JPH0660449A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0660449A JPH0660449A JP13309892A JP13309892A JPH0660449A JP H0660449 A JPH0660449 A JP H0660449A JP 13309892 A JP13309892 A JP 13309892A JP 13309892 A JP13309892 A JP 13309892A JP H0660449 A JPH0660449 A JP H0660449A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】従来より小さい記録磁界及び消去磁界において
デ−タの記録及び消去が可能な光磁気記録媒体を提供
し、光磁気記録媒体に情報を記録、再生する光磁気ディ
スク装置の形状の小型化を図る。 【構成】ポリカ−ボネイト基板１上に、少なくとも、Ｓ
ｉＮからなる第１の誘電体層２と、希土類金属と鉄族遷
移金属との組合せによって作製されるＴｂＦｅＣｏＴｉ
合金膜から成る記録膜層４と、ＳｉＮからなる第２の誘
電体層５と、ＡｌＴｉ合金からなる反射膜層６とが、こ
の順に成膜され、記録膜層４形成前に、第１の誘電体層
２をスパッタエッチングして作製された光磁気記録媒体
であって、第１の誘電体層２のスパッタエッチング量が
５オングストローム〜２０オングストロームの範囲とな
るように構成されている。
デ−タの記録及び消去が可能な光磁気記録媒体を提供
し、光磁気記録媒体に情報を記録、再生する光磁気ディ
スク装置の形状の小型化を図る。 【構成】ポリカ−ボネイト基板１上に、少なくとも、Ｓ
ｉＮからなる第１の誘電体層２と、希土類金属と鉄族遷
移金属との組合せによって作製されるＴｂＦｅＣｏＴｉ
合金膜から成る記録膜層４と、ＳｉＮからなる第２の誘
電体層５と、ＡｌＴｉ合金からなる反射膜層６とが、こ
の順に成膜され、記録膜層４形成前に、第１の誘電体層
２をスパッタエッチングして作製された光磁気記録媒体
であって、第１の誘電体層２のスパッタエッチング量が
５オングストローム〜２０オングストロームの範囲とな
るように構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置に
用いられる記録媒体に関し、特に記録磁界感度及び消去
磁界感度の優れた光磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
用いられる記録媒体に関し、特に記録磁界感度及び消去
磁界感度の優れた光磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置は、大容量ファイルメモ
リの１つとして注目されている。中でも光磁気ディスク
装置は、記録情報の書換えが可能であると言う利点をも
っていることから、コ−ドデ−タファイルメモリを始
め、画像ファイルメモリ等広範囲な応用が各所で盛んに
研究されている。
リの１つとして注目されている。中でも光磁気ディスク
装置は、記録情報の書換えが可能であると言う利点をも
っていることから、コ−ドデ−タファイルメモリを始
め、画像ファイルメモリ等広範囲な応用が各所で盛んに
研究されている。
【０００３】記録媒体としては、ポリカ−ボネイト等の
樹脂基体上に、ＳｉＮから成る第一の誘電体層、希土類
金属と鉄族遷移金属との組合せによって作製されるＴｂ
ＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜から成る記録層、Ｓ
ｉＮから成る第二の誘電体層の順に成膜する方法、さら
にはＡｌ等の反射膜を形成する方法が知られている。
樹脂基体上に、ＳｉＮから成る第一の誘電体層、希土類
金属と鉄族遷移金属との組合せによって作製されるＴｂ
ＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜から成る記録層、Ｓ
ｉＮから成る第二の誘電体層の順に成膜する方法、さら
にはＡｌ等の反射膜を形成する方法が知られている。
【０００４】これらを用いた光磁気ディスク装置は、パ
ーソナルコンピュータのコ−ドデ−タファイルメモリ分
野を始めとして、既に、実用レベルにあり、用途拡大が
期待されている。用途の拡大に伴い、光磁気記録媒体に
情報を記録、再生する光磁気ディスク装置の形状の小型
化が強く期待されている。
ーソナルコンピュータのコ−ドデ−タファイルメモリ分
野を始めとして、既に、実用レベルにあり、用途拡大が
期待されている。用途の拡大に伴い、光磁気記録媒体に
情報を記録、再生する光磁気ディスク装置の形状の小型
化が強く期待されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の成膜方
法で作製された光磁気記録媒体は、情報の記録及び消去
を行う場合に大きな外部印加磁界が必要である。
法で作製された光磁気記録媒体は、情報の記録及び消去
を行う場合に大きな外部印加磁界が必要である。
【０００６】従って、磁界を発生させるための電磁石が
大きくなり、光磁気ディスク装置の形状の小型化が困難
であるという問題がある。
大きくなり、光磁気ディスク装置の形状の小型化が困難
であるという問題がある。
【０００７】本発明の目的は、記録膜層形成前に、Ｓｉ
Ｎから成る第１の誘電体層をスパッタエッチングして光
磁気記録媒体を作製することにより、上記の欠点を解消
し、従来より小さい記録磁界及び消去磁界においてデ−
タの記録及び消去が可能な光磁気記録媒体を提供し、光
磁気記録媒体に情報を記録、再生する光磁気ディスク装
置の形状の小型化を図る光磁気記録媒体及びその製造方
法を提供することにある。
Ｎから成る第１の誘電体層をスパッタエッチングして光
磁気記録媒体を作製することにより、上記の欠点を解消
し、従来より小さい記録磁界及び消去磁界においてデ−
タの記録及び消去が可能な光磁気記録媒体を提供し、光
磁気記録媒体に情報を記録、再生する光磁気ディスク装
置の形状の小型化を図る光磁気記録媒体及びその製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本第一の発明の光磁気記
録媒体の製造方法では、有機樹脂基板上に、少なくと
も、ＳｉＮからなる第１の誘電体層と、希土類金属と鉄
族遷移金属との組合せによって作製される非晶質磁性合
金からなる記録膜層と、ＳｉＮからなる第２の誘電体層
と、ＡｌＴｉ合金からなる反射膜層とを、この順に成膜
された光磁気記録媒体の製造方法において、記録膜層形
成前に、第１の誘電体層をスパッタエッチングしてい
る。
録媒体の製造方法では、有機樹脂基板上に、少なくと
も、ＳｉＮからなる第１の誘電体層と、希土類金属と鉄
族遷移金属との組合せによって作製される非晶質磁性合
金からなる記録膜層と、ＳｉＮからなる第２の誘電体層
と、ＡｌＴｉ合金からなる反射膜層とを、この順に成膜
された光磁気記録媒体の製造方法において、記録膜層形
成前に、第１の誘電体層をスパッタエッチングしてい
る。
【０００９】本第二の発明の光磁気記録媒体では、上記
第一の発明の光磁気記録媒体の製造方法で作製された光
磁気記録媒体であって、第１の誘電体層のスパッタエッ
チング量が５オングストローム〜２０オングストローム
の範囲にあるように構成されている。
第一の発明の光磁気記録媒体の製造方法で作製された光
磁気記録媒体であって、第１の誘電体層のスパッタエッ
チング量が５オングストローム〜２０オングストローム
の範囲にあるように構成されている。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例の光磁気記録媒体
の基本構造を示す断面図である。図１において、本実施
例の光磁気記録媒体は、厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍ
ｍのポリカ−ボネイト基板１上に、ＳｉＮからなる厚さ
１１００オングストロームの第１の誘電体層２、第１の
誘電体層２の表面を１０オングストロームスパッタエッ
チングしたスパッタエッチング層３、ＴｂＦｅＣｏＴｉ
から成る厚さ２００オングストロームの記録層４、Ｓｉ
Ｎから成る厚さ３００オングストロームの第２の誘電体
層５、ＡｌＴｉから成る厚さ３００オングストロームの
金属反射層６の順に成膜されている。上記各層は、イン
ラインスパッタ装置を用いて次のようにして基板上に連
続成膜される。まずＳｉＮから成る厚さ１１００オング
ストロームの第１の誘電体層２は、Ｓｉタ−ゲットを用
い、タ−ゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワ−密度８
（Ｗ／ｃｍ2 ）、ＡｒとＮ2 のガス流量Ａｒ／Ｎ2 ＝１
００／５５（ＳＣＣＭ）、スパッタガス圧０．３（Ｐ
ａ）で成膜される。第１の誘電体層２の表面を１０オン
グストロームスパッタエッチングしたスパッタエッチン
グ層３はパワ−密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2 ）、Ａｒ＝２
５（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１（Ｐａ）でスパッタエッ
チングされる。ＴｂＦｅＣｏＴｉから成る厚さ２００オ
ングストロームの記録層４は、Ｔｂタ−ゲットとＦｅＣ
ｏＴｉ合金タ−ゲット（Ｆｅ84Ｃｏ12Ｔｉ4 ａｔｍ％）
を用いた２元ＤＣマグネトロンスパッタ法により、基板
を回転しながら、タ−ゲットと基板間距離１０ｃｍ、Ｔ
ｂタ−ゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金タ−ゲットのパワ−
密度、各々１．５（Ｗ／ｃｍ2 ）及び３．０（Ｗ／ｃｍ
2 ）、Ａｒ＝５０（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１４（Ｐ
ａ）で成膜される。また、ＳｉＮから成る厚さ３００オ
ングストロームの第２の誘電体層５は第１の誘電体層２
と同じ条件で成膜される。ＡｌＴｉ合金膜から成る厚さ
３００オングストロームの金属反射層６は、Ｔｉを１ｗ
ｔ％含有するＡｌＴｉ合金タ−ゲットを用い、Ａｒガス
をスパッタガスとしてタ−ゲットと基板間距離１５（ｃ
ｍ）、パワ−密度３．０（Ｗ／ｃｍ2 ）、ガス圧０．１
（Ｐａ）で成膜される。上述したスパッタエッチング層
３のエッチング量を０〜５０オングストロームの範囲で
変化させた媒体を９種類作製した。これらの媒体を単板
状態でマグネットハブを付け、線速９．４（ｍ／ｓｅ
ｃ）、周波数６．２（ＭＨｚ）、パルス幅５０（ｎ
ｓ）) 、再生パワ−１（ｍｗ）、記録及び消去パワ−１
０（ｍｗ）の条件下において最小記録磁界及び最小消去
磁界の測定を行った。図２は本実施例の光磁気記録媒体
の最小記録磁界及び最小消去磁界のスパッタエッチング
層厚依存性を示す図である。図２よりスパッタエッチン
グ層厚が５オングストローム以上の媒体は最小記録磁界
及び最小消去磁界が２００（Ｏｅ）以下になることがわ
かる。一方、スパッタエッチング層厚が３０オングスト
ローム以上になると、再生ビ−ムの連続照射により保存
デ−タが劣化することが判明した。図３は本実施例の光
磁気記録媒体の保存デ−タの劣化状態をＣＮ比の低下量
で表した図である。図３に示すように、スパッタエッチ
ング層厚が０〜２５オングストロームの範囲ではＣＮ比
の低下が認められないが３０オングストローム以上にな
るとＣＮ比の劣化が始まる。以上のことからスパッタエ
ッチング層厚が５〜２０オングストロームの範囲の媒体
は小さい記録磁界及び消去磁界でデ−タの記録及び消去
が可能となり、さらに保存デ−タの劣化のない媒体であ
ることが判る。また、デ−タの記録及び消去時の外部印
加磁界が２００（Ｏｅ）) 以下となるため、印加磁界の
方向転換が高速で行うことが可能となり、オ−バ−ライ
ト媒体としての適用も可能である。尚、記録膜の組成や
Ａｌ合金の組成及び媒体の各々の層厚は上述のものに限
定されるものではなく、所望の記録再生特性に応じて適
宜選択され、これらに対しても同様の効果があることは
言うまでもない。
の基本構造を示す断面図である。図１において、本実施
例の光磁気記録媒体は、厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍ
ｍのポリカ−ボネイト基板１上に、ＳｉＮからなる厚さ
１１００オングストロームの第１の誘電体層２、第１の
誘電体層２の表面を１０オングストロームスパッタエッ
チングしたスパッタエッチング層３、ＴｂＦｅＣｏＴｉ
から成る厚さ２００オングストロームの記録層４、Ｓｉ
Ｎから成る厚さ３００オングストロームの第２の誘電体
層５、ＡｌＴｉから成る厚さ３００オングストロームの
金属反射層６の順に成膜されている。上記各層は、イン
ラインスパッタ装置を用いて次のようにして基板上に連
続成膜される。まずＳｉＮから成る厚さ１１００オング
ストロームの第１の誘電体層２は、Ｓｉタ−ゲットを用
い、タ−ゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワ−密度８
（Ｗ／ｃｍ2 ）、ＡｒとＮ2 のガス流量Ａｒ／Ｎ2 ＝１
００／５５（ＳＣＣＭ）、スパッタガス圧０．３（Ｐ
ａ）で成膜される。第１の誘電体層２の表面を１０オン
グストロームスパッタエッチングしたスパッタエッチン
グ層３はパワ−密度０．１５（Ｗ／ｃｍ2 ）、Ａｒ＝２
５（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１（Ｐａ）でスパッタエッ
チングされる。ＴｂＦｅＣｏＴｉから成る厚さ２００オ
ングストロームの記録層４は、Ｔｂタ−ゲットとＦｅＣ
ｏＴｉ合金タ−ゲット（Ｆｅ84Ｃｏ12Ｔｉ4 ａｔｍ％）
を用いた２元ＤＣマグネトロンスパッタ法により、基板
を回転しながら、タ−ゲットと基板間距離１０ｃｍ、Ｔ
ｂタ−ゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金タ−ゲットのパワ−
密度、各々１．５（Ｗ／ｃｍ2 ）及び３．０（Ｗ／ｃｍ
2 ）、Ａｒ＝５０（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１４（Ｐ
ａ）で成膜される。また、ＳｉＮから成る厚さ３００オ
ングストロームの第２の誘電体層５は第１の誘電体層２
と同じ条件で成膜される。ＡｌＴｉ合金膜から成る厚さ
３００オングストロームの金属反射層６は、Ｔｉを１ｗ
ｔ％含有するＡｌＴｉ合金タ−ゲットを用い、Ａｒガス
をスパッタガスとしてタ−ゲットと基板間距離１５（ｃ
ｍ）、パワ−密度３．０（Ｗ／ｃｍ2 ）、ガス圧０．１
（Ｐａ）で成膜される。上述したスパッタエッチング層
３のエッチング量を０〜５０オングストロームの範囲で
変化させた媒体を９種類作製した。これらの媒体を単板
状態でマグネットハブを付け、線速９．４（ｍ／ｓｅ
ｃ）、周波数６．２（ＭＨｚ）、パルス幅５０（ｎ
ｓ）) 、再生パワ−１（ｍｗ）、記録及び消去パワ−１
０（ｍｗ）の条件下において最小記録磁界及び最小消去
磁界の測定を行った。図２は本実施例の光磁気記録媒体
の最小記録磁界及び最小消去磁界のスパッタエッチング
層厚依存性を示す図である。図２よりスパッタエッチン
グ層厚が５オングストローム以上の媒体は最小記録磁界
及び最小消去磁界が２００（Ｏｅ）以下になることがわ
かる。一方、スパッタエッチング層厚が３０オングスト
ローム以上になると、再生ビ−ムの連続照射により保存
デ−タが劣化することが判明した。図３は本実施例の光
磁気記録媒体の保存デ−タの劣化状態をＣＮ比の低下量
で表した図である。図３に示すように、スパッタエッチ
ング層厚が０〜２５オングストロームの範囲ではＣＮ比
の低下が認められないが３０オングストローム以上にな
るとＣＮ比の劣化が始まる。以上のことからスパッタエ
ッチング層厚が５〜２０オングストロームの範囲の媒体
は小さい記録磁界及び消去磁界でデ−タの記録及び消去
が可能となり、さらに保存デ−タの劣化のない媒体であ
ることが判る。また、デ−タの記録及び消去時の外部印
加磁界が２００（Ｏｅ）) 以下となるため、印加磁界の
方向転換が高速で行うことが可能となり、オ−バ−ライ
ト媒体としての適用も可能である。尚、記録膜の組成や
Ａｌ合金の組成及び媒体の各々の層厚は上述のものに限
定されるものではなく、所望の記録再生特性に応じて適
宜選択され、これらに対しても同様の効果があることは
言うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体及びその製造方法は、記録膜層形成前に、ＳｉＮ
から成る第１の誘電体層を、スパッタエッチング量が５
オングストローム〜２０オングストロームの範囲となる
ようにスパッタエッチングして光磁気記録媒体を作製す
ることにより、従来より小さい記録磁界及び消去磁界に
おいてデ−タの記録及び消去が可能な光磁気記録媒体を
提供できる。また、上述した磁界の低減により、電磁石
の小型化が可能となり、光磁気記録媒体に情報を記録、
再生する光磁気ディスク装置の形状の小型化が期待でき
る。さらには、オ−バ−ライト媒体としての適用も可能
であるという効果がある。
録媒体及びその製造方法は、記録膜層形成前に、ＳｉＮ
から成る第１の誘電体層を、スパッタエッチング量が５
オングストローム〜２０オングストロームの範囲となる
ようにスパッタエッチングして光磁気記録媒体を作製す
ることにより、従来より小さい記録磁界及び消去磁界に
おいてデ−タの記録及び消去が可能な光磁気記録媒体を
提供できる。また、上述した磁界の低減により、電磁石
の小型化が可能となり、光磁気記録媒体に情報を記録、
再生する光磁気ディスク装置の形状の小型化が期待でき
る。さらには、オ−バ−ライト媒体としての適用も可能
であるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の光磁気記録媒体の基本構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本実施例の光磁気記録媒体の最小記録磁界及び
最小消去磁界のスパッタエッチング層厚依存性を示す図
である。
最小消去磁界のスパッタエッチング層厚依存性を示す図
である。
【図３】本実施例の光磁気記録媒体の保存デ−タの劣化
状態をＣＮ比の低下量で表した図である。
状態をＣＮ比の低下量で表した図である。
１ ポリカ−ボネイト基板 ２ ＳｉＮから成る第１の誘電体層 ３ 第１の誘電体層表面のスパッタエッチング層 ４ ＴｂＦｅＣｏＴｉ合金膜から成る記録膜層 ５ ＳｉＮから成る第２の誘電体層 ６ ＡｌＴｉ合金膜から成る金属反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 有機樹脂基板上に、少なくとも、ＳｉＮ
からなる第１の誘電体層と、希土類金属と鉄族遷移金属
との組合せによって作製される非晶質磁性合金からなる
記録膜層と、ＳｉＮからなる第２の誘電体層と、ＡｌＴ
ｉ合金からなる反射膜層とを、この順に成膜された光磁
気記録媒体の製造方法において、前記記録膜層形成前
に、前記第１の誘電体層をスパッタエッチングすること
を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方
法で作製された光磁気記録媒体であって、前記第１の誘
電体層のスパッタエッチング量が５オングストローム〜
２０オングストロームの範囲にあることを特徴とする光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04133098A JP3093440B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04133098A JP3093440B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660449A true JPH0660449A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3093440B2 JP3093440B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=15096786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04133098A Expired - Fee Related JP3093440B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093440B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451160B1 (ko) * | 2002-02-09 | 2004-10-02 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법 |
| KR100700519B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2007-03-28 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록매체 및 그 제조방법 |
| US9457214B2 (en) | 2009-10-23 | 2016-10-04 | Air Water Safety Service Inc. | Gas fire-extinguishing apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156829U (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP04133098A patent/JP3093440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100700519B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2007-03-28 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록매체 및 그 제조방법 |
| KR100451160B1 (ko) * | 2002-02-09 | 2004-10-02 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법 |
| US9457214B2 (en) | 2009-10-23 | 2016-10-04 | Air Water Safety Service Inc. | Gas fire-extinguishing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3093440B2 (ja) | 2000-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |