JPH0661353A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0661353A JPH0661353A JP15049592A JP15049592A JPH0661353A JP H0661353 A JPH0661353 A JP H0661353A JP 15049592 A JP15049592 A JP 15049592A JP 15049592 A JP15049592 A JP 15049592A JP H0661353 A JPH0661353 A JP H0661353A
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- fuse
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- silicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】溶断必要エネルギの低減が可能なフューズ溶断
型半導体装置及びその簡単な製造方法の提供。 【構成】薄膜抵抗体３及び金属酸化物６は低融点化合物
を形成して、薄膜抵抗体３の融点を低下させ、このため
に必要な溶断エネルギが従来より格段に削減可能なフュ
ーズをもつ半導体装置が実現した。第２発明の半導体装
置の製造方法では、半導体基板１上に第１の絶縁膜２を
介して、フューズ３としてのクロムシリコン膜と配線と
してのアルミニウム膜５との間にタングステン合金から
なるバリヤ膜４を介在させ、このアルミニウム及びタン
グステン合金をエッチングして配線を形成する。この結
果、エッチング時にフューズ３の表面にタングステン酸
化物６が金属酸化物として堆積される。
型半導体装置及びその簡単な製造方法の提供。 【構成】薄膜抵抗体３及び金属酸化物６は低融点化合物
を形成して、薄膜抵抗体３の融点を低下させ、このため
に必要な溶断エネルギが従来より格段に削減可能なフュ
ーズをもつ半導体装置が実現した。第２発明の半導体装
置の製造方法では、半導体基板１上に第１の絶縁膜２を
介して、フューズ３としてのクロムシリコン膜と配線と
してのアルミニウム膜５との間にタングステン合金から
なるバリヤ膜４を介在させ、このアルミニウム及びタン
グステン合金をエッチングして配線を形成する。この結
果、エッチング時にフューズ３の表面にタングステン酸
化物６が金属酸化物として堆積される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本出願人の出願になる特開平３−１０６
０５５号公報は、クロムシリコン（ＣｒＳｉ）系膜から
なるフューズをシリコン系酸化膜で囲覆した半導体装置
を開示している。
０５５号公報は、クロムシリコン（ＣｒＳｉ）系膜から
なるフューズをシリコン系酸化膜で囲覆した半導体装置
を開示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したクロムシリコ
ン（ＣｒＳｉ）系膜からなるフューズをシリコン系酸化
膜で囲覆した半導体装置は、フューズ溶断型半導体装置
として体積変化が少ない等、好適なフューズとして特性
を有している。このようなフューズ溶断型半導体装置に
おいては、クラックなどの熱的損傷、特性劣化を軽減す
るためにフューズ溶断に必要なエネルギを低減すること
が基本的な課題である。
ン（ＣｒＳｉ）系膜からなるフューズをシリコン系酸化
膜で囲覆した半導体装置は、フューズ溶断型半導体装置
として体積変化が少ない等、好適なフューズとして特性
を有している。このようなフューズ溶断型半導体装置に
おいては、クラックなどの熱的損傷、特性劣化を軽減す
るためにフューズ溶断に必要なエネルギを低減すること
が基本的な課題である。
【０００４】本発明者らは種々実験により、通常フュー
ズとして用いられる薄膜抵抗体の溶断に必要な溶断エネ
ルギを格段に低減可能な構造を発見した。本発明の第１
の目的は、溶断必要エネルギの低減が可能なフューズ溶
断型半導体装置を提供することである。更に本発明者ら
は、溶断必要エネルギの低減が可能な上記フューズ溶断
型半導体装置を簡単な工程で作製可能な製造プロセスを
発見した。本発明の第２の目的は、溶断必要エネルギの
低減が可能なフューズ溶断型半導体装置の簡単な製造方
法を提供することである。
ズとして用いられる薄膜抵抗体の溶断に必要な溶断エネ
ルギを格段に低減可能な構造を発見した。本発明の第１
の目的は、溶断必要エネルギの低減が可能なフューズ溶
断型半導体装置を提供することである。更に本発明者ら
は、溶断必要エネルギの低減が可能な上記フューズ溶断
型半導体装置を簡単な工程で作製可能な製造プロセスを
発見した。本発明の第２の目的は、溶断必要エネルギの
低減が可能なフューズ溶断型半導体装置の簡単な製造方
法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１発明の半導体装置
は、シリコン系酸化膜に囲覆され加熱溶断可能な薄膜抵
抗体を備える半導体装置において、前記薄膜抵抗体の溶
断領域に接して又は混入して形成され、加熱により前記
溶断部の溶断温度を低減させる金属酸化物を有すること
を特徴としている。
は、シリコン系酸化膜に囲覆され加熱溶断可能な薄膜抵
抗体を備える半導体装置において、前記薄膜抵抗体の溶
断領域に接して又は混入して形成され、加熱により前記
溶断部の溶断温度を低減させる金属酸化物を有すること
を特徴としている。
【０００６】第２発明の半導体装置の製造方法は、半導
体基板上に第１の絶縁膜を介して、クロムシリコンから
なる薄膜抵抗体、タングステン合金からなるバリヤ膜、
配線用のアルミ膜を順番に形成し、次に、前記薄膜抵抗
体の溶断領域上の前記バリヤ膜及びアルミ膜だけをエッ
チングし、次に、シリコン系酸化膜を堆積することを特
徴としている。
体基板上に第１の絶縁膜を介して、クロムシリコンから
なる薄膜抵抗体、タングステン合金からなるバリヤ膜、
配線用のアルミ膜を順番に形成し、次に、前記薄膜抵抗
体の溶断領域上の前記バリヤ膜及びアルミ膜だけをエッ
チングし、次に、シリコン系酸化膜を堆積することを特
徴としている。
【０００７】薄膜抵抗体としては、クロムシリコンが好
適であるが、金属酸化物との化合により融点が低下する
金属あるいは金属化合物であればよく、例えばニッケル
クロム、ニッケルクロムシリコン、チタンタングステ
ン、白金シリコン、モリブデンシリコンなどが採用でき
る。金属酸化物としては、タングステン酸化物が好適で
あるが、薄膜抵抗体と化合して薄膜抵抗体の融点を低下
させるものであればよく、例えばモリブデン酸化物、ニ
ッケル酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物などが採用で
きる。
適であるが、金属酸化物との化合により融点が低下する
金属あるいは金属化合物であればよく、例えばニッケル
クロム、ニッケルクロムシリコン、チタンタングステ
ン、白金シリコン、モリブデンシリコンなどが採用でき
る。金属酸化物としては、タングステン酸化物が好適で
あるが、薄膜抵抗体と化合して薄膜抵抗体の融点を低下
させるものであればよく、例えばモリブデン酸化物、ニ
ッケル酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物などが採用で
きる。
【０００８】クロムシリコンはクロムを少なくとも２０
から５０ａｔｍ％含み残部がシリコンからなる合金を指
すが、その目的上、低融点となる組成が好適である。ク
ロムシリコンに酸素や窒素などの添加物を少量（少なく
とも２０ａｔｍ％以下）添加することは当然可能であ
る。タングステン酸化物（ＷＯｘ）はタングステンを少
なくとも２０から５０ａｔｍ％含み残部が酸素からなる
酸化物を指すが、窒素などの添加物を少量含有すること
は当然可能である。
から５０ａｔｍ％含み残部がシリコンからなる合金を指
すが、その目的上、低融点となる組成が好適である。ク
ロムシリコンに酸素や窒素などの添加物を少量（少なく
とも２０ａｔｍ％以下）添加することは当然可能であ
る。タングステン酸化物（ＷＯｘ）はタングステンを少
なくとも２０から５０ａｔｍ％含み残部が酸素からなる
酸化物を指すが、窒素などの添加物を少量含有すること
は当然可能である。
【０００９】シリコン系酸化膜はシリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏｘ）の他、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＳＧ（ボロンガ
ラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンガラス）なども採用する
ことができる。このシリコン系酸化膜は薄膜抵抗体の上
面及び下面の両方に接して設けるのが好適であるが、少
なくとも一方に設ければよい。タングステン合金からな
るバリヤ膜はタングステンを少なくとも５から５０ａｔ
ｍ％含み残部が金属からなる合金を指すが、添加物を少
量含有することは当然可能である。
Ｏｘ）の他、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＳＧ（ボロンガ
ラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンガラス）なども採用する
ことができる。このシリコン系酸化膜は薄膜抵抗体の上
面及び下面の両方に接して設けるのが好適であるが、少
なくとも一方に設ければよい。タングステン合金からな
るバリヤ膜はタングステンを少なくとも５から５０ａｔ
ｍ％含み残部が金属からなる合金を指すが、添加物を少
量含有することは当然可能である。
【００１０】
【作用及び発明の効果】薄膜抵抗体及び金属酸化物は低
融点化合物を形成して、薄膜抵抗体の融点を低下させ、
このために必要な溶断エネルギが従来より格段に削減可
能なフューズをもつ半導体装置が実現した。また、必要
な溶断エネルギが小さいので、保護膜などのクラックな
どの熱障害も少なく、信頼性、耐久性に優れ、溶断電圧
範囲が広いので使い易いという利点もある。
融点化合物を形成して、薄膜抵抗体の融点を低下させ、
このために必要な溶断エネルギが従来より格段に削減可
能なフューズをもつ半導体装置が実現した。また、必要
な溶断エネルギが小さいので、保護膜などのクラックな
どの熱障害も少なく、信頼性、耐久性に優れ、溶断電圧
範囲が広いので使い易いという利点もある。
【００１１】第２発明の半導体装置の製造方法では、半
導体基板上に第１の絶縁膜を介して、フューズとしての
クロムシリコン膜と配線としてのアルミニウム膜との間
にタングステン合金からなるバリヤ膜を介在させ、この
アルミニウム及びタングステン合金をエッチングして配
線を形成する。このようにすると、エッチング時にクロ
ムシリコン膜の表面にタングステン酸化物が残査物とし
て堆積される。したがってこの製造方法によれば、なん
ら追加の製造工程を要することなくタングステン酸化物
を形成することができる。
導体基板上に第１の絶縁膜を介して、フューズとしての
クロムシリコン膜と配線としてのアルミニウム膜との間
にタングステン合金からなるバリヤ膜を介在させ、この
アルミニウム及びタングステン合金をエッチングして配
線を形成する。このようにすると、エッチング時にクロ
ムシリコン膜の表面にタングステン酸化物が残査物とし
て堆積される。したがってこの製造方法によれば、なん
ら追加の製造工程を要することなくタングステン酸化物
を形成することができる。
【００１２】
【実施例】（実施例１）本発明を適用したフューズ装置
の一実施例断面図を図１に示す。シリコン基板１上には
シリコン酸化膜２を介してクロムシリコン膜からなるフ
ューズ３が配設され、フューズ３の溶断領域３１の両側
上にバリヤメタル部４を挟んでアルミ配線部５が配設さ
れている。更にフューズ３の溶断領域３１上には薄いタ
ングステン酸化物６が配設されており、それらの上にＰ
ＳＧ膜７を挟んでパッシベーション用のリンドープ窒化
シリコン膜（Ｐ−ＳｉＮ）８が形成されている。
の一実施例断面図を図１に示す。シリコン基板１上には
シリコン酸化膜２を介してクロムシリコン膜からなるフ
ューズ３が配設され、フューズ３の溶断領域３１の両側
上にバリヤメタル部４を挟んでアルミ配線部５が配設さ
れている。更にフューズ３の溶断領域３１上には薄いタ
ングステン酸化物６が配設されており、それらの上にＰ
ＳＧ膜７を挟んでパッシベーション用のリンドープ窒化
シリコン膜（Ｐ−ＳｉＮ）８が形成されている。
【００１３】以下、その製造方法の一例を説明する。ま
ず図２に示すように、シリコン基板１上に下地絶縁膜と
して厚さ約１．２５μｍのシリコン酸化膜２を酸化法又
はＣＶＤ法により形成し、その上にＰＶＤ法により厚さ
約０．０１５μｍのクロムシリコン膜を形成し、このク
ロムシリコン膜を所定形状にエッチングしてフューズ３
を形成した。なお、下地絶縁膜としては下に窒化シリコ
ン膜、上にシリコン酸化膜とした複合絶縁膜としてもよ
く、またシリコン酸化膜にボロンやリンをドープしても
よい。クロムシリコン膜の組成はクロム３６ａｔｍ％、
シリコン６４ａｔｍ％とした。
ず図２に示すように、シリコン基板１上に下地絶縁膜と
して厚さ約１．２５μｍのシリコン酸化膜２を酸化法又
はＣＶＤ法により形成し、その上にＰＶＤ法により厚さ
約０．０１５μｍのクロムシリコン膜を形成し、このク
ロムシリコン膜を所定形状にエッチングしてフューズ３
を形成した。なお、下地絶縁膜としては下に窒化シリコ
ン膜、上にシリコン酸化膜とした複合絶縁膜としてもよ
く、またシリコン酸化膜にボロンやリンをドープしても
よい。クロムシリコン膜の組成はクロム３６ａｔｍ％、
シリコン６４ａｔｍ％とした。
【００１４】次に、ＰＶＤ法により厚さ約０．１５μｍ
のチタンタングステン（ＴｉＷ）合金膜４０を形成し、
更にその上にＰＶＤ法により厚さ約１．１μｍのアルミ
ニウム膜５０を形成した。チタンタングステン合金膜４
０の組成はチタン９０ａｔｍ％、タングステン１０ａｔ
ｍ％とした。次に、アルミニウム膜５０の上にレジスト
を配設し、このレジストをホトリソ工程により開口した
マスクを用いて、チタンタングステン合金膜４０及びア
ルミニウム膜５０だけをウエットエッチングした。な
お、エッチング液としては過酸化水素水又はこれにアン
モニアを添加したものを用い、エッチング時間は１０
分、エッチング温度は摂氏２５度とした。エッチング後
に、純水により約５分、洗浄を行った。
のチタンタングステン（ＴｉＷ）合金膜４０を形成し、
更にその上にＰＶＤ法により厚さ約１．１μｍのアルミ
ニウム膜５０を形成した。チタンタングステン合金膜４
０の組成はチタン９０ａｔｍ％、タングステン１０ａｔ
ｍ％とした。次に、アルミニウム膜５０の上にレジスト
を配設し、このレジストをホトリソ工程により開口した
マスクを用いて、チタンタングステン合金膜４０及びア
ルミニウム膜５０だけをウエットエッチングした。な
お、エッチング液としては過酸化水素水又はこれにアン
モニアを添加したものを用い、エッチング時間は１０
分、エッチング温度は摂氏２５度とした。エッチング後
に、純水により約５分、洗浄を行った。
【００１５】このようにすると、エッチング後に露出す
るフューズ３の溶断領域３１上に薄い（約１０オングス
トローム）の厚さのタングステン酸化物６が形成され
た。このようにして、フューズ３の両端部上にチタンタ
ングステンからなるバリヤメタル部４を挟んでアルミ配
線部５を形成した（図３参照）。次に図１に示すよう
に、ＣＶＤ法により、厚さ約０．４μｍのＰＳＧ膜７、
厚さ約０．５μｍのＰ−ＳｉＮ膜８を形成し、その後、
両膜７、８の選択開口によるパッド部（図示せず）の形
成、パッド部へのワイヤボンディングなどを行って、工
程を終了した。
るフューズ３の溶断領域３１上に薄い（約１０オングス
トローム）の厚さのタングステン酸化物６が形成され
た。このようにして、フューズ３の両端部上にチタンタ
ングステンからなるバリヤメタル部４を挟んでアルミ配
線部５を形成した（図３参照）。次に図１に示すよう
に、ＣＶＤ法により、厚さ約０．４μｍのＰＳＧ膜７、
厚さ約０．５μｍのＰ−ＳｉＮ膜８を形成し、その後、
両膜７、８の選択開口によるパッド部（図示せず）の形
成、パッド部へのワイヤボンディングなどを行って、工
程を終了した。
【００１６】上記実施例品と、上記実施例品と同一構造
を有し、バリヤメタル部４を形成しない比較例品の溶断
必要エネルギ量について試験した。試験結果を図４に示
す。なお、これらフューズ装置の溶断領域の３１の厚さ
は前述のように０．０１５μｍ、長さは９．６μｍ、幅
は６．４μｍとした。図４の縦軸は、溶断領域の単位面
積当たりの投入エネルギ量であり、投入電力量（溶断電
圧×通電電流×通電電流×通電時間）とし、試験ではパ
ワーメータで測定した。通電時間は一定（ここでは、１
マイクロ秒）とした。
を有し、バリヤメタル部４を形成しない比較例品の溶断
必要エネルギ量について試験した。試験結果を図４に示
す。なお、これらフューズ装置の溶断領域の３１の厚さ
は前述のように０．０１５μｍ、長さは９．６μｍ、幅
は６．４μｍとした。図４の縦軸は、溶断領域の単位面
積当たりの投入エネルギ量であり、投入電力量（溶断電
圧×通電電流×通電電流×通電時間）とし、試験ではパ
ワーメータで測定した。通電時間は一定（ここでは、１
マイクロ秒）とした。
【００１７】図４から実施例品は比較例品に比べて溶断
必要エネルギを格段に低減できることがわかった。そこ
で断面を顕微鏡検査してみると、クロムとタングステン
酸化物とが一体的にＰＳＧ膜７中に分散していた。上記
のことから、実施例品では各膜、特にＰ−ＳｉＮ膜８に
与える熱的ストレスを大幅に低減でき、Ｐ−ＳｉＮ膜８
などのクラックは大幅に軽減できることが予測される。
このことを実証するために、上記実施例品及び比較例品
についてフューズ３への印加電圧を変更した場合におけ
るクラック発生なしに溶断可能な最大電圧を調べた。た
だし、クラックの有無はキャロス試験により調べた。な
お、フューズ３への印加電圧を上昇すると、通電電流電
流が比例的に増大し、通電電流電流の二乗に比例する投
入電力に対応して昇温速度が増大し、ＰＳＧの膨張など
により熱ストレスも増大し、Ｐ−ＳｉＮ膜８のクラック
が発生しやすくなる。しかし、低温度で溶融又は昇華が
生じて溶断すれば、それ以降の通電遮断により溶断領域
３１の昇温が停止される。試験結果によれば、実施例品
のクラック発生なしに溶断可能な最大電圧は３５Ｖ、比
較例品のそれは１５Ｖであった。したがって、低温度で
溶断が生じる実施例品では溶断のために大電圧を印加し
てもクラック発生を抑止し得る。
必要エネルギを格段に低減できることがわかった。そこ
で断面を顕微鏡検査してみると、クロムとタングステン
酸化物とが一体的にＰＳＧ膜７中に分散していた。上記
のことから、実施例品では各膜、特にＰ−ＳｉＮ膜８に
与える熱的ストレスを大幅に低減でき、Ｐ−ＳｉＮ膜８
などのクラックは大幅に軽減できることが予測される。
このことを実証するために、上記実施例品及び比較例品
についてフューズ３への印加電圧を変更した場合におけ
るクラック発生なしに溶断可能な最大電圧を調べた。た
だし、クラックの有無はキャロス試験により調べた。な
お、フューズ３への印加電圧を上昇すると、通電電流電
流が比例的に増大し、通電電流電流の二乗に比例する投
入電力に対応して昇温速度が増大し、ＰＳＧの膨張など
により熱ストレスも増大し、Ｐ−ＳｉＮ膜８のクラック
が発生しやすくなる。しかし、低温度で溶融又は昇華が
生じて溶断すれば、それ以降の通電遮断により溶断領域
３１の昇温が停止される。試験結果によれば、実施例品
のクラック発生なしに溶断可能な最大電圧は３５Ｖ、比
較例品のそれは１５Ｖであった。したがって、低温度で
溶断が生じる実施例品では溶断のために大電圧を印加し
てもクラック発生を抑止し得る。
【００１８】以上説明したように、本実施例のフューズ
装置は従来のものに比べて小エネルギ溶断が可能とな
り、クラック発生が少なく、高い信頼性をもつ。また、
印加可能な最大電圧が高く、投入必要エネルギが小さ
く、使い易い。このようなフューズ３の低融点化は、透
過型電子顕微鏡などによる断面の観察結果から考える
と、クロムシリコンとタングステン酸化物と界面付近で
これらの低融点（又は低融点低沸点）化合物が生じ、こ
れが溶融、蒸発するとタングステン酸化物が急速にクロ
ムシリコン中に溶け込み、クロムシリコンの溶解、蒸発
を促進するのではないかと考えられる。
装置は従来のものに比べて小エネルギ溶断が可能とな
り、クラック発生が少なく、高い信頼性をもつ。また、
印加可能な最大電圧が高く、投入必要エネルギが小さ
く、使い易い。このようなフューズ３の低融点化は、透
過型電子顕微鏡などによる断面の観察結果から考える
と、クロムシリコンとタングステン酸化物と界面付近で
これらの低融点（又は低融点低沸点）化合物が生じ、こ
れが溶融、蒸発するとタングステン酸化物が急速にクロ
ムシリコン中に溶け込み、クロムシリコンの溶解、蒸発
を促進するのではないかと考えられる。
【００１９】上記の知見から、タングステン酸化物の膜
厚は僅かでもそれなりに有効であることがわかる．な
お、クロムシリコン膜の低エネルギ溶断に必要な膜厚を
超える以上にタングステン酸化物を配設することは不可
能では無いが無用であり、好適にはタングステン酸化物
の膜厚はクロムシリコン膜の２０％以下の膜厚とするこ
とが好ましい。 （実施例２）他の実施例を図５に示す。
厚は僅かでもそれなりに有効であることがわかる．な
お、クロムシリコン膜の低エネルギ溶断に必要な膜厚を
超える以上にタングステン酸化物を配設することは不可
能では無いが無用であり、好適にはタングステン酸化物
の膜厚はクロムシリコン膜の２０％以下の膜厚とするこ
とが好ましい。 （実施例２）他の実施例を図５に示す。
【００２０】この実施例はフューズ３の下にタングステ
ン酸化物の薄膜６ａを設けたものであり、プロセスとし
ては、タングステン酸化物のＰＶＤ堆積、その上へのク
ロムシリコン膜の堆積を順次行い、その後、これら両膜
を同一マスクを用いてエッチングすればよい。その他、
クロムシリコン膜３０上又は下にタングステン酸化物の
薄膜を堆積し、図６に示すように、溶断領域のタングス
テン酸化物膜４０だけを残して、それ以外のタングステ
ン酸化物を選択エッチングし、その後、アルミ配線体部
５を形成してもよい。
ン酸化物の薄膜６ａを設けたものであり、プロセスとし
ては、タングステン酸化物のＰＶＤ堆積、その上へのク
ロムシリコン膜の堆積を順次行い、その後、これら両膜
を同一マスクを用いてエッチングすればよい。その他、
クロムシリコン膜３０上又は下にタングステン酸化物の
薄膜を堆積し、図６に示すように、溶断領域のタングス
テン酸化物膜４０だけを残して、それ以外のタングステ
ン酸化物を選択エッチングし、その後、アルミ配線体部
５を形成してもよい。
【００２１】更に、クロムシリコン膜中に所定比率でタ
ングステン酸化物を混入してもよい。なお上記実施例に
おいて、タングステン酸化物の比抵抗は１０5 μΩｃｍ
程度とクロムシリコンの６００μΩｃｍに比べて格段に
高いので、フューズの電気抵抗変化は無視することがで
きる。
ングステン酸化物を混入してもよい。なお上記実施例に
おいて、タングステン酸化物の比抵抗は１０5 μΩｃｍ
程度とクロムシリコンの６００μΩｃｍに比べて格段に
高いので、フューズの電気抵抗変化は無視することがで
きる。
【００２２】また上記実施例において、加熱方法は通電
の他、レーザービームの照射でもよい。
の他、レーザービームの照射でもよい。
【図１】本発明装置の一実施例を示す断面図、
【図２】図１の装置の製造プロセスを示す断面図、
【図３】図１の装置の製造プロセスを示す断面図、
【図４】図１の装置のフューズの溶断必要エネルギと印
加電圧との関係を示す特性図、
加電圧との関係を示す特性図、
【図５】他の実施例を示す断面図、
【図６】他の実施例を示す平面図。
１はシリコン基板、２はシリコン系酸化膜（本発明でい
うシリコン系酸化膜）、３はクロムシリコンからなるフ
ューズ（本発明でいう薄膜抵抗体）、３１は溶断領域、
４はチタンタングステンからなるバリヤ膜、５はアルミ
膜、６はタングステン酸化物（本発明でいう金属酸化
物）
うシリコン系酸化膜）、３はクロムシリコンからなるフ
ューズ（本発明でいう薄膜抵抗体）、３１は溶断領域、
４はチタンタングステンからなるバリヤ膜、５はアルミ
膜、６はタングステン酸化物（本発明でいう金属酸化
物）
フロントページの続き (72)発明者 飯田 眞喜男 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 安部 博文 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 石原 治 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン系酸化膜に囲覆され加熱溶断可能
な薄膜抵抗体を備える半導体装置において、 前記薄膜抵抗体の溶断領域に接して又は混入して形成さ
れ、加熱により前記溶断部の溶断温度を低減させる金属
酸化物を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して、ク
ロムシリコンからなる薄膜抵抗体、タングステン合金か
らなるバリヤ膜、配線用のアルミ膜を順番に形成し、 次に、前記薄膜抵抗体の溶断領域上の前記バリヤ膜及び
アルミ膜だけをエッチングし、 次に、シリコン系酸化膜を堆積することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049592A JP2821316B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049592A JP2821316B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5625218A (en) * | 1994-06-17 | 1997-04-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device equipped with a heat-fusible thin film resistor and production method thereof |
| KR100328709B1 (ko) * | 1999-07-07 | 2002-03-20 | 박종섭 | 프로그래밍 부위 형성방법 |
| US6441447B1 (en) * | 1998-02-12 | 2002-08-27 | Intersil Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
| JP2008034838A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ヒューズメモリを搭載した半導体装置 |
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| JP2021531667A (ja) * | 2018-07-27 | 2021-11-18 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 金属壁を備えた薄膜抵抗器を備える集積回路 |
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1992
- 1992-06-10 JP JP15049592A patent/JP2821316B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE19521985B4 (de) * | 1994-06-17 | 2007-08-09 | Denso Corp., Kariya | Halbleitervorrichtung und diesbezügliches Herstellungsverfahren |
| US6441447B1 (en) * | 1998-02-12 | 2002-08-27 | Intersil Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
| KR100328709B1 (ko) * | 1999-07-07 | 2002-03-20 | 박종섭 | 프로그래밍 부위 형성방법 |
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| JP2021531667A (ja) * | 2018-07-27 | 2021-11-18 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 金属壁を備えた薄膜抵抗器を備える集積回路 |
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| Publication number | Publication date |
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