JPH0661891B2 - 導電性ポリイミド成形物の製造法 - Google Patents
導電性ポリイミド成形物の製造法Info
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- JPH0661891B2 JPH0661891B2 JP1137040A JP13704089A JPH0661891B2 JP H0661891 B2 JPH0661891 B2 JP H0661891B2 JP 1137040 A JP1137040 A JP 1137040A JP 13704089 A JP13704089 A JP 13704089A JP H0661891 B2 JPH0661891 B2 JP H0661891B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規な導電性ポリイミド成形物の製造法に関
する。
する。
従来技術及びその課題 従来、ポリイミド成形物への導電性の付与は、無電解メ
ッキが非常に困難であるため、一般に銅板を張り合わせ
ることにより行われている。しかし、この方法には、処
理工程が複雑で、しかも薄膜状のものが得られ難く、又
接着剤を使用するので接着層の耐熱性が劣るため優れた
耐熱性を有するというポリイミドの特性を生かせないと
いう欠点がある。
ッキが非常に困難であるため、一般に銅板を張り合わせ
ることにより行われている。しかし、この方法には、処
理工程が複雑で、しかも薄膜状のものが得られ難く、又
接着剤を使用するので接着層の耐熱性が劣るため優れた
耐熱性を有するというポリイミドの特性を生かせないと
いう欠点がある。
課題を解決するための手段 本発明者は、上記従来技術の欠点を解消し、ポリイミド
成形物に密着性に優れた導電性被膜を簡便な方法で形成
すべく鋭意研究した。その結果、ポリイミド成形物にイ
ミド基の活性化処理を施した後、２価の銅イオンを配位
させ、これを含硫黄還元剤で１価に還元することによ
り、目的が達成できることを見出だした。
成形物に密着性に優れた導電性被膜を簡便な方法で形成
すべく鋭意研究した。その結果、ポリイミド成形物にイ
ミド基の活性化処理を施した後、２価の銅イオンを配位
させ、これを含硫黄還元剤で１価に還元することによ
り、目的が達成できることを見出だした。
本発明は、かかる知見に基づき完成されたものである。
即ち本発明は、イミド基の活性化処理を施したポリイミ
ド成形物を２価の銅イオン溶液で処理し次いで含硫黄還
元剤と接触させて銅イオンを１価に還元して、ポリイミ
ド成形物の表面に硫化第１銅被膜を密着形成せしめるこ
とを特徴とする導電性ポリイミド成形物の製造法に係る 本発明で得られる導電性ポリイミド成形物は、ポリイミ
ド成形物の表面に硫化第１銅被膜が密着形成されている
ものである。本発明における硫化第１銅被膜の厚さは、
特に限定されないが、通常０．０１〜５０μｍ程度であ
る。硫化第１銅被膜は、極めて優れた密着性を有してお
り、又耐寒性、耐熱性にも優れている。また、硫化第１
銅被膜は、ポリイミド成形物表面を均一に被膜している
ので導電性が非常に安定している。
ド成形物を２価の銅イオン溶液で処理し次いで含硫黄還
元剤と接触させて銅イオンを１価に還元して、ポリイミ
ド成形物の表面に硫化第１銅被膜を密着形成せしめるこ
とを特徴とする導電性ポリイミド成形物の製造法に係る 本発明で得られる導電性ポリイミド成形物は、ポリイミ
ド成形物の表面に硫化第１銅被膜が密着形成されている
ものである。本発明における硫化第１銅被膜の厚さは、
特に限定されないが、通常０．０１〜５０μｍ程度であ
る。硫化第１銅被膜は、極めて優れた密着性を有してお
り、又耐寒性、耐熱性にも優れている。また、硫化第１
銅被膜は、ポリイミド成形物表面を均一に被膜している
ので導電性が非常に安定している。
本発明の導電性ポリイミド成形物の製造法は、以下の如
く行なわれる。
く行なわれる。
本発明におけるポリイミド成形物は、例えばポリピロメ
リット酸系イミド、ポリビフェニル系イミド、ポリケト
ンイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポ
リアミノビスマレイミド、ポリパラバン酸等のイミド基
を有するポリマーのフィルム、繊維、布、或いは直方
体、プレート状、筒状、球状等の各種形状の成形体等で
ある。また、該成形物は、ポリイミド以外の樹脂とポリ
イミドとの多層構造になっているもの又はこれらの混合
物からなるものであっても良い。
リット酸系イミド、ポリビフェニル系イミド、ポリケト
ンイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポ
リアミノビスマレイミド、ポリパラバン酸等のイミド基
を有するポリマーのフィルム、繊維、布、或いは直方
体、プレート状、筒状、球状等の各種形状の成形体等で
ある。また、該成形物は、ポリイミド以外の樹脂とポリ
イミドとの多層構造になっているもの又はこれらの混合
物からなるものであっても良い。
最初にポリイミド成形物に対して、イミド基の活性化処
理を施す。この活性化処理は、イミド基に２価の銅イオ
ンが配位できるようにするための前処理である。この活
性化処理は、ポリイミドを相溶、膨潤又は一部分解させ
るような性質を有する、ハロゲン、ハロゲン化合物、ア
ルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物及びア
ルカリ金属炭酸塩から選ばれる少なくとも１種を用いて
行うことができる。ここで、ハロゲンとしてはヨウ素、
臭素等を、ハロゲン化合物としてはヨウ化カリウム、ヨ
ウ化ナトリウム、ヨウ化リチウム、臭化カリウム、臭化
ナトリウム、臭化リチウム等のアルカリ金属ハロゲン化
物の如き化合物を、アルカリ金属水酸化物としては水酸
化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等を、
アルカリ土類金属水酸化物としては水酸化バリウム、水
酸化カルシウム等を、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸
カリウム、炭酸ナトリウム等を挙げることができる。こ
れらの内、アルカリ金属水酸化物を用いて処理を行うの
が好ましく、アルカリ金属水酸化物次いでハロゲン及び
／又はハロゲン化合物を用いて二段階で処理を行うのが
特に好ましい。
理を施す。この活性化処理は、イミド基に２価の銅イオ
ンが配位できるようにするための前処理である。この活
性化処理は、ポリイミドを相溶、膨潤又は一部分解させ
るような性質を有する、ハロゲン、ハロゲン化合物、ア
ルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物及びア
ルカリ金属炭酸塩から選ばれる少なくとも１種を用いて
行うことができる。ここで、ハロゲンとしてはヨウ素、
臭素等を、ハロゲン化合物としてはヨウ化カリウム、ヨ
ウ化ナトリウム、ヨウ化リチウム、臭化カリウム、臭化
ナトリウム、臭化リチウム等のアルカリ金属ハロゲン化
物の如き化合物を、アルカリ金属水酸化物としては水酸
化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等を、
アルカリ土類金属水酸化物としては水酸化バリウム、水
酸化カルシウム等を、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸
カリウム、炭酸ナトリウム等を挙げることができる。こ
れらの内、アルカリ金属水酸化物を用いて処理を行うの
が好ましく、アルカリ金属水酸化物次いでハロゲン及び
／又はハロゲン化合物を用いて二段階で処理を行うのが
特に好ましい。
この活性化処理は、ハロゲン、ハロゲン化合物、アルカ
リ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物及びアルカ
リ金属炭酸塩から選ばれる少なくとも１種の水溶液に、
ポリイミド成形物を浸漬することにより好適に行なうこ
とができる。この際の水溶液の濃度は、用いた溶剤の種
類に応じて種々変動し一定しないが、一例を挙げると、
アルカリ金属水酸化物の水溶液を用いる場合は通常０．
５〜３．０mol/程度の濃度とするのが適当である。ま
た、ハロゲン及びハロゲン化合物の混合水溶液を用いる
場合は、それぞれを通常０．００２〜０．５mol/程度
の濃度とするのが適当である。処理温度は、特に限定さ
れないが、通常４０〜９０℃程度とするのが適当であ
る。また、処理時間も種々変動し一定しないが、通常の
場合、１分〜１０時間程度とするのが適当である。
リ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物及びアルカ
リ金属炭酸塩から選ばれる少なくとも１種の水溶液に、
ポリイミド成形物を浸漬することにより好適に行なうこ
とができる。この際の水溶液の濃度は、用いた溶剤の種
類に応じて種々変動し一定しないが、一例を挙げると、
アルカリ金属水酸化物の水溶液を用いる場合は通常０．
５〜３．０mol/程度の濃度とするのが適当である。ま
た、ハロゲン及びハロゲン化合物の混合水溶液を用いる
場合は、それぞれを通常０．００２〜０．５mol/程度
の濃度とするのが適当である。処理温度は、特に限定さ
れないが、通常４０〜９０℃程度とするのが適当であ
る。また、処理時間も種々変動し一定しないが、通常の
場合、１分〜１０時間程度とするのが適当である。
イミド基の活性化処理を行なわない場合は、次いで行な
う２価の銅イオン溶液での処理において該銅イオンの配
位が起こらず、硫化第１銅被膜を形成することは出来な
い。従って、この活性化処理の際に、ポリイミド成形物
の一部を処理溶液に浸漬したり又は一部をマスキングし
ておいたりして、ポリイミド成形物の任意の部分に活性
化処理を行なうことにより、所望の部分のみに硫化第１
銅被膜を形成することが容易にできる。例えば、フィル
ムの片面のみに硫化第１銅被膜を形成したり、成形体の
導電化を必要とする面のみに該被膜を形成したりするこ
とが容易にできる。
う２価の銅イオン溶液での処理において該銅イオンの配
位が起こらず、硫化第１銅被膜を形成することは出来な
い。従って、この活性化処理の際に、ポリイミド成形物
の一部を処理溶液に浸漬したり又は一部をマスキングし
ておいたりして、ポリイミド成形物の任意の部分に活性
化処理を行なうことにより、所望の部分のみに硫化第１
銅被膜を形成することが容易にできる。例えば、フィル
ムの片面のみに硫化第１銅被膜を形成したり、成形体の
導電化を必要とする面のみに該被膜を形成したりするこ
とが容易にできる。
尚、イミド基の活性化処理に先立って、必要ならば、通
常の脱脂処理を行なっても良い。
常の脱脂処理を行なっても良い。
次に、上記活性化処理を施したポリイミド成形物を２価
の銅イオン溶液で処理し、次いで含硫黄還元剤と接触還
元処理する。
の銅イオン溶液で処理し、次いで含硫黄還元剤と接触還
元処理する。
２価の銅イオン溶液による処理は、特に限定されない
が、例えば硝酸第２銅、硫酸第２銅、酢酸第２銅、塩化
第２銅等の第２銅塩の通常０．０１〜１０mol/程度好
ましくは０．１〜５mol/の水溶液に、４０〜８５℃程
度の温度下で２分〜３時間程度浸漬することにより行な
うのが良い。
が、例えば硝酸第２銅、硫酸第２銅、酢酸第２銅、塩化
第２銅等の第２銅塩の通常０．０１〜１０mol/程度好
ましくは０．１〜５mol/の水溶液に、４０〜８５℃程
度の温度下で２分〜３時間程度浸漬することにより行な
うのが良い。
含硫黄還元剤による接触還元処理は、特に限定されない
が、例えばチオ硫酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、硫
化ナトリウム、チオ硫酸カリウム、亜硫酸カリウム、硫
化カリウム等の含硫黄還元剤の通常０．０１〜１０mol/
程度好ましくは０．１〜５mol/の水溶液に、２０〜
１００℃程度好ましくは４０〜９０℃の温度下で３分〜
１０時間程度好ましくは０．５〜７時間浸漬することに
より行なうのが良い。
が、例えばチオ硫酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、硫
化ナトリウム、チオ硫酸カリウム、亜硫酸カリウム、硫
化カリウム等の含硫黄還元剤の通常０．０１〜１０mol/
程度好ましくは０．１〜５mol/の水溶液に、２０〜
１００℃程度好ましくは４０〜９０℃の温度下で３分〜
１０時間程度好ましくは０．５〜７時間浸漬することに
より行なうのが良い。
２価の銅イオン溶液による処理と含硫黄還元剤による接
触還元処理とは、それぞれ別の容器を用いて行なっても
良いが、前者の処理終了後の処理溶液を特に除去するこ
となく、その容器に後者の処理溶液を更に加えて連続的
に後者の処理を行なうのがより好適である。これらの処
理は、適宜攪拌又は振盪して行なうのが適当である。
触還元処理とは、それぞれ別の容器を用いて行なっても
良いが、前者の処理終了後の処理溶液を特に除去するこ
となく、その容器に後者の処理溶液を更に加えて連続的
に後者の処理を行なうのがより好適である。これらの処
理は、適宜攪拌又は振盪して行なうのが適当である。
２価の銅イオン溶液による処理次いで含硫黄還元剤によ
る接触還元処理を行なうことにより、２価の銅イオンが
イミド基に配位し、次いで該イオンが１価に還元される
と同時に硫黄が結合して、金属光沢を有する硫化第１銅
被膜がポリイミド成形物表面に密着形成される。硫化第
１銅被膜の厚さは、前者の処理における第２銅塩の濃度
に依存するが、前記の通り、通常０．０１〜５０μｍ程
度である。
る接触還元処理を行なうことにより、２価の銅イオンが
イミド基に配位し、次いで該イオンが１価に還元される
と同時に硫黄が結合して、金属光沢を有する硫化第１銅
被膜がポリイミド成形物表面に密着形成される。硫化第
１銅被膜の厚さは、前者の処理における第２銅塩の濃度
に依存するが、前記の通り、通常０．０１〜５０μｍ程
度である。
かくして、目的の導電性ポリイミド成形物を製造、収得
できる。
できる。
発明の効果 本発明により、下記の如き顕著な効果が奏される。
(1)種々のポリイミド成形物の表面に硫化第１銅被膜
を、極めて簡便に密着形成でき、目的の導電性ポリイミ
ド成形物を容易に収得できる。
を、極めて簡便に密着形成でき、目的の導電性ポリイミ
ド成形物を容易に収得できる。
(2)硫化第１銅被膜の密着性は、極めて優れており、ク
ロスカッティング試験では通常ほぼ１００％の密着率を
示す。
ロスカッティング試験では通常ほぼ１００％の密着率を
示す。
(3)硫化第１銅被膜は、ポリイミド成形物表面を均一に
被覆しているので、導電性が非常に安定している。ま
た、導電性自体については、被覆されていないポリイミ
ド成形物が通常１０15Ω・cm程度の電気抵抗を示すのに
対して、本発明で得られる導電性ポリイミド成形物では
電気抵抗が通常１０４Ω・cm以下程度になり優れた導電
性を示すに至る。
被覆しているので、導電性が非常に安定している。ま
た、導電性自体については、被覆されていないポリイミ
ド成形物が通常１０15Ω・cm程度の電気抵抗を示すのに
対して、本発明で得られる導電性ポリイミド成形物では
電気抵抗が通常１０４Ω・cm以下程度になり優れた導電
性を示すに至る。
(4)硫化第１銅被膜は、耐寒性、耐熱性にも優れてい
る。
る。
実施例 以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明す
る。
る。
実施例１ ポリピロメリット酸系イミド（鐘淵化学工業（株）製、
「アピカル５０ＡＨＳ」、表面固有抵抗値５．２×１０
14Ω／□）の正方形フィルム（厚さ５０μｍ、一辺８c
m）を１mol/の水酸化カリウム水溶液に６０℃で３０
分間浸漬した後約５分流水で水洗し、次いでヨウ素１０
mmol/でヨウ化カリウム２０mmol/の混合水溶液に４
０℃で１時間浸漬した後約５分流水で水洗して前処理を
行なった。次いで、硫酸第２銅水溶液２０ml（０．１mo
l/）に室温で数分間浸漬し、それにチオ硫酸ナトリウ
ム水溶液２０ml（０．１mol/）を加えて、８０℃で加
熱し３時間振盪後、水洗乾燥して、青緑の金属光沢を有
する硫化第１銅被膜が上記フィルムの両面に密着形成さ
れた目的の導電性ポリイミドフィルムを得た。
「アピカル５０ＡＨＳ」、表面固有抵抗値５．２×１０
14Ω／□）の正方形フィルム（厚さ５０μｍ、一辺８c
m）を１mol/の水酸化カリウム水溶液に６０℃で３０
分間浸漬した後約５分流水で水洗し、次いでヨウ素１０
mmol/でヨウ化カリウム２０mmol/の混合水溶液に４
０℃で１時間浸漬した後約５分流水で水洗して前処理を
行なった。次いで、硫酸第２銅水溶液２０ml（０．１mo
l/）に室温で数分間浸漬し、それにチオ硫酸ナトリウ
ム水溶液２０ml（０．１mol/）を加えて、８０℃で加
熱し３時間振盪後、水洗乾燥して、青緑の金属光沢を有
する硫化第１銅被膜が上記フィルムの両面に密着形成さ
れた目的の導電性ポリイミドフィルムを得た。
この導電性フィルムの表面固有抵抗値を、アドバンテッ
ク（株）製の「ＴＲ６８４３マルチメーター」を使用し
て２点法により測定したところ２．２×１０２Ω／□で
あった。
ク（株）製の「ＴＲ６８４３マルチメーター」を使用し
て２点法により測定したところ２．２×１０２Ω／□で
あった。
また、この導電性フィルムの硫化第１銅被膜の密着性を
下記のクロスカッティング試験法による密着率で評価し
たところ１００％であり、密着性が極めて優れることが
判った。
下記のクロスカッティング試験法による密着率で評価し
たところ１００％であり、密着性が極めて優れることが
判った。
○密着率の測定……試験すべき導電性フィルムの導電面
に縦、横１mm間隔で碁盤目状にフィルム面に達する刻線
を１１本ずつ入れた後、刻線上に巾１．０〜１．５cm、
長さ３〜５cmの粘着テープ（ニチバン（株）製、「メン
ディングテープ」）をはり付け、次にフィルム面に対し
て９０〜１８０°の方向にテープを一気に引き剥がし、
碁盤目１００個のうち硫化第１銅被膜が剥がれないで残
った個数の割合を％で表示した。これらの操作はすべて
室温で行なった。
に縦、横１mm間隔で碁盤目状にフィルム面に達する刻線
を１１本ずつ入れた後、刻線上に巾１．０〜１．５cm、
長さ３〜５cmの粘着テープ（ニチバン（株）製、「メン
ディングテープ」）をはり付け、次にフィルム面に対し
て９０〜１８０°の方向にテープを一気に引き剥がし、
碁盤目１００個のうち硫化第１銅被膜が剥がれないで残
った個数の割合を％で表示した。これらの操作はすべて
室温で行なった。
また、この導電性フィルムをＸ線光電子分光法（ＥＳＣ
Ａ）（島津製作所（株）製、「ＥＳＣＡ７５０」）によ
り表面分析を行なったところ、硫化第１銅のピークを確
認した。また、この導電性フィルムを走査型電子顕微鏡
（日本電子（株）製、「Ｔ−１００」）により観察した
ところ、厚さ０．１〜０．２μｍの硫化第１銅被膜が均
一に密着形成されていることが判った。更に、この導電
性フィルムの耐寒性を液体窒素（−１７６℃）に３０分
間浸漬後前記密着率の測定をすることにより、又耐熱性
を沸騰水に３０分浸漬後前記密着率の測定をすることに
より、それぞれ調べたところ、いずれにおいても１００
％の密着率を示し、耐寒性及び耐熱性に優れることが判
った。
Ａ）（島津製作所（株）製、「ＥＳＣＡ７５０」）によ
り表面分析を行なったところ、硫化第１銅のピークを確
認した。また、この導電性フィルムを走査型電子顕微鏡
（日本電子（株）製、「Ｔ−１００」）により観察した
ところ、厚さ０．１〜０．２μｍの硫化第１銅被膜が均
一に密着形成されていることが判った。更に、この導電
性フィルムの耐寒性を液体窒素（−１７６℃）に３０分
間浸漬後前記密着率の測定をすることにより、又耐熱性
を沸騰水に３０分浸漬後前記密着率の測定をすることに
より、それぞれ調べたところ、いずれにおいても１００
％の密着率を示し、耐寒性及び耐熱性に優れることが判
った。
実施例２ ポリイミド成形物として、ポリビフエニル系イミド（宇
部興産（株）製、「ユーピレックスＳ」、表面固有抵抗
値４．２×１０14Ω／□）又はポリケトンイミド（日本
チバガイギー（株）製、「プロビミド２８５」、表面固
有抵抗値５．０×１０14Ω／□）の正方形フィルム（い
ずれも厚さ１２０μｍ、一辺８cm）を用いた以外は、実
施例１と同様にして２種の目的の導電性ポリイミドフィ
ルムを得た。
部興産（株）製、「ユーピレックスＳ」、表面固有抵抗
値４．２×１０14Ω／□）又はポリケトンイミド（日本
チバガイギー（株）製、「プロビミド２８５」、表面固
有抵抗値５．０×１０14Ω／□）の正方形フィルム（い
ずれも厚さ１２０μｍ、一辺８cm）を用いた以外は、実
施例１と同様にして２種の目的の導電性ポリイミドフィ
ルムを得た。
この導電性フィルムの表面固有抵抗値を、実施例１と同
様にして測定したところ、前者は１．９×１０２Ω／
□、後者は３．０×１０２Ω／□であった。また、前期
密着率の測定によりそれぞれ密着率を調べたところ、い
ずれも１００％であった。
様にして測定したところ、前者は１．９×１０２Ω／
□、後者は３．０×１０２Ω／□であった。また、前期
密着率の測定によりそれぞれ密着率を調べたところ、い
ずれも１００％であった。
更に、これらの導電性フィルムを実施例１と同様に走査
型電子顕微鏡を用いて観察したところ、硫化第１銅被膜
が均一に密着形成されていることが判った。
型電子顕微鏡を用いて観察したところ、硫化第１銅被膜
が均一に密着形成されていることが判った。
実施例３ ポリイミド成形物として、ポリアミドイミド（東レ
（株）製、「ＴＩポリマー」、表面固有抵抗値４．９×
１０14Ω／□）又はポリエーテルイミド（三菱樹脂
（株）製、「スペリオＵＴ」、表面固有抵抗値３．９×
１０14Ω／□）の正方形フィルム（いずれも厚さ１２０
μｍ、一辺８cm）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て２種の目的の導電性ポリイミドフィルムを得た。
（株）製、「ＴＩポリマー」、表面固有抵抗値４．９×
１０14Ω／□）又はポリエーテルイミド（三菱樹脂
（株）製、「スペリオＵＴ」、表面固有抵抗値３．９×
１０14Ω／□）の正方形フィルム（いずれも厚さ１２０
μｍ、一辺８cm）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て２種の目的の導電性ポリイミドフィルムを得た。
これらの導電性フィルムの表面固有抵抗値を、実施例１
と同様にして測定したところ、前者は２．６×１０２Ω
／□、後者は１．６×１０２Ω／□であった。また、前
期密着率の測定によりそれぞれ密着率を調べたところ、
いずれも１００％であった。
と同様にして測定したところ、前者は２．６×１０２Ω
／□、後者は１．６×１０２Ω／□であった。また、前
期密着率の測定によりそれぞれ密着率を調べたところ、
いずれも１００％であった。
実施例４ ポリイミド成形物として、ポリパラバン酸（東燃石油化
学（株）製、「ＳＯＬＤＡＸ−ＭＦ」、表面固有抵抗値
３．９×１０14Ω／□）の正方形フィルム（厚さ１２０
μｍ、一辺８cm）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て目的の導電製ポリイミドフィルムを得た。
学（株）製、「ＳＯＬＤＡＸ−ＭＦ」、表面固有抵抗値
３．９×１０14Ω／□）の正方形フィルム（厚さ１２０
μｍ、一辺８cm）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て目的の導電製ポリイミドフィルムを得た。
この導電製フィルムの表面固有抵抗値を、実施例１と同
様にして測定したところ３．０×１０２Ω／□であっ
た。また、前期密着率の測定により密着率を調べたとこ
ろ１００％であった。
様にして測定したところ３．０×１０２Ω／□であっ
た。また、前期密着率の測定により密着率を調べたとこ
ろ１００％であった。
実施例５ ポリイミド成形物として、ポリアミノビスマレイミド
（三菱ガス化学（株）製、「ＢＴレジン」、表面固有抵
抗値４．８×１０14Ω／□）の正方形プレート（厚さ３
mm、一辺８cm）を用いた以外は、実施例１と同様にして
目的の導電性ポリイミドプレートを得た。
（三菱ガス化学（株）製、「ＢＴレジン」、表面固有抵
抗値４．８×１０14Ω／□）の正方形プレート（厚さ３
mm、一辺８cm）を用いた以外は、実施例１と同様にして
目的の導電性ポリイミドプレートを得た。
この導電性プレートの表面固有抵抗値を、実施例１と同
様にして測定したところ１．６×１０２Ω／□であっ
た。また、前期密着率の測定により密着率を調べたとこ
ろ１００％であった。
様にして測定したところ１．６×１０２Ω／□であっ
た。また、前期密着率の測定により密着率を調べたとこ
ろ１００％であった。
実施例 ６ ポリエーテルイミド（三菱樹脂（株）製、「スペリオＵ
Ｔ」、表面固有抵抗値３．９×１０14Ω／□）の正方形
フィルム（厚さ５０μｍ、一辺８cm）を１mol/の水酸
化ナトリウム水溶液に６０℃で２．５時間浸漬した後、
約５分流水で水洗して前処理を行なった。次いで、硫酸
第２銅水溶液２０ml（０．１mol/）に室温で数分間浸
漬し、それにチオ硫酸ナトリウム水溶液２０ｍ（０．
１mol/）を加えて、８０℃で加熱し３時間振盪後、水
洗乾燥して、青緑の金属光沢を有する硫化第１銅被膜が
上記フィルムの両面に密着形成された目的の導電性ポリ
イミドフィルムを得た。
Ｔ」、表面固有抵抗値３．９×１０14Ω／□）の正方形
フィルム（厚さ５０μｍ、一辺８cm）を１mol/の水酸
化ナトリウム水溶液に６０℃で２．５時間浸漬した後、
約５分流水で水洗して前処理を行なった。次いで、硫酸
第２銅水溶液２０ml（０．１mol/）に室温で数分間浸
漬し、それにチオ硫酸ナトリウム水溶液２０ｍ（０．
１mol/）を加えて、８０℃で加熱し３時間振盪後、水
洗乾燥して、青緑の金属光沢を有する硫化第１銅被膜が
上記フィルムの両面に密着形成された目的の導電性ポリ
イミドフィルムを得た。
この導電性フィルムの表面固有抵抗値を、実施例１と同
様にして測定したところ１．８×１０２Ω／□であっ
た。また、前期密着率の測定により密着率を調べたとこ
ろ１００％であった。
様にして測定したところ１．８×１０２Ω／□であっ
た。また、前期密着率の測定により密着率を調べたとこ
ろ１００％であった。
Claims (2)
- 【請求項１】イミド基の活性化処理を施したポリイミド
成形物を２価の銅イオン溶液で処理し次いで含硫黄還元
剤と接触させて銅イオンを１価に還元して、ポリイミド
成形物の表面に硫化第１銅被膜を密着形成せしめること
を特徴とする導電性ポリイミド成形物の製造法。 - 【請求項２】イミド基の活性化処理をハロゲン、ハロゲ
ン化合物、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水
酸化物及びアルカリ金属炭酸塩から選ばれる少なくとも
１種を用いて行う請求項１記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137040A JPH0661891B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 導電性ポリイミド成形物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137040A JPH0661891B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 導電性ポリイミド成形物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237A JPH03237A (ja) | 1991-01-07 |
| JPH0661891B2 true JPH0661891B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=15189457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137040A Expired - Lifetime JPH0661891B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 導電性ポリイミド成形物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661891B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0538656B1 (en) * | 1991-10-01 | 1997-07-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | System for accommodating sitting attitude of vehicle occupant |
| LT2000074A (lt) * | 2000-07-20 | 2002-01-25 | Mykolas Baranauskas | Elektrai laidžių dangų ant dielektriko paviršiaus gavimo būdas |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270128A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-08 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 導電性ポリエ−テルイミド系樹脂材料及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1137040A patent/JPH0661891B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03237A (ja) | 1991-01-07 |
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