JPH0661388A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0661388A JPH0661388A JP20864392A JP20864392A JPH0661388A JP H0661388 A JPH0661388 A JP H0661388A JP 20864392 A JP20864392 A JP 20864392A JP 20864392 A JP20864392 A JP 20864392A JP H0661388 A JPH0661388 A JP H0661388A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＰＨＳ構造を有する半導体素子を支持板から、
半導体素子どうしが重なり合うことなく、又反転するこ
とを防ぎ、かつ充分な洗浄効果を保つことができる製造
方法を提供する。 【構成】半導体基板１ａを支持板２に貼り付ける場合二
種類の貼り付け材３ａ，３ｂを二層以上設け、３の内の
一種類については、他の貼り付け材に対して選択剥離が
可能な材質にしておき、半導体素子を支持板から剥離す
るときは、一端選択剥離可能な層３ｂで剥離し、半導体
素子を支持板からはずした状態で洗浄することにより、
半導体素子がおたがいかさなり合うことなく、又反転す
ることなく洗浄が可能である。
半導体素子どうしが重なり合うことなく、又反転するこ
とを防ぎ、かつ充分な洗浄効果を保つことができる製造
方法を提供する。 【構成】半導体基板１ａを支持板２に貼り付ける場合二
種類の貼り付け材３ａ，３ｂを二層以上設け、３の内の
一種類については、他の貼り付け材に対して選択剥離が
可能な材質にしておき、半導体素子を支持板から剥離す
るときは、一端選択剥離可能な層３ｂで剥離し、半導体
素子を支持板からはずした状態で洗浄することにより、
半導体素子がおたがいかさなり合うことなく、又反転す
ることなく洗浄が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にプレイテッド・ヒート・シンク構造（以下
ＰＨＳ構造とよぶ）を有する半導体装置の製造方法に関
するものである。
に関し、特にプレイテッド・ヒート・シンク構造（以下
ＰＨＳ構造とよぶ）を有する半導体装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＰＨＳ構造を有する半導体装置の
製造方法は、半導体基板表面に素子を形成した後図４に
示すフローの通り、半導体基板裏面を所定の厚さまで機
械的研摩ならびに化学的浸食で削り取り、半導体基板の
裏面におのおのの表面素子に対向する位置に選択的に、
ＰＨＳとなるような厚さの熱良導体金属を蒸着又はめっ
きによって成長させ裏面電極を形成し、化学的浸食又は
機械的切断によって、おのおのの半導体素子に分離して
いる。
製造方法は、半導体基板表面に素子を形成した後図４に
示すフローの通り、半導体基板裏面を所定の厚さまで機
械的研摩ならびに化学的浸食で削り取り、半導体基板の
裏面におのおのの表面素子に対向する位置に選択的に、
ＰＨＳとなるような厚さの熱良導体金属を蒸着又はめっ
きによって成長させ裏面電極を形成し、化学的浸食又は
機械的切断によって、おのおのの半導体素子に分離して
いる。
【０００３】しかし、半導体基板表面素子形成後、半導
体基板を厚さ２０〜４０μｍ程度に薄く削るため、半導
体基板だけであると、半導体基板のそり、および結晶に
歪がはいり、半導体基板が割れやすく、取り扱いができ
ないため、通常、半導体基板１ａを機械的研摩，化学的
浸食を行なうまえに図３（ａ）に示すように、半導体基
板１ａの素子表面側を支持板２に貼り付け材３ａにて貼
り付けられ、後の工程を行うことで半導体基板１ａのそ
り、割れを防止している。
体基板を厚さ２０〜４０μｍ程度に薄く削るため、半導
体基板だけであると、半導体基板のそり、および結晶に
歪がはいり、半導体基板が割れやすく、取り扱いができ
ないため、通常、半導体基板１ａを機械的研摩，化学的
浸食を行なうまえに図３（ａ）に示すように、半導体基
板１ａの素子表面側を支持板２に貼り付け材３ａにて貼
り付けられ、後の工程を行うことで半導体基板１ａのそ
り、割れを防止している。
【０００４】ここで用いられている貼り付け材３ａは、
半導体基板１ａと支持板２との機械的強度、耐薬品性、
耐熱性を考え、ワックス又はネガレジスト等が用いら
れ、厚さは通常５〜３０μｍ程度である。
半導体基板１ａと支持板２との機械的強度、耐薬品性、
耐熱性を考え、ワックス又はネガレジスト等が用いら
れ、厚さは通常５〜３０μｍ程度である。
【０００５】又、裏面電極形成し、おのおのの素子に分
離した後、支持板２に貼り付けられた半導体素子１ｂを
剥離、洗浄する必要があり、図３（ｂ）に示すように、
貼り付け材３ａが溶解するような処理液６の中に支持板
２に貼り付けられた半導体素子１ｂを浸漬させ、貼り付
け材３ａを溶解させ半導体素子１ｂを支持板２から剥離
し半導体素子１ｂは、半導体素子１ｂより小さい開口の
金網で作くられたカゴ状治具８に受け、さらに半導体素
子１ｂの洗浄が行なわれる。ここで用いる処理液６ｂと
は貼り付け材３ａが容易に溶解するような通常異なる溶
剤系のものを複数槽用いている。
離した後、支持板２に貼り付けられた半導体素子１ｂを
剥離、洗浄する必要があり、図３（ｂ）に示すように、
貼り付け材３ａが溶解するような処理液６の中に支持板
２に貼り付けられた半導体素子１ｂを浸漬させ、貼り付
け材３ａを溶解させ半導体素子１ｂを支持板２から剥離
し半導体素子１ｂは、半導体素子１ｂより小さい開口の
金網で作くられたカゴ状治具８に受け、さらに半導体素
子１ｂの洗浄が行なわれる。ここで用いる処理液６ｂと
は貼り付け材３ａが容易に溶解するような通常異なる溶
剤系のものを複数槽用いている。
【０００６】又、このとき、剥離、および洗浄を促進さ
せるために、処理液中で支持板２に貼り付けられた半導
体素子１ｂおよびカゴ状治具５に受けられた半導体素子
１ｂに揺動又は、超音波等が加えられている。
せるために、処理液中で支持板２に貼り付けられた半導
体素子１ｂおよびカゴ状治具５に受けられた半導体素子
１ｂに揺動又は、超音波等が加えられている。
【０００７】剥離、洗浄が終了した半導体素子１ｂは乾
燥させ、マウントを行なうため、半導体素子１ｂを１片
づつ、裏表を確認し、トレーに整列させていた。
燥させ、マウントを行なうため、半導体素子１ｂを１片
づつ、裏表を確認し、トレーに整列させていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置の製造方法では、工程の目動化を考えた場合、カ
ゴ状治具８に裏表ばらばらに、かさなり合った状態では
いっている半導体素子１ｂを認識し、個々を拾い上げ整
列させることは非常に困難なことである。
体装置の製造方法では、工程の目動化を考えた場合、カ
ゴ状治具８に裏表ばらばらに、かさなり合った状態では
いっている半導体素子１ｂを認識し、個々を拾い上げ整
列させることは非常に困難なことである。
【０００９】剥離、洗浄時に半導体素子１ｂが、反転、
および半導体素子１ｂどうしが重なり合わないように、
支持板２の貼り付け材３ａ側の面と、カゴ状治具５の底
面金網との寸法（図３（ｂ）のｔ寸法）を、半導体素子
１ｂの厚さの２倍以下にするように支持板を保持すれば
半導体素子１ｂの反転および重なり合いをなくすことが
でき、自動化を容易に行なうことができるが、半導体素
子１ｂは裏面電極を形成した状態でも厚さが４０〜１０
０μｍと非常に薄く、支持板２とカゴ状治具８の底面金
網との寸法、ｔ寸法は８０〜２００μｍと、非常に狭く
する必要があり、処理後６ｂで剥離、洗浄時、半導体素
子１ｂの近傍では処理液６ｂの置換が悪く、半導体素子
１ｂに貼り付け材３および処理液６ｂが洗浄時間および
洗浄回数を増しても残り乾燥するため、シミになっての
こり、外観不良，ボンディング不良が発生する。
および半導体素子１ｂどうしが重なり合わないように、
支持板２の貼り付け材３ａ側の面と、カゴ状治具５の底
面金網との寸法（図３（ｂ）のｔ寸法）を、半導体素子
１ｂの厚さの２倍以下にするように支持板を保持すれば
半導体素子１ｂの反転および重なり合いをなくすことが
でき、自動化を容易に行なうことができるが、半導体素
子１ｂは裏面電極を形成した状態でも厚さが４０〜１０
０μｍと非常に薄く、支持板２とカゴ状治具８の底面金
網との寸法、ｔ寸法は８０〜２００μｍと、非常に狭く
する必要があり、処理後６ｂで剥離、洗浄時、半導体素
子１ｂの近傍では処理液６ｂの置換が悪く、半導体素子
１ｂに貼り付け材３および処理液６ｂが洗浄時間および
洗浄回数を増しても残り乾燥するため、シミになっての
こり、外観不良，ボンディング不良が発生する。
【００１０】又、上記の方法で、洗浄時の液の置換をよ
くするため、支持板２から半導体素子１ｂが剥離した時
点で、支持板２を取り、支持板２のかわりにカゴ状治具
８の底面金網との寸法ｔを全面で維持でき半導体素子１
ｂのより小さい開口の金網等で覆い洗浄をすれば、液の
置換がよくなり、洗浄効果が向上し、貼り付け材３ａ、
および処理液６ｂの残りがなくなると考えられるが、半
導体素子１ｂが支持板２から、剥離した時点で、支持板
２を取りはずすことは、半導体素子１ｂのサイズが非常
に小さく（製品によって異なるが、０．５〜１．０W ×
０．５〜１．５D ×０．０４〜０．１t ｍｍ程度）又、
半導体素子１ｂと支持板２は処理液６ｂで濡れているた
め、半導体素子１ｂは、支持板２からとれない。また、
一度、半導体素子１ｂを剥離洗浄した時点で乾燥させ、
支持板２をはずしてから全面を金網で覆い、再洗浄すれ
ば、半導体基板２にひっつくことなく半導体素子１ｂを
取りはずすことは可能になるが、一端半導体素子１に付
いたシミは再洗浄してもなかなかとれない等の問題点が
あった。
くするため、支持板２から半導体素子１ｂが剥離した時
点で、支持板２を取り、支持板２のかわりにカゴ状治具
８の底面金網との寸法ｔを全面で維持でき半導体素子１
ｂのより小さい開口の金網等で覆い洗浄をすれば、液の
置換がよくなり、洗浄効果が向上し、貼り付け材３ａ、
および処理液６ｂの残りがなくなると考えられるが、半
導体素子１ｂが支持板２から、剥離した時点で、支持板
２を取りはずすことは、半導体素子１ｂのサイズが非常
に小さく（製品によって異なるが、０．５〜１．０W ×
０．５〜１．５D ×０．０４〜０．１t ｍｍ程度）又、
半導体素子１ｂと支持板２は処理液６ｂで濡れているた
め、半導体素子１ｂは、支持板２からとれない。また、
一度、半導体素子１ｂを剥離洗浄した時点で乾燥させ、
支持板２をはずしてから全面を金網で覆い、再洗浄すれ
ば、半導体基板２にひっつくことなく半導体素子１ｂを
取りはずすことは可能になるが、一端半導体素子１に付
いたシミは再洗浄してもなかなかとれない等の問題点が
あった。
【００１１】本発明の目的は、ＰＳＨ構造を有する半導
体素子を支持板から、半導体素子が重なり合うことな
く、又反転することを防ぎ、充分な洗浄効果を保つこと
ができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
体素子を支持板から、半導体素子が重なり合うことな
く、又反転することを防ぎ、充分な洗浄効果を保つこと
ができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
方法は、半導体基板を、支持板に貼り付ける場合、二種
類以上の貼り付け剤を二層以上設け、その内の一種につ
いては選択的に剥離可能な材質にし、半導体素子分離後
の剥離時に一度、選択剥離可能な層で剥離し半導体素子
を、支持板からはずした状態で洗浄を行なうことによっ
て洗浄効果を向上させる。
方法は、半導体基板を、支持板に貼り付ける場合、二種
類以上の貼り付け剤を二層以上設け、その内の一種につ
いては選択的に剥離可能な材質にし、半導体素子分離後
の剥離時に一度、選択剥離可能な層で剥離し半導体素子
を、支持板からはずした状態で洗浄を行なうことによっ
て洗浄効果を向上させる。
【００１３】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１４】図１は本発明の一実施例を説明するための
断面図である。
断面図である。
【００１５】図１（ａ）は、半導体基板１ａを薄く削る
ために支持板２に貼り付けた状態を示すものである。半
導体基板１ａ側に貼り付け材３ａここでは密着力の強い
ネガ系レジスト、支持板２側に選択的に剥離可能な貼り
付け材３ｂ、ここではネガ系レジストに対し熱によって
選択的に剥離できるワックスを用いて、半導体基板１ａ
と支持板２を２層の貼り付け材によって、貼り付けを行
なっている。おのおのの貼り付け材の層の厚さは５〜３
０μｍ程度である。
ために支持板２に貼り付けた状態を示すものである。半
導体基板１ａ側に貼り付け材３ａここでは密着力の強い
ネガ系レジスト、支持板２側に選択的に剥離可能な貼り
付け材３ｂ、ここではネガ系レジストに対し熱によって
選択的に剥離できるワックスを用いて、半導体基板１ａ
と支持板２を２層の貼り付け材によって、貼り付けを行
なっている。おのおのの貼り付け材の層の厚さは５〜３
０μｍ程度である。
【００１６】上記の方法で貼り付けられた半導体基板１
ａは図４に示すフローのように半導体基板１ａを所定の
厚さに削り込み、裏面電極を形成し、支持板に貼り付い
た状態でおのおのの素子に分離が行なわれ、次に半導体
素子１ｂを支持板２から剥離、洗浄することになる。
ａは図４に示すフローのように半導体基板１ａを所定の
厚さに削り込み、裏面電極を形成し、支持板に貼り付い
た状態でおのおのの素子に分離が行なわれ、次に半導体
素子１ｂを支持板２から剥離、洗浄することになる。
【００１７】ここで、図１（ｂ）に示すように、まず支
持板２をホットプレートなどによって、選択性貼り付け
材３ｂここではワックスが溶ける所定の温度にすること
にもより、半導体素子１ｂが他の貼り付け材３ａここで
はネガ系レジストに保持されたままフィルム状態で支持
板２から容易に剥離することができる。このフィルム状
態になった半導体素子１ｂを図１（ｃ）に示すような半
導体素子１ｂの寸法より小さい開口の穴が多数開いてあ
り、たわみ等がなく、半導体素子１ｂを両面から半導体
素子の厚さ以上で厚さの２倍以下の寸法が全面で維持で
きるような薄い板ではさみ込むように保持し、貼り付け
材３ａが溶解する処理液で処理することで、処理液６ｂ
の置換がよくなり洗浄効果が向上し半導体素子１ｂが反
転なく又、お互い重り合うことなく、洗浄することがで
き、工程間の自動化が容易に行なうことができる。又こ
こで、液の置換を促進させるために従来どうりの揺動又
は超音波を加えてもよい。
持板２をホットプレートなどによって、選択性貼り付け
材３ｂここではワックスが溶ける所定の温度にすること
にもより、半導体素子１ｂが他の貼り付け材３ａここで
はネガ系レジストに保持されたままフィルム状態で支持
板２から容易に剥離することができる。このフィルム状
態になった半導体素子１ｂを図１（ｃ）に示すような半
導体素子１ｂの寸法より小さい開口の穴が多数開いてあ
り、たわみ等がなく、半導体素子１ｂを両面から半導体
素子の厚さ以上で厚さの２倍以下の寸法が全面で維持で
きるような薄い板ではさみ込むように保持し、貼り付け
材３ａが溶解する処理液で処理することで、処理液６ｂ
の置換がよくなり洗浄効果が向上し半導体素子１ｂが反
転なく又、お互い重り合うことなく、洗浄することがで
き、工程間の自動化が容易に行なうことができる。又こ
こで、液の置換を促進させるために従来どうりの揺動又
は超音波を加えてもよい。
【００１８】図２は第２の実施例を示す断面図である。
【００１９】図２（ａ）は実施例１と同様に半導体基板
１ａを支持板２に貼り付けた状態を示すものである。半
導体基板１ａ側に貼り付け材３ａ、ここでは密着性の強
いネガ系レジスト用い、選択可能な貼り付け材３ｂは溶
剤なよってネガ系レジストと選択剥離が可能な材質ここ
ではメチル・エチル・ケトン（以下ＭＥＫとよぶ）を用
いるとネガ系レジストと選択剥離が可能なポジ系レジス
トを用いる。ポジ系レジストは一般的にＭＥＫに容易に
溶解されることが知られており、ネガ系レジストは、Ｍ
ＥＫでは溶解しないことが知られている。但し、ポジ系
のレジストは、半導体基板１ａとか支持板２（たとえば
ガラス板）とは接着強度がよわいため、補強としてネガ
系レジストでポジ系レジストをはさんだ状態で用いる。
１ａを支持板２に貼り付けた状態を示すものである。半
導体基板１ａ側に貼り付け材３ａ、ここでは密着性の強
いネガ系レジスト用い、選択可能な貼り付け材３ｂは溶
剤なよってネガ系レジストと選択剥離が可能な材質ここ
ではメチル・エチル・ケトン（以下ＭＥＫとよぶ）を用
いるとネガ系レジストと選択剥離が可能なポジ系レジス
トを用いる。ポジ系レジストは一般的にＭＥＫに容易に
溶解されることが知られており、ネガ系レジストは、Ｍ
ＥＫでは溶解しないことが知られている。但し、ポジ系
のレジストは、半導体基板１ａとか支持板２（たとえば
ガラス板）とは接着強度がよわいため、補強としてネガ
系レジストでポジ系レジストをはさんだ状態で用いる。
【００２０】図２（ｂ）はおのおのお半導体素子１ｂに
分離した後の支持板２からの剥離を示す図である。図示
するように選択性貼り付け材３ｂここではポジ系レジス
トだけを、処理液６ａ、ここではＭＥＫにて溶解するこ
とが容易に行なうことができ、半導体素子１ｂが貼り付
け材３ａここではネガ系レジストに保持されたまま、フ
ィルム状態で支持板２から容易に剥離することができ
る。このフィルム状態になった半導体素子１ｂを実施例
１と同様に洗浄することができる。又、この実施例の場
合ネガ系レジストでフィルム状態になった半導体素子の
洗浄をドライ処理（Ｏ2 プラズマ処理）などによって
も、行なうことができ、特殊な治具を用いずに、半導体
素子１ｂが反転なく又、お互い重り合うこともなく洗浄
するこができる。
分離した後の支持板２からの剥離を示す図である。図示
するように選択性貼り付け材３ｂここではポジ系レジス
トだけを、処理液６ａ、ここではＭＥＫにて溶解するこ
とが容易に行なうことができ、半導体素子１ｂが貼り付
け材３ａここではネガ系レジストに保持されたまま、フ
ィルム状態で支持板２から容易に剥離することができ
る。このフィルム状態になった半導体素子１ｂを実施例
１と同様に洗浄することができる。又、この実施例の場
合ネガ系レジストでフィルム状態になった半導体素子の
洗浄をドライ処理（Ｏ2 プラズマ処理）などによって
も、行なうことができ、特殊な治具を用いずに、半導体
素子１ｂが反転なく又、お互い重り合うこともなく洗浄
するこができる。
【００２１】なお、本発明方法と従来方法による剥離、
洗浄工程に起因する不良率並に半導体素子どおしの重な
り、反転がない割合（整列率）を測定した結果を表１に
示す。
洗浄工程に起因する不良率並に半導体素子どおしの重な
り、反転がない割合（整列率）を測定した結果を表１に
示す。
【００２２】
【００２３】表１から明らかなように従来方法（１）で
不良率を１％以下におさえると整列率は５％以下とな
り、又、従来方法（２）のように整列率を１００％にす
ると不良率は９０％以上となり好ましい結果が得られな
かったのに対し、本発明方法では不良率を１％以下に
し、整列率も１００％にすることができた。
不良率を１％以下におさえると整列率は５％以下とな
り、又、従来方法（２）のように整列率を１００％にす
ると不良率は９０％以上となり好ましい結果が得られな
かったのに対し、本発明方法では不良率を１％以下に
し、整列率も１００％にすることができた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明はあらかじ
め、半導体素子を支持板からフィルム状で剥離すること
によって、半導体素子が重なり合うことなく、又反転す
ることなく、貼り付け材から剥離、洗浄が可能であり、
剥離、洗浄工程に起因する不良率を１％以下にすること
ができる。
め、半導体素子を支持板からフィルム状で剥離すること
によって、半導体素子が重なり合うことなく、又反転す
ることなく、貼り付け材から剥離、洗浄が可能であり、
剥離、洗浄工程に起因する不良率を１％以下にすること
ができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程別の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の他の実施例を説明するための工程別の
断面図である。
断面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法の工程のフローを
示す図である。
示す図である。
１ａ 半導体基板 １ｂ 半導体素子 ２ 支持板 ３ａ 貼り付け材 ３ｂ 選択性貼り付け材 ４ 保持治具 ５ａ，５ｂ 処理槽 ６ａ，６ｂ 処理液 ７ ホットプレート ８ カゴ状治具
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板を支持板に貼り付けて半導体
装置を製造する工程において、半導体基板と支持板を２
種類以上の貼り付け材を２層以上用いて貼り付けること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記２種類以上の貼り付け材の内一種類
については、他の貼り付け材と選択的に剥離可能な材質
とし、半導体基板と選択的に剥離可能な貼り付け材の間
に少なくとも一層は他の貼り付け材を用いて半導体基板
と支持板を貼り付けて半導体装置を製造することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記２種類以上の貼り付け材により貼り
付けられた半導体基板をおのおのの半導体素子に分離さ
せる工程と、この分離させた半導体素子を選択的に剥離
可能な貼り付け材のみ選択的に剥離し他の貼り付け材で
保持された状態で半導体素子を洗浄する工程とを含むこ
とを特徴とする請求項１および請求項２記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20864392A JP2830633B2 (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20864392A JP2830633B2 (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661388A true JPH0661388A (ja) | 1994-03-04 |
| JP2830633B2 JP2830633B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=16559645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20864392A Expired - Fee Related JP2830633B2 (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830633B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018164A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé et dispositif pour séparer une plaque de support d'une plaquette |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP20864392A patent/JP2830633B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018164A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé et dispositif pour séparer une plaque de support d'une plaquette |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830633B2 (ja) | 1998-12-02 |
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