JPH0660061B2 - 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 - Google Patents
簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法Info
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- JPH0660061B2 JPH0660061B2 JP60167286A JP16728685A JPH0660061B2 JP H0660061 B2 JPH0660061 B2 JP H0660061B2 JP 60167286 A JP60167286 A JP 60167286A JP 16728685 A JP16728685 A JP 16728685A JP H0660061 B2 JPH0660061 B2 JP H0660061B2
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、スライダの端面に磁性体、導電体および絶縁
体等の積層物よりなる薄膜トランスジユーサを形成した
形態の薄膜磁気ヘツドに使用するに好適なスライダに関
する。
体等の積層物よりなる薄膜トランスジユーサを形成した
形態の薄膜磁気ヘツドに使用するに好適なスライダに関
する。
磁気デイスクフアイルの分野において、薄膜磁気ヘツド
を磁気デイスクよりわずかに浮上した状態で使用する方
法が広く採用されているが、データ処理の技術が長足に
進歩し、データが記録デイスク面により高密度に詰め込
まれるようになつてきており、それに応じてヘツドとデ
イスク面との距離を一層小さくする必要が生じてきてい
る。このような薄膜磁気ヘツド用のスライダ材は、該ヘ
ツド形成プロセスにおいて薬品や熱等に対して安定であ
ること、機械加工時に変形や変質しないこと、必要な寸
法精度が十分に出やすいこと、切削，研削，研摩等の加
工が容易に行えること、および磁気デイスクとの摺動性
に優れること等が必要である。すなわち、これらの要求
を達成するためのスライダ材の物性値としては、 （イ） 熱膨張係数が薄膜トランスジユーサを含む磁気
ヘツドアセンブリに使用する材料に近いこと、例えば、
室温から４００℃における熱膨張係数が７〜１２×１０
６／℃であることが望ましい。
を磁気デイスクよりわずかに浮上した状態で使用する方
法が広く採用されているが、データ処理の技術が長足に
進歩し、データが記録デイスク面により高密度に詰め込
まれるようになつてきており、それに応じてヘツドとデ
イスク面との距離を一層小さくする必要が生じてきてい
る。このような薄膜磁気ヘツド用のスライダ材は、該ヘ
ツド形成プロセスにおいて薬品や熱等に対して安定であ
ること、機械加工時に変形や変質しないこと、必要な寸
法精度が十分に出やすいこと、切削，研削，研摩等の加
工が容易に行えること、および磁気デイスクとの摺動性
に優れること等が必要である。すなわち、これらの要求
を達成するためのスライダ材の物性値としては、 （イ） 熱膨張係数が薄膜トランスジユーサを含む磁気
ヘツドアセンブリに使用する材料に近いこと、例えば、
室温から４００℃における熱膨張係数が７〜１２×１０
６／℃であることが望ましい。
（ロ） 熱伝導率が例えば５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上で熱的な
影響を低めるものであること、 （ハ） 硬さが極端に高くなく、例えば1500kg／mm2以
下（荷重１００Ｎ）で相手材を損傷させないこと、 （ニ） ヤング率が例えば２×１０4kg／mm2以上と高
く、位置決め等の作業性が良好であること、 （ホ） 比重が例えば４ｇ／cm3以下と小さく、磁気ヘ
ツドの重量増加を小さくすることができること、 （ヘ） 曲げ強度が例えば３００ＭＰａ以上と高いこ
と、 が要求される。
影響を低めるものであること、 （ハ） 硬さが極端に高くなく、例えば1500kg／mm2以
下（荷重１００Ｎ）で相手材を損傷させないこと、 （ニ） ヤング率が例えば２×１０4kg／mm2以上と高
く、位置決め等の作業性が良好であること、 （ホ） 比重が例えば４ｇ／cm3以下と小さく、磁気ヘ
ツドの重量増加を小さくすることができること、 （ヘ） 曲げ強度が例えば３００ＭＰａ以上と高いこ
と、 が要求される。
ところで、従来の薄膜磁気ヘツド用スライダ材として、
例えば特公昭58-5470 号公報に開示されているＡｌ2Ｏ3
とＴｉＣとの混合物から製造されるスライダ材は、熱伝
導率があまり大きくなく、さらに硬さが著しく大きいこ
と等のために、長時間の使用中に磁気デイスクと磁気ヘ
ツドとの接触による事故が発生しやすく、必ずしも信頼
性の点で十分ではないという問題があつた。
例えば特公昭58-5470 号公報に開示されているＡｌ2Ｏ3
とＴｉＣとの混合物から製造されるスライダ材は、熱伝
導率があまり大きくなく、さらに硬さが著しく大きいこ
と等のために、長時間の使用中に磁気デイスクと磁気ヘ
ツドとの接触による事故が発生しやすく、必ずしも信頼
性の点で十分ではないという問題があつた。
本発明の目的は、従来の薄膜磁気ヘツド用スライダ材に
おける前述のとおりの問題点を解消し、特の熱伝導率が
大きく、しかも硬さが極端に大きくない、磁気デイスク
との摺動性に優れた薄膜磁気ヘツド用スライダおよびそ
の製造方法を提供することにある。
おける前述のとおりの問題点を解消し、特の熱伝導率が
大きく、しかも硬さが極端に大きくない、磁気デイスク
との摺動性に優れた薄膜磁気ヘツド用スライダおよびそ
の製造方法を提供することにある。
本発明者らは、前記目的を達成するための手段を鋭意研
究した結果、前記薄膜磁気ヘツド用スライダとして具備
すべき条件を満足する材料として、ＭａＯとＡｌＮの混
合物から製造された焼結体からなる材料が極めて優れて
いることを見い出したことに基づいて、完成されたもの
である。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘツド用スライダ
は、ＭｇＯとＡｌＮとの容量比が９０：１０〜２０：８
０の範囲にあるＭｇＯとＡｌＮの混合物から製造された
焼結体からなることを特徴とするものである。
究した結果、前記薄膜磁気ヘツド用スライダとして具備
すべき条件を満足する材料として、ＭａＯとＡｌＮの混
合物から製造された焼結体からなる材料が極めて優れて
いることを見い出したことに基づいて、完成されたもの
である。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘツド用スライダ
は、ＭｇＯとＡｌＮとの容量比が９０：１０〜２０：８
０の範囲にあるＭｇＯとＡｌＮの混合物から製造された
焼結体からなることを特徴とするものである。
また、前記薄膜磁気ヘツド用スライダの製造方法とし
て、熱間加圧焼結法いわゆるホツトプレス法、熱間静水
圧焼結法（ＨＩＰ方法）、あるいは加圧不活性ガス中で
の焼結法を用いることにより、気孔率が極めて低く、ス
ライダ材とした望ましい特性を有するＭｇＯとＡｌＮの
混合焼結体が得られることを知見して完成されたもので
ある。
て、熱間加圧焼結法いわゆるホツトプレス法、熱間静水
圧焼結法（ＨＩＰ方法）、あるいは加圧不活性ガス中で
の焼結法を用いることにより、気孔率が極めて低く、ス
ライダ材とした望ましい特性を有するＭｇＯとＡｌＮの
混合焼結体が得られることを知見して完成されたもので
ある。
すなわち、本発明の薄膜磁気ヘツド用スライダの製造方
法の具体的構成は以下のとおりである。
法の具体的構成は以下のとおりである。
（イ） ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０：
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合粉末を得たのち、該混合粉末を所定の形状の黒
鉛型に挿入し、非酸化性雰囲気中で1100〜2000℃に加熱
するとともに、該混合粉末に１０〜７０ＭＰａの荷重を
負荷しながら焼結を行うことを特徴とするＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合焼結体からなる薄膜磁気ヘツド用スライダの製
造方法。
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合粉末を得たのち、該混合粉末を所定の形状の黒
鉛型に挿入し、非酸化性雰囲気中で1100〜2000℃に加熱
するとともに、該混合粉末に１０〜７０ＭＰａの荷重を
負荷しながら焼結を行うことを特徴とするＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合焼結体からなる薄膜磁気ヘツド用スライダの製
造方法。
（ロ） ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０：
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合粉末を得たのち、該混合粉末を予備焼結し、９
０％以上の緻密度を有する予備焼結体とし、該予備焼結
体を非酸化性雰囲気中で1100〜2000℃、圧力１００〜２
００ＭＰａの熱間静水圧焼結法により本焼結を行うこと
を特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる薄膜
磁気ヘツド用スライダの製造方法。
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合粉末を得たのち、該混合粉末を予備焼結し、９
０％以上の緻密度を有する予備焼結体とし、該予備焼結
体を非酸化性雰囲気中で1100〜2000℃、圧力１００〜２
００ＭＰａの熱間静水圧焼結法により本焼結を行うこと
を特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる薄膜
磁気ヘツド用スライダの製造方法。
（ハ） ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０：
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、MgO とＡｌＮ
の混合粉末を得たのち、該混合粉末を黒鉛型に挿入し、
加圧不活性ガス中で1100〜2000℃で焼結することを特徴
とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなることを特徴
とする薄膜磁気ヘツド用スライダの製造方法。
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、MgO とＡｌＮ
の混合粉末を得たのち、該混合粉末を黒鉛型に挿入し、
加圧不活性ガス中で1100〜2000℃で焼結することを特徴
とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなることを特徴
とする薄膜磁気ヘツド用スライダの製造方法。
ここで、本発明において薄膜磁気ヘツド用スライダとし
てＭｇＯとＡｌＮの混合物とした理由およびその混合比
を容量比で９０：１０〜２０：８０とした理由について
説明する。
てＭｇＯとＡｌＮの混合物とした理由およびその混合比
を容量比で９０：１０〜２０：８０とした理由について
説明する。
ＭｇＯは、熱伝導率が大きいこと、ヤング率が大きいこ
と、硬さが極端に大きくないこと、比重が小さいこと、
機械加工性が優れていることなどの点でスライダとして
好適である。しかしながら一方で、熱膨張係数が大きい
こと、強度があまり大きくないこと等の点が欠点として
挙げられる。ＡｌＮは、ヤング率が大きいこと、熱伝導
率が大きいこと、硬さが極端に大きくないこと、比重が
小さいこと、強度が大きいことなどの点でスライダとし
て好適である。一方、ＡｌＮは、熱膨張係数が小さいこ
と、機械加工性があまり良くないこと等の欠点がある。
と、硬さが極端に大きくないこと、比重が小さいこと、
機械加工性が優れていることなどの点でスライダとして
好適である。しかしながら一方で、熱膨張係数が大きい
こと、強度があまり大きくないこと等の点が欠点として
挙げられる。ＡｌＮは、ヤング率が大きいこと、熱伝導
率が大きいこと、硬さが極端に大きくないこと、比重が
小さいこと、強度が大きいことなどの点でスライダとし
て好適である。一方、ＡｌＮは、熱膨張係数が小さいこ
と、機械加工性があまり良くないこと等の欠点がある。
本発明は、上記したＭｇＯとＡｌＮのスライダとしての
長所を生かし、しかも短所を相補わせるために、ＭｇＯ
とＡｌＮを混合し、これを焼結することによつて、薄膜
磁気ヘツド用スライダ材を得ようとするものである。
長所を生かし、しかも短所を相補わせるために、ＭｇＯ
とＡｌＮを混合し、これを焼結することによつて、薄膜
磁気ヘツド用スライダ材を得ようとするものである。
本発明になるスライダは、ＭｇＯとＡｌＮの比が容量比
で９０：１０〜２０：８０の範囲にある非末混合物から
製造された焼結体からなる。MgO 量が多すぎると、熱膨
張係数が大きすぎるこ、強度があまり大きくないことな
どの問題が生じ、逆にＡｌＮの量が多すぎる場合、熱膨
張係数が小さすぎること、機械加工性がよくないことな
どの問題が生じるため、本発明においては、ＭｇＯとＡ
ｌＮの混合容量比を９０：１０〜２０：８０に特定した
ものである。
で９０：１０〜２０：８０の範囲にある非末混合物から
製造された焼結体からなる。MgO 量が多すぎると、熱膨
張係数が大きすぎるこ、強度があまり大きくないことな
どの問題が生じ、逆にＡｌＮの量が多すぎる場合、熱膨
張係数が小さすぎること、機械加工性がよくないことな
どの問題が生じるため、本発明においては、ＭｇＯとＡ
ｌＮの混合容量比を９０：１０〜２０：８０に特定した
ものである。
また、前記焼結体は、強度、機械加工性および特性の均
一性の点から、気孔率が０．５％以下で、焼結粒の大き
さが平均値で１０μｍ以下であることが好ましい。
一性の点から、気孔率が０．５％以下で、焼結粒の大き
さが平均値で１０μｍ以下であることが好ましい。
次に、本発明の薄膜磁気ヘツド用スライダ材の製造方法
において、その製造条件を特定した理由について説明す
る。
において、その製造条件を特定した理由について説明す
る。
すなわち、前述の特性を有する焼結体は、好ましくはホ
ツトプレス製造される。ホツトプレスの条件は一律には
決められないが、通常の条件としては、温度1100〜2000
℃、荷重１０〜７０ＭＰａで、時間は焼結体の気孔率が
０．５％以下になるのに十分な時間行う。焼結時の雰囲
気も重要で、酸化性の雰囲気は使えない。すなわち、酸
化性の雰囲気中では昇温時ＡｌＮが酸化してしまうため
である。このため、焼結時の雰囲気は、真空またはアル
ゴン，ヘリウム，窒素のような不活性ガス雰囲気および
水素ガスのごとき還元性雰囲気中で焼結を行う。また、
原料粉末の粒径は、１０μｍであることが好ましい。す
なわち、原料粉末の粒径が小さければ小さいほど焼結が
容易である。また、粒径の小さい原料粉末を使用し、結
晶粒径が小さい焼結体を製造すれば、該焼結体からなる
スライダは、機械加工性に優れる。焼結体をホツトプレ
ス法で製造する場合、型材には通常黒鉛が使われる。温
度が1100℃より低い場合、焼結体は緻密化しにくい。温
度が2000℃以上になると、焼結時に粒成長が起こり、結
晶粒の著しく大きな焼結体になり、機械加工性が悪くな
り、特にチツピングの大きさを大きくなる。ホツトプレ
ス時の荷重が１０ＭＰａより低い場合、緻密な焼結体を
作ることが困難である。ホツトプレス圧力の上限は、型
材の材質によつて制限される。通常使用している黒鉛型
の場合、約７０ＭＰａが上限と考えられる。しかし、一
般的には大きなホツトプレス荷重を加えなくても、十分
に緻密な焼結体が得られ、２０〜３０ＭＰａの荷重を加
えれば十分である。ホツトプレス時間は、焼結体が気孔
率０．５％以下になるのに十分な時間であればよい。
ツトプレス製造される。ホツトプレスの条件は一律には
決められないが、通常の条件としては、温度1100〜2000
℃、荷重１０〜７０ＭＰａで、時間は焼結体の気孔率が
０．５％以下になるのに十分な時間行う。焼結時の雰囲
気も重要で、酸化性の雰囲気は使えない。すなわち、酸
化性の雰囲気中では昇温時ＡｌＮが酸化してしまうため
である。このため、焼結時の雰囲気は、真空またはアル
ゴン，ヘリウム，窒素のような不活性ガス雰囲気および
水素ガスのごとき還元性雰囲気中で焼結を行う。また、
原料粉末の粒径は、１０μｍであることが好ましい。す
なわち、原料粉末の粒径が小さければ小さいほど焼結が
容易である。また、粒径の小さい原料粉末を使用し、結
晶粒径が小さい焼結体を製造すれば、該焼結体からなる
スライダは、機械加工性に優れる。焼結体をホツトプレ
ス法で製造する場合、型材には通常黒鉛が使われる。温
度が1100℃より低い場合、焼結体は緻密化しにくい。温
度が2000℃以上になると、焼結時に粒成長が起こり、結
晶粒の著しく大きな焼結体になり、機械加工性が悪くな
り、特にチツピングの大きさを大きくなる。ホツトプレ
ス時の荷重が１０ＭＰａより低い場合、緻密な焼結体を
作ることが困難である。ホツトプレス圧力の上限は、型
材の材質によつて制限される。通常使用している黒鉛型
の場合、約７０ＭＰａが上限と考えられる。しかし、一
般的には大きなホツトプレス荷重を加えなくても、十分
に緻密な焼結体が得られ、２０〜３０ＭＰａの荷重を加
えれば十分である。ホツトプレス時間は、焼結体が気孔
率０．５％以下になるのに十分な時間であればよい。
本発明の他の製造方法は、通常ＨＩＰと呼ばれている熱
間静水圧焼結法である。
間静水圧焼結法である。
ＨＩＰは、気孔率の小さい焼結体を得る方法として極め
て有効である。本発明におけるＨＩＰは、温度1100℃か
ら2000℃の範囲で行う。この温度範囲が選ばれる理由
は、ホツトプレスの時と同じである。ＨＩＰの圧力は大
きれば大きいほど好ましく、通常は１００〜２００ＭＰ
ａで行う。
て有効である。本発明におけるＨＩＰは、温度1100℃か
ら2000℃の範囲で行う。この温度範囲が選ばれる理由
は、ホツトプレスの時と同じである。ＨＩＰの圧力は大
きれば大きいほど好ましく、通常は１００〜２００ＭＰ
ａで行う。
本発明においては、前述のＨＩＰによる本焼結を行うに
際し、ＭｇＯとＡｌＮの混合粉末を予備焼結し、ＭｇＯ
とＡｌＮの粉末混合物が単純に混り合つているとして計
算した密度に対して、相対値で９０％以上に緻密化して
いる予備焼結体を得て、これをＨＩＰにより本焼結す
る。
際し、ＭｇＯとＡｌＮの混合粉末を予備焼結し、ＭｇＯ
とＡｌＮの粉末混合物が単純に混り合つているとして計
算した密度に対して、相対値で９０％以上に緻密化して
いる予備焼結体を得て、これをＨＩＰにより本焼結す
る。
さらに、本発明においては前記の焼結体を得る方法とし
て、無加圧焼結法も採用することができることを確認し
ているが、この無加圧焼結法の場合にも、温度1100〜20
00℃が好ましい。この温度の範囲で選ばれる理由は、ホ
ツトプレスの時と同じであるが、焼結時の雰囲気はホツ
トプレスの場合と同様に、酸化性雰囲気は使えない。無
加圧焼結時に好ましい雰囲気は不活性ガス雰囲気であ
る。無加圧焼結においては、ホツトプレスの場合と異な
り、成形体は黒鉛型で押えつけられていないため、昇温
時により熱分解しやすい。このため、無加圧焼結時の雰
囲気は不活性ガスで好ましくは加圧ガスの雰囲気が望ま
しい。
て、無加圧焼結法も採用することができることを確認し
ているが、この無加圧焼結法の場合にも、温度1100〜20
00℃が好ましい。この温度の範囲で選ばれる理由は、ホ
ツトプレスの時と同じであるが、焼結時の雰囲気はホツ
トプレスの場合と同様に、酸化性雰囲気は使えない。無
加圧焼結時に好ましい雰囲気は不活性ガス雰囲気であ
る。無加圧焼結においては、ホツトプレスの場合と異な
り、成形体は黒鉛型で押えつけられていないため、昇温
時により熱分解しやすい。このため、無加圧焼結時の雰
囲気は不活性ガスで好ましくは加圧ガスの雰囲気が望ま
しい。
上記した方法によつて、本発明になるＭｇＯとＡｌＮと
の粉末混合物より製造された焼結体よりなるスライダ材
は、薄膜磁気ヘツド素子を形成するプロセスにおいて使
用する薬品や熱等に対して安定であること、熱膨張係数
が薄膜トランスジユーサを含む磁気ヘツドアセンブリに
使用する材料に近くできること、ヤング率が大きく変形
等が起こらないこと、熱伝導率が大きく、したがつて薄
膜磁気ヘツドとして使用しているときに発生する熱を逃
しやすいこと、ビツカーズ硬さが1500kg／mm2以下で、
長時間の使用に際しても磁気デイスクに対してダメージ
を与えないこと、比重が小さく、したがつて磁気デイス
ク上への浮上が容易に行えること、機械加工性に優れる
こと、摺動寿命が長いことなどの点で従来のスライダに
はない利点を多く合わせ持つ。
の粉末混合物より製造された焼結体よりなるスライダ材
は、薄膜磁気ヘツド素子を形成するプロセスにおいて使
用する薬品や熱等に対して安定であること、熱膨張係数
が薄膜トランスジユーサを含む磁気ヘツドアセンブリに
使用する材料に近くできること、ヤング率が大きく変形
等が起こらないこと、熱伝導率が大きく、したがつて薄
膜磁気ヘツドとして使用しているときに発生する熱を逃
しやすいこと、ビツカーズ硬さが1500kg／mm2以下で、
長時間の使用に際しても磁気デイスクに対してダメージ
を与えないこと、比重が小さく、したがつて磁気デイス
ク上への浮上が容易に行えること、機械加工性に優れる
こと、摺動寿命が長いことなどの点で従来のスライダに
はない利点を多く合わせ持つ。
実施例１ 純度が９９．９％で、平均粒径が０．６μｍのＭｇＯ
に、純度が９８％で、平均粒径３μｍのＡｌＮ粉末を１
０〜９０容量％添加して混合した。該粉末混合物は、金
型中で１５０ＭＰａの荷重を加えて成形したのち、成形
体は黒鉛型の中に入れ、温度1900℃で３０ＭＰａの荷重
を加え、窒素ガス中で３０分間ホツトプレスして焼結体
を得た。
に、純度が９８％で、平均粒径３μｍのＡｌＮ粉末を１
０〜９０容量％添加して混合した。該粉末混合物は、金
型中で１５０ＭＰａの荷重を加えて成形したのち、成形
体は黒鉛型の中に入れ、温度1900℃で３０ＭＰａの荷重
を加え、窒素ガス中で３０分間ホツトプレスして焼結体
を得た。
本実施例によつて得た焼結体の密度は、いずれもＭｇＯ
とＡｌＮが混合していると単純に計算した密度に対し
て、９９．７〜100.2％の範囲にあつた。ここで、前述
の100.2 ％はＭｇＯとAlNの一部が反応した結果である
と考えられる。
とＡｌＮが混合していると単純に計算した密度に対し
て、９９．７〜100.2％の範囲にあつた。ここで、前述
の100.2 ％はＭｇＯとAlNの一部が反応した結果である
と考えられる。
すなわち、本実施例によつて得た焼結体の気孔率は極め
て低いものである。さらに、該焼結体の破断面または鏡
面研摩面を走査型電子顕微鏡を用いて観察したが、気孔
は観察できなかつた。一方、本実施例の焼結体のＸ線回
折の結果によれば、回折ピークはいずれもＭｇＯとＡｌ
Ｎが主であり、該焼結体はＭｇＯとＡｌＮが主成分であ
ることがわかつた。
て低いものである。さらに、該焼結体の破断面または鏡
面研摩面を走査型電子顕微鏡を用いて観察したが、気孔
は観察できなかつた。一方、本実施例の焼結体のＸ線回
折の結果によれば、回折ピークはいずれもＭｇＯとＡｌ
Ｎが主であり、該焼結体はＭｇＯとＡｌＮが主成分であ
ることがわかつた。
第１表は、製造した焼結体の特性である。焼結体はＭｇ
ＯとＡｌＮが容量比で９０：１０〜２０：８０のとき熱
膨張係数，ヤング率，熱伝導率，硬さ，比重，強度とも
スライダ材として望ましい値を持つていることがわか
る。
ＯとＡｌＮが容量比で９０：１０〜２０：８０のとき熱
膨張係数，ヤング率，熱伝導率，硬さ，比重，強度とも
スライダ材として望ましい値を持つていることがわか
る。
実施例２ 実施例１に記載したＭｇＯおよびＡｌＮの粉末を用い、
ＭｇＯとＡｌＮを容量比で５０：５０として、ホツトプ
レス条件を変えて焼結体を得た。得られた焼結体は実施
例１の場合と同様に、Ｘ線的にはＭｇＯとＡｌＮの混合
物であつた。第２表は、製造した焼結体の特性である。
焼結体は温度が1100℃以上のとき、荷重が１０ＭＰａ以
上のとき気孔率が０．５％以下になるように焼結するこ
とができる。また、気孔率が０．５％以下になるように
焼結できたものは、いずれも熱膨張係数，ヤング率，熱
伝導率，硬さ，比重，強度ともにスライダとして望まし
い特性を持つている。
ＭｇＯとＡｌＮを容量比で５０：５０として、ホツトプ
レス条件を変えて焼結体を得た。得られた焼結体は実施
例１の場合と同様に、Ｘ線的にはＭｇＯとＡｌＮの混合
物であつた。第２表は、製造した焼結体の特性である。
焼結体は温度が1100℃以上のとき、荷重が１０ＭＰａ以
上のとき気孔率が０．５％以下になるように焼結するこ
とができる。また、気孔率が０．５％以下になるように
焼結できたものは、いずれも熱膨張係数，ヤング率，熱
伝導率，硬さ，比重，強度ともにスライダとして望まし
い特性を持つている。
実施例３ 実施例１に記載したＭｇＯとＡｌＮの粉末を用い、Ｍｇ
Ｏの対しＡｌＮを４０Ｖｏｌ％添加した。その後、実施
例１に記載したものと同様にして焼結体を製造した。本
実施例においては、焼結時の雰囲気をアルゴンガス，ヘ
リウムガス，水素ガスまたは真空（１×１０-2〜１×１
０-5torr）とした。得られた焼結体の特性は、実施例１
に記載したNo.３の焼結体とほぼ同じであつた。
Ｏの対しＡｌＮを４０Ｖｏｌ％添加した。その後、実施
例１に記載したものと同様にして焼結体を製造した。本
実施例においては、焼結時の雰囲気をアルゴンガス，ヘ
リウムガス，水素ガスまたは真空（１×１０-2〜１×１
０-5torr）とした。得られた焼結体の特性は、実施例１
に記載したNo.３の焼結体とほぼ同じであつた。
実施例４ 平均粒径が０．２〜１００μｍのＭｇＯ粉末に平均粒径
が０．３〜１００μｍのＡｌＮ粉末を容量比で５０Ｖｏ
ｌ％添加した。その後、実施例１と同様にして焼結体を
製造した。第３表は、得られた焼結体の特性である。焼
結体は原料粉末の結晶粒径が５０μｍ以下てあれば、十
分に緻密化しスライダとして好ましい特性をもつ。
が０．３〜１００μｍのＡｌＮ粉末を容量比で５０Ｖｏ
ｌ％添加した。その後、実施例１と同様にして焼結体を
製造した。第３表は、得られた焼結体の特性である。焼
結体は原料粉末の結晶粒径が５０μｍ以下てあれば、十
分に緻密化しスライダとして好ましい特性をもつ。
実施例５ ＭｇＯ粉末は平均粒径が０．４μｍで、純度が９９．９
％の粉末を用い、これに純度が９８が平均粒径が０．７
μｍのＡｌＮ粉末を４０Ｖｏｌ％添加したのち混合し
た。該粉末混合物は金型中で５０ＭＰａの荷重を加えて
成形体としたのち、成形体は黒鉛製のルツボ内に入れ、
温度1900℃で３０分間焼成して焼結体とした。このとき
の焼成雰囲気は窒素ガスとした。第４表は、得られた焼
結体の特性である。焼結体はスライダとして望ましい特
性を持つている。
％の粉末を用い、これに純度が９８が平均粒径が０．７
μｍのＡｌＮ粉末を４０Ｖｏｌ％添加したのち混合し
た。該粉末混合物は金型中で５０ＭＰａの荷重を加えて
成形体としたのち、成形体は黒鉛製のルツボ内に入れ、
温度1900℃で３０分間焼成して焼結体とした。このとき
の焼成雰囲気は窒素ガスとした。第４表は、得られた焼
結体の特性である。焼結体はスライダとして望ましい特
性を持つている。
実施例６ 本発明の焼結体を用いてなるスライダの具体的な適用例
として、実施例１のNo.３の焼結体を用いた薄膜磁気ヘ
ツドで説明する。第１図は該焼結体をスライダ材として
用いた薄膜磁気ヘツドの斜視図である。また、比較のた
めにＡｌ2Ｏ3とＴｉＣ（Ｖｏｌ比７０：３０）よりなる
焼結体をスライダとした薄膜磁気ヘツドを製造した。
として、実施例１のNo.３の焼結体を用いた薄膜磁気ヘ
ツドで説明する。第１図は該焼結体をスライダ材として
用いた薄膜磁気ヘツドの斜視図である。また、比較のた
めにＡｌ2Ｏ3とＴｉＣ（Ｖｏｌ比７０：３０）よりなる
焼結体をスライダとした薄膜磁気ヘツドを製造した。
上記薄膜磁気ヘツドは、周速を５０ｍ／ｓとして、コン
タクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）寿命の測定に供
した。本発明になる焼結体を用いた薄膜磁気ヘツドは、
従来材であるＡｌ2Ｏ3とＴｉＣよりなる焼結体を用いた
薄膜磁気ヘツドのＣＳＳ寿命を１としたときの２５倍の
寿命をもつた。
タクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）寿命の測定に供
した。本発明になる焼結体を用いた薄膜磁気ヘツドは、
従来材であるＡｌ2Ｏ3とＴｉＣよりなる焼結体を用いた
薄膜磁気ヘツドのＣＳＳ寿命を１としたときの２５倍の
寿命をもつた。
本発明の薄膜磁気ヘツド用スライダは、前記実施例にお
いても確認されているとおり、強度，熱伝導率およびヤ
ング率が高いというスライダ自体に要求される特性にお
いて優れているとともに、熱膨張係数が薄膜トランスジ
ユーサを含む磁気ヘツドアセンブリ使用する材料のそれ
に近く、かつ相手方の磁気デイスクを損傷させるほど極
端に高い硬度を有していないため、特に今後ますます進
展すると推測される高密度磁気デイスクフアイル用の薄
膜磁気ヘツド用スライダに用いられた場合の効果は極め
て大きい。
いても確認されているとおり、強度，熱伝導率およびヤ
ング率が高いというスライダ自体に要求される特性にお
いて優れているとともに、熱膨張係数が薄膜トランスジ
ユーサを含む磁気ヘツドアセンブリ使用する材料のそれ
に近く、かつ相手方の磁気デイスクを損傷させるほど極
端に高い硬度を有していないため、特に今後ますます進
展すると推測される高密度磁気デイスクフアイル用の薄
膜磁気ヘツド用スライダに用いられた場合の効果は極め
て大きい。
したがつて、前述の特性を有する新して薄膜磁気ヘツド
用スライダを開発し、かつそれを工業的に製造する方法
を開発した本発明の効果は極めて大きいものということ
ができる。
用スライダを開発し、かつそれを工業的に製造する方法
を開発した本発明の効果は極めて大きいものということ
ができる。
第１図は本発明のスライダを用いた薄膜磁気ヘツドの斜
視図である。 １……スライダ、２……薄膜トランスジユーサ。
視図である。 １……スライダ、２……薄膜トランスジユーサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北沢 長四郎 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 大浦 正樹 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 長池 完訓 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内
Claims (5)
- 【請求項１】ＭｇＯとＡｌＮとの容量比が９０：１０〜
２０：８０の範囲にあるＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体か
らなることを特徴とする薄膜磁気ヘツド用スライダ。 - 【請求項２】前記混合焼結体の気孔率が０．５％以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
磁気ヘツド用スライダ。 - 【請求項３】ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９
０：１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、MgO とＡ
ｌＮの混合粉末を得たのち、該混合粉末を所定の形状の
黒鉛型に挿入し、非酸化性雰囲気中で1100〜2000℃に加
熱するとともに、該混合粉末に１０〜７０ＭＰａの荷重
を負荷しながら焼結を行うことを特徴とするＭｇＯとＡ
ｌＮの混合焼結体からなる薄膜磁気ヘツド用スライダの
製造方法。 - 【請求項４】ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９
０：１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、MgO とＡ
ｌＮの混合粉末を得たのち、該混合粉末を予備焼結し、
９０％以上の緻密度を有する予備焼結体とし、該予備焼
結体を非酸化性雰囲気中で1100〜2000℃、圧力１００〜
２００ＭＰａの熱間静水圧焼結法により本焼結を行うこ
とを特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる薄
膜磁気ヘツド用スライダの製造方法。 - 【請求項５】ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９
０：１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、MgO とＡ
ｌＮの混合粉末を得たのち、該混合粉末を黒鉛型に挿入
し、加圧不活性ガス中で1100〜2000℃で焼結することを
特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる薄膜磁
気ヘツド用スライダの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167286A JPH0660061B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167286A JPH0660061B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6228917A JPS6228917A (ja) | 1987-02-06 |
| JPH0660061B2 true JPH0660061B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=15846938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60167286A Expired - Lifetime JPH0660061B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660061B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084367A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱伝導性セラミックス焼結体の製造方法及び高熱伝導性セラミックス焼結体 |
| WO2012056808A1 (ja) | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、半導体製造装置用部材、スパッタリングターゲット部材及びセラミックス材料の製造方法 |
| WO2012056807A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、積層体、半導体製造装置用部材及びスパッタリングターゲット部材 |
| JP5873366B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-03-01 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料の製造方法、セラミックス材料及びスパッタリングターゲット部材 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60167286A patent/JPH0660061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6228917A (ja) | 1987-02-06 |
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