JPH0656519A - マイクロ波誘電体磁器組成物 - Google Patents
マイクロ波誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0656519A JPH0656519A JP4226373A JP22637392A JPH0656519A JP H0656519 A JPH0656519 A JP H0656519A JP 4226373 A JP4226373 A JP 4226373A JP 22637392 A JP22637392 A JP 22637392A JP H0656519 A JPH0656519 A JP H0656519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- firing
- catio
- porcelain composition
- dielectric porcelain
- Prior art date
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 εr 及びＱｕを実用的な特性範囲に維持しつ
つ、τｆをゼロに近づける又はゼロを中心としてプラス
側とマイナス側の所望の値に任意に且つ安定して制御し
得ることができ、更に低温で焼成しても若しくは焼成温
度が変動しても高品質を備える誘電体磁器組成物を提供
する。 【構成】 本磁器組成物は、ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−
ｘ）ＣａＴｉＯ3 〔但し、０．９２５≦ｘ≦０．９５
０〕で示される組成を主成分とし、これに、上記ｘＭｇ
ＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て３〜９重量部のＺｎＯを添加含有したものである。特
に、上記ｘが０．９３５〜０．９４５、ＺｎＯの添加量
が６重量％である場合は、Ｑｕが３９００〜４１００、
τｆが−５〜＋５（ｐｐｍ／℃）、εr が２１前後であ
り、また低温で焼成しても高品質なものを確保できる。
つ、τｆをゼロに近づける又はゼロを中心としてプラス
側とマイナス側の所望の値に任意に且つ安定して制御し
得ることができ、更に低温で焼成しても若しくは焼成温
度が変動しても高品質を備える誘電体磁器組成物を提供
する。 【構成】 本磁器組成物は、ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−
ｘ）ＣａＴｉＯ3 〔但し、０．９２５≦ｘ≦０．９５
０〕で示される組成を主成分とし、これに、上記ｘＭｇ
ＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て３〜９重量部のＺｎＯを添加含有したものである。特
に、上記ｘが０．９３５〜０．９４５、ＺｎＯの添加量
が６重量％である場合は、Ｑｕが３９００〜４１００、
τｆが−５〜＋５（ｐｐｍ／℃）、εr が２１前後であ
り、また低温で焼成しても高品質なものを確保できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波誘電体磁器
組成物に関し、更に詳しく言えば、無負荷Ｑ（以下、単
にＱｕという。）を高い値で維持しつつ、共振周波数の
温度係数（以下、単にτｆという。）をゼロに近づける
ことができ、更にＣａＴｉＯ3 の混合割合を加減するこ
とによって、τｆをゼロを中心としてプラス側とマイナ
ス側に任意に制御し得ることができ、またＺｎＯの添加
により低温で焼成しても高品質を備えるマイクロ波誘電
体磁器組成物に関するものである。本発明は、マイクロ
波領域において誘電体共振器、マイクロ波集積回路基
板、各種マイクロ波回路のインピーダンス整合等に利用
される。
組成物に関し、更に詳しく言えば、無負荷Ｑ（以下、単
にＱｕという。）を高い値で維持しつつ、共振周波数の
温度係数（以下、単にτｆという。）をゼロに近づける
ことができ、更にＣａＴｉＯ3 の混合割合を加減するこ
とによって、τｆをゼロを中心としてプラス側とマイナ
ス側に任意に制御し得ることができ、またＺｎＯの添加
により低温で焼成しても高品質を備えるマイクロ波誘電
体磁器組成物に関するものである。本発明は、マイクロ
波領域において誘電体共振器、マイクロ波集積回路基
板、各種マイクロ波回路のインピーダンス整合等に利用
される。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波誘電体磁器組成物（以下、単
に誘電体磁器組成物という。）は、使用周波数が高周波
となるに従って誘電損失が大きくなる傾向にあるので、
マイクロ周波数領域でＱｕの大きな誘電体磁器組成物が
望まれている。従来の誘電体磁器材料としては、結晶構
造がペロブスカイト相とイルメナイト相との２相を含む
誘電体磁器組成物（特開平２−１２９０６５号公報）、
ＭｇＴｉＯ3 とＴｉＯ2 に所定量のＣａＴｉＯ3 を含有
した誘電体磁器組成物（特開昭５２−１１８５９９号公
報）等が知られている。
に誘電体磁器組成物という。）は、使用周波数が高周波
となるに従って誘電損失が大きくなる傾向にあるので、
マイクロ周波数領域でＱｕの大きな誘電体磁器組成物が
望まれている。従来の誘電体磁器材料としては、結晶構
造がペロブスカイト相とイルメナイト相との２相を含む
誘電体磁器組成物（特開平２−１２９０６５号公報）、
ＭｇＴｉＯ3 とＴｉＯ2 に所定量のＣａＴｉＯ3 を含有
した誘電体磁器組成物（特開昭５２−１１８５９９号公
報）等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の誘電体
磁器組成物ではＮｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、Ｚｎ
Ｏ等の他成分が多く含まれる上、Ｑｕも必ずしも大きな
値とは言えない。後者の誘電体磁器組成物では、ＴｉＯ
2 を必須成分として含み、ＣａＴｉＯ3 の混合量が３〜
１０重量％の範囲においてはτｆが＋８７〜−１００と
大きく変化し、０付近の小さな値には調整が困難等の問
題があった。
磁器組成物ではＮｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、Ｚｎ
Ｏ等の他成分が多く含まれる上、Ｑｕも必ずしも大きな
値とは言えない。後者の誘電体磁器組成物では、ＴｉＯ
2 を必須成分として含み、ＣａＴｉＯ3 の混合量が３〜
１０重量％の範囲においてはτｆが＋８７〜−１００と
大きく変化し、０付近の小さな値には調整が困難等の問
題があった。
【０００４】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、ＣａＴｉＯ3 及びＺｎＯの配合割合を加減すること
によって、εr 及びＱｕを実用的な特性範囲に維持しつ
つ、τｆをゼロに近づける又はゼロを中心としてプラス
側とマイナス側の所望の値に任意に且つ安定して制御し
得ることができ、更にＺｎＯの添加により低温で焼成し
ても若しくは焼成温度が変動しても高品質を備える誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
り、ＣａＴｉＯ3 及びＺｎＯの配合割合を加減すること
によって、εr 及びＱｕを実用的な特性範囲に維持しつ
つ、τｆをゼロに近づける又はゼロを中心としてプラス
側とマイナス側の所望の値に任意に且つ安定して制御し
得ることができ、更にＺｎＯの添加により低温で焼成し
ても若しくは焼成温度が変動しても高品質を備える誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、誘電体磁器
組成物において、高いＱｕを維持しつつ、τｆをゼロに
近づけることができ、且つ焼成温度を変えても安定した
品質を備える組成について種々検討した結果、ＣａＴｉ
Ｏ3 及びＺｎＯの添加割合を加減することによりこの欠
点が解消されることを見出して、本発明を完成するに至
ったのである。
組成物において、高いＱｕを維持しつつ、τｆをゼロに
近づけることができ、且つ焼成温度を変えても安定した
品質を備える組成について種々検討した結果、ＣａＴｉ
Ｏ3 及びＺｎＯの添加割合を加減することによりこの欠
点が解消されることを見出して、本発明を完成するに至
ったのである。
【０００６】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、ｘＭ
ｇＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 〔但し、０．９２
５≦ｘ≦０．９５０〕で示される組成を主成分とし、こ
れに、上記ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 １
００重量部に対して３〜９重量部（以下、３〜９重量％
という。）のＺｎＯを添加含有させたことを特徴とす
る。上記ｘが０．９２５より小さいと、τｆが大きな正
の値をとるとともに、Ｑｕが小さくなり、逆に０．９５
０を越えるとτｆが大きな負の値をとり、好ましくない
からである。また、特に、上記ｘが０．９３５〜０．９
４５、ＺｎＯの添加量が６重量％である場合は、Ｑｕが
３９００〜４１００、τｆが−５〜＋５（ｐｐｍ／
℃）、εr が２１前後であり、また低温で焼成しても高
品質なものを確保できるし、且つ焼成温度に対する安定
性を示すので、好ましい。
ｇＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 〔但し、０．９２
５≦ｘ≦０．９５０〕で示される組成を主成分とし、こ
れに、上記ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 １
００重量部に対して３〜９重量部（以下、３〜９重量％
という。）のＺｎＯを添加含有させたことを特徴とす
る。上記ｘが０．９２５より小さいと、τｆが大きな正
の値をとるとともに、Ｑｕが小さくなり、逆に０．９５
０を越えるとτｆが大きな負の値をとり、好ましくない
からである。また、特に、上記ｘが０．９３５〜０．９
４５、ＺｎＯの添加量が６重量％である場合は、Ｑｕが
３９００〜４１００、τｆが−５〜＋５（ｐｐｍ／
℃）、εr が２１前後であり、また低温で焼成しても高
品質なものを確保できるし、且つ焼成温度に対する安定
性を示すので、好ましい。
【０００７】尚、ＣａＴｉＯ3 の混合割合が、多くなる
ほど、τｆは負の値から正の方向へ向かい（図３）、ε
r は大きくなり（図２）、一方Ｑｕは小さくなる傾向に
ある（図１）。また、図７に示すように、ＺｎＯの添加
により、低温（例えば１３２５〜１３５０℃）により焼
成しても密度の高い焼結体を製造でき、そのため焼成温
度を種々変動させても（又はたとえ低温で焼成しても）
安定した品質のものとすることができる（図４〜１
１）。以上より、ＣａＴｉＯ3 及びＺｎＯの上記適正な
混合範囲において、これらの性能のバランスのとれたも
のとなるとともに、安定した品質のものとなる。
ほど、τｆは負の値から正の方向へ向かい（図３）、ε
r は大きくなり（図２）、一方Ｑｕは小さくなる傾向に
ある（図１）。また、図７に示すように、ＺｎＯの添加
により、低温（例えば１３２５〜１３５０℃）により焼
成しても密度の高い焼結体を製造でき、そのため焼成温
度を種々変動させても（又はたとえ低温で焼成しても）
安定した品質のものとすることができる（図４〜１
１）。以上より、ＣａＴｉＯ3 及びＺｎＯの上記適正な
混合範囲において、これらの性能のバランスのとれたも
のとなるとともに、安定した品質のものとなる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。ＭｇＯ粉末（純度；９９．４％）、ＣａＯとしてＣ
ａＣＯ3 粉末（純度；９９％）、ＴｉＯ2 粉末（純度；
９９．９８％）、ＺｎＯ粉末（純度；９９．５％）を出
発原料として、図１及び４に示すように、組成式ｘＭｇ
ＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 ＋ｙ重量％ＺｎＯ
〔ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 １００重量
部に対してＺｎＯｙ重量部を意味する。〕の各ｘとｙが
変化した組成になるように、所定量（全量として約６０
０ｇ）を秤量、混合した。その後、ミキサーで乾式によ
る混合（２０〜３０分）及び一次粉砕を施した後、大気
雰囲気中にて１１００℃の温度で２時間仮焼した。次い
で、この仮焼粉末に適量の有機バインダー（２９ｇ）と
水（３００〜４００ｇ）を加え、２０ｍｍφのアルミナ
ボールで、９０ｒｐｍ、２３時間粉砕した。その後、真
空凍結乾燥（約０．４Ｔｏｒｒ、４０〜５０℃、約２０
時間）により造粒し、この造粒された原料を用いて１０
００ｋｇ／ｃｍ2 のプレス圧で１９ｍｍφ×１１ｍｍｔ
（厚さ）の円柱状に成形した。
る。ＭｇＯ粉末（純度；９９．４％）、ＣａＯとしてＣ
ａＣＯ3 粉末（純度；９９％）、ＴｉＯ2 粉末（純度；
９９．９８％）、ＺｎＯ粉末（純度；９９．５％）を出
発原料として、図１及び４に示すように、組成式ｘＭｇ
ＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 ＋ｙ重量％ＺｎＯ
〔ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 １００重量
部に対してＺｎＯｙ重量部を意味する。〕の各ｘとｙが
変化した組成になるように、所定量（全量として約６０
０ｇ）を秤量、混合した。その後、ミキサーで乾式によ
る混合（２０〜３０分）及び一次粉砕を施した後、大気
雰囲気中にて１１００℃の温度で２時間仮焼した。次い
で、この仮焼粉末に適量の有機バインダー（２９ｇ）と
水（３００〜４００ｇ）を加え、２０ｍｍφのアルミナ
ボールで、９０ｒｐｍ、２３時間粉砕した。その後、真
空凍結乾燥（約０．４Ｔｏｒｒ、４０〜５０℃、約２０
時間）により造粒し、この造粒された原料を用いて１０
００ｋｇ／ｃｍ2 のプレス圧で１９ｍｍφ×１１ｍｍｔ
（厚さ）の円柱状に成形した。
【０００９】次に、この成形体を大気中、５００℃、３
時間にて脱脂し、その後、各図に示す１３００〜１４２
５℃の範囲の各温度で、４時間焼成し、最後に両端面を
約１６ｍｍφ×８ｍｍｔ（厚さ）の円柱状に研磨して、
誘電体試料とした。そして、各試料につき、平行導体板
型誘電体円柱共振器法（ＴＥ011 ＭＯＤＥ）等により、
εr （比誘電率）、Ｑｕ及びτｆ、更に、焼結密度をア
ルキメデス法により測定した。尚、共振周波数は６ＧＨ
ｚである。これらの結果を図１〜図１１に示す。また、
一例として、０．９５ＭｇＴｉＯ3 ・０．０５ＣａＴｉ
Ｏ3の場合のＸ線回折の結果を図１２（０．９５ＭｇＴ
ｉＯ3 ・０．０５ＣａＴｉＯ3 に対して６重量％のＺｎ
Ｏを含有、１３００℃で４時間焼成）、図１３（ＺｎＯ
を含有せず、１３６０℃で４時間焼成）に示す。
時間にて脱脂し、その後、各図に示す１３００〜１４２
５℃の範囲の各温度で、４時間焼成し、最後に両端面を
約１６ｍｍφ×８ｍｍｔ（厚さ）の円柱状に研磨して、
誘電体試料とした。そして、各試料につき、平行導体板
型誘電体円柱共振器法（ＴＥ011 ＭＯＤＥ）等により、
εr （比誘電率）、Ｑｕ及びτｆ、更に、焼結密度をア
ルキメデス法により測定した。尚、共振周波数は６ＧＨ
ｚである。これらの結果を図１〜図１１に示す。また、
一例として、０．９５ＭｇＴｉＯ3 ・０．０５ＣａＴｉ
Ｏ3の場合のＸ線回折の結果を図１２（０．９５ＭｇＴ
ｉＯ3 ・０．０５ＣａＴｉＯ3 に対して６重量％のＺｎ
Ｏを含有、１３００℃で４時間焼成）、図１３（ＺｎＯ
を含有せず、１３６０℃で４時間焼成）に示す。
【００１０】これらの結果によれば、ｘＭｇＴｉＯ3 ・
（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 のｘが小さいとＱｕ値は小さく
なる傾向にあるが、逆にτｆとεr はプラス側に大きく
なる傾向がある。尚、焼結密度は焼成温度が高いほど大
きくなる傾向にあるが、ＺｎＯの添加量が増すと焼成温
度に対して平坦になる。焼成温度が１３５０〜１４２５
℃において、ｘが０．９２５〜０．９５０の範囲では、
τｆは＋２３〜−１７、εr は１９〜２２、Ｑｕは３３
３０〜４３９０と実用的な特性範囲を示すため好まし
い。特にｘが０．９４０、ＺｎＯの添加量が６重量％の
場合は、例えば焼成温度が１３５０℃及び１３７５℃の
場合をとると、図１〜６に示すように、τｆが−１〜＋
１ｐｐｍ／℃、εr が約２１、Ｑｕが約４０００であ
り、特に優れた性能バランスを示す。更に、τｆに関し
て言えば、焼成温度に対する変化率が低いため０付近の
小さな値を調節し易い。一方、ＣａＴｉＯ3 を含まない
場合は、Ｑｕ値が大きいもののεr が小さく、しかもτ
ｆが−２５〜−４４とマイナス側に著しく小さなものと
なり、好ましくない。
（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 のｘが小さいとＱｕ値は小さく
なる傾向にあるが、逆にτｆとεr はプラス側に大きく
なる傾向がある。尚、焼結密度は焼成温度が高いほど大
きくなる傾向にあるが、ＺｎＯの添加量が増すと焼成温
度に対して平坦になる。焼成温度が１３５０〜１４２５
℃において、ｘが０．９２５〜０．９５０の範囲では、
τｆは＋２３〜−１７、εr は１９〜２２、Ｑｕは３３
３０〜４３９０と実用的な特性範囲を示すため好まし
い。特にｘが０．９４０、ＺｎＯの添加量が６重量％の
場合は、例えば焼成温度が１３５０℃及び１３７５℃の
場合をとると、図１〜６に示すように、τｆが−１〜＋
１ｐｐｍ／℃、εr が約２１、Ｑｕが約４０００であ
り、特に優れた性能バランスを示す。更に、τｆに関し
て言えば、焼成温度に対する変化率が低いため０付近の
小さな値を調節し易い。一方、ＣａＴｉＯ3 を含まない
場合は、Ｑｕ値が大きいもののεr が小さく、しかもτ
ｆが−２５〜−４４とマイナス側に著しく小さなものと
なり、好ましくない。
【００１１】また、図１２に示すＸ線回折ピークの有無
による分析方法によれば、本発明品の構造は、ＭｇＴｉ
Ｏ3 （○、一部ＺｎＴｉＯ3 を含む。）とＣａＴｉＯ3
（●）を含み、他のピークとしてはＭｇ2 ＴｉＯ
4 （△、一部ＺｎＴｉＯ4 を含む。）があり、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＴｉＯ2 を含んでいないことを示している。
尚、図１３は、ＺｎＯを含まない場合のものであり、こ
の場合はＭｇＴｉＯ3 （○）とＣａＴｉＯ3 （●）とか
らなることを示しており、やはりＭｇＯ、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 を含んでいないことを示している。
による分析方法によれば、本発明品の構造は、ＭｇＴｉ
Ｏ3 （○、一部ＺｎＴｉＯ3 を含む。）とＣａＴｉＯ3
（●）を含み、他のピークとしてはＭｇ2 ＴｉＯ
4 （△、一部ＺｎＴｉＯ4 を含む。）があり、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＴｉＯ2 を含んでいないことを示している。
尚、図１３は、ＺｎＯを含まない場合のものであり、こ
の場合はＭｇＴｉＯ3 （○）とＣａＴｉＯ3 （●）とか
らなることを示しており、やはりＭｇＯ、ＣａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 を含んでいないことを示している。
【００１２】更に、図示しないが、電子顕微鏡写真の結
果によれば、焼成温度の上昇とともに粒子径が大きくな
り（１３００℃；３．１μｍ、１３５０℃；７．２μ
ｍ、１４００℃；１２．８μｍ、いずれもIntercept 法
により測定）、しかも気孔が減少し、１４００℃にて緻
密化が完了することを示している。破断面は１３００℃
では粒界破壊、１３５０℃以上では粒内破壊を示した。
果によれば、焼成温度の上昇とともに粒子径が大きくな
り（１３００℃；３．１μｍ、１３５０℃；７．２μ
ｍ、１４００℃；１２．８μｍ、いずれもIntercept 法
により測定）、しかも気孔が減少し、１４００℃にて緻
密化が完了することを示している。破断面は１３００℃
では粒界破壊、１３５０℃以上では粒内破壊を示した。
【００１３】尚、本発明においては、前記具体的実施例
に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範
囲内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、
前記仮焼温度等の仮焼条件、焼成温度等の焼成条件等は
種々選択できる。
に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範
囲内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、
前記仮焼温度等の仮焼条件、焼成温度等の焼成条件等は
種々選択できる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明の誘電体磁器組成
物は、Ｑｕ及びεr を実用的な（高い）特性範囲に維持
しつつ、ＣａＴｉＯ3 の配合割合を加減することによっ
て、τｆをゼロに近づける又はゼロを中心としてプラス
側とマイナス側の所望の値に任意に制御し得ることがで
きるとともに、τｆを０付近に安定して調節できる。更
に、ＺｎＯの添加により、焼成温度を種々変動させても
（又はたとえ低温で焼成しても）、密度が高く且つ高品
質な焼結体とすることができる。従って、目的に応じ
て、ＣａＴｉＯ3 及びＺｎＯの混合割合を変えることが
できる。
物は、Ｑｕ及びεr を実用的な（高い）特性範囲に維持
しつつ、ＣａＴｉＯ3 の配合割合を加減することによっ
て、τｆをゼロに近づける又はゼロを中心としてプラス
側とマイナス側の所望の値に任意に制御し得ることがで
きるとともに、τｆを０付近に安定して調節できる。更
に、ＺｎＯの添加により、焼成温度を種々変動させても
（又はたとえ低温で焼成しても）、密度が高く且つ高品
質な焼結体とすることができる。従って、目的に応じ
て、ＣａＴｉＯ3 及びＺｎＯの混合割合を変えることが
できる。
【図１】焼成温度１３５０℃にて製造された〔ｘＭｇＴ
ｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 ＋６重量％ＺｎＯ〕磁
器組成物において、ｘとＱｕとの関係を示すグラフであ
る。
ｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ3 ＋６重量％ＺｎＯ〕磁
器組成物において、ｘとＱｕとの関係を示すグラフであ
る。
【図２】図１にて示す磁器組成物において、ｘとεr と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図３】図１にて示す磁器組成物において、ｘとτｆと
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図４】各焼成温度により焼成されて製造された〔０．
９４ＭｇＴｉＯ3 ・０．０６ＣａＴｉＯ3 ＋（０〜９）
重量％ＺｎＯ〕磁器組成物において、ＺｎＯ量とＱｕと
の関係を示すグラフである。
９４ＭｇＴｉＯ3 ・０．０６ＣａＴｉＯ3 ＋（０〜９）
重量％ＺｎＯ〕磁器組成物において、ＺｎＯ量とＱｕと
の関係を示すグラフである。
【図５】図４にて示す磁器組成物において、ＺｎＯ量と
εr との関係を示すグラフである。
εr との関係を示すグラフである。
【図６】図４にて示す磁器組成物において、ＺｎＯ量と
τf との関係を示すグラフである。
τf との関係を示すグラフである。
【図７】図４にて示す磁器組成物において、ＺｎＯ量と
焼結密度との関係を示すグラフである。
焼結密度との関係を示すグラフである。
【図８】〔０．９４ＭｇＴｉＯ3 ・０．０６ＣａＴｉＯ
3 ＋（０〜９）ｗｔ％ＺｎＯ〕磁器組成物において、焼
成温度とＱｕとの関係を示すグラフである。
3 ＋（０〜９）ｗｔ％ＺｎＯ〕磁器組成物において、焼
成温度とＱｕとの関係を示すグラフである。
【図９】図８にて示す磁器組成物において、焼成温度と
εr との関係を示すグラフである。
εr との関係を示すグラフである。
【図１０】図８にて示す磁器組成物において、焼成温度
とτｆとの関係を示すグラフである。
とτｆとの関係を示すグラフである。
【図１１】図８にて示す磁器組成物において、焼成温度
と焼結密度との関係を示すグラフである。
と焼結密度との関係を示すグラフである。
【図１２】〔０．９５ＭｇＴｉＯ3 ・０．０５ＣａＴｉ
Ｏ3 ＋６ｗｔ％ＺｎＯ〕磁器組成物のＸ線回折結果を示
すグラフである。
Ｏ3 ＋６ｗｔ％ＺｎＯ〕磁器組成物のＸ線回折結果を示
すグラフである。
【図１３】０．９５ＭｇＴｉＯ3 ・０．０５ＣａＴｉＯ
3 磁器組成物のＸ線回折結果を示すグラフである。
3 磁器組成物のＸ線回折結果を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−ｘ）ＣａＴｉＯ
3 〔但し、０．９２５≦ｘ≦０．９５０〕で示される組
成を主成分とし、これに、上記ｘＭｇＴｉＯ3 ・（１−
ｘ）ＣａＴｉＯ3 １００重量部に対して３〜９重量部の
ＺｎＯを添加含有させたことを特徴とするマイクロ波誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22637392A JP3212704B2 (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| US08/101,252 US5340784A (en) | 1992-08-03 | 1993-08-02 | Microwave dielectric ceramic composition |
| DE69311768T DE69311768T2 (de) | 1992-08-03 | 1993-08-03 | Dielektrische keramische Zusammensetzung für Mikrowellen |
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