JPH0665735A - 反応性高周波バイアススパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 相対向する高周波スパッタリング電極間をバ
イアスが印加される被処理物が移動しても、一定でしか
も安定なバイアス電界を発生することができ、ひいては
高品質なスパッタリング成膜を量産的に形成できる反応
性高周波スパッタリング装置を提供する点。 【構成】 本発明に係わる高周波スパッタリング装置で
は、相対向して配置するスパッタリング電極に印加する
高周波を発振器により発振すると共に、グリッドをスパ
ッタリング電極と被処理物支持機構間に設置するので、
高周波電流は、被処理物に流れずにスパッタリング電極
にながれるので、被処理物の表面状態や被処理物支持機
構の状態に依存する高周波インピーダンスの変化を受け
ずに安定したスパッタリング放電を発生・維持すること
ができる。更に、高周波の位相をほぼ１８０度または１
８０度±３０度ずらすことは、周波数のずれによる干渉
がなくなるので好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング成膜装
置に係わり、特に、成膜中に被処理物に電界を加えて膜
質を制御する高周波バイアススパッタリング装置に好適
するものである。

【０００２】

【従来の技術】高周波スパッタリングによる成膜工程中
に、被処理物に電界を印加して成膜を完了するバイアス
スパッタリング法は、被処理物に堆積する膜に関する密
着性、被覆性、成膜密度及び膜の結晶性の向上などの目
的から多用されている。

【０００３】この目的を達成する高周波バイアススパッ
タリング装置では、被処理物に直流バイアス電界が印加
できるように直流電源または交流電源に接続する方式を
採っている。この内、直流電源を用いる方法は、被処理
物及び成膜の導電性が高い場合に使用し、交流（高周
波）電源を用いる構造を図１に明らかにする。

【０００４】即ち、導電性材料例えばステンレスから成
る減圧容器１は、図示しない排気機構ならびに気体導入
機構を付設して所定の気体圧力に制御可能とし、更に内
部にマグネトロンスパッタリング放電（以後スパッタリ
ング放電と記載する）を発生するのに必要な部品として
平板状の両マグネトロンスパッタリング電極２（以後ス
パッタリング電極と記載する）と被処理物支持機構３を
互いに対向して取付ける。一方の平板状のスパッタリン
グ電極２の主面には、ターゲット４を電気的に接続して
設置すると共に、図３に示す磁界発生装置５、５を両者
間に連続して取付け、更に流路６を備えた冷却機構を一
体に形成する。図２に記載した平板状のスパッタリング
電極２、２は、簡略化していることを付記する。

【０００５】しかし、平板状のスパッタリング電極２と
減圧容器１を電気的に絶縁するために両者の接触部分に
第１絶縁層７を配置する他に、固定には固定機構８を利
用しており、更に減圧容器１内の気密性を保持するため
第１絶縁層７及び固定機構８には、図示しない真空シー
ル機構を設置する。

【０００６】被処理物支持機構３は、被処理物９、被処
理物ホルダ１０及び遮蔽板１１により構成し、減圧容器
１間との電気的絶縁を保持するために接触部分に第２絶
縁層１２を配置し、更に被処理物支持機構３には、バイ
アス印加用の高周波電源１３を高周波整合器１４を介し
て電気的に接続し、その上被処理物９の冷却部材即ち流
路６に加えて加熱部材及び移動部材を併設する。

【０００７】このような高周波バイアススパッタリング
装置での動作について説明すると、先ず高周波電源１３
から発する高周波を平板状のスパッタリング電極２に印
加することにより、減圧容器１内部にスパッタリング放
電が発生し、このスパッタリング放電を介して生ずる高
周波電流が、高周波放電に面する被処理物９及び遮蔽板
１１ならびに減圧容器１に流れる。更に、膜形成材料で
あるターゲット４表面に発生する負の直流自己バイアス
電位によって放電空間に存在する気体イオンがターゲッ
ト４表面を衝撃してターゲット材料が飛散する。しか
も、飛散したターゲット材料は、被処理物９表面に堆積
することによってターゲット材料から成る薄膜即ち成膜
が得られる。高周波バイアススパッタリング法により被
処理物９表面へのターゲット材料堆積過程では、被処理
物９表面でスパッタリング放電をバイアス印加用高周波
電源１３により発生し、スパッタリング電極２表面と同
様に被処理物９表面を気体イオンで衝撃しながら薄膜を
形成するので、結合力の弱い薄膜部分や不必要な堆積粒
子を除去でき、安定した品質の薄膜が形成できる。

【０００８】近年、ＬＣＤ技術の発展に伴い基板の大型
化及び生産性の向上が求められており、図２に明らかに
した量産設備が知られている。図２では、図１と同一の
機能を発揮する部品には同じ番号を付ける。即ち、移動
可能な被処理物支持機構３の両側に平板状のスパッタリ
ング電極２を設置する方式が採られており、２個の被処
理物に同時にスパッタリング成膜を行って、生産性を向
上する利点を備えている。構造としては、減圧容器１を
三分割するために気密隔離バルブ機構１５、１５を設置
している。成膜工程に当たっては、気密隔離バルブ機構
１５、１５を減圧容器１内にセットして中央部分を１０
^-4〜１０^-5パスカルとした後、２枚の被処理物９、９を
固定した被処理物支持機構３を左側の扉１６を開けて挿
入する。次に減圧機構を稼働して中央部分と同じ減圧状
態としてから、気密隔離バルブ機構１５、１５を解放し
て減圧容器１内を所定の減圧状態として、所定のスパッ
タリング成膜工程に移行する。なお右側の扉１６は、高
周波スパッタリング後開けて移動した被処理物９、９を
取出す。扉１６には気密状態が維持できる真空シール機
構（図示せず）を当然設置する。スパッタリング成膜工
程中に次々に被処理物支持機構３を移動することにな
る。

【０００９】独立した高周波電源１３、高周波整合器１
６を電気的に接続した平板状のスパッタリング電極２、
２のスパッタリング成膜工程では、被処理物９を配置し
た被処理物支持機構３を平板状のスパッタリング電極
２、２間を連続して移動しながら同時に成膜を堆積す
る。このスパッタリング成膜工程終了時には、図２の減
圧容器１の右側方向に被処理物９を配置した被処理物支
持機構３を移動後、前記の方法で成膜を堆積した被処理
物９の大量生産を行う。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】高周波電源１３により
発生する高周波電流は、スパッタリング電極２に対向し
て配置する被処理物支持機構３や減圧容器１に流れる
が、被処理物支持機構３から対向して配置するスパッタ
リング電極２や減圧容器１にも流れる。一方、減圧容器
１の高周波インピーダンスは、常に一定であるが、スパ
ッタリング電極２及び被処理物支持機構３には、高周波
が同時に印加され、交番電界によるインピーダンスが一
定でないため安定した高周波電流が流れない。この結
果、被処理物９表面にアーク放電が、遮蔽板１１と減圧
容器１間にホローカソード放電が発生するなどにより、
自己バイアス電位の大きさに影響を与えることになり、
意図的にバイアス電位を制御することが困難になる。

【００１１】しかも、スパッタリング電極２に供給する
高周波電界と、被処理物支持機構３に供給する高周波電
界の発振周波数は、発振回路定数の経時変化によって正
確に一致させることが困難となり、わずかな発振周波数
のずれにより互いに干渉して低周波数のうなりを生ず
る。これによりアーク放電の発生、局部へのホローカソ
ード放電の発生が不安定になり、兩電極間に安定なグロ
ー放電を発生するのが困難になる。従って、再現性よく
バイアス電界を印加することが困難になる。

【００１２】更に、移動する被処理物９に安定にかつ再
現性よく高周波電力を供給するのには、高周波電源１３
と被処理物９を常に一定の高周波インピーダンスで接続
しなければならないが、成膜工程中に被処理物９を移動
する時は、常に状態が変化しているために運動伝達機構
のインピーダンスを一定に維持することは不可能に近
い。

【００１３】更に図２に示したスパッタリング装置で
は、膜質制御を目的としてバイアススパッタリングを行
うと、平板状のスパッタリング電極２、２により発生す
るスパッタリング放電の中を第３の高周波が供給される
被処理物支持機構３を移動するために、高周波の干渉は
より複雑であり、安定なスパッタリング放電を発生する
のが困難である。

【００１４】図４には、図１のスパッタリング装置の平
板状の両スパッタリング電極による放電における曲線
が、縦軸にＶＤＣ（電圧Ｖ）を、横軸に放電時間を採っ
て示すが、極めて不安定な放電状態が明らかである。Ｖ
ＤＣは、高周波放電を行った場合、スパッタリング電極
に発生する直流自己バイアスである。

【００１５】本発明は、このような事情により成された
もので、相対向する高周波スパッタリング電極間を、バ
イアスが印加される被処理物が成膜工程中移動する際で
も、被処理物に一定でかつ、安定なバイアス電界を発生
することができ、ひいては高品質なスパッタリング成膜
を量産的に形成できる反応性高周波スパッタリング装置
を提供することを目的とするものである。

【００１６】

【課題を解決するのための手段】減圧容器に相対向して
取付ける一組の高周波マグネトロンスパッタリング電極
と，前記減圧容器及び高周波マグネトロンスパッタリン
グ電極の接触部分に設置する絶縁物層と，前記高周波マ
グネトロンスパッタリング電極に電気的に接続して配置
するターゲット層と，前記高周波マグネトロンスパッタ
リング電極及びターゲット間に一体に取付ける磁界装置
と，前記高周波マグネトロスパッタリング電極間に配置
する減圧容器と絶縁する被処理物支持機構と，前記被処
理物支持機構に固定して設ける被処理物と，前記高周波
マグネトロスパッタリング電極と前記被処理物間に配置
する前記ターゲット面積以下の部分に網目を形成するグ
リッドと，前記高周波マグネトロンスパッタリング電極
に電気的に接続する発振器を備える点が、本発明に係わ
る高周波スパッタリング装置の特徴である。

【００１７】更に、前記高周波マグネトロンスパッタリ
ング電極間に磁界を印加する点と、前記高周波マグネト
ロンスパッタリング電極に電気的に接続して設置するタ
ーゲット表面の磁界を可変にする点と、前記ターゲット
表面と被処理物表面間の距離を可変にする機構を磁界装
置に設ける点にも前記高周波スパッタリング装置の特徴
がある。

【００１８】

【作用】本発明に係わる高周波スパッタリング装置で
は、相対向して配置する一台以上の高周波マグネトロン
スパッタリング電極即ちスパッタリング電極を配置し、
かつ、被処理物支持機構は移動可能もしくは静止状態で
減圧容器に配置する。被処理物のインピーダンスを高め
る手段として被処理物とスパッタリング電極間に配置す
るグリッドに高周波電流が流れないようにする。このた
めにスパッタリング電極に高周波電流が流れるので、高
周波スパッタリング放電は、被処理物表面状態や支持機
構の状態に依存する高周波インピーダンスの変化を受け
ずに安定かつ高品質な成膜を安定して堆積することがで
きために、高品質なスパッタリング成膜を得る。

【００１９】加えて、相対向して配置するスパッタリン
グ電極に印加する高周波を発振器により発振させると共
に、高周波の位相をほぼ１８０度もしくは１８０度±３
０度ずらすことによって周波数のずれによる干渉を発生
することなくスパッタリング放電が得られる。しかも、
相対向して配置するスパッタリング電極間に配置する被
処理物の高周波電位を一定に保持することが可能になる
ので、被処理物では、高周波電位の変動に伴う異常放電
を防ぐことができると共に、一定の直流自己バイアス電
位が発生する。また、相対向するスパッタリング電極間
方向に磁界を印加するとによって高周波電流がスパッタ
リング電極近傍の減圧容器などに流入せずに被処理物に
流れるのでバイアス電位が大きくなる。従って、複数の
高周波による干渉に起因する異常放電などの問題が起ら
ない。更に、印加するバイアス電位の大きさの制御は、
磁界の強さと、スパッタリング電極表面からターゲット
と被処理物の距離により制御する。

【００２０】

【実施例】本発明に係わる実施例を新番号を付けた図５
乃至図１２を参照して説明する。即ち、本発明に係わる
高周波バイアススパッタリング装置では、減圧容器を気
密隔離バルブ機構により分割して挿入搬出可能な被処理
物にスパッタリング成膜を行い、また、被処理物を支持
する被処理支持機構をスパッタリング電極間に位置する
減圧容器部分に静止または移動しながらスパッタリング
成膜工程を行う。実施例の説明として、移動可能な装置
の構造から始める。導電性物質例えばステンレスから成
る減圧容器２０は、気密隔離バルブ機構２１、２１によ
り例えば３つに区分けすることができる。本実施例で
は、単一の種類から成る高周波スパッタリング成膜を堆
積する方式を採っているが、複数種の成膜を堆積する場
合には、相対向して配置する一組のスパッタリング電極
の複数組を減圧容器２０に配置するために気密隔離バル
ブ機構により多分割できるようにして、所定の複数種の
高周波スパッタリング成膜を堆積する。

【００２１】スパッタリング放電により成膜を堆積する
被処理物２２は、被処理物支持機構２３にセット後、減
圧容器２０に出入れするために気密隔離バルブ機構２
１、２１を駆動して減圧容器２０を三分割する。即ち、
被処理物２２をセットした被処理物支持機構２３を減圧
容器２０に挿入するには、所定の真空度例えば１０^-5パ
スカルに維持した減圧容器２０を、気密隔離バルブ機構
２１、２１をセットして中央部分を閉じる。次に、減圧
容器２０の一部に設置した、開閉自在でかつ気密状態を
維持できるシール機構（図示せず）を備えた扉２４、２
４を開けて大気状態としてから、被処理物２２をセット
した被処理物支持機構２３を挿入する。次に扉２４、２
４を閉じてから減圧して中央部分と同一の真空度とし、
更に気密隔離バルブ機構２１、２１を再度開けて減圧容
器２０内を同一真空度としてスパッタリング放電に移行
する。

【００２２】スパッタリング放電を行うのに必要な一組
以上の平板状のスパッタリング電極２５、２５を減圧容
器２０に相対向して設置するが、減圧容器２０との接触
部分には、絶縁物層２６を設置する。また、図８に示す
ように、磁界装置２７及び後述するターゲット３１を平
板状のスパッタリング電極２５、２５に連続して形成し
て一体とする。即ち、放電により高温となる平板状のス
パッタリング電極２５、２５は、熱伝導性の良い材料例
えば銅で構成し、図８のように銅で構成する平板状のス
パッタリング電極本体２８内に磁界装置２７を設置し、
これに連続してターゲット３１を半田付けにより電極本
体２８に取付ける。

【００２３】本実施例の磁界装置２７には、冷却媒体が
流れる水路２９を設け、これを囲んで設置する複数の磁
石３０…は、極性の違うものを互い違いに配置すると共
に、相対向して配置する平板状のスパッタリング電極２
５、２５では、極性の違う磁石３０が向合った状態とす
る。更に、第１モータ３２により鉛直方向に移動可能と
するが、減圧容器２０と平板状のスパッタリング電極本
体２８の間には、絶縁物層２６を形成して絶縁を確保す
る。

【００２４】以上の構造を備えた磁界装置２７では、極
性の違う磁石３０が向合って配置されているために、図
８の矢印により明らかにするように、平板状の両スパッ
タリング電極２５、２５方向の磁力線ａと、隣合った磁
石３０、３０に向かう磁力線ｂが発生し、同極性の磁石
を向合わせた従来の技術と違って磁力線ａが得られるの
が特徴である。

【００２５】被処理物２２をセットした被処理物支持機
構２３を、図６ａの平面図と図６ｂの側面図により説明
すると、一対の支持部３３には、成膜を堆積する被処理
物２２例えばガラスをセットするが、その上端には、ガ
ラスが倒れないようにベアリング機構を備えたガイド３
４を設ける。更にまた、下の支持部３３には、第２モー
タ３５に直結した移動機構即ちローラ３６を設置してガ
ラス２２が減圧容器２０内を移動可能にする。

【００２６】また、被処理物２２としては、ガラスのよ
うな絶縁物に限定されず、導電性材料も適用可能であ
る。ローラ３６は、図６に明らかにしたように３重構造
の中心部分にテフロンから成る第１絶縁部３７を設置し
て被処理物支持機構２３と減圧容器２０を絶縁し、図７
ａには、ローラ３６と支持部３３の間にギヤ構造３８を
設置した被処理物支持機構２３の上面図を示した。また
図７ｂは、被処理物２２を支持部３３に２個取付けた例
を示しており、この場合は支持部３３に第２絶縁部３９
を設置する。前記実施例では、減圧容器２０を３分割し
て一種類の材料を堆積する手法が示されているが、複数
種類の材料を堆積するために、減圧容器２０に相対向し
て配置する複数組の平板状のスパッタリング電極２５を
設置することもある。この場合は、減圧容器２０に気密
隔離機構２１を平板状のスパッタリング電極数より一つ
余分に設置して、前記実施例と同様に被処理物支持機構
２３の挿入などに備える。

【００２７】次にグリッドについて図９ａ、ｂ、ｃによ
り説明する。グリッド４０は、図９ａ、ｂに明らかにす
るように導電性金属例えば銅で網目４１…を構成してい
る。グリッド４０は、図９ａにあるような被処理物２２
に堆積する成膜に対応する面積だけに網目４１を設けた
型と、図９ｂのように全体に網目４１を形成した型も適
用できる。

【００２８】グリッドの特徴としては、図９ｃに示すよ
うに、被処理物支持機構２３の移動方向に沿った方向即
ち横方向の金属線４２、４２の関係がある。即ち、隣り
合った横方向の金属線Ａの下端は、金属線Ｂの上端より
上方に位置して堆積する成膜の厚さが不均一になること
を防止する。

【００２９】取付け場所は、通常スパッタリング電極２
５に取付けたターゲット３１を囲んで減圧容器２０に、
捩子などで機械的に固定する。

【００３０】次に、被処理物２２を減圧容器２０内を移
動して高周波放電を行う本発明に係わる高周波スパッタ
リング装置の放電について説明するが、高周波電源から
高周波を印加する減圧容器２０が基準電位となること及
び実際の放電には、例えばアルゴンガスを導入して例え
ば１０^-2パスカル程度の減圧状態とすることを付記す
る。

【００３１】このようなスパッタリング放電は、後述す
る手段により安定化することができるものの、それだけ
で被処理物２２に制御されたバイアス電位を発生するこ
とはできない。即ち、スパッタリング放電が発生する
と、平板状のスパッタリング電極２６、２６の対向電極
となる被処理物支持機構２３に高周波電流が流れるため
に自己バイアスが発生する。

【００３２】しかし、被処理物支持機構２３の移動に伴
うインピーダンスの変化によって流れる高周波電流が変
化して自己バイアスが一定とならない。

【００３３】本実施例に係わる高周波バイアススパッタ
リング装置の平板状のスパッタリング電極２５には、図
５に示すように独立した高周波整合器４３を介して高周
波電源に電気的に接続する。また、高周波電源として
は、高周波発振器４４、発振した高周波を２系統に分配
して位相をずらす位相調整器４５、電力を増幅し２つの
平板状のスパッタリング電極２５に高周波を供給する独
立の電力増幅器４６と他の電力増幅器４７により構成す
る。

【００３４】このような構成によると、高周波発振器４
４により発振した高周波を位相調整器４５により位相を
ほぼ１８０度または１８０度±３０度ずらして、平板状
のスパッタリング電極２５、２５に分配・増幅して供給
する。

【００３５】これにより、発振回路に経時変化が発生し
ても、平板状のスパッタリング電極２５、２５に供給す
る高周波電力の周波数が同一となり、平板状のスパッタ
リング電極２５、２５により生ずる高周波スパッタリン
グ放電における周波数の違いによる異常放電は、発生し
ない。

【００３６】その上、平板状のスパッタリング電極２
５、２５に供給する高周波は、位相がほぼ１８０度また
は１８０度±３０度異なっているために、その間に配置
する被処理物支持機構２３の高周波電位は、減圧容器２
０を接地することにより常に一定に保たれる。従って、
被処理物支持機構２３を配置する減圧容器２０に対する
電位変動により、被処理物支持機構２３と減圧容器２０
間に異常放電が発生しない。

【００３７】このような構造により発生するスパッタリ
ング放電を安定化することができるが、これだけでは、
被処理物２２に制御されたバイアス電位を発生させるこ
とはできない。従って前記のようなインピーダンスに着
目した手段を採っている。

【００３８】次に放電の変動に対応して変化するＶＤＣ
については、縦軸にＶＤＣ電圧（Ｖ）を、横軸に放電時
間（分）を採って両者の関係を示す図１１及び図１２に
より検討する。即ち、被処理物支持機構２３と減圧容器
２０間に絶縁有無によるＶＤＣ電圧の相違が明確に示さ
れており、両曲線を比べると、図１２即ち絶縁を施した
方がはるかに安定している。

【００３９】また、先ず従来の技術即ち発振器の位相を
ずらしていない場合は極めて大きな変動が現れる（図４
参照）の比べて、図１１、図１２では極めて平坦になっ
ており、本発明の有効性を明らかに示している。しか
し、図１１の曲線を詳細に見ると、周期的に多少大きな
変動が現れているのに対して、図１２では現れていない
ことが分る。また、図１０は、被処理物２２の移動及び
被処理物支持機構２３に取付けるローラ３４等に絶縁を
施さない時に得られる曲線であり、図１１のようにロー
ラ３４等に絶縁を施すと図１０より極めて平坦な曲線が
得られる。

【００４０】更に、本発明に係わる高周波スパッタリン
グ装置では、極性の違う磁石を相対向して配置する方式
を採っているので、平板状のスパッタリング電極間方向
の磁力線ａが発生するので、被処理物に流れるバイアス
電位が大きくなる。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、本発明に係わる高周波ス
パッタリング装置では、安定したスパッタリング放電を
発生でき、ターゲット材料が絶縁物であっても、スパッ
タリング膜が絶縁物であっても安定に堆積して成膜が得
られる。しかも、平板状のスパッタリング電極に面して
２個の被処理物を配置することによって生産性を２倍に
することが可能になる。その上、所望のバイアス電位制
御、所望のスパッタリング成膜の形成が可能になるなど
顕著な効果を発揮でき、生産性の高い高周波スパッタリ
ング装置である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の高周波スパッタリング装置の要部を示す
断面図である。

【図２】従来の他の型の高周波スパッタリング装置の要
部を示す断面図である。

【図３】従来の高周波スパッタリング装置に設置する磁
界装置の断面図である。

【図４】従来の高周波スパッタリング装置における放電
時間に対応して変化するＶＤＣ電圧を示す曲線図であ
る。

【図５】本発明に係わる高周波スパッタリング装置の要
部を示す断面図である。

【図６】本発明に係わる高周波スパッタリング装置に設
置する被処理物支持機構２３に関する図である。図６ａ
はその上面図、図６ｂは側面図である。

【図７】本発明に係わる高周波スパッタリング装置に設
置する他の被処理物支持機構に関する図である。図７ａ
はその上面図、図７ｂは側面図である。

【図８】本発明に係わる高周波スパッタリング装置に設
置する磁界装置の断面図である。

【図９】本発明に係わる高周波スパッタリング装置に設
置するグリッドに関する断面図である。図９ａはその一
例を示す図である。図９ｂは他の例を示す図である。図
９ｃは横線Ａ、Ｂの位置関係を示す図である。

【図１０】本発明に係わる高周波スパッタリング装置に
おける放電時間に対応して変化するＶＤＣ電圧を示す曲
線図である。

【図１１】絶縁を施した被処理物支持機構を備えた本発
明に係わる高周波スパッタリング装置における放電時間
に対応して変化するＶＤＣ電圧を示し、位相を１８０度
±３０度ずらした高周波を印加して得られる曲線図であ
る。

【図１２】本発明に係わる高周波スパッタリング装置に
おける放電時間に対応して変化するＶＤＣ電圧を示し、
位相を１８０度ずらした高周波を印加して得られる曲線
図である。

【符号の説明】

２０：減圧容器、 ２１：気密隔離バルブ機構、 ２２：被処理物、 ２３：被処理物支持機構、 ２４：扉、 ２５：スパッタリング電極、 ２６：絶縁物層、 ２７：磁界装置 ２８：スパッタリング電極本体、 ２９：水路、 ３０：磁石、 ３１：ターゲット、 ３２、３５：モータ、 ３３：支持部、 ３４：ガイド、 ３６：ローラ、 ３７、３９：絶縁部、 ３８：ギヤ、 ４０：グリッド、 ４１：網目、 ４２：金属線、 ４３：高周波整合器、 ４４：高周波発振器、 ４５：位相調整器、 ４６、４７：電力増幅器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 吉己 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧容器に相対向して取付ける高周波マ
   グネトロンスパッタリング電極と，前記減圧容器及び高
   周波マグネトロンスパッタリング電極の接触部分に設置
   する絶縁物層と，前記高周波マグネトロンスパッタリン
   グ電極に電気的に接続して形成するターゲットと，前記
   高周波マグネトロンスパッタリング電極及びターゲット
   間に一体に取付ける磁界装置と，前記高周波マグネトロ
   スパッタリング電極間に位置する減圧容器部分に絶縁し
   て配置する被処理物支持機構と，前記被処理物支持機構
   に固定して設ける被処理物と、前記高周波マグネトロン
   スパッタリング電極と前記被処理物間に配置する、前記
   ターゲット面積以下の部分に網目を形成するグリッド
   と，前記高周波マグネトロンスパッタリング電極に電気
   的に接続する発振器を具備することを特徴とする反応性
   高周波バイアススパッタリング装置。