JPH065740B2 - 過電圧保護機能付サイリスタ - Google Patents
過電圧保護機能付サイリスタInfo
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- JPH065740B2 JPH065740B2 JP24515483A JP24515483A JPH065740B2 JP H065740 B2 JPH065740 B2 JP H065740B2 JP 24515483 A JP24515483 A JP 24515483A JP 24515483 A JP24515483 A JP 24515483A JP H065740 B2 JPH065740 B2 JP H065740B2
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- Japan
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- thyristor
- gate
- pilot
- current
- overvoltage
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 15
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7424—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having a built-in localised breakdown/breakover region, e.g. self-protected against destructive spontaneous, e.g. voltage breakover, firing
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7428—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having an amplifying gate structure, e.g. cascade (Darlington) configuration
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- Thyristors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は降服電圧をこす過電圧が印加されると安全に電
圧トリガすることができる過電圧保護機能付サイリスタ
に関する。
圧トリガすることができる過電圧保護機能付サイリスタ
に関する。
サイリスタに降服電圧（ＶBOと略す）をこす過電圧が、
アノード・カソード間に印加されると数１０ｍＡ以下の
微少な降服電流で破壊してしまう。過電圧印加に伴って
発生する破壊を防止するため、一般には電源電圧の２〜
３倍の降服電圧のサイリスタを使う。しかし、直流送電
用サイリスタバルプなど多数直列して使う装置では、少
数のサイリスタがトリガ失敗すると、場合によってはこ
れらのサイリスタのＶBO値の数１０倍以上の過電圧が印
加されるため、ＶBO値に余裕をみる方法で過電圧破壊を
防止することは非常に困難である。過電圧印加に伴う、
この種の破壊からサイリスタを保護するため、サイリス
タの外部にアレスタ等の保護回路を設けサイリスタに直
接に過電圧が印加されないように工夫されているが、保
護装置が大型で高価になる欠点があった。このような事
情から、過電圧が印加されても、破壊しない過電圧保護
機能付サイリスタが強く望まれていた。
アノード・カソード間に印加されると数１０ｍＡ以下の
微少な降服電流で破壊してしまう。過電圧印加に伴って
発生する破壊を防止するため、一般には電源電圧の２〜
３倍の降服電圧のサイリスタを使う。しかし、直流送電
用サイリスタバルプなど多数直列して使う装置では、少
数のサイリスタがトリガ失敗すると、場合によってはこ
れらのサイリスタのＶBO値の数１０倍以上の過電圧が印
加されるため、ＶBO値に余裕をみる方法で過電圧破壊を
防止することは非常に困難である。過電圧印加に伴う、
この種の破壊からサイリスタを保護するため、サイリス
タの外部にアレスタ等の保護回路を設けサイリスタに直
接に過電圧が印加されないように工夫されているが、保
護装置が大型で高価になる欠点があった。このような事
情から、過電圧が印加されても、破壊しない過電圧保護
機能付サイリスタが強く望まれていた。
第１図はこのような問題を解決するために構成された過
電圧保護機能付サイリスタの断面図である。同図におい
て１はＰエミッタ層，２はＮベース層，３はＰベース
層，４はＮエミッタ層である。Ｐエミッタ層１の表面に
はアノード電極５が配置されており、またメインサイリ
スタＭＴのＮエミッタ層４はＰベース層３が一部分カソ
ード電極６に接触した、いわゆる短絡エミッタ構造とな
っている。メインサイリスタＭＴの中央部には補助Ｎエ
ミッタ層７と補助電極８を設けてパイロットサイリスタ
ＰＴを構成し、前記Ｎエミッタ層７の内周部にはＰベー
ス層３ａが露出しており、その表面にはゲート電極９が
設けてある。さらにＰベース層３ａ部分はＮベース層２
の方向に突出ておりＰベース層３ａの下部領域のＮベー
ス幅は他のＮベース領域のベース幅より狭くなってい
る。
電圧保護機能付サイリスタの断面図である。同図におい
て１はＰエミッタ層，２はＮベース層，３はＰベース
層，４はＮエミッタ層である。Ｐエミッタ層１の表面に
はアノード電極５が配置されており、またメインサイリ
スタＭＴのＮエミッタ層４はＰベース層３が一部分カソ
ード電極６に接触した、いわゆる短絡エミッタ構造とな
っている。メインサイリスタＭＴの中央部には補助Ｎエ
ミッタ層７と補助電極８を設けてパイロットサイリスタ
ＰＴを構成し、前記Ｎエミッタ層７の内周部にはＰベー
ス層３ａが露出しており、その表面にはゲート電極９が
設けてある。さらにＰベース層３ａ部分はＮベース層２
の方向に突出ておりＰベース層３ａの下部領域のＮベー
ス幅は他のＮベース領域のベース幅より狭くなってい
る。
このような構造の過電圧保護機能付サイリスタのゲート
電極９にゲート電流を流すとパイロットサイリスタＰＴ
がターンオンし、パイロットサイリスタＰＴのターンオ
ン電流は、メインサイリスタＭＴのゲート電流として機
能し、メインサイリスタＭＴはターンオンする。サイリ
スタをターンオンさせるのに最小限必要なゲート電流を
最小トリガゲート電流ＩGTと呼んでいる。一般の電気ト
リガサイリスタではゲート回路から混入するノイズ電流
によってサイリスタが誤点弧することを防止するため、
ＩGTの値を数１０ｍＡ〜数１００ｍＡになるようにパイ
ロットサイリスタＰＴのゲート感度が設定されている。
一方、第１図のサイリスタの順方向に過電圧を印加する
と、パイロットサイリスタＰＴの内周部の狭いＮベース
幅を持った領域で電圧降服が起り、この時に発生する降
服電流がゲート電流として機能し、パイロットサイリス
タＰＴ，メインサイリスタＭＴは順次ターンオンする。
ところが、従来の過電圧保護機能付サイリスタには次の
ような欠点があった。
電極９にゲート電流を流すとパイロットサイリスタＰＴ
がターンオンし、パイロットサイリスタＰＴのターンオ
ン電流は、メインサイリスタＭＴのゲート電流として機
能し、メインサイリスタＭＴはターンオンする。サイリ
スタをターンオンさせるのに最小限必要なゲート電流を
最小トリガゲート電流ＩGTと呼んでいる。一般の電気ト
リガサイリスタではゲート回路から混入するノイズ電流
によってサイリスタが誤点弧することを防止するため、
ＩGTの値を数１０ｍＡ〜数１００ｍＡになるようにパイ
ロットサイリスタＰＴのゲート感度が設定されている。
一方、第１図のサイリスタの順方向に過電圧を印加する
と、パイロットサイリスタＰＴの内周部の狭いＮベース
幅を持った領域で電圧降服が起り、この時に発生する降
服電流がゲート電流として機能し、パイロットサイリス
タＰＴ，メインサイリスタＭＴは順次ターンオンする。
ところが、従来の過電圧保護機能付サイリスタには次の
ような欠点があった。
第２図は過電圧によってターンオンした時の臨界オン電
流上昇率（ｄｉ／ｄｔ耐量）とパイロットサイリスタＰ
Ｔの最小ゲートトリガ電流ＩGTの関係を示したものであ
る。同図から明らかなように、ＩGTが大きくなると、電
圧トリガ時のｄｉ／ｄｔ耐量は急激に減少し、ＩGTの値
が許容降服電流値ＩＡＶ(max)をこすと、パイロットサ
イリスタＰＴが電圧トリガされる前に、電圧降服領域が
破壊を起し、ｄｉ／ｄｔ耐量０となる。ｄｉ／ｄｔ耐
量を大きくするには、ＩＡＶ(max)に比べて、充分に小
さいＩGTを選定する必要がある。ＩＡＶ(max)は一般に
数１０ｍＡ以下であるため、ｄｉ／ｄｔ耐量を大きくす
るにはＩGTの値を数ｍＡにする事が望ましい。しかし、
前述したようにＩGTを小さくした設計をすると、ゲート
電極から混入するノイズ電流によってパイロットサイリ
スタが誤動作しやすくなる。このように、従来の方法で
は、ゲート回路から混入するノイズ電流に誤動作するこ
となく高いｄｉ／ｄｔ耐量を持った過電圧保護機能付サ
イリスタ実現することが困難であった。
流上昇率（ｄｉ／ｄｔ耐量）とパイロットサイリスタＰ
Ｔの最小ゲートトリガ電流ＩGTの関係を示したものであ
る。同図から明らかなように、ＩGTが大きくなると、電
圧トリガ時のｄｉ／ｄｔ耐量は急激に減少し、ＩGTの値
が許容降服電流値ＩＡＶ(max)をこすと、パイロットサ
イリスタＰＴが電圧トリガされる前に、電圧降服領域が
破壊を起し、ｄｉ／ｄｔ耐量０となる。ｄｉ／ｄｔ耐
量を大きくするには、ＩＡＶ(max)に比べて、充分に小
さいＩGTを選定する必要がある。ＩＡＶ(max)は一般に
数１０ｍＡ以下であるため、ｄｉ／ｄｔ耐量を大きくす
るにはＩGTの値を数ｍＡにする事が望ましい。しかし、
前述したようにＩGTを小さくした設計をすると、ゲート
電極から混入するノイズ電流によってパイロットサイリ
スタが誤動作しやすくなる。このように、従来の方法で
は、ゲート回路から混入するノイズ電流に誤動作するこ
となく高いｄｉ／ｄｔ耐量を持った過電圧保護機能付サ
イリスタ実現することが困難であった。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、ゲート回路から混入するノイズ
電流に対して誤動作しにくく、高いｄｉ／ｄｔ耐量で電
圧トリガ可能な過電圧保護機能付サイリスタを提供する
ことである。
の目的とするところは、ゲート回路から混入するノイズ
電流に対して誤動作しにくく、高いｄｉ／ｄｔ耐量で電
圧トリガ可能な過電圧保護機能付サイリスタを提供する
ことである。
本発明はサイリスタの一部分に他の領域より、降服電圧
の低い領域を設け、この領域を少くなくとも１つ以上の
パイロットサイリスタで囲み、増幅ゲート構造とし、パ
イロットサイリスタのカソード電極にゲートトリガする
ためのゲート電極を設け、第１段目のパイロットサイリ
スタのゲート・トリガ感度を後段のパイロットサイリス
タのゲート・トリガ感度より大きくしたことを特徴とす
る。
の低い領域を設け、この領域を少くなくとも１つ以上の
パイロットサイリスタで囲み、増幅ゲート構造とし、パ
イロットサイリスタのカソード電極にゲートトリガする
ためのゲート電極を設け、第１段目のパイロットサイリ
スタのゲート・トリガ感度を後段のパイロットサイリス
タのゲート・トリガ感度より大きくしたことを特徴とす
る。
本発明によれば過電圧によって発生する降服電流に対し
てゲート・トリガ感度を高く、また、ゲート電流に対し
てはゲート・トリガ感度が低くなるように工夫してある
ため、ゲート回路から混入するノイズ電流に対して、誤
動作しにくく、かつ、高いｄｉ／ｄｔ耐量で安全に電圧
トリガする過電圧保護機能付サイリスタが可能となる。
てゲート・トリガ感度を高く、また、ゲート電流に対し
てはゲート・トリガ感度が低くなるように工夫してある
ため、ゲート回路から混入するノイズ電流に対して、誤
動作しにくく、かつ、高いｄｉ／ｄｔ耐量で安全に電圧
トリガする過電圧保護機能付サイリスタが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
３図は本発明の一実施例のサイリスタの断面図である。
Ｐエミッタ層１１，Ｎベース層１２，Ｐベース層１３，
Ｎエミッタ層１４の４層が主サイリスタＭＴを構成し、
そのＰエミッタ層１１の表面にアノード電極１５，Ｎエ
ミッタ層１４の表面にカソード電極１６が配置されてい
る。メインサイリスタＭＴの中央部には第１のパイロッ
トサイリスタＰＴ１と第２のパイロットサイリスタＰＴ
２が設けてある。第１のパイロットサイリスタＰＴ１の
Ｎエミッタ層141の直下のＰベース層131のＰベース幅Ｗ
PB1は第２のパイロットサイリスタのＰベース層132，メ
インサイリスタＭＴのＰベース層１３のＰベース幅Ｗ
PB2，ＷPBと比較して狭くなるように構成されている。
第１のパイロットサイリスタＰＴ１の補助カソード電極
161にゲート電極１７が設けてありゲート電極１７とカ
ソード電極１６の間にゲート回路を接続し、ゲート電極
１７にゲート電流を流すとサイリスタは通常のゲートト
リガ作用により、ターンオンする。第１のパイロットサ
イリスタＰＴ１のＮエミッタ層141の内周部のＰベース
層131aが露出しており、Ｐベース層131aはＮベース層１
２の方向に突出しており、Ｎベース層１２とＰベース層
１３１ａで構成される接合部Ｊ２に湾曲部１８が設けて
ある。降服電圧をこす過電圧がアノード電極１５とカソ
ード電極１６の間に印加されると、この湾曲部１８に電
界の集中が起り降服電流が流れる。この降服電流は、第
１のパイロットサイリスタＰＴ１のゲート電流として機
能し、第１のパイロットサイリスタＰＴ１は過電圧の印
加により電圧トリガする。第１のパイロットサイリスタ
ＰＴ１のターンオン電流は第２のパイロットサイリスタ
ＰＴ２のゲート電流として、さらに第２パイロットサイ
リスタＰＴ２のターンオン電流は、メインサイリスタＭ
Ｔのゲート電流として順次機能することにより、最終的
にメインサイリスタＭＴが過電圧によって安全に電圧ト
リガできる。
３図は本発明の一実施例のサイリスタの断面図である。
Ｐエミッタ層１１，Ｎベース層１２，Ｐベース層１３，
Ｎエミッタ層１４の４層が主サイリスタＭＴを構成し、
そのＰエミッタ層１１の表面にアノード電極１５，Ｎエ
ミッタ層１４の表面にカソード電極１６が配置されてい
る。メインサイリスタＭＴの中央部には第１のパイロッ
トサイリスタＰＴ１と第２のパイロットサイリスタＰＴ
２が設けてある。第１のパイロットサイリスタＰＴ１の
Ｎエミッタ層141の直下のＰベース層131のＰベース幅Ｗ
PB1は第２のパイロットサイリスタのＰベース層132，メ
インサイリスタＭＴのＰベース層１３のＰベース幅Ｗ
PB2，ＷPBと比較して狭くなるように構成されている。
第１のパイロットサイリスタＰＴ１の補助カソード電極
161にゲート電極１７が設けてありゲート電極１７とカ
ソード電極１６の間にゲート回路を接続し、ゲート電極
１７にゲート電流を流すとサイリスタは通常のゲートト
リガ作用により、ターンオンする。第１のパイロットサ
イリスタＰＴ１のＮエミッタ層141の内周部のＰベース
層131aが露出しており、Ｐベース層131aはＮベース層１
２の方向に突出しており、Ｎベース層１２とＰベース層
１３１ａで構成される接合部Ｊ２に湾曲部１８が設けて
ある。降服電圧をこす過電圧がアノード電極１５とカソ
ード電極１６の間に印加されると、この湾曲部１８に電
界の集中が起り降服電流が流れる。この降服電流は、第
１のパイロットサイリスタＰＴ１のゲート電流として機
能し、第１のパイロットサイリスタＰＴ１は過電圧の印
加により電圧トリガする。第１のパイロットサイリスタ
ＰＴ１のターンオン電流は第２のパイロットサイリスタ
ＰＴ２のゲート電流として、さらに第２パイロットサイ
リスタＰＴ２のターンオン電流は、メインサイリスタＭ
Ｔのゲート電流として順次機能することにより、最終的
にメインサイリスタＭＴが過電圧によって安全に電圧ト
リガできる。
本発明では第１のパイロットサイリスタＰＴ１のゲート
トリガ感度を第２のパイロットサイリスタＰＴ２、メイ
ンサイリスタＭＴのゲート感度より高くしてある。その
結果、第１のパイロットサイリスタＰＴ１はわずかな降
服電流で電圧トリガすることができ、高いｄｉ／ｄｔ耐
量を得ることができる。一方、第２のパイロットサイリ
スタＰＴ２のゲート感度は通常のサイリスタと同一レベ
ルに設定されているのでゲート回路から混入するノイズ
電流によって誤動作することはない。
トリガ感度を第２のパイロットサイリスタＰＴ２、メイ
ンサイリスタＭＴのゲート感度より高くしてある。その
結果、第１のパイロットサイリスタＰＴ１はわずかな降
服電流で電圧トリガすることができ、高いｄｉ／ｄｔ耐
量を得ることができる。一方、第２のパイロットサイリ
スタＰＴ２のゲート感度は通常のサイリスタと同一レベ
ルに設定されているのでゲート回路から混入するノイズ
電流によって誤動作することはない。
パイロットサイリスタＰＴ１，ＰＴ２のゲート・トリガ
感度は各Ｎエミッタ層141，142直下のＰベース層131，1
32の横方向抵抗ＲP1，ＲP2で決定され、ＲＰが大きいほ
どゲート・トリガ感度は大きくできる。例えば、第３図
に示した実施例では、ＲP1，ＲP2は、Ｐベース層131，1
32の層抵抗ＰSP1，ＰSP2とＮエミッタ層141，142の幾何
学形状で決定される。リング状のＮエミッタ層141，142
の内径ｄ１，外径ｄ２とすると、Ｐベース横方向抵抗Ｒ
ＰはＰベース層抵抗ＰSPとln(d2/d1)に比例する。本発
明の実施例では、ＰS1＝3000Ω／□，ＰS2＝500Ω／□
とし、第１パイロットＰＴ１の寸法をd1＝1.5ｍｍφ，d
2＝2.0ｍｍφ，第２のパイロットサイリスタの寸法をd1
＝3.0ｍｍφ，d2＝3.5ｍｍφとしている。この場合のゲ
ート・トリガ感度は最小トリガゲート電流に換算してＰ
Ｔ１が５ｍＡ，ＰＴ２が６０ｍＡとなりＰＴ１のゲート
・トリガ感度はＰＴ２のそれの１２倍となっている。
感度は各Ｎエミッタ層141，142直下のＰベース層131，1
32の横方向抵抗ＲP1，ＲP2で決定され、ＲＰが大きいほ
どゲート・トリガ感度は大きくできる。例えば、第３図
に示した実施例では、ＲP1，ＲP2は、Ｐベース層131，1
32の層抵抗ＰSP1，ＰSP2とＮエミッタ層141，142の幾何
学形状で決定される。リング状のＮエミッタ層141，142
の内径ｄ１，外径ｄ２とすると、Ｐベース横方向抵抗Ｒ
ＰはＰベース層抵抗ＰSPとln(d2/d1)に比例する。本発
明の実施例では、ＰS1＝3000Ω／□，ＰS2＝500Ω／□
とし、第１パイロットＰＴ１の寸法をd1＝1.5ｍｍφ，d
2＝2.0ｍｍφ，第２のパイロットサイリスタの寸法をd1
＝3.0ｍｍφ，d2＝3.5ｍｍφとしている。この場合のゲ
ート・トリガ感度は最小トリガゲート電流に換算してＰ
Ｔ１が５ｍＡ，ＰＴ２が６０ｍＡとなりＰＴ１のゲート
・トリガ感度はＰＴ２のそれの１２倍となっている。
以上の説明から明らかなように、本発明では過電圧が印
加されると高感度の第１パイロットサイリスタＰＴ１が
電圧ターンオンし、ゲート電流に対しては、より感度の
低い第２のパイロットサイリスタがゲート・ターンオン
するように工夫されているから、ゲート回路から混入す
るノイズ電流に対して誤動作しにくく、高いｄｉ／ｄｔ
耐量で電圧トリガできる過電圧保護機能付サイリスタを
実現することができる。
加されると高感度の第１パイロットサイリスタＰＴ１が
電圧ターンオンし、ゲート電流に対しては、より感度の
低い第２のパイロットサイリスタがゲート・ターンオン
するように工夫されているから、ゲート回路から混入す
るノイズ電流に対して誤動作しにくく、高いｄｉ／ｄｔ
耐量で電圧トリガできる過電圧保護機能付サイリスタを
実現することができる。
第３図の実施例では、第２のパイロットサイリスタＰＴ
２がある場合について、本発明の効果を説明したが、第
２のパイロットサイリスタがなくてもメインサイリスタ
Ｍのゲート・トリガ感度を第１のパイロットサイリスタ
ＰＴ１のゲート・トリガ感度より低くなるように構成し
てあれば第３図の実施例と同様な効果が得られることは
言うまでもない。
２がある場合について、本発明の効果を説明したが、第
２のパイロットサイリスタがなくてもメインサイリスタ
Ｍのゲート・トリガ感度を第１のパイロットサイリスタ
ＰＴ１のゲート・トリガ感度より低くなるように構成し
てあれば第３図の実施例と同様な効果が得られることは
言うまでもない。
又、降服電流を発生する方法が、第３図の実施例と異な
る方法でも本発明の効果がかわるものではない。
る方法でも本発明の効果がかわるものではない。
第１図は従来の過電圧保護機能付サイリスタの断面図、
第２図は本発明一実施例の過電圧保護機能付サイリスタ
の断面図、第３図は本発明の他の実施例を説明するため
の図である。 １１…Ｐエミッタ層、１２…Ｎベース層、１３…Ｐベー
ス層、１４…Ｎエミッタ層、１５…アノード電極、１６
…カソード電極、ＭＴ…メインサイリスタ、ＰＴ１…第
１のパイロットサイリスタ、ＰＴ２…第２のパイロット
サイリスタ、141…ＰＴ１のＮエミッタ層、１３１…１
４１直下のＰベース層、１３２…ＰＴ２のＰベース層、
１６１…ＰＴ１の補助カソード電極、１７…ゲート電
極、131a…１４１の内周部のＰベース層、１８…湾曲
部。
第２図は本発明一実施例の過電圧保護機能付サイリスタ
の断面図、第３図は本発明の他の実施例を説明するため
の図である。 １１…Ｐエミッタ層、１２…Ｎベース層、１３…Ｐベー
ス層、１４…Ｎエミッタ層、１５…アノード電極、１６
…カソード電極、ＭＴ…メインサイリスタ、ＰＴ１…第
１のパイロットサイリスタ、ＰＴ２…第２のパイロット
サイリスタ、141…ＰＴ１のＮエミッタ層、１３１…１
４１直下のＰベース層、１３２…ＰＴ２のＰベース層、
１６１…ＰＴ１の補助カソード電極、１７…ゲート電
極、131a…１４１の内周部のＰベース層、１８…湾曲
部。
Claims (1)
- 【請求項１】ＰＮＰＮ４層構造を有するメインサイリス
タ領域内の一部分に、他の領域より低い電圧で電圧降服
を起す領域を設け、この領域の近傍に少なくとも１つ以
上のパイロットサイリスタを設け、各パイロットサイリ
スタのカソード電極の少なくとも１箇所にゲート回路に
接続するためのゲート電極を設け、前記電圧降服を起す
領域で発生する降服電流で最初の過電圧トリガする、第
１のパイロットサイリスタのゲート・トリガ感度を、第
１のパイロットサイリスタのカソード電極の少なくとも
一箇所に設けたゲート電極にゲート回路を接続したとき
の後段のパイロットサイリスタ、又はメインサイリスタ
のゲート・トリガ感度より、大きくなるように設定した
ことを特徴とする過電圧保護機能付サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24515483A JPH065740B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 過電圧保護機能付サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24515483A JPH065740B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 過電圧保護機能付サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140761A JPS60140761A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH065740B2 true JPH065740B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=17129415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24515483A Expired - Lifetime JPH065740B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 過電圧保護機能付サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065740B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247071A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Hitachi Ltd | 過電圧自己保護型半導体装置 |
| JP2502793B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1996-05-29 | 株式会社日立製作所 | 過電圧自己保護型半導体装置 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24515483A patent/JPH065740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60140761A (ja) | 1985-07-25 |
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