JPH0661746A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0661746A JPH0661746A JP5163253A JP16325393A JPH0661746A JP H0661746 A JPH0661746 A JP H0661746A JP 5163253 A JP5163253 A JP 5163253A JP 16325393 A JP16325393 A JP 16325393A JP H0661746 A JPH0661746 A JP H0661746A
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00346—Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
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Abstract
質的に排除する平衡ドライバ回路を有する半導体装置を
提供することを目的とする。 【構成】 この平衡ドライバ回路は平衡伝送ラインを駆
動する従来の平衡ドライバ回路と似ているが、本発明の
平衡ドライバ回路は両端でインピーダンス整合され、且
つ、チップ中のエミッタ・ホロワの出力端と直列に接続
された抵抗を有する。それらの抵抗は終端抵抗からエミ
ッタ・ホロワの出力インピーダンスを減じたものと等し
い値を持つ。一次リード線及び二次リード線と呼ばれる
一対の信号リード線間のインピーダンスが上記終端抵抗
の和に等しい。二次リード線を流れる電流は、一次リー
ド線を流れる電流と同じ大きさを持つが逆の符合を持
つ。従って、共通接地リード線を流れる帰路電流は無視
できる量である。
Description
導体装置に関し、特に誘導ノイズを排除するチップ搭載
平衡ドライバを有する論理回路半導体装置に関する。
の性能を制限する主なものに、同時にスイッチング動作
を行なう多くのドライバを持つ高速、高ピン・アウトの
集積回路(IC)チップを接続するときに遭遇する誘導
ノイズが有る。例えば、256×256のサイズのアレ
ーを単一のチップ上に作成することが可能であるが、し
かしそのように大きなアレーは、該チップ上の出力リー
ド線を駆動しているライン・ドライバによって誘導ノイ
ズが生成されるために実際的ではない。多数のドライバ
が同時に活性状態にあるとき、相当な過渡電流が接地回
路電源間配電系統のインダクタンスを通って流れ、電源
ライン及び接地ライン上に出現するノイズ・スパイクを
引き起こす。その結果による電源電圧レベル及び接地電
圧レベルの変動によって、デバイスに誤ったスイッチン
グ動作が起きてデータのエラーや損失が随伴する。
幾つかの技術が提案されている。回路レベルでは、この
誘導ノイズは各ドライバのスイッチング動作時間を少し
ずつずらすことによって低減することができる。しか
し、スイッチング動作時間を少しずつずらすとスイッチ
ング速度が減じられる欠点が有り、且つ、クロック分配
が複雑化する欠点が有る。構造レベルでは、同時スィッ
チング規則(SSR)と称される設計規準のような技術
が、チップ中で同時に起動される必要があるドライバの
数を限定するために使用可能である。このSSRは同時
にスイッチング動作を行なうことができるドライバ回路
の数を制約し、その結果論理誤りが起きなくなる線形不
等式である。しかし、このSSRによって強いられる制
約は機械サイクル時間ペナルティに変形され、且つ、装
置の性能評定に影響を及ぼす。従って、上記機械サイク
ルへの影響を最小にするために上記SSRが展開されて
いるときは、何らかの妥協が為されなければならない。
れる他のアプローチには、半田バンプ・リード線やテー
プ・オートメーテッド・ボンディング(TAB)のよう
なチップ装着技術が包含されている。しかし、このTA
Bの使用は実質的に従来のワイヤボンディングよりも費
用が掛かり、ワイヤ・ボンディング技術の信頼性をかち
得ていない。ワイヤ・ボンディングは大きな投資を伴う
成熟した信頼性の有る技術であるので、誘導ノイズを低
減し且つワイヤ・ボンディング技術を堅持するのに望ま
しい。
力損失のペナルティ無しに誘導ノイズを本質的に排除す
る平衡ドライバ回路を提供することを目的とする。
平衡伝送ラインを駆動する従来の平衡ドライバ回路と似
ているが、本ドライバ回路は該伝送ラインに両端でイン
ピーダンス整合をもたらす。このインピーダンス整合は
チップ中のエミッタ・ホロワの出力端と直列に抵抗を接
続することによって達成される。それらの抵抗は終端抵
抗からエミッタ・ホロワの出力インピーダンスを減じた
ものと等しい値を持つ。それらの抵抗に接続された一次
リード線及び二次リード線と呼ばれる一対の信号リード
線が存在する。二次リード線を流れる電流は、一次リー
ド線を流れる電流と同じ大きさを持つが逆の符合を持
つ。従って、共通接地リード線を流れる帰路電流は無視
できる量である。この構成はECL(エミッタ結合型論
理)技術、GaAsロジック技術及びBiCMOS(バ
イポーラ相補型金属酸化膜半導体)ロジック技術を包含
する種々の同族のロジック類内で履行することができ
る。この平衡ドライバ回路はまた、印刷配線基板(PW
B)やマルチ・チップ・モジュール(MCM)上の平衡
接続ラインを駆動しているときに別の目的のために使用
することが可能である。
平衡伝送ライン6を駆動するために使用される従来の方
法を示す図である。この図にはその回路のAC部のみが
表示されており、従って、電源電圧、バイアス抵抗、電
圧プレーン及びバイパス・コンデンサは省略されてい
る。このような不平衡チップ・ドライバ回路1に関連す
る問題に、ドライバ集積回路チップ4中に存在するチッ
プ接地面8と印刷配線基板14、即ち、各集積回路間の
電気的連絡を行なうPWB、MCMと関連するチップ接
地面16との間に誘導過渡電位差が生じる問題がある。
接地電位に於けるこの電位差はドライバ電流の変化率、
スイッチング動作を行なっているチップ・ドライバの
数、及び接地帰路の合成インダクタンスに比例する。そ
の変化率の接地帰路電流Igが、上記チップの受端装置
(図示せず)に在る終端抵抗18から、接地スルー・ホ
ール20、チップ接地面16、そのチップの接地スルー
・ホール22、ドライバ集積回路チップ4のボンディン
グ・ワイヤ24の上の接地スルー・ホール26を通り、
最終的にそのドライバ集積回路チップ4のチップ接地面
8へ流れる。それら二つのチップ接地面8及び16の間
に誘起される誘導ノイズの大きさはVnとして表わされ
ている。相互インダクタンスを無視すると、誘導ノイズ
は次式、即ち
で近似して与えられる。なお、Lsは接地帰路の自己イ
ンダクタンスであり、nは同一の方向に同時にスイッチ
ングしているチップ・ドライバの数であり、Iはその信
号電流の変化率(ma/ns)であり、Ngはそのチッ
プ上の接地リード線の数である。
0ma/ns、(即ち、1v/(50Ω)(1ns))
で、且つ、Ls = 2.62nH(即ち、100ミルの
ワイヤ・ボンド)では、式(1)からVn = 140m
Vの誘導ノイズがもたらされる。Vnのこの値は、漏話
が等量のノイズの一因となり得るので特に重要である。
更に、そのチップの立上がり時間が1nsから0.1n
sの値に低減されるとき、Vnはその誘導ノイズが圧倒
的になるようにする程度の大きさだけ増大する。
回路2を図2に図示されているような平衡ドライバ回路
30で置換することによって無視できる量に低減するこ
とが可能である。第一信号リード線32、第二信号リー
ド線34として与えられている一対のドライバ・リード
線が存在している。第一信号リード線32と第二信号リ
ード線34の対の対応関係は、パッド36と38まで、
及び接続装置中のチップ受端装置(図示せず)、即ち、
マルチ・チップ・モジュール(MCM)内の他のIC或
いはPWB上の他のICまで持続されている。従って、
第二信号リード線34に流れている電流は第一信号リー
ド線32に流れている電流と同じ大きさを持つが逆符合
であり、従って誘導ノイズは生成されない。従来の平衡
チップ・ドライバ回路31を使用する際の欠点は、不平
衡チップ・ドライバ回路1と比較して二倍の大きさの電
力が必要であることである。これ以上の詳細な考察は、
ここでの説明のための参照に供される1992年2月2
5日に出願された「外部チップ接続ラインの誘導ノイズ
を低減するための平衡回路(Balanced Cir
cuitry For Reducing Induct
ive NoiseOf External Chip I
nterconnections)」なる表題の米国特
許出願第07/841139号に見いだすことができ
る。
を、誘導ノイズを本質的に排除ししかも不平衡チップ・
ドライバ回路1と同じ量の電力を消失する平衡チップ・
ドライバ回路28で置換するものである。これは、各不
平衡ドライバ回路2を図3及び図5に図示されている平
衡ドライバ回路30で単に置換することによって達成さ
れる。平衡ドライバ回路30は、各々が抵抗44及び4
6と直列に接続されている二個のエミッタ・ホロワ出力
段40及び42から成っている。それら抵抗44及び4
6は、各々が、一緒にして平衡伝送ラインと称される第
一信号リード線32かまたは第二信号リード線34の何
れかと直列に接続されている。平衡伝送ラインの信号リ
ード線32及び34は終端抵抗48と50とによって終
端されている。受端装置53は終端抵抗48及び50と
並列に接続されている。
34は両端がインピーダンス整合されている。エミッタ
・ホロワ出力段40及び42はRoで与えられている出
力インピーダンスを持っている。終端抵抗48及び50
はRBで与えられているいる値を持っている。抵抗44
と46とは、各々が終端抵抗48または50からエミッ
タ・ホロワ出力段40及び42の出力インピーダンスを
減じた値、即ち、RB− Roで与えられる値を有する。
積回路の内部で接続されており、その結果、第二信号リ
ード線34を流れる電流は、従来の平衡チップ・ドライ
バでの場合と同じく、第一信号リード線32を流れる電
流と同じ大きさで逆の符合を持っている。従って、接地
帰路中では正味の電流変化率が存在せず、即ちIg =0
であるので誘導ノイズは生成されず、Vn = 0であ
る。更に、第一信号リード線32と第二信号リード線3
4との間のZBで与えられるインピーダンスは、終端抵
抗48また50の値の二倍に等しい。
れる電力は、抵抗44及び46が付加されている結果、
不平衡チップ・ドライバ回路1から消失される電力損失
と等しい。抵抗44及び46の値は、終端抵抗48或い
は50からエミッタ・ホロワ出力段40及び42の出力
インピーダンスを減じたものに等しい値でなければなら
ない。電力損失が等しくなる条件の決定を次に説明す
る。
ダンス整合している従来の不平衡チップ・ドライバ回路
1を示す図である。この不平衡チップ・ドライバ回路1
はRoで与えられている出力インピーダンス、Zoで与え
られているインピーダンスを持つ不平衡伝送ライン6、
RTで与えられている値を持つ終端抵抗54、−VTで与
えられている電圧を持つ電源52、及び受端装置58か
ら成っている。−V1及び−V2はその回路に与えられる
二つの論理レベルを表わしている。不平衡チップ・ドラ
イバ回路1の出力部分によって消失される時間平均電力
損失は次の二式(2)、(3)で与えられる。
即ち、
不平衡チップ・ドライバ回路1の出力部分から消失され
る電力損失は、同様に次式(4)で与えられる。
なお、PUiはそのチップの内部(即ち、エミッタ・ホロ
ワ出力段56)で消失される平均不平衡電力損失であ
り、PUeはそのチップの外部(即ち、終端抵抗54)で
消失される平均不平衡電力損失である。PUiは次式
(5)、即ち、
で与えられ、PUeは次式(6)で与えられる。
ドライバ回路28の出力部分で消失される電力損失は不
平衡部で消失される電力損失の二倍であると考えられる
が、RT = 2RB − Roであり、従って次式(7)及
び(8)が成立する。即ち、
イバ回路28の出力部分で消失される電力損失は次式
(9)で与えることができる。即ち、
なお、PBiはそのチップの内部、即ちエミッタ・ホロワ
出力段40と42とで消失される平均平衡電力損失であ
り、PBeはそのチップの外部、即ち、四個の抵抗44、
46、48、50で消失される平均平衡電力損失であ
る。PBiは次式(10)、即ち、
で与えられ、PBeは次式(11)で与えられる。
チップ・ドライバ回路1の出力部分で消失される電力損
失が同じである制約条件を賦課することによって、式
(8)から、
即ち、
と
とが得られる。ここで、式(8)が一般的な集積回路
ドライバに於いて動作電圧VT、V2及びV1とは無関係
に保持される普遍的な計算結果であることが重要であ
る。
ク(図3参照)及びGaAsロジック(図5参照)を包
含する種々の同族のロジック類で履行することができ
る。例えば、ECL技術を使用するときは、VTを2ボ
ルト、V2を1.705ボルト、V1を0.955ボル
ト、RTを50オーム、Roを6オームとする。提示され
たそれらの値を使用して、平衡ドライバ回路のみならず
不平衡ドライバ回路に於いても次の表に示す結果が得ら
れる。 表 6オームのRoを持つECLドライバ回路の平均電力損失 不平衡ドライバ 平衡ドライバ (RT = 50Ω、Zo = 50Ω) (RB = 53Ω、ZB = 106Ω) PU = 26.80mW PB = 26.80mW PUi = 15.01 PBi = 15.01 PUe = 11.79 PBe = 11.79
路30の出力部のうち、図3乃至図6では図示されてい
ない残りの部分は同等であり、同一の電力を消失する。
従って、PUi及びPUeの値のみが、それぞれ終端抵抗5
0やエミッタ・ホロワ出力段40及び42で消失される
平均電力損失を占めている。チップ搭載ECLドライバ
回路の残りの部分で消失される電力損失を勘定に入れる
と、約25mWの共通電力損失がPUiとPBiとの両方に
付加されなければならない。図3に図示されているEC
L技術は、図5に図示されているそれと匹敵し同様な結
果が得られるGaAs技術で置換することが可能であ
る。不平衡GaAsドライバ2及び平衡GaAsドライ
バ30に於いて、VTが2ボルト、V2が1.9ボルト、
V1が0.4ボルト、RTが50オーム、Roが8オー
ム、RBが54オームであると想定する。すると、上記
各式から、PUとPBとが34mWになり、PUiとPBiと
が8.3mWになり、PUeとPBeとが25.7mWにな
る。同様に、GaAsに於いては、PUi及びPBiに包含
されていないチップ搭載ドライバの電力損失は、ECL
技術に於ける25mWではなくて約225mWであり、
これらGaAsドライバはECLドライバより速い三倍
乃至五倍の速度で動作する。ECLロジック・レベルと
匹敵する高速のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)技
術を使用する履行でも、同様に、誘導ノイズを本質的に
排除する結果が得られる。しかし、その回路では不平衡
チップ・ドライバ回路1で消失される平均電力損失の二
倍が消失される。
・ボンディングという現在のチップ装着技術とともに用
い、従って、半田バンプ及びTABのような新しい低雑
音チップ装着技術を用いるだけでなく、多大な投資が為
されている自動ワイヤ・ボンディング設備を利用するこ
とが可能である。平衡チップ・ドライバ回路28には、
大量のデジタル・ワードを約0.1nsか、またはそれ
以下でスイッチングするために必要なデジタル・アーキ
テクチャを導入する備えが構じられている。漏話を低減
するのに確実な利益が有る1992年2月25日に出願
された「外部チップ接続ラインの誘導ノイズを低減する
ための平衡回路(Balanced Circuitr
y For Reducing Inductive No
iseOf External Chip Interc
onnections)」なる表題の米国特許出願第0
7/841139号に記載されているように、平衡チッ
プ・ドライバ回路28がPWB14及びMCM上の平衡
接続ラインを駆動するために使用されているときは、高
いノイズ免疫性及び基底ノイズの排除特性が得られる。
最後に、平衡チップ・ドライバ回路28は高速のオプト
エレクトニクスに適し、且つ、MCM上への高温超伝導
体接続ラインの導入や、高密度高性能の電子装置に適し
ている。
適用することができる多くの実行可能な特定具体例のう
ちの極く僅かな例を例証するものである。エミッタ・ホ
ロワを他の平衡ドライバ形態のもので置換したり、或い
は集積回路中の抵抗44及び46を補償するような多数
且つ種々の他の構成が、本発明の精神から逸脱すること
無く、当業者によりこれらの原理に従って容易に案出す
ることが可能である。
失のペナルティ無しに誘導ノイズを本質的に排除する平
衡ドライバ回路を提供することが可能となる利点があ
る。
は、発明の容易なる理解のためのもので、その範囲を制
限するように理解されるべきものではない。
従来のAC回路を示す図である。
来のAC回路を示す図である。
CLまたはBiCMOSロジックを使用する、本発明に
よる平衡ドライバ回路に対する出力回路を示す図であ
る。
BiCMOSロジックを使用している不平衡ドライバ回
路に対する従来の出力回路を示す図である。
ックを有する本発明による一例の平衡ドライバ回路に対
する出力回路を示す図である。
ックを使用している不平衡ドライバ回路に対する従来の
出力回路を示す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 各々が出力インピーダンスRoを有し、
且つ、出力端子を有する第一及び第二のエミッタ・ホロ
ワ出力段(40、42)と、 それぞれ前記第一及び第二のエミッタ・ホロワ出力段の
出力端子に直列に接続されている第一及び第二の抵抗
(44、46)と、 それぞれ前記第一及び第二の抵抗を介して前記第一及び
第二のエミッタ・ホロワ出力段の出力端子に直列に接続
され、且つ、各々が出力端が有する第一及び第二の伝送
ライン(32、34)と、 前記第一及び第二の伝送ラインの出力端の間に直列に接
続された第一及び第二の終端抵抗(48、50)と、 前記第一及び第二の終端抵抗の間に接続された電圧源
(52)と、 前記第一及び第二の伝送ラインの出力端の間に接続され
た受端装置(53)とを有し、且つ、 前記第一及び第二の終端抵抗の各々が、RBにほぼ等し
い抵抗を有し、 前記第一及び第二の抵抗の各々が、RB − Roにほぼ等
しい抵抗を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 少なくとも前記第一及び第二のエミッタ
・ホロワ出力段が、エミッタ結合型論理を用いて実行さ
れることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 少なくとも前記第一及び第二のエミッタ
・ホロワ出力段が、GaAsロジックを用いて実行され
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 少なくとも前記第一及び第二のエミッタ
・ホロワ出力段が、バイポーラ相補型金属酸化物半導体
ロジックを用いて実行されることを特徴とする、請求項
1に記載の半導体装置。
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