダイオードＤ１のオ
ン抵抗ＲONは、次式 ＲON＝ΔＶ10／ΔＩ10 により正確に求められる。
（ｂ）の波形図を用いて説明する。図１において、ダイ
オードＤ１に定電流源１から一定の直流のバイアス電流
Ｉ 10が流れている定常状態で、交流電流源３から図２
（ａ）に示す周波数をｆ10とし予め設定された振幅ΔＩ
10を持った正弦波形の交流電流が第一コンデンサーＣ１
を介してダイオードＤ１に流れると、ダイオードＤ１の
両端の電位差は、交流電位差測定装置２によって、図２
（ｂ）で示す、振幅ΔＶ10を持った正弦波形の電位差と
して測定される。従ってこの場合のダイオードＤ１のオ
ン抵抗ＲONは、次式 ＲON＝ΔＶ10／ΔＩ10 により正確に求められる。
【０００９】この場合、定常状態として定電流源１から
一定の直流のバイアス電流Ｉ10がダイオードＤ１に流れ
ている為、ダイオードＤ１の動作点が定められ、またダ
イオードＤ１の温度は一定に保たれている。従って交流
の周波数ｆ10をダイオードＤ１の熱応答時定数に対して
十分大きく設定すれば、ダイオードＤ１の温度上昇によ
るオン抵抗の減少は無視できるものとなり、所定の動作
点において正確なダイオードＤ１のオン抵抗測定が可能
となる。
一定の直流のバイアス電流Ｉ10がダイオードＤ１に流れ
ている為、ダイオードＤ１の動作点が定められ、またダ
イオードＤ１の温度は一定に保たれている。従って交流
の周波数ｆ10をダイオードＤ１の熱応答時定数に対して
十分大きく設定すれば、ダイオードＤ１の温度上昇によ
るオン抵抗の減少は無視できるものとなり、所定の動作
点において正確なダイオードＤ１のオン抵抗測定が可能
となる。
【００１０】図３は本発明の請求項２の実施例を示す回
路図である。図４は図２に示す回路の動作を説明する波
形図である。図３において、既知のバイアス電流Ｉ20と
パルス状の微少変動電流ΔＩ20とが重畳された変動電流
Ｉ20＋ΔＩ20を供給する電流源４はダイオードＤ１のア
ノードに、ダイオードＤ１のカソードは基準電位に、第
一電位差測定装置５は第一コンデンサーＣ１を介してダ
イオードＤ１に並列に接続されている。
路図である。図４は図２に示す回路の動作を説明する波
形図である。図３において、既知のバイアス電流Ｉ20と
パルス状の微少変動電流ΔＩ20とが重畳された変動電流
Ｉ20＋ΔＩ20を供給する電流源４はダイオードＤ１のア
ノードに、ダイオードＤ１のカソードは基準電位に、第
一電位差測定装置５は第一コンデンサーＣ１を介してダ
イオードＤ１に並列に接続されている。
【００１１】次に、上記実施例の動作を図４（ａ），
（ｂ）の波形図を用いて説明する。図３において、ダイ
オードＤ１に電流源４からバイアス電流Ｉ20として例え
ばＩ20＝７．５ｍＡが流れている状態で、図４（ａ）に
示すパルス状の微少変動電流ΔＩ20として例えばΔＩ20
＝０．１ｍＡが重畳された変動電流Ｉ20＋ΔＩ20がダイ
オードＤ１に入力すると、この０．１ｍＡの変動により
ダイオードＤ１の両端の電位差は微少変動する。
（ｂ）の波形図を用いて説明する。図３において、ダイ
オードＤ１に電流源４からバイアス電流Ｉ20として例え
ばＩ20＝７．５ｍＡが流れている状態で、図４（ａ）に
示すパルス状の微少変動電流ΔＩ20として例えばΔＩ20
＝０．１ｍＡが重畳された変動電流Ｉ20＋ΔＩ20がダイ
オードＤ１に入力すると、この０．１ｍＡの変動により
ダイオードＤ１の両端の電位差は微少変動する。
【００１２】このバイアス電流Ｉ20によるダイオードＤ
１での電圧降下分を含んだ電位差の絶対値は８００ｍＶ
程度であって、もしこの電位差を第一電位差測定装置５
として例えば１２ｂｉｔのデジタルオシロスコープで測
定すると、８００ｍＶを１／４０９６に分解することと
なり、分解能は０．２ｍＶ程度の広いレンジとなってし
まうが、本実施例ではダイオードＤ１のアノードと第一
電位差測定装置５の間に第一コンデンサーＣ１があるの
で、この第一コンデンサＣ１で直流成分（バイアス電流
Ｉ20に対応する）をカットして変動電流Ｉ20＋ΔＩ20が
入力されたことによって生じる電位差の微少変動分のみ
を高分解能で測定することとなり、それは、図４（ｂ）
に示す振幅ΔＶ20を持ったパルス状の電位差として正確
に測定される。従ってこの場合のダイオードＤ１のオン
抵抗ＲONは、次式 ＲON＝ΔＶ20／ΔＩ20 により正確に求められる。
１での電圧降下分を含んだ電位差の絶対値は８００ｍＶ
程度であって、もしこの電位差を第一電位差測定装置５
として例えば１２ｂｉｔのデジタルオシロスコープで測
定すると、８００ｍＶを１／４０９６に分解することと
なり、分解能は０．２ｍＶ程度の広いレンジとなってし
まうが、本実施例ではダイオードＤ１のアノードと第一
電位差測定装置５の間に第一コンデンサーＣ１があるの
で、この第一コンデンサＣ１で直流成分（バイアス電流
Ｉ20に対応する）をカットして変動電流Ｉ20＋ΔＩ20が
入力されたことによって生じる電位差の微少変動分のみ
を高分解能で測定することとなり、それは、図４（ｂ）
に示す振幅ΔＶ20を持ったパルス状の電位差として正確
に測定される。従ってこの場合のダイオードＤ１のオン
抵抗ＲONは、次式 ＲON＝ΔＶ20／ΔＩ20 により正確に求められる。
【００１３】この場合も、電流源４からパルス状の微少
変動電流ΔＩ20が立ち上がるまでは定常的にバイアス電
流Ｉ20がダイオードＤ１に流れている為、ダイオードＤ
１の動作点が定められ、またダイオードＤ１の温度は一
定に保たれている。また微少変動電流ΔＩ20はパルス状
にきわめて短い時間に与えられるので、ダイオードＤ１
の温度上昇によるオン抵抗の減少は無視できるものとな
り、正確なダイオードＤ１のオン抵抗測定が可能とな
る。また、図３において、ダイオードＤ１の両端の電位
差を安定させる為に第一電位差測定装置５に並列に抵抗
を接続しても良い。
変動電流ΔＩ20が立ち上がるまでは定常的にバイアス電
流Ｉ20がダイオードＤ１に流れている為、ダイオードＤ
１の動作点が定められ、またダイオードＤ１の温度は一
定に保たれている。また微少変動電流ΔＩ20はパルス状
にきわめて短い時間に与えられるので、ダイオードＤ１
の温度上昇によるオン抵抗の減少は無視できるものとな
り、正確なダイオードＤ１のオン抵抗測定が可能とな
る。また、図３において、ダイオードＤ１の両端の電位
差を安定させる為に第一電位差測定装置５に並列に抵抗
を接続しても良い。
【００１４】図５は本発明の請求項３の実施例を示す回
路図である。図６は図５に示す回路の動作を説明する波
形図である。図５は、図３に示す回路に図４におけるΔ
Ｉ20を測定する回路を加えた場合の回路図であり、抵抗
値が正確に分かっている抵抗Ｒ１は電流源４とダイオー
ドＤ１との間に、第二電位差測定装置５０は第二コンデ
ンサＣ２を介して抵抗Ｒ１に並列に接続されている。
路図である。図６は図５に示す回路の動作を説明する波
形図である。図５は、図３に示す回路に図４におけるΔ
Ｉ20を測定する回路を加えた場合の回路図であり、抵抗
値が正確に分かっている抵抗Ｒ１は電流源４とダイオー
ドＤ１との間に、第二電位差測定装置５０は第二コンデ
ンサＣ２を介して抵抗Ｒ１に並列に接続されている。
【００１５】次に、上記実施例の動作を図６（ａ），
（ｂ），（ｃ）の波形図を用いて説明する。図５におい
て、抵抗Ｒ１に電流源４からバイアス電流Ｉ20が流れて
いる状態で、図６（ａ）に示すパルス状の微少変動電流
ΔＩ20が重畳された変動電流Ｉ20＋ΔＩ20が抵抗Ｒ１に
入力すると、この電流の微少変動により抵抗Ｒ１の両端
の電位差は微少変動する。
（ｂ），（ｃ）の波形図を用いて説明する。図５におい
て、抵抗Ｒ１に電流源４からバイアス電流Ｉ20が流れて
いる状態で、図６（ａ）に示すパルス状の微少変動電流
ΔＩ20が重畳された変動電流Ｉ20＋ΔＩ20が抵抗Ｒ１に
入力すると、この電流の微少変動により抵抗Ｒ１の両端
の電位差は微少変動する。
【００１６】本実施例では第二電位差測定装置５０（例
えば１２ｂｉｔのデジタルオシロスコープ）は、第二コ
ンデンサーＣ２を介して抵抗Ｒ１に並列に接続されてい
るので、第二コンデンサＣ２で変動電流Ｉ20＋ΔＩ20の
直流成分（バイアス電流Ｉ20に対応する）をカットし、
変動電流Ｉ20＋ΔＩ20が入力されたことによって生じる
抵抗Ｒ１の両端の電位差の微少変動分のみを高分解能で
測定することとなり、それは、図６（ｂ）に示す振幅Δ
Ｖ30を持ったパルス状の電位差として正確に測定され
る。従ってこの場合のパルス状の微少変動電流ΔＩ
20は、次式、 ΔＩ20＝ΔＶ30／Ｒ１ により正確に求められる。
えば１２ｂｉｔのデジタルオシロスコープ）は、第二コ
ンデンサーＣ２を介して抵抗Ｒ１に並列に接続されてい
るので、第二コンデンサＣ２で変動電流Ｉ20＋ΔＩ20の
直流成分（バイアス電流Ｉ20に対応する）をカットし、
変動電流Ｉ20＋ΔＩ20が入力されたことによって生じる
抵抗Ｒ１の両端の電位差の微少変動分のみを高分解能で
測定することとなり、それは、図６（ｂ）に示す振幅Δ
Ｖ30を持ったパルス状の電位差として正確に測定され
る。従ってこの場合のパルス状の微少変動電流ΔＩ
20は、次式、 ΔＩ20＝ΔＶ30／Ｒ１ により正確に求められる。
【００１７】同時に、ダイオードＤ１の両端の電位差の
微少変動分も、請求項２の実施例の説明と同様に図６
（ｃ）においてパルス波形の電位差の振幅ΔＶ20として
正確に測定される。従ってこの場合のダイオードＤ１の
オン抵抗ＲONは、先に求めたΔＩ20を用いて、次式 ＲON＝ΔＶ20／ΔＩ20 により正確に求められる。
微少変動分も、請求項２の実施例の説明と同様に図６
（ｃ）においてパルス波形の電位差の振幅ΔＶ20として
正確に測定される。従ってこの場合のダイオードＤ１の
オン抵抗ＲONは、先に求めたΔＩ20を用いて、次式 ＲON＝ΔＶ20／ΔＩ20 により正確に求められる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、請求項
１においては、定電流源から供給される一定電流がバイ
アス電流として順方向に流されるダイオードと、前記ダ
イオードに第一コンデンサを介して並列に接続された既
知の微少変動電流を供給する交流電流源と、前記ダイオ
ードに並列に接続され前記ダイオードの両端の交流電位
差を測定する交流電位差測定装置とからなり、前記微小
変動電流の値と前記交流電位差測定装置の指示とから前
記ダイオードのオン抵抗を測定することを特徴とするよ
うに構成され、請求項２においては、既知のバイアス電
流と微少変動電流とが重畳された変動電流を供給する電
流源からの電流が順方向に流されるダイオードと、前記
ダイオードの両端の電位差を第一コンデンサを介して測
定する第一電位差測定装置とからなり、前記微小変動電
流の値と前記第一電位差測定装置の指示とから前記ダイ
オードのオン抵抗を測定することを特徴とするように構
成され、請求項３においては、前記請求項２のダイオー
ドのオン抵抗測定回路において、既知の抵抗値を持つ抵
抗を前記電流源と前記ダイオードとの間に接続し、前記
抵抗の両端の電位差を第二コンデンサを介して測定する
第二電位差測定装置を設け、前記抵抗の値と前記第一電
位差測定装置と前記第二電位差測定装置の指示から前記
ダイオードのオン抵抗を測定することを特徴とするよう
に構成されているので、所定の動作点においてダイオー
ドの自己発熱の影響を受けず正確にダイオードのオン抵
抗を測定できるダイオードのオン抵抗測定回路を提供す
ることができる。
１においては、定電流源から供給される一定電流がバイ
アス電流として順方向に流されるダイオードと、前記ダ
イオードに第一コンデンサを介して並列に接続された既
知の微少変動電流を供給する交流電流源と、前記ダイオ
ードに並列に接続され前記ダイオードの両端の交流電位
差を測定する交流電位差測定装置とからなり、前記微小
変動電流の値と前記交流電位差測定装置の指示とから前
記ダイオードのオン抵抗を測定することを特徴とするよ
うに構成され、請求項２においては、既知のバイアス電
流と微少変動電流とが重畳された変動電流を供給する電
流源からの電流が順方向に流されるダイオードと、前記
ダイオードの両端の電位差を第一コンデンサを介して測
定する第一電位差測定装置とからなり、前記微小変動電
流の値と前記第一電位差測定装置の指示とから前記ダイ
オードのオン抵抗を測定することを特徴とするように構
成され、請求項３においては、前記請求項２のダイオー
ドのオン抵抗測定回路において、既知の抵抗値を持つ抵
抗を前記電流源と前記ダイオードとの間に接続し、前記
抵抗の両端の電位差を第二コンデンサを介して測定する
第二電位差測定装置を設け、前記抵抗の値と前記第一電
位差測定装置と前記第二電位差測定装置の指示から前記
ダイオードのオン抵抗を測定することを特徴とするよう
に構成されているので、所定の動作点においてダイオー
ドの自己発熱の影響を受けず正確にダイオードのオン抵
抗を測定できるダイオードのオン抵抗測定回路を提供す
ることができる。
【図１】本発明の請求項１の実施例を示す回路図であ
る。
る。
【図２】図１に示す回路の動作を説明する波形図であ
る。
る。
【図３】本発明の請求項２の実施例を示す回路図であ
る。
る。
【図４】図２に示す回路の動作を説明する波形図であ
る。
る。
【図５】本発明の請求項３の実施例を示す回路図であ
る。
る。
【図６】図３に示す回路の動作を説明する波形図であ
る。
る。
【図７】従来のダイオードのオン抵抗測定回路図であ
る。
る。
【図８】従来のダイオードのオン抵抗測定を説明する為
のダイオード特性図である。
のダイオード特性図である。
１ 定電流源 ２ 交流電位差測定装置 ３ 交流電流源 ４ 電流源 ５ 第一電位差測定装置 ６ 可変電圧源 ７ 電流測定装置 ５０ 第二電位差測定装置 Ｄ１ ダイオード Ｃ１ 第一コンデンサ Ｃ２ 第二コンデンサ Ｒ１ 抵抗
フロントページの続き (72)発明者 内田 暁 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 鎌田 浩実 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 小林 信治 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 八木原 剛 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 野々山 淳 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】定電流源から供給される一定電流がバイア
ス電流として順方向に流されるダイオードと、前記ダイ
オードに第一コンデンサを介して並列に接続された既知
の微少変動電流を供給する交流電流源と、前記ダイオー
ドに並列に接続され前記ダイオードの両端の交流電位差
を測定する交流電位差測定装置とからなり、前記微小変
動電流の値と前記交流電位差測定装置の指示とから前記
ダイオードのオン抵抗を測定することを特徴とするダイ
オードのオン抵抗測定回路。 - 【請求項２】既知のバイアス電流と微少変動電流とが重
畳された変動電流を供給する電流源からの電流が順方向
に流されるダイオードと、前記ダイオードの両端の電位
差を第一コンデンサを介して測定する第一電位差測定装
置とからなり、前記微小変動電流の値と前記第一電位差
測定装置の指示とから前記ダイオードのオン抵抗を測定
することを特徴とするダイオードのオン抵抗測定回路。 - 【請求項３】前記請求項２のダイオードのオン抵抗測定
回路において、既知の抵抗値を持つ抵抗を前記電流源と
前記ダイオードとの間に接続し、前記抵抗の両端の電位
差を第二コンデンサを介して測定する第二電位差測定装
置を設け、前記抵抗の値と前記第一電位差測定装置と前
記第二電位差測定装置の指示から前記ダイオードのオン
抵抗を測定することを特徴とするダイオードのオン抵抗
測定回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22422492A JP3196859B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | ダイオードのオン抵抗測定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22422492A JP3196859B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | ダイオードのオン抵抗測定回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0666857A true JPH0666857A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3196859B2 JP3196859B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=16810456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22422492A Expired - Fee Related JP3196859B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | ダイオードのオン抵抗測定回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196859B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2015086A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-14 | Infineon Technologies Austria AG | Method for measuring an on-resistance of a load-path of a transistor |
| JP2011015535A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Nissan Motor Co Ltd | 電動機制御システム |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP22422492A patent/JP3196859B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2015086A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-14 | Infineon Technologies Austria AG | Method for measuring an on-resistance of a load-path of a transistor |
| JP2011015535A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Nissan Motor Co Ltd | 電動機制御システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3196859B2 (ja) | 2001-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |