JP2019535118A - Nd3+ファイバレーザおよびアンプ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は「ファイバレーザおよびアンプの直線部の導波路設計」と題された2016年2月4日出願の米国仮特許出願第62/291,483号から派生したものである。この仮出願は本参照によって本明細書に援用される。本出願は2016年10月7日出願の米国出願、出願番号15/288,810の利益および優先権を主張する。この米国出願の全体は本参照によって本明細書に援用される。
米国政府は、米国エネルギ省と、ローレンスリバモア国立研究所の運営を目的とするローレンス・リバモア・ナショナル・フリーダム社との契約第DE−AC52−07NA27344号に基づく本発明の権利を有する。
概念
この記載は少なくとも下記の概念も示す。
1.第1の原子遷移および第2の原子遷移を持つレーザ要素がドープされたコアを有する導波路であって、前記第1の原子遷移は前記第2の原子遷移よりも小さく、前記導波路は、前記第1の原子遷移の波長で損失よりもより利得を提供し、前記第2の原子遷移の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されている、導波路と、
ポンプ光を用いて前記導波路の前記コアを光学的にポンピングするように構成されているソースと
を備える装置。
2.前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されている、概念1、3、11−18、20−22および24−27に記載の装置。
3.増幅される光を前記導波路中に提供して信号光を生成するように構成されている第2のソースをさらに備える概念1、2、5−7、11−13、15および18−27に記載の装置。
4.増幅される光を前記導波路中に提供するように構成されている第2のソースをさらに備える概念1、2、5−7、11−13、15および18−27に記載の装置。
5.前記第1の原子遷移の範囲内の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は870nm〜950nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は1050nm〜1120nmの範囲にある、概念2、4および19に記載の装置。
6.前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は1050nm〜1150nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は870nm〜950nmの範囲にある、概念2、4および19に記載の装置。
7.前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移は前記4F3/2から4I13/2への原子遷移であり、前記第2の原子遷移は前記4F3/2から4I11/2への原子遷移であり、前記1つ以上のさらなる原子遷移は前記4F3/2から4I9/2への原子遷移である、概念2、4および19に記載の装置。
8.前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記第1の原子遷移の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は1050nm〜1150nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は870nm〜950nmの範囲にあり、前記増幅される光は1300nm〜1500nmの前記範囲にある波長を備えており、前記ポンプ光は950nmよりも短い波長の光である、概念3、14および17に記載の装置。
9.前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は1050nm〜1120nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は870nm〜950nmの範囲にあり、前記増幅される光は1300nm〜1500nmの前記範囲にある波長を備えており、前記ポンプ光は950nmよりも短い波長の光である、概念3、14および17に記載の装置。
10.前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移は前記4F3/2から4I13/2への原子遷移であり、前記第2の原子遷移は前記4F3/2から4I11/2への原子遷移であり、前記1つ以上のさらなる原子遷移は前記4F3/2から4I9/2への原子遷移であり、前記増幅される光は1300nm〜1500nmの前記範囲にある波長を備えており、前記ポンプ光は950nmよりも短い波長の光である、概念3、14および17に記載の装置。
11.前記導波路は溶融石英を備える、概念1−10および12−27に記載の装置。
12.前記コアは溶融石英を備えており、前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記コアは、リン、ゲルマニウム、アルミニウム、フッ素およびホウ素からなる前記群から選択されるさらなる、ともにドープされるドーパントをさらに備える、概念1−11、13−19および21−25に記載の装置。
13.前記ポンプ光は前記コアに直接カップリングされ、前記コア導波路損失は、前記レーザイオンによる前記ポンプ光の前記吸収に起因する前記有効損失よりも少ない、概念1−12および14−27に記載の装置。
14.前記ポンプ光は波長分割マルチプレクサ(WDM)を介して前記導波路にカップリングされ、前記信号光は前記WDMを介して前記導波路にカップリングされるか、前記導波路からカップリングされる、概念3、8−10および17に記載の装置。
15.前記導波路は第1のクラッドと第2のクラッドとを備えており、前記ポンプ光は前記第2のクラッドにカップリングされる、概念1−14および17−27に記載の装置。
16.増幅される光を前記導波路中に提供して信号光を生成するように構成されている第2のソースをさらに備えており、前記ポンプ光はポンプ信号コンバイナを介して前記第2のクラッドにカップリングされ、前記信号光は前記ポンプ信号コンバイナを介して前記コアにカップリングされるか、前記コアからカップリングされる、概念15に記載の装置。
17.(i)前記増幅される光が前記導波路にカップリングされる前に光アイソレータを通過し、(ii)前記信号光が前記光アイソレータを通過するように選択されている構成をさらに備える概念3、8−10および14に記載の装置。
18.前記導波路は前記第2の原子遷移時の前記利得を低下させるが、なくさないように構成されている、概念1−17および19−27に記載の装置。
19.前記導波路は、前記第2の原子遷移と前記1つ以上のさらなる原子遷移とのうちの少なくとも1つの原子遷移時の前記利得を低下させるが、なくさないように構成されている、概念2および5−10に記載の装置。
20.前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記導波路は、785nm〜820nmの前記範囲の波長を持つポンプ光を用いて前記コアを光学的にポンピングする程度に4I9/2から4F5/2への前記原子遷移(785〜820nm)で十分に低い導波路損失を実現するように構成されている、概念1−4、11、13−19および21−25に記載の装置。
21.前記導波路は、
前記第1の原子遷移の波長を有する光と前記第2の原子遷移の波長を有する光とを備える1つ以上のモードを伝播するように構成されている、前記コアを含む信号搬送導波路領域と、
シンク領域と、
前記信号搬送導波路領域から前記シンク領域に前記第2の原子遷移の光を共鳴させてカップリングさせるように構成されている補助導波路領域と
を備える、概念1−20、26および27に記載の装置。
22.前記信号搬送導波路領域は、前記信号搬送導波路領域が前記第1の原子遷移の波長を持つものを閉じ込めるように、前記コアと比較して低い屈折率を持つ格子を備える、概念21、23および24に記載の装置。
23.前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記補助導波路領域は、前記信号搬送導波路領域から前記シンク領域に前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長の光を共鳴させてカップリングさせるようにさらに構成されている、概念21、22、24および25に記載の装置。
24.前記補助導波路領域はモノリシックカップリング導波路を備える、概念21−23および25に記載の装置。
25.前記信号搬送導波路領域はステップ屈折率を備えており、前記シンク領域は高屈折率化シンクを備える、概念21、23および24に記載の導波路。
26.前記レーザ要素はYb3+がともにドープされたEr3+を備えており、前記第1の原子遷移の前記波長は1500nm〜1620nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は950nm〜1150nmの範囲にあり、前記ポンプ光は1100nmよりも短い波長の光である、概念1−4、11、13−19および21−25に記載の装置。
27.前記レーザ要素にはリンがともにドープされる、概念26に記載の装置。
Claims (27)
- 第1の原子遷移および第2の原子遷移を持つレーザ要素がドープされたコアを有する導波路であって、前記第1の原子遷移は前記第2の原子遷移よりも小さく、前記導波路は、前記第1の原子遷移の波長で損失よりもより利得を提供し、前記第2の原子遷移の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されている、導波路と、
ポンプ光を用いて前記導波路の前記コアを光学的にポンピングするように構成されているソースと
を備える装置。 - 前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 増幅される光を前記導波路中に提供して信号光を生成するように構成されている第2のソースをさらに備える請求項1に記載の装置。
- 増幅される光を前記導波路中に提供するように構成されている第2のソースをさらに備える請求項2に記載の装置。
- 前記第1の原子遷移の範囲内の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は870nm〜950nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は1050nm〜1120nmの範囲にある、請求項2に記載の装置。
- 前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は1050nm〜1150nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は870nm〜950nmの範囲にある、請求項2に記載の装置。
- 前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移は前記4F3/2から4I13/2への原子遷移であり、前記第2の原子遷移は前記4F3/2から4I11/2への原子遷移であり、前記1つ以上のさらなる原子遷移は前記4F3/2から4I9/2への原子遷移である、請求項2に記載の装置。
- 前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記第1の原子遷移の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は1050nm〜1150nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は870nm〜950nmの範囲にあり、前記増幅される光は1300nm〜1500nmの前記範囲にある波長を備えており、前記ポンプ光は950nmよりも短い波長の光である、請求項3に記載の装置。
- 前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移の前記波長は1300nm〜1500nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は1050nm〜1120nmの波長範囲にあり、前記1つ以上のさらなる原子遷移の前記1つ以上の波長は870nm〜950nmの範囲にあり、前記増幅される光は1300nm〜1500nmの前記範囲にある波長を備えており、前記ポンプ光は950nmよりも短い波長の光である、請求項3に記載の装置。
- 前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記第1の原子遷移は前記4F3/2から4I13/2への原子遷移であり、前記第2の原子遷移は前記4F3/2から4I11/2への原子遷移であり、前記1つ以上のさらなる原子遷移は前記4F3/2から4I9/2への原子遷移であり、前記増幅される光は1300nm〜1500nmの前記範囲にある波長を備えており、前記ポンプ光は950nmよりも短い波長の光である、請求項3に記載の装置。
- 前記導波路は溶融石英を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記コアは溶融石英を備えており、前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記コアは、リン、ゲルマニウム、アルミニウム、フッ素およびホウ素からなる前記群から選択されるさらなる、ともにドープされるドーパントをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記ポンプ光は前記コアに直接カップリングされ、前記コア導波路損失は、前記レーザイオンによる前記ポンプ光の前記吸収に起因する前記有効損失よりも少ない、請求項1に記載の装置。
- 前記ポンプ光は波長分割マルチプレクサ(WDM)を介して前記導波路にカップリングされ、前記信号光は前記WDMを介して前記導波路にカップリングされるか、前記導波路からカップリングされる、請求項3に記載の装置。
- 前記導波路は第1のクラッドと第2のクラッドとを備えており、前記ポンプ光は前記第2のクラッドにカップリングされる、請求項1に記載の装置。
- 増幅される光を前記導波路中に提供して信号光を生成するように構成されている第2のソースをさらに備えており、前記ポンプ光はポンプ信号コンバイナを介して前記第2のクラッドにカップリングされ、前記信号光は前記ポンプ信号コンバイナを介して前記コアにカップリングされるか、前記コアからカップリングされる、請求項15に記載の装置。
- (i)前記増幅される光が前記導波路にカップリングされる前に光アイソレータを通過し、(ii)前記信号光が前記光アイソレータを通過するように選択されている構成をさらに備える請求項3に記載の装置。
- 前記導波路は前記第2の原子遷移時の前記利得を低下させるが、なくさないように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記導波路は、前記第2の原子遷移と前記1つ以上のさらなる原子遷移とのうちの少なくとも1つの原子遷移時の前記利得を低下させるが、なくさないように構成されている、請求項2に記載の装置。
- 前記レーザ要素はNd3+を備えており、前記導波路は、785nm〜820nmの前記範囲の波長を持つポンプ光を用いて前記コアを光学的にポンピングする程度に4I9/2から4F5/2への前記原子遷移(785〜820nm)で十分に低い導波路損失を実現するように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記導波路は、
前記第1の原子遷移の波長を有する光と前記第2の原子遷移の波長を有する光とを備える1つ以上のモードを伝播するように構成されている、前記コアを含む信号搬送導波路領域と、
シンク領域と、
前記信号搬送導波路領域から前記シンク領域に前記第2の原子遷移の光を共鳴させてカップリングさせるように構成されている補助導波路領域と
を備える、請求項1に記載の装置。 - 前記信号搬送導波路領域は、前記信号搬送導波路領域が前記第1の原子遷移の波長を持つものを閉じ込めるように、前記コアと比較して低い屈折率を持つ格子を備える、請求項21に記載の装置。
- 前記レーザ要素は前記第1の原子遷移よりも大きい1つ以上のさらなる原子遷移をさらに備えており、前記導波路は前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長で利得よりもより損失を提供するように構成されており、前記補助導波路領域は、前記信号搬送導波路領域から前記シンク領域に前記1つ以上のさらなる原子遷移の1つ以上の波長の光を共鳴させてカップリングさせるようにさらに構成されている、請求項21に記載の装置。
- 前記補助導波路領域はモノリシックカップリング導波路を備える、請求項22に記載の装置。
- 前記信号搬送導波路領域はステップ屈折率を備えており、前記シンク領域は高屈折率化シンクを備える、請求項21に記載の導波路。
- 前記レーザ要素はYb3+がともにドープされたEr3+を備えており、前記第1の原子遷移の前記波長は1500nm〜1620nmの範囲にあり、前記第2の原子遷移の前記波長は950nm〜1150nmの範囲にあり、前記ポンプ光は1100nmよりも短い波長の光である、請求項1に記載の装置。
- 前記レーザ要素にはリンがともにドープされる、請求項26に記載の装置。
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