JPH065837A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH065837A JPH065837A JP4159219A JP15921992A JPH065837A JP H065837 A JPH065837 A JP H065837A JP 4159219 A JP4159219 A JP 4159219A JP 15921992 A JP15921992 A JP 15921992A JP H065837 A JPH065837 A JP H065837A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像装置の各光電変換部において発生し
た各信号電荷をその転送経路において互いに混合する事
なく外部に読み出す事を可能とする。 【構成】 光電変換部３０１〜３０４であるフォトダイ
オード（ＰＤ）に隣接した垂直ＣＣＤの転送電極は３層
のポリシリコンよりなる。φＶ１転送電極３０５は第２
層ポリシリコン３２１、φＶ２転送電極３０６はＶＣＣ
Ｄ方向に共通の第３層ポリシリコン３２２、φＶ３転送
電極３０７は第１層ポリシリコン３２０、φＶ４転送電
極３０８は第２層ポリシリコン３２１、φＶ５転送電極
３０９は第１層ポリシリコン３２０よりなる。点線領域
３１０は第３層ポリシリコン３２２積層前の状態を示し
た図である。φＶ２転送電極３１１占有領域で示された
斜線部が、実際に第３層ポリシリコンにより電圧印加を
受ける領域となる。
た各信号電荷をその転送経路において互いに混合する事
なく外部に読み出す事を可能とする。 【構成】 光電変換部３０１〜３０４であるフォトダイ
オード（ＰＤ）に隣接した垂直ＣＣＤの転送電極は３層
のポリシリコンよりなる。φＶ１転送電極３０５は第２
層ポリシリコン３２１、φＶ２転送電極３０６はＶＣＣ
Ｄ方向に共通の第３層ポリシリコン３２２、φＶ３転送
電極３０７は第１層ポリシリコン３２０、φＶ４転送電
極３０８は第２層ポリシリコン３２１、φＶ５転送電極
３０９は第１層ポリシリコン３２０よりなる。点線領域
３１０は第３層ポリシリコン３２２積層前の状態を示し
た図である。φＶ２転送電極３１１占有領域で示された
斜線部が、実際に第３層ポリシリコンにより電圧印加を
受ける領域となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置の光電変
換部において発生したすべての信号電荷を互いに混合す
る事なく独立に読み出す事を可能とし、高精細画像を提
供し得る固体撮像装置に関するものである。
換部において発生したすべての信号電荷を互いに混合す
る事なく独立に読み出す事を可能とし、高精細画像を提
供し得る固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ型固体撮像装置において、垂直方
向の信号電荷を互いに独立に読み出すことが可能な構成
としては、各光電変換部に対し３枚の転送電極を対応さ
せた最小構成単位を持つ、特開昭和５８−１５７２６４
がある。
向の信号電荷を互いに独立に読み出すことが可能な構成
としては、各光電変換部に対し３枚の転送電極を対応さ
せた最小構成単位を持つ、特開昭和５８−１５７２６４
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＮＴＳＣ方式の
ような標準のテレビジョン標準方式では画面アスペクト
比３：４等が定められているため、その撮像手段である
固体撮像装置はその光学系と水平方向の画素数が決まれ
ば、一意に画素サイズは決定する。一定の画素サイズな
かで、光電変換部と信号電荷転送手段を造り込むため、
一方の面積を大きく取れば他方が少なくなるというトレ
ードオフの関係が存在する、言い替えれば、開口面積を
できる限り大きくとり、なおかつ信号電荷転送手段にお
ける最大転送信号電荷量を可能な限り大きくする相反す
る問題に対し、最適値を求める必要があった。
ような標準のテレビジョン標準方式では画面アスペクト
比３：４等が定められているため、その撮像手段である
固体撮像装置はその光学系と水平方向の画素数が決まれ
ば、一意に画素サイズは決定する。一定の画素サイズな
かで、光電変換部と信号電荷転送手段を造り込むため、
一方の面積を大きく取れば他方が少なくなるというトレ
ードオフの関係が存在する、言い替えれば、開口面積を
できる限り大きくとり、なおかつ信号電荷転送手段にお
ける最大転送信号電荷量を可能な限り大きくする相反す
る問題に対し、最適値を求める必要があった。
【０００４】従来の技術の問題点を以下説明する。図５
は、従来の全画素読み出しの基本構成、図６は基本転送
動作に関して示したものである。図５に示すように、５
０１光電変換部であるフォトダイオードに対し、５１３
ＶＣＣＤ側は、５０５φＶ１、５０６φＶ２、５０７φ
Ｖ３の３枚の電極が対応している。５０５、５０２光電
変換部に蓄積された信号電荷を５１３ＶＣＣＤに読み出
す際は、それぞれ５０６、５０９転送電極φＶ２下のポ
テンシャル井戸に対して行われる。
は、従来の全画素読み出しの基本構成、図６は基本転送
動作に関して示したものである。図５に示すように、５
０１光電変換部であるフォトダイオードに対し、５１３
ＶＣＣＤ側は、５０５φＶ１、５０６φＶ２、５０７φ
Ｖ３の３枚の電極が対応している。５０５、５０２光電
変換部に蓄積された信号電荷を５１３ＶＣＣＤに読み出
す際は、それぞれ５０６、５０９転送電極φＶ２下のポ
テンシャル井戸に対して行われる。
【０００５】図６に全画素読み出しの基本転送動作を示
す。状態１に記した信号電荷６１１および６１２は、フ
ォトダイオード６０１、６０２に蓄積されていた信号電
荷をそれぞれφＶ２転送電極６０６、６０９の下に設け
られたポテンシャル井戸に読み出した場合を示したもの
である。フォトダイオード６０１の位置にあった信号電
荷を２画素先のフォトダイオード６０３の位置まで転送
する途中過程において、１つの信号電荷が転送中に蓄積
されるポテンシャル井戸の大きさは、φＶ１−φＶ３を
構成する各転送電極面積を一定とした場合、最大で状態
２に示したφＶ２転送電極６０６およびφＶ３転送電極
６０７の２枚、最大信号転送電荷量は状態１に示したφ
Ｖ１転送電極６０５の１枚の転送電極の占有面積に依存
する。
す。状態１に記した信号電荷６１１および６１２は、フ
ォトダイオード６０１、６０２に蓄積されていた信号電
荷をそれぞれφＶ２転送電極６０６、６０９の下に設け
られたポテンシャル井戸に読み出した場合を示したもの
である。フォトダイオード６０１の位置にあった信号電
荷を２画素先のフォトダイオード６０３の位置まで転送
する途中過程において、１つの信号電荷が転送中に蓄積
されるポテンシャル井戸の大きさは、φＶ１−φＶ３を
構成する各転送電極面積を一定とした場合、最大で状態
２に示したφＶ２転送電極６０６およびφＶ３転送電極
６０７の２枚、最大信号転送電荷量は状態１に示したφ
Ｖ１転送電極６０５の１枚の転送電極の占有面積に依存
する。
【０００６】今、ＣＣＤ型の信号電荷転送手段を有する
固体撮像装置の最小構成単位において、１つの光電変換
部に対し信号電荷転送電極の枚数がｎ枚で構成された場
合を考える。最大信号転送電荷量を決定するＶＣＣＤの
転送電極１枚あたりの占有電極面積Ｓ* VCCDはＬphoto：
１つの光電変換部に対応したＶＣＣＤ転送方向長さ、Ｗ
VCCD：ＶＣＣＤ転送路幅とした場合、（Ｌphoto／ｎ×
ＷVCCD）と表される。
固体撮像装置の最小構成単位において、１つの光電変換
部に対し信号電荷転送電極の枚数がｎ枚で構成された場
合を考える。最大信号転送電荷量を決定するＶＣＣＤの
転送電極１枚あたりの占有電極面積Ｓ* VCCDはＬphoto：
１つの光電変換部に対応したＶＣＣＤ転送方向長さ、Ｗ
VCCD：ＶＣＣＤ転送路幅とした場合、（Ｌphoto／ｎ×
ＷVCCD）と表される。
【０００７】従来例においては、固体撮像装置の最小構
成単位において、１つの光電変換部に対し信号電荷転送
電極の枚数がｎ（＝３）枚であるため、最大信号転送電
荷量を決定するＶＣＣＤの転送電極１枚あたりの占有電
極面積Ｓ* VCCDは（Ｌphoto／３×ＷVCCD）と表される。
課題は、信号電荷転送電極の枚数ｎを３以下の値とし、
最大信号転送電荷量をより増加させる事である。
成単位において、１つの光電変換部に対し信号電荷転送
電極の枚数がｎ（＝３）枚であるため、最大信号転送電
荷量を決定するＶＣＣＤの転送電極１枚あたりの占有電
極面積Ｓ* VCCDは（Ｌphoto／３×ＷVCCD）と表される。
課題は、信号電荷転送電極の枚数ｎを３以下の値とし、
最大信号転送電荷量をより増加させる事である。
【０００８】本発明は、上記従来の課題を鑑みてなされ
たものであり、その目的は、ＶＣＣＤにおいて、より最
大信号転送電荷量の大きな固体撮像素子を提供をするこ
とにある。
たものであり、その目的は、ＶＣＣＤにおいて、より最
大信号転送電荷量の大きな固体撮像素子を提供をするこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】半導体基板内に形成さ
れ、光、Ｘ線等の入射信号を信号電荷に変換、蓄積する
ための光電変換部と前記光電変換部に隣接して設けられ
た前記信号電荷を読み出すための信号電荷転送手段から
なる固体撮像装置において、前記光電変換部と前記信号
電荷転送手段の組み合わせからなる最小構成単位が、連
続する２つの前記光電変換部と、連続した５枚の転送電
極を有する前記信号電荷転送手段で構成される。
れ、光、Ｘ線等の入射信号を信号電荷に変換、蓄積する
ための光電変換部と前記光電変換部に隣接して設けられ
た前記信号電荷を読み出すための信号電荷転送手段から
なる固体撮像装置において、前記光電変換部と前記信号
電荷転送手段の組み合わせからなる最小構成単位が、連
続する２つの前記光電変換部と、連続した５枚の転送電
極を有する前記信号電荷転送手段で構成される。
【００１０】
【作用】本発明においては、ＣＣＤ型の信号電荷転送手
段を有する固体撮像装置において最小構成単位を連続す
る２つの光電変換部に対し、５枚の信号電荷転送電極が
対応している。前記５枚の転送電極の連続する事のない
電極１つの形成するポテンシャル井戸に、１つの信号電
荷を保持、転送する。従って、１画素あたりの最大信号
転送電荷量を決定するＶＣＣＤの転送電極１枚あたりの
占有電極面積ＳVC CDは２・（Ｌphoto×ＷVCCD）／５とな
り、ＶーＣＣＤの転送電極１枚あたりの転送電荷量は、
ＳVCCD／Ｓ* VCCD＝１．２倍と従来より２０％向上する
結果を得る。
段を有する固体撮像装置において最小構成単位を連続す
る２つの光電変換部に対し、５枚の信号電荷転送電極が
対応している。前記５枚の転送電極の連続する事のない
電極１つの形成するポテンシャル井戸に、１つの信号電
荷を保持、転送する。従って、１画素あたりの最大信号
転送電荷量を決定するＶＣＣＤの転送電極１枚あたりの
占有電極面積ＳVC CDは２・（Ｌphoto×ＷVCCD）／５とな
り、ＶーＣＣＤの転送電極１枚あたりの転送電荷量は、
ＳVCCD／Ｓ* VCCD＝１．２倍と従来より２０％向上する
結果を得る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１に５相電極構成を有する固体
撮撮像装置の基本構成を示す。
照しながら説明する。図１に５相電極構成を有する固体
撮撮像装置の基本構成を示す。
【００１２】図１（ａ）の場合、光電変換部１０１〜１
０４にはそれぞれフォトダイオードを採用。最小単位
は、光電変換部１０１、１０２の２画素に対し、ＶＣＣ
Ｄ１０６のφＶ１転送電極１０８、φＶ２転送電極１０
９、φＶ３転送電極１１０、φＶ４転送電極１１１、φ
Ｖ５転送電極１１２の５枚が対応する。信号電荷のＶＣ
ＣＤ１０６への読み出しは、光電変換部１０１に蓄積さ
れていた信号電荷を、φＶ１転送電極１０８の電極下に
形成されたポテンシャル井戸に、光電変換部１０２に蓄
積されていた信号電荷を、φＶ４転送電極１１１の電極
下に形成されたポテンシャル井戸に読み出す事により始
まる。
０４にはそれぞれフォトダイオードを採用。最小単位
は、光電変換部１０１、１０２の２画素に対し、ＶＣＣ
Ｄ１０６のφＶ１転送電極１０８、φＶ２転送電極１０
９、φＶ３転送電極１１０、φＶ４転送電極１１１、φ
Ｖ５転送電極１１２の５枚が対応する。信号電荷のＶＣ
ＣＤ１０６への読み出しは、光電変換部１０１に蓄積さ
れていた信号電荷を、φＶ１転送電極１０８の電極下に
形成されたポテンシャル井戸に、光電変換部１０２に蓄
積されていた信号電荷を、φＶ４転送電極１１１の電極
下に形成されたポテンシャル井戸に読み出す事により始
まる。
【００１３】図１（ｂ）の場合、光電変換部１２１〜１
２４にはそれぞれフォトダイオードを採用。最小単位
は、光電変換部１２１、１２２の２画素に対し、ＶＣＣ
Ｄ１２６のφＶ１転送電極１２８、φＶ２転送電極１２
９、φＶ３転送電極１３０、φＶ４転送電極１３１、φ
Ｖ５転送電極１３２の５枚が対応する。信号電荷のＶＣ
ＣＤ１２６への読み出しは、光電変換部１２１に蓄積さ
れていた信号電荷を、φＶ１転送電極１２８の電極下に
形成されたポテンシャル井戸に、光電変換部１２２に蓄
積されていた信号電荷を、φＶ４転送電極１３１の電極
下に形成されたポテンシャル井戸に読み出す事により始
まる。
２４にはそれぞれフォトダイオードを採用。最小単位
は、光電変換部１２１、１２２の２画素に対し、ＶＣＣ
Ｄ１２６のφＶ１転送電極１２８、φＶ２転送電極１２
９、φＶ３転送電極１３０、φＶ４転送電極１３１、φ
Ｖ５転送電極１３２の５枚が対応する。信号電荷のＶＣ
ＣＤ１２６への読み出しは、光電変換部１２１に蓄積さ
れていた信号電荷を、φＶ１転送電極１２８の電極下に
形成されたポテンシャル井戸に、光電変換部１２２に蓄
積されていた信号電荷を、φＶ４転送電極１３１の電極
下に形成されたポテンシャル井戸に読み出す事により始
まる。
【００１４】以上、全画素読み出しの場合、図１
（ａ）、（ｂ）の場合の読出しを考慮しているが、光電
変換部１２１に蓄積された信号電荷は転送電極１２８あ
るいは転送電極１２９下のポテンシャル井戸に読み出す
ことが可能であり、また、光電変換部１２２に蓄積され
た信号電荷は転送電極１３１下のポテンシャル井戸ある
いは転送電極１３２下のポテンシャル井戸に読み出すこ
とが可能であるため、その組合せは、図１に示した限り
ではない。
（ａ）、（ｂ）の場合の読出しを考慮しているが、光電
変換部１２１に蓄積された信号電荷は転送電極１２８あ
るいは転送電極１２９下のポテンシャル井戸に読み出す
ことが可能であり、また、光電変換部１２２に蓄積され
た信号電荷は転送電極１３１下のポテンシャル井戸ある
いは転送電極１３２下のポテンシャル井戸に読み出すこ
とが可能であるため、その組合せは、図１に示した限り
ではない。
【００１５】図１（ａ）、（ｂ）の場合共に、信号電荷
は、光電変換部１０１〜１０４、１２１〜１２４から対
応するＶＣＣＤ１０６、１２６の転送電極下のポテンシ
ャル井戸に読み出された後、それぞれ、ＶＣＣＤ１０
５、１２５転送方向に読み出される。
は、光電変換部１０１〜１０４、１２１〜１２４から対
応するＶＣＣＤ１０６、１２６の転送電極下のポテンシ
ャル井戸に読み出された後、それぞれ、ＶＣＣＤ１０
５、１２５転送方向に読み出される。
【００１６】図２に一実施例の構成を示す。光電変換部
２０１〜２０４であるフォトダイオード（ＰＤ）に隣接
た垂直ＣＣＤの転送電極は３層のポリシリコンよりな
る。φＶ１転送電極２０５は第３層ポリシリコン２１
２、φＶ２転送電極２０６は第２層ポリシリコン２１
１、φＶ３転送電極２０７は第１層ポリシリコン２１
０、φＶ４転送電極２０８は第３層ポリシリコン２１
２、φＶ５転送電極２０９は第１層ポリシリコン２１０
よりなる。
２０１〜２０４であるフォトダイオード（ＰＤ）に隣接
た垂直ＣＣＤの転送電極は３層のポリシリコンよりな
る。φＶ１転送電極２０５は第３層ポリシリコン２１
２、φＶ２転送電極２０６は第２層ポリシリコン２１
１、φＶ３転送電極２０７は第１層ポリシリコン２１
０、φＶ４転送電極２０８は第３層ポリシリコン２１
２、φＶ５転送電極２０９は第１層ポリシリコン２１０
よりなる。
【００１７】図３に一実施例の構成を示す。光電変換部
３０１〜３０４であるフォトダイオード（ＰＤ）に隣接
した垂直ＣＣＤの転送電極は３層のポリシリコンよりな
る。φＶ１転送電極３０５は第２層ポリシリコン３２
１、φＶ２転送電極３０６はＶＣＣＤ方向に共通の第３
層ポリシリコン３２２、φＶ３転送電極３０７は第１層
ポリシリコン３２０、φＶ４転送電極３０８は第２層ポ
リシリコン３２１、φＶ５転送電極３０９は第１層ポリ
シリコン３２０よりなる。点線領域３１０は第３層ポリ
シリコン３２２積層前の状態を示した図である。φＶ２
転送電極３１１占有領域で示された斜線部が、実際に第
３層ポリシリコンにより電圧印加を受ける領域となる。
３０１〜３０４であるフォトダイオード（ＰＤ）に隣接
した垂直ＣＣＤの転送電極は３層のポリシリコンよりな
る。φＶ１転送電極３０５は第２層ポリシリコン３２
１、φＶ２転送電極３０６はＶＣＣＤ方向に共通の第３
層ポリシリコン３２２、φＶ３転送電極３０７は第１層
ポリシリコン３２０、φＶ４転送電極３０８は第２層ポ
リシリコン３２１、φＶ５転送電極３０９は第１層ポリ
シリコン３２０よりなる。点線領域３１０は第３層ポリ
シリコン３２２積層前の状態を示した図である。φＶ２
転送電極３１１占有領域で示された斜線部が、実際に第
３層ポリシリコンにより電圧印加を受ける領域となる。
【００１８】図４に転送動作の一実施例を示す。図１
（ｂ）に示したように光電変換部１２１および１２２か
ら信号電荷をφＶ２転送電極１２９とφＶ４転送電極１
３１の下に設けられたポテンシャル井戸に読み出した場
合を状態１に示す。信号電荷４１１、４１２はそれぞれ
転送電極１２９、１３１の下に設けられたポテンシャル
井戸に読み出された信号電荷に相当する。最小構成単位
２画素（図４においては、フォトダイオード４０１、４
０２と対応する５枚の転送電極４０５〜４０９からな
る）を１段とすると、フォトダイオード４０１から読み
出された信号電荷をフォトダイオード４０３の位置に転
送するのに状態１から、状態１’までの１８クロックの
動作により画素混合することなく、固体撮像素子撮像素
子の光電変換部において発生した全信号電荷を互いに独
立に外部に読み出す事が可能となる。
（ｂ）に示したように光電変換部１２１および１２２か
ら信号電荷をφＶ２転送電極１２９とφＶ４転送電極１
３１の下に設けられたポテンシャル井戸に読み出した場
合を状態１に示す。信号電荷４１１、４１２はそれぞれ
転送電極１２９、１３１の下に設けられたポテンシャル
井戸に読み出された信号電荷に相当する。最小構成単位
２画素（図４においては、フォトダイオード４０１、４
０２と対応する５枚の転送電極４０５〜４０９からな
る）を１段とすると、フォトダイオード４０１から読み
出された信号電荷をフォトダイオード４０３の位置に転
送するのに状態１から、状態１’までの１８クロックの
動作により画素混合することなく、固体撮像素子撮像素
子の光電変換部において発生した全信号電荷を互いに独
立に外部に読み出す事が可能となる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば光電変換部の開口面積の
低下、ポリシリコン等転送電極材料の積層数を増やす事
なく素子制作が可能なため基板表面の平滑性の劣化等を
避け、固体撮像素子撮像素子の光電変換部において発生
した全信号電荷を互いに独立に外部に読み出す事が可能
な固体撮像装置を提供する事ができる。
低下、ポリシリコン等転送電極材料の積層数を増やす事
なく素子制作が可能なため基板表面の平滑性の劣化等を
避け、固体撮像素子撮像素子の光電変換部において発生
した全信号電荷を互いに独立に外部に読み出す事が可能
な固体撮像装置を提供する事ができる。
【図１】本発明の一実施例における固体撮撮像装置であ
る５相クロック型ＣＣＤの読み出しおよび転送模式図
る５相クロック型ＣＣＤの読み出しおよび転送模式図
【図２】５相クロック型固体撮像素子画素部の配線例を
示す斜視図
示す斜視図
【図３】５相クロック型固体撮像素子画素部の配線例を
示す斜視図
示す斜視図
【図４】５相クロックを用いた駆動例を示す図
【図５】従来型の読み出しおよび転送模式図
【図６】従来型３相クロックを用いた駆動例を示す図
１０１−１０４、１２１−１２４ 光電変換部 １０５、１２５ ＶＣＣＤ転送方向 １０６、１２６ ＶＣＣＤ １０７、１２７、２０１−２０４、３０１−３０４ フ
ォトダイオード １０８、１２８、２０５、３０５ 転送電極φＶ１ １０９、１２９、２０６、３０６ 転送電極φＶ２ １１０、１３０、２０７、３０７ 転送電極φＶ３ １１１、１３１、２０８、３０８ 転送電極φＶ４ １１２、１３２、２０９、３０９ 転送電極φＶ５ ２１０、３２０ 第１層ポリシリコン ２１１、３２１ 第２層ポリシリコン ２１２、３２２ 第３層ポリシリコン ３１０ 点線領域 ３１１ 転送電極φＶ２占有領域
ォトダイオード １０８、１２８、２０５、３０５ 転送電極φＶ１ １０９、１２９、２０６、３０６ 転送電極φＶ２ １１０、１３０、２０７、３０７ 転送電極φＶ３ １１１、１３１、２０８、３０８ 転送電極φＶ４ １１２、１３２、２０９、３０９ 転送電極φＶ５ ２１０、３２０ 第１層ポリシリコン ２１１、３２１ 第２層ポリシリコン ２１２、３２２ 第３層ポリシリコン ３１０ 点線領域 ３１１ 転送電極φＶ２占有領域
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板内に形成され、光、Ｘ線等の入
射信号を信号電荷に変換、蓄積するための光電変換部と
前記光電変換部に隣接して設けられた前記信号電荷を読
み出すための信号電荷転送手段からなる固体撮像装置に
おいて、前記光電変換部と前記信号電荷転送手段の組み
合わせからなる最小構成単位が、連続する２つの前記光
電変換部と、連続した５枚の転送電極を有する前記信号
電荷転送手段で構成される固体撮像装置。 - 【請求項２】最小構成単位を構成する前記信号電荷転送
手段の連続した５枚の前記転送電極の各１枚に対し、少
なくとも３層以上からなるポリシリコン等の導電材料の
いずれか１層を充てた請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】光電変換部内において発生した信号電荷を
前記信号電荷転送手段を用いて転送を行う際、連続する
５枚の前記転送電極の各電極に対し相異なる位相を持つ
５種類の転送パルスを印加し、前記信号電荷を互いに独
立に読み出す事を可能とした請求項１記載の固体撮像装
置。 - 【請求項４】光電変換部と前記信号電荷転送手段からな
る前記最小構成単位を２次元マトリクス状に展開、配列
した請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159219A JPH065837A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159219A JPH065837A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065837A true JPH065837A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15688940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159219A Pending JPH065837A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065837A (ja) |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159219A patent/JPH065837A/ja active Pending
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