JPH0661568A - ファイバ光増幅器 - Google Patents
ファイバ光増幅器Info
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- JPH0661568A JPH0661568A JP21037692A JP21037692A JPH0661568A JP H0661568 A JPH0661568 A JP H0661568A JP 21037692 A JP21037692 A JP 21037692A JP 21037692 A JP21037692 A JP 21037692A JP H0661568 A JPH0661568 A JP H0661568A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 飽和出力が高く、ノイズの少ないファイバ光
増幅器を提供する。 【構成】 励起用半導体レーザ源１と、ＥｒとＹｂがド
ープされている希土類ドープファイバ４とを光結合器３
を介して連結してファイバ増幅器を構成する。励起光と
して８５０ｎｍから９００ｎｍの波長域の励起用レーザ
を用いる。Ｙｂは７００ｎｍ〜１１５０ｎｍの範囲の広
い吸収帯を持っており、Ｅｒは８５０ｎｍ〜９８０ｎｍ
にかけて励起状態吸収（ＥＳＡ）がなので効率よく利得
を得ることができる。
増幅器を提供する。 【構成】 励起用半導体レーザ源１と、ＥｒとＹｂがド
ープされている希土類ドープファイバ４とを光結合器３
を介して連結してファイバ増幅器を構成する。励起光と
して８５０ｎｍから９００ｎｍの波長域の励起用レーザ
を用いる。Ｙｂは７００ｎｍ〜１１５０ｎｍの範囲の広
い吸収帯を持っており、Ｅｒは８５０ｎｍ〜９８０ｎｍ
にかけて励起状態吸収（ＥＳＡ）がなので効率よく利得
を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、希土類、特にエルビ
ウム（Ｅｒ）をドープしたファイバ増幅器に関し、特に
高飽和出力の得られるこの種のファイバ光増幅器に関す
る。
ウム（Ｅｒ）をドープしたファイバ増幅器に関し、特に
高飽和出力の得られるこの種のファイバ光増幅器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、エルビウム（Ｅｒ）、ネオジウム
（Ｎｄ）等の希土類元素をドープした光ファイバが、所
定の励起光で励起することにより特定の波長帯の光信号
を増幅することが見出されている。例えばＮｄをドープ
した光ファイバでは、１．３μｍ帯に、Ｅｒをドープし
た光ファイバでは１．５μｍ帯に各々光増幅機能を有す
ることが報告されている。このような希土類ドープ光フ
ァイバはファイバレーザ、光増幅器として応用すること
ができ光通信システムの高効率化、高品質化を図ること
が期待される。
（Ｎｄ）等の希土類元素をドープした光ファイバが、所
定の励起光で励起することにより特定の波長帯の光信号
を増幅することが見出されている。例えばＮｄをドープ
した光ファイバでは、１．３μｍ帯に、Ｅｒをドープし
た光ファイバでは１．５μｍ帯に各々光増幅機能を有す
ることが報告されている。このような希土類ドープ光フ
ァイバはファイバレーザ、光増幅器として応用すること
ができ光通信システムの高効率化、高品質化を図ること
が期待される。
【０００３】ところで、これら希土類ファイバを利用し
た光増幅器の励起波長には、これまで５３０ｎｍ、６７
０ｎｍ、８１０ｎｍ、９８０ｎｍ、１４８０ｎｍなどが
実施されている。ファイバ光増幅器を実用化するために
は励起光源は、高出力の半導体レーザが望ましく、この
ような半導体レーザとして６７０ｎｍ、８００ｎｍ帯、
９８０ｎｍ、１４８０ｎｍのものがある。
た光増幅器の励起波長には、これまで５３０ｎｍ、６７
０ｎｍ、８１０ｎｍ、９８０ｎｍ、１４８０ｎｍなどが
実施されている。ファイバ光増幅器を実用化するために
は励起光源は、高出力の半導体レーザが望ましく、この
ような半導体レーザとして６７０ｎｍ、８００ｎｍ帯、
９８０ｎｍ、１４８０ｎｍのものがある。
【０００４】これらのうち、６７０ｎｍの半導体レーザ
はＡｌＧａＩｎＰ系のもので、最近では１００ｍＷ程度
の高出力が得られ、これを用いた増幅実験も行なわれて
いる（１９９１年秋季応用物理学会全国大会予稿集１１
頁、ELECTRLNICS LETTERS、27巻25号2319〜2320頁）。
しかし、６７０ｎｍ帯の半導体レーザは、増幅波長帯で
ある１．５μｍと波長帯が離れているため、光増幅器の
励起光として用いた場合、変換効率が悪いという難点が
ある。
はＡｌＧａＩｎＰ系のもので、最近では１００ｍＷ程度
の高出力が得られ、これを用いた増幅実験も行なわれて
いる（１９９１年秋季応用物理学会全国大会予稿集１１
頁、ELECTRLNICS LETTERS、27巻25号2319〜2320頁）。
しかし、６７０ｎｍ帯の半導体レーザは、増幅波長帯で
ある１．５μｍと波長帯が離れているため、光増幅器の
励起光として用いた場合、変換効率が悪いという難点が
ある。
【０００５】また、９８０ｎｍの半導体レーザは、Ｉｎ
ＧａＡｓ系の量子井戸構造のもので、１００ｍＷの高出
力のものが得られている。Ｅｒドープファイバをこの波
長域で励起した場合、１１．０ｄＢ／ｍＷの高い利得効
率、３ｄＢの低雑音が得られることが報告されている
（ELECTRLNICS LETTERS、26巻20号1641〜1642頁）。ま
た、１４８０ｎｍの半導体レーザはＩｎＧａＡｓＰ系の
もので、２００ｍＷ程度の出力があり、励起波長の波長
域が広く高効率（５ｄＢ／ｍＷ）で、飽和出力も９８０
ｎｍの半導体レーザより効率がよく、高いことが報告さ
れている（電子情報通信学会春季全国大会予稿集Ｃ−３
０６）。但し、１４８０ｎｍの半導体レーザは９８０ｎ
ｍの半導体レーザより雑音が大きい（例えば７ｄＢ）。
ＧａＡｓ系の量子井戸構造のもので、１００ｍＷの高出
力のものが得られている。Ｅｒドープファイバをこの波
長域で励起した場合、１１．０ｄＢ／ｍＷの高い利得効
率、３ｄＢの低雑音が得られることが報告されている
（ELECTRLNICS LETTERS、26巻20号1641〜1642頁）。ま
た、１４８０ｎｍの半導体レーザはＩｎＧａＡｓＰ系の
もので、２００ｍＷ程度の出力があり、励起波長の波長
域が広く高効率（５ｄＢ／ｍＷ）で、飽和出力も９８０
ｎｍの半導体レーザより効率がよく、高いことが報告さ
れている（電子情報通信学会春季全国大会予稿集Ｃ−３
０６）。但し、１４８０ｎｍの半導体レーザは９８０ｎ
ｍの半導体レーザより雑音が大きい（例えば７ｄＢ）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＩｎ
ＧａＡｓ系及びＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザは、一
般に高価であり、比較的安価でしかも高出力のＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザが注目されている。ＡｌＧａＡｓ系
半導体レーザは８００ｎｍ帯に波長域を有し、非常に高
出力のものがあり、最大で３Ｗ程度の出力が得られる。
ＧａＡｓ系及びＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザは、一
般に高価であり、比較的安価でしかも高出力のＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザが注目されている。ＡｌＧａＡｓ系
半導体レーザは８００ｎｍ帯に波長域を有し、非常に高
出力のものがあり、最大で３Ｗ程度の出力が得られる。
【０００７】しかし、８００ｎｍ帯でＥｒドープファイ
バ増幅器を励起した場合、Ｅｒドープファイバには７７
０〜８７０ｎｍの広い範囲に励起状態吸収（ＥＳＡ）が
あり、効率のよい変換が行なえないことが指摘されてい
る（OPTICAL LETTERS、13巻12号1084〜1086頁）。ま
た、Ｅｒドープファイバ増幅器を８３０ｎｍ帯の励起光
で励起することにより、ＥＳＡの影響が小さく、高効率
で利得が得られるという報告があるが（電子情報通信学
会春季全国大会予稿集Ｃ−３０９）、励起パワーが異な
ると最適励起波長が変化することが報告されている（EL
ECTRLNICS LETTERS、27巻16号1421〜1422頁）。
バ増幅器を励起した場合、Ｅｒドープファイバには７７
０〜８７０ｎｍの広い範囲に励起状態吸収（ＥＳＡ）が
あり、効率のよい変換が行なえないことが指摘されてい
る（OPTICAL LETTERS、13巻12号1084〜1086頁）。ま
た、Ｅｒドープファイバ増幅器を８３０ｎｍ帯の励起光
で励起することにより、ＥＳＡの影響が小さく、高効率
で利得が得られるという報告があるが（電子情報通信学
会春季全国大会予稿集Ｃ−３０９）、励起パワーが異な
ると最適励起波長が変化することが報告されている（EL
ECTRLNICS LETTERS、27巻16号1421〜1422頁）。
【０００８】本発明はこのような従来の難点を解消し、
飽和出力が高く、ノイズの少ないファイバ光増幅器を提
供することを目的とする。
飽和出力が高く、ノイズの少ないファイバ光増幅器を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明のファイバ光増幅器は、励起用半導体レーザ源
と、該励起用半導体レーザ源に光結合器を介して連結さ
れた希土類ドープファイバとから成るファイバ増幅器に
おいて、希土類ドープファイバはＥｒとＹｂがドープさ
れているものであり、好適には励起用半導体レーザ源は
８５０ｎｍから９００ｎｍの波長域の励起用レーザを発
するものである。
る本発明のファイバ光増幅器は、励起用半導体レーザ源
と、該励起用半導体レーザ源に光結合器を介して連結さ
れた希土類ドープファイバとから成るファイバ増幅器に
おいて、希土類ドープファイバはＥｒとＹｂがドープさ
れているものであり、好適には励起用半導体レーザ源は
８５０ｎｍから９００ｎｍの波長域の励起用レーザを発
するものである。
【００１０】
【作用】希土類ドープファイバのＹｂは７００ｎｍ〜１
１５０ｎｍの範囲の広い吸収帯を持っており、一方Ｅｒ
は８５０ｎｍ〜９８０ｎｍにかけて励起状態吸収（ＥＳ
Ａ）がない。従って、励起用半導体レーザ源としてＥｒ
のＥＳＡがなく、Ｙｂの吸収帯の波長域、例えば８５０
ｎｍ〜９００ｎｍの波長域のレーザを用い、励起するこ
とにより効率よく利得を得ることができる。
１５０ｎｍの範囲の広い吸収帯を持っており、一方Ｅｒ
は８５０ｎｍ〜９８０ｎｍにかけて励起状態吸収（ＥＳ
Ａ）がない。従って、励起用半導体レーザ源としてＥｒ
のＥＳＡがなく、Ｙｂの吸収帯の波長域、例えば８５０
ｎｍ〜９００ｎｍの波長域のレーザを用い、励起するこ
とにより効率よく利得を得ることができる。
【００１１】また、８５０ｎｍ〜９００ｎｍの波長域の
レーザにより励起した場合、Ｙｂ3+イオンの励起エネル
ギがＥｒ3+イオンの高いエネルギ準位にエネルギ変換さ
れる。従って、Ｅｒは完全な３準位系となり、完全反転
分布ができる。このため低雑音の増幅器が構成できる。
更にレーザ源として８５０ｎｍ〜９００ｎｍの波長域の
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いるので、高出力が得
られ、結果として飽和出力特性も改善することができ
る。
レーザにより励起した場合、Ｙｂ3+イオンの励起エネル
ギがＥｒ3+イオンの高いエネルギ準位にエネルギ変換さ
れる。従って、Ｅｒは完全な３準位系となり、完全反転
分布ができる。このため低雑音の増幅器が構成できる。
更にレーザ源として８５０ｎｍ〜９００ｎｍの波長域の
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いるので、高出力が得
られ、結果として飽和出力特性も改善することができ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のファイバ光増幅器の１実施例
を図面に基づき詳述する。ファイバ光増幅器１０は図１
の全体構成図に示されるように、主として励起用のレー
ザを発生する励起用半導体レーザ源１と、励起用レーザ
源１と信号光２ととを結合する光結合器３と、Ｅｒ−Ｙ
ｂドープファイバ（以下、Ｅｒ−Ｙｂファイバという）
４とを備え、Ｅｒ−Ｙｂファイバ４の両端には光アイソ
レータ５が挿入される。更に、Ｅｒ−Ｙｂファイバ４の
出力側にはＥｒ−Ｙｂファイバの自然放出光及び励起光
をカットするためのフィルタ６を挿入する。
を図面に基づき詳述する。ファイバ光増幅器１０は図１
の全体構成図に示されるように、主として励起用のレー
ザを発生する励起用半導体レーザ源１と、励起用レーザ
源１と信号光２ととを結合する光結合器３と、Ｅｒ−Ｙ
ｂドープファイバ（以下、Ｅｒ−Ｙｂファイバという）
４とを備え、Ｅｒ−Ｙｂファイバ４の両端には光アイソ
レータ５が挿入される。更に、Ｅｒ−Ｙｂファイバ４の
出力側にはＥｒ−Ｙｂファイバの自然放出光及び励起光
をカットするためのフィルタ６を挿入する。
【００１３】励起用半導体レーザ源１は８５０ｎｍ〜９
００ｎｍの波長帯のレーザを発するもので、ＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザが用いられる。ＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザは安価で、最大２００ｍＷ程度の安定した出力を
得ることができる。レーザの波長帯８５０ｎｍ〜９００
ｎｍは、後述するＥｒ−ＹｂファイバのＹｂ+3イオンの
吸収帯の範囲でしかもＥｒの励起状態吸収のない範囲が
選ばれる。このような波長帯のレーザで励起することに
より高効率で利得を得ることができる。
００ｎｍの波長帯のレーザを発するもので、ＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザが用いられる。ＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザは安価で、最大２００ｍＷ程度の安定した出力を
得ることができる。レーザの波長帯８５０ｎｍ〜９００
ｎｍは、後述するＥｒ−ＹｂファイバのＹｂ+3イオンの
吸収帯の範囲でしかもＥｒの励起状態吸収のない範囲が
選ばれる。このような波長帯のレーザで励起することに
より高効率で利得を得ることができる。
【００１４】Ｅｒ−Ｙｂファイバ４は、石英ガラス、多
成分ガラス等のコア及びクラッド組成にエルビウム（Ｅ
ｒ）を１００〜１０００ｐｐｍ、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）を１０００〜１００００ｐｐｍ添加したものであ
る。Ｅｒ及びＹｂは、気相法、溶融法等公知の方法を採
用できる。溶融法の場合、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3をガラス
組成の融液中に添加し、例えば二重るつぼ法で線引きす
る。
成分ガラス等のコア及びクラッド組成にエルビウム（Ｅ
ｒ）を１００〜１０００ｐｐｍ、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）を１０００〜１００００ｐｐｍ添加したものであ
る。Ｅｒ及びＹｂは、気相法、溶融法等公知の方法を採
用できる。溶融法の場合、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3をガラス
組成の融液中に添加し、例えば二重るつぼ法で線引きす
る。
【００１５】ここで、Ｙｂ+3イオンは図２（ａ）に示す
ような７００ｎｍ〜１１５０ｎｍの広い範囲に吸収帯を
有する。一方、Ｅｒ+3イオンは８０８ｎｍと９８０ｎｍ
に励起状態吸収（ＥＳＡ）が見られるが、８５０ｎｍ以
上の範囲では問題となるＥＳＡがない。通常、Ｅｒドー
プファイバを１４８０ｎｍで励起した場合には、Ｅｒ +3
イオンは図２（ｂ）に示すように基底状態4Ｉ15/2から
エネルギ準位4Ｉ13/2に励起される。Ｅｒドープファイ
バはＥｒ+3イオンがこの状態4Ｉ13/2から基底状態4Ｉ
15/2に遷移するときに増幅される。即ち、１４８０ｎｍ
で励起した場合には二準位系となる。これに対し、Ｅｒ
−ＹｂファイバをＹｂ+3イオンの吸収帯の範囲（且つＥ
ｒの励起状態吸収のない範囲、即ち８５０ｎｍ〜９００
ｎｍ）で励起した場合には、Ｙｂ+3イオンが図２（ｃ）
に示すように基底状態2Ｆ7/2からエネルギ準位2Ｆ5/2に
励起され、この励起エネルギがＥｒ+3イオンの4Ｉ11/2
にエネルギー変換され、4Ｉ11/2から4Ｉ13/2に遷移さ
れ、更に4Ｉ13/2から4Ｉ15/2に遷移されるとき増幅され
る。このようにＥｒは三準位系となり、完全反転分布が
得られる。従って、低雑音の増幅器を構成できる。
ような７００ｎｍ〜１１５０ｎｍの広い範囲に吸収帯を
有する。一方、Ｅｒ+3イオンは８０８ｎｍと９８０ｎｍ
に励起状態吸収（ＥＳＡ）が見られるが、８５０ｎｍ以
上の範囲では問題となるＥＳＡがない。通常、Ｅｒドー
プファイバを１４８０ｎｍで励起した場合には、Ｅｒ +3
イオンは図２（ｂ）に示すように基底状態4Ｉ15/2から
エネルギ準位4Ｉ13/2に励起される。Ｅｒドープファイ
バはＥｒ+3イオンがこの状態4Ｉ13/2から基底状態4Ｉ
15/2に遷移するときに増幅される。即ち、１４８０ｎｍ
で励起した場合には二準位系となる。これに対し、Ｅｒ
−ＹｂファイバをＹｂ+3イオンの吸収帯の範囲（且つＥ
ｒの励起状態吸収のない範囲、即ち８５０ｎｍ〜９００
ｎｍ）で励起した場合には、Ｙｂ+3イオンが図２（ｃ）
に示すように基底状態2Ｆ7/2からエネルギ準位2Ｆ5/2に
励起され、この励起エネルギがＥｒ+3イオンの4Ｉ11/2
にエネルギー変換され、4Ｉ11/2から4Ｉ13/2に遷移さ
れ、更に4Ｉ13/2から4Ｉ15/2に遷移されるとき増幅され
る。このようにＥｒは三準位系となり、完全反転分布が
得られる。従って、低雑音の増幅器を構成できる。
【００１６】なお、Ｅｒ−Ｙｂファイバのパラメータ
（比屈折率差、開口数、遮断波長）は特に限定されない
が、例えば／遮断波長が８５０ｎｍ以下で高い開口数が
望ましい。 実施例 コア組成Ｅｒ−Ｙｂ−Ｇｅ−ＳｉＯ2で、△（比屈折率
差）１．０％、ＭＦＤ（モードフィールド径）６．５μ
ｍのファイバ７０ｍをリング状にして光増幅器とし、図
１に示すようなファイバ光増幅器１０を構成した。励起
用レーザ源１としてＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用
い、励起光８７０ｎｍ、出力２０ｍＷのレーザ光を用
い、１．５３６μｍの信号光を増幅させたところ、３０
ｄＢの利得が得られた。雑音は３．５ｄＢであった。 比較例１ コア組成Ｅｒ−Ｇｅ−ＳｉＯ2で、その他は実施例と同
様のファイバを用いるとともに、励起光として１４８０
ｎｍ、出力２０ｍＷのレーザを用い、１．５３６μｍの
信号光を増幅させた。この場合、利得は３２ｄＢで実施
例とほぼ同様であったが、雑音が５．３ｄＢであった。 比較例２ 比較例１と同様のファイバを用い、励起光としてＴｉＡ
ｌ2Ｏ3系レーザ源の９８０ｎｍ、出力１０ｍＷのレーザ
を用い、１．５３６μｍの信号光を増幅させた。この場
合、利得は３５ｄＢで実施例より優れていたが、飽和出
力が−３ｄＢであった。
（比屈折率差、開口数、遮断波長）は特に限定されない
が、例えば／遮断波長が８５０ｎｍ以下で高い開口数が
望ましい。 実施例 コア組成Ｅｒ−Ｙｂ−Ｇｅ−ＳｉＯ2で、△（比屈折率
差）１．０％、ＭＦＤ（モードフィールド径）６．５μ
ｍのファイバ７０ｍをリング状にして光増幅器とし、図
１に示すようなファイバ光増幅器１０を構成した。励起
用レーザ源１としてＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用
い、励起光８７０ｎｍ、出力２０ｍＷのレーザ光を用
い、１．５３６μｍの信号光を増幅させたところ、３０
ｄＢの利得が得られた。雑音は３．５ｄＢであった。 比較例１ コア組成Ｅｒ−Ｇｅ−ＳｉＯ2で、その他は実施例と同
様のファイバを用いるとともに、励起光として１４８０
ｎｍ、出力２０ｍＷのレーザを用い、１．５３６μｍの
信号光を増幅させた。この場合、利得は３２ｄＢで実施
例とほぼ同様であったが、雑音が５．３ｄＢであった。 比較例２ 比較例１と同様のファイバを用い、励起光としてＴｉＡ
ｌ2Ｏ3系レーザ源の９８０ｎｍ、出力１０ｍＷのレーザ
を用い、１．５３６μｍの信号光を増幅させた。この場
合、利得は３５ｄＢで実施例より優れていたが、飽和出
力が−３ｄＢであった。
【００１７】以上の実施例、比較例の結果を表１に示し
た。
た。
【００１８】
【表１】
【００１９】表からも明らかなように、本実施例のファ
イバ光増幅器は、励起光としてＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザを用いたので、比較例２に比べ高出力が得られ、し
かも比較例１に比べ雑音が少ない。なお、以上の説明で
は励起用半導体レーザ源１をＥｒ−Ｙｂファイバ４の入
力側に接続した例について説明したが、励起用レーザ源
１をＥｒ−Ｙｂファイバ４の出力側に接続し、増幅用レ
ーザ源２とは逆方向で励起してもよい。
イバ光増幅器は、励起光としてＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザを用いたので、比較例２に比べ高出力が得られ、し
かも比較例１に比べ雑音が少ない。なお、以上の説明で
は励起用半導体レーザ源１をＥｒ−Ｙｂファイバ４の入
力側に接続した例について説明したが、励起用レーザ源
１をＥｒ−Ｙｂファイバ４の出力側に接続し、増幅用レ
ーザ源２とは逆方向で励起してもよい。
【００２０】また、励起光の波長域として８５０〜９０
０ｎｍを採用した場合について説明したが、励起光はＹ
ｂの吸収帯の範囲であってＥｒの励起状態吸収のない範
囲であればよく、例えば１０００ｎｍの半導体レーザが
開発されるならば、そのような波長域の励起光も当然採
用できる。
０ｎｍを採用した場合について説明したが、励起光はＹ
ｂの吸収帯の範囲であってＥｒの励起状態吸収のない範
囲であればよく、例えば１０００ｎｍの半導体レーザが
開発されるならば、そのような波長域の励起光も当然採
用できる。
【００２１】
【発明の効果】以上の実施例からも明らかなように、本
発明のファイバ光増幅器によれば、増幅器を構成する希
土類ファイバとしてＥｒ−Ｙｂドープファイバを用いる
とともに励起レーザとして特定波長域のものを用いたの
で、低雑音でしかも高い飽和出力を得ることができる。
また、本発明のファイバ光増幅器によれば、励起用半導
体レーザ源としてＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いる
ことができるので、比較的安価でしかも安定した出力を
得ることができる。
発明のファイバ光増幅器によれば、増幅器を構成する希
土類ファイバとしてＥｒ−Ｙｂドープファイバを用いる
とともに励起レーザとして特定波長域のものを用いたの
で、低雑音でしかも高い飽和出力を得ることができる。
また、本発明のファイバ光増幅器によれば、励起用半導
体レーザ源としてＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用いる
ことができるので、比較的安価でしかも安定した出力を
得ることができる。
【図１】本発明のファイバ光増幅器の一実施例を示す構
成図。
成図。
【図２】本発明のＥｒ−Ｙｂドープファイバの特性を示
す図で、（ａ）はＥｒ及びＹｂの減衰特性を、（ｂ）は
Ｅｒ及びＹｂエネルギー準位を示す図。
す図で、（ａ）はＥｒ及びＹｂの減衰特性を、（ｂ）は
Ｅｒ及びＹｂエネルギー準位を示す図。
１・・・・・・励起用半導体レーザ源 ３・・・・・・光結合器 ４・・・・・・Ｅｒ−Ｙｂドープファイバ
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/094 3/10 Ｚ 8934−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】励起用半導体レーザ源と、該励起用半導体
レーザ源に光結合器を介して連結された希土類ドープフ
ァイバとから成るファイバ増幅器において、前記希土類
ドープファイバはＥｒとＹｂがドープされていることを
特徴とするファイバ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21037692A JPH0661568A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | ファイバ光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21037692A JPH0661568A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | ファイバ光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661568A true JPH0661568A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16588324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21037692A Withdrawn JPH0661568A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | ファイバ光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661568A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044098A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Univ Of Electro-Communications | 利得フォトニック結晶光ファイバー、レーザー増幅システム、及び利得フォトニック結晶光ファイバーの設定方法 |
| JP2012204372A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Olympus Corp | 短パルス光源およびレーザ走査顕微鏡システム |
| JP2019535118A (ja) * | 2016-10-07 | 2019-12-05 | ローレンス リバーモアー ナショナル セキュリティー， エルエルシー | Ｎｄ３＋ファイバレーザおよびアンプ |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP21037692A patent/JPH0661568A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044098A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Univ Of Electro-Communications | 利得フォトニック結晶光ファイバー、レーザー増幅システム、及び利得フォトニック結晶光ファイバーの設定方法 |
| JP2012204372A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Olympus Corp | 短パルス光源およびレーザ走査顕微鏡システム |
| JP2019535118A (ja) * | 2016-10-07 | 2019-12-05 | ローレンス リバーモアー ナショナル セキュリティー， エルエルシー | Ｎｄ３＋ファイバレーザおよびアンプ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |