JPH0653899B2 - 真空バルブ用接点素子の製造方法 - Google Patents
真空バルブ用接点素子の製造方法Info
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- JPH0653899B2 JPH0653899B2 JP12568086A JP12568086A JPH0653899B2 JP H0653899 B2 JPH0653899 B2 JP H0653899B2 JP 12568086 A JP12568086 A JP 12568086A JP 12568086 A JP12568086 A JP 12568086A JP H0653899 B2 JPH0653899 B2 JP H0653899B2
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- skeleton
- cooling
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は真空バルブ用接点素子の製造方法に関し、更に
詳しくは、接点特性が優れていると同時に台金との接合
性も良好であるため高い信頼性を備えた真空バルブ用接
点素子の製造方法に関する。
詳しくは、接点特性が優れていると同時に台金との接合
性も良好であるため高い信頼性を備えた真空バルブ用接
点素子の製造方法に関する。
（従来の技術） ＣｒをスケルトンとしＣｕを溶浸して成る接点素子は真
空バルブ用として優れた接点特性を有することが知られ
ている。とくに、重量比でＣｒ：Ｃｕ＝５０：５０のも
のは優れている。
空バルブ用として優れた接点特性を有することが知られ
ている。とくに、重量比でＣｒ：Ｃｕ＝５０：５０のも
のは優れている。
このＣｒ−Ｃｕ系接点素子は概ね次のようにして製造さ
れている。例えば、特公昭５９−３０７６１号公報によ
れば、Ｃｒ粉末と少量のＣｕ粉末を混合し、この混合粉
をダイ型に充填して小圧力をかけてプレス成形し、この
成形体をダイ型から取出したのちこれを真空焼結してＣ
ｒスケルトンを形成し、最後にＣｕを溶浸するという方
法である。
れている。例えば、特公昭５９−３０７６１号公報によ
れば、Ｃｒ粉末と少量のＣｕ粉末を混合し、この混合粉
をダイ型に充填して小圧力をかけてプレス成形し、この
成形体をダイ型から取出したのちこれを真空焼結してＣ
ｒスケルトンを形成し、最後にＣｕを溶浸するという方
法である。
また、最近では、型の中にＣｒ粉末を注加し、その上に
低酸素銅のペレットを載置し、全体を脱ガスしたのち減
圧下で溶浸処理を行なうという方法も開示されている
（特開昭５９−２５９０３号公報参照）。
低酸素銅のペレットを載置し、全体を脱ガスしたのち減
圧下で溶浸処理を行なうという方法も開示されている
（特開昭５９−２５９０３号公報参照）。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、これらＣｒ−Ｃｕ系接点素子は、近時強
く要求されはじめている接点特性の向上，とりわけ遮断
後の耐圧が高く再アーク現象の軽減化の向上という点か
らみた場合、未だ満足すべき状態にはない。また、接点
素子は通常Ｃｕ電極である台金に例えば銀ろうでろう付
けされて実用に供されているが、その接合信頼性は必ず
しも高いとはいえず、使用時に台金から剥落するという
事故が起きている。
く要求されはじめている接点特性の向上，とりわけ遮断
後の耐圧が高く再アーク現象の軽減化の向上という点か
らみた場合、未だ満足すべき状態にはない。また、接点
素子は通常Ｃｕ電極である台金に例えば銀ろうでろう付
けされて実用に供されているが、その接合信頼性は必ず
しも高いとはいえず、使用時に台金から剥落するという
事故が起きている。
更に製造工程の面からすると、溶浸工程に問題がある。
すなわち、溶浸は通常例えば黒鉛製の溶浸用容器の内壁
底面に例えばＡｌ２Ｏ３粉を敷きつめ、ここにＣｒスケ
ルトンを載置して減圧下で行なわれているが、しかしこ
の場合、そもそもＡｌ２Ｏ３粉を用いるので減圧下でこ
れらが炉内に飛散して炉，真空ポンプ等を損傷する事態
が起り、また溶浸後の素子にＡｌ２Ｏ３粉が固着して後
加工を必要とするなどの問題である。
すなわち、溶浸は通常例えば黒鉛製の溶浸用容器の内壁
底面に例えばＡｌ２Ｏ３粉を敷きつめ、ここにＣｒスケ
ルトンを載置して減圧下で行なわれているが、しかしこ
の場合、そもそもＡｌ２Ｏ３粉を用いるので減圧下でこ
れらが炉内に飛散して炉，真空ポンプ等を損傷する事態
が起り、また溶浸後の素子にＡｌ２Ｏ３粉が固着して後
加工を必要とするなどの問題である。
本発明は上記した問題を解決し、接点特性が優れている
ことはもち論、台金との接合信頼性も高く、そして製造
が従来方法に比べて容易である、真空バルブ用接点素子
を製造する方法の提供を目的とする。
ことはもち論、台金との接合信頼性も高く、そして製造
が従来方法に比べて容易である、真空バルブ用接点素子
を製造する方法の提供を目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段・作用） 本発明者らは上記目的を達成すべく従来から知られてい
る工程に関し鋭意検討を加えた結果、Ｃｒ−Ｃｕ系接点
素子における接合特性は、原料粉の選定，溶浸時の問
題，溶浸後の冷却時における冷却速度などの因子によっ
て左右されるとの事実を見出し、また台金との接合信頼
性は接点素子の台金との接合面Ｃｕのみで構成すれば向
上するとの着想を抱き、それを可能たらしめる方法につ
いて種々の検討を加え、本発明方法を開発するに到っ
た。
る工程に関し鋭意検討を加えた結果、Ｃｒ−Ｃｕ系接点
素子における接合特性は、原料粉の選定，溶浸時の問
題，溶浸後の冷却時における冷却速度などの因子によっ
て左右されるとの事実を見出し、また台金との接合信頼
性は接点素子の台金との接合面Ｃｕのみで構成すれば向
上するとの着想を抱き、それを可能たらしめる方法につ
いて種々の検討を加え、本発明方法を開発するに到っ
た。
すなわち、本発明の真空バルブ用接点素子の製造方法
は、Ａｌ １００ppm 以下，Ｓｉ １００ppm 以下，Ｖ
１００ppm 以下，Ｃａ １０ppm 以下（ただし、いず
れの場合もゼロは含まない）を不純物として含有し、か
つ平均粒径が５〜１５０μｍであるＣｒ粉末を選択する
工程（第１工程）； 該Ｃｒ粉末を自重のみで、その内壁底面の略中央部に台
地状突起を備えている容器、又は内壁底面は平坦でその
略中央部に所定厚みの銅ペレットが載置されている容器
のいずれかである焼結用容器に充填する工程（第２工
程）； 該Ｃｒ粉末を該焼結用容器と一緒に非酸化性雰囲気中で
焼結してＣｒスケルトンにする工程（第３工程）； 該Ｃｒスケルトンを、Ａｌ２Ｏ３又は／及びＳｉＯ２を
主成分とするシート状部材又は繊維状部材を介して溶浸
用容器内に載置したのち、Ａｌ１００ppm 以下，Ｓｉ
１００ppm 以下，Ｍｇ１００ppm 以下（ただし、いずれ
の場合もゼロは含まない）を不純物として含有するＣｕ
又は／及びＡｇを溶浸する工程（第４工程）； 冷却に際しては、８００〜４００℃の冷却温度域を０．
６〜６℃／分の冷却速度で冷却する工程（第５工程）； とを具備することを特徴とする。
は、Ａｌ １００ppm 以下，Ｓｉ １００ppm 以下，Ｖ
１００ppm 以下，Ｃａ １０ppm 以下（ただし、いず
れの場合もゼロは含まない）を不純物として含有し、か
つ平均粒径が５〜１５０μｍであるＣｒ粉末を選択する
工程（第１工程）； 該Ｃｒ粉末を自重のみで、その内壁底面の略中央部に台
地状突起を備えている容器、又は内壁底面は平坦でその
略中央部に所定厚みの銅ペレットが載置されている容器
のいずれかである焼結用容器に充填する工程（第２工
程）； 該Ｃｒ粉末を該焼結用容器と一緒に非酸化性雰囲気中で
焼結してＣｒスケルトンにする工程（第３工程）； 該Ｃｒスケルトンを、Ａｌ２Ｏ３又は／及びＳｉＯ２を
主成分とするシート状部材又は繊維状部材を介して溶浸
用容器内に載置したのち、Ａｌ１００ppm 以下，Ｓｉ
１００ppm 以下，Ｍｇ１００ppm 以下（ただし、いずれ
の場合もゼロは含まない）を不純物として含有するＣｕ
又は／及びＡｇを溶浸する工程（第４工程）； 冷却に際しては、８００〜４００℃の冷却温度域を０．
６〜６℃／分の冷却速度で冷却する工程（第５工程）； とを具備することを特徴とする。
以下、各工程を追って本発明方法を説明する。
まず、第１工程はスケルトン用のＣｒ原料粉を選定する
工程である。Ｃｒ粉中の不純物は、Ａｌ １００ppm 以
下，Ｓｉ １００ppm 以下，Ｖ １００ppm 以下，Ｃａ
１０ppm 以下（ただし、いずれもゼロは含まない）で
あることが必要である。これらの不純物元素はいずれも
酸素との結合力が強く、これら元素が多いということは
同時に酸素含有量も多いということを意味する。そし
て、含有酸素は接点作動時に接点の再アーク現象を多発
せしめて接点特性の低下を招く。このようなことから、
不純物の含有量が上記範囲に設定する。本発明方法で用
いるＣｒ原料粉は、具体的には公知の電解法で製造した
ものが好適である。
工程である。Ｃｒ粉中の不純物は、Ａｌ １００ppm 以
下，Ｓｉ １００ppm 以下，Ｖ １００ppm 以下，Ｃａ
１０ppm 以下（ただし、いずれもゼロは含まない）で
あることが必要である。これらの不純物元素はいずれも
酸素との結合力が強く、これら元素が多いということは
同時に酸素含有量も多いということを意味する。そし
て、含有酸素は接点作動時に接点の再アーク現象を多発
せしめて接点特性の低下を招く。このようなことから、
不純物の含有量が上記範囲に設定する。本発明方法で用
いるＣｒ原料粉は、具体的には公知の電解法で製造した
ものが好適である。
また、Ｃｒ粉は、その平均粒径があまり小さいものの場
合には、得られるＣｒスケルトンのガス含有量が大とな
り、逆にあまり大きいものの場合には焼結性が悪くなる
というような不都合が生ずるので、平均粒径５〜１５０
μｍの範囲のものが選定される。好ましくは５０〜１３
０μｍのものである。
合には、得られるＣｒスケルトンのガス含有量が大とな
り、逆にあまり大きいものの場合には焼結性が悪くなる
というような不都合が生ずるので、平均粒径５〜１５０
μｍの範囲のものが選定される。好ましくは５０〜１３
０μｍのものである。
第２工程は、Ｃｒ原料粉を焼結用容器内に充填する工程
である。充填に際しては、容器にＣｒ原料粉を所定量注
加するのみであり何らの圧力も加えないことが必要であ
る。すなわち、容器内に充填されているＣｒ原料粉に印
加されている力は自重のみである。これは、後工程で製
造されるＣｒスケルトンにおける空隙率を可及的に大た
らしめ、Ｃｕの溶浸量を大たらしめて接点素子の特性，
とりわけ導電性を向上せしめるために行なう処置であ
る。上記した平均粒系のＣｒ原料粉を用いた場合、自重
のみによる嵩密度は通常３．４〜３．８ｇ／cm3とな
る。
である。充填に際しては、容器にＣｒ原料粉を所定量注
加するのみであり何らの圧力も加えないことが必要であ
る。すなわち、容器内に充填されているＣｒ原料粉に印
加されている力は自重のみである。これは、後工程で製
造されるＣｒスケルトンにおける空隙率を可及的に大た
らしめ、Ｃｕの溶浸量を大たらしめて接点素子の特性，
とりわけ導電性を向上せしめるために行なう処置であ
る。上記した平均粒系のＣｒ原料粉を用いた場合、自重
のみによる嵩密度は通常３．４〜３．８ｇ／cm3とな
る。
このときに用いる焼結用容器は次のような態様のもので
ある。
ある。
第１の態様の容器は、その内壁底面の略中央部に台地状
の突起が形成されているものであり、その１例を断面図
として第１図に示す。図で１が容器であり、２は充填さ
れているＣｒ原料粉である。
の突起が形成されているものであり、その１例を断面図
として第１図に示す。図で１が容器であり、２は充填さ
れているＣｒ原料粉である。
第２の態様の容器は、その内壁底面は平坦でその略中央
に所定厚みのＣｕペレットが載置されているものであ
り、その１例を断面図として第２図に示す。図で１は容
器，２はＣｒ原料粉であり、３がＣｕペレットである。
に所定厚みのＣｕペレットが載置されているものであ
り、その１例を断面図として第２図に示す。図で１は容
器，２はＣｒ原料粉であり、３がＣｕペレットである。
いずれの態様の場合であっても、Ｃｒ原料粉の充填によ
って形成されている粉体ブロックの下方端面はその中央
部に凹部が形成されていることになる。
って形成されている粉体ブロックの下方端面はその中央
部に凹部が形成されていることになる。
第３工程はＣｒスケルトンを形成する工程である。すな
わち、Ｃｒ原料粉が充填されている焼結用容器を加熱炉
内に設置して焼成する。焼結雰囲気は非酸化性雰囲気で
あることが必要で、例えば真空、または水素中である。
これら雰囲気のうち、充填したＣｒ粉末や容器などに吸
蔵されている酸素を除去するという点では真空（１×１
０-5〜１×１０-6Torr）雰囲気が好適である。適用する
焼結温度，焼結時間は焼結体であるＣｒスケルトンの焼
結密度，逆にいえばスケルトンの空隙率に影響を与える
が、Ｃｒスケルトンとその空隙内で溶浸されるＣｕ量と
の関係を重量比で５０：５０に近接させるためには空隙
率を４０〜５０％とするのがよく、それは焼結温度８５
０〜１０５０℃，好ましくは９００〜９５０℃，焼結時
間０．２５〜２時間，好ましくは０．５〜１時間とする
ことにより達成される。
わち、Ｃｒ原料粉が充填されている焼結用容器を加熱炉
内に設置して焼成する。焼結雰囲気は非酸化性雰囲気で
あることが必要で、例えば真空、または水素中である。
これら雰囲気のうち、充填したＣｒ粉末や容器などに吸
蔵されている酸素を除去するという点では真空（１×１
０-5〜１×１０-6Torr）雰囲気が好適である。適用する
焼結温度，焼結時間は焼結体であるＣｒスケルトンの焼
結密度，逆にいえばスケルトンの空隙率に影響を与える
が、Ｃｒスケルトンとその空隙内で溶浸されるＣｕ量と
の関係を重量比で５０：５０に近接させるためには空隙
率を４０〜５０％とするのがよく、それは焼結温度８５
０〜１０５０℃，好ましくは９００〜９５０℃，焼結時
間０．２５〜２時間，好ましくは０．５〜１時間とする
ことにより達成される。
得られたＣｒスケルトンの形状は、第２工程の焼結用容
器が前述した第１の態様の場合にはスケルトンの下方端
面中央に凹部が形成されており、また容器が第２の態様
の場合にはスケルトンの下方部分にはＣｕが溶浸した状
態でかつスケルトン下方端面にはＣｒが存在しない凹部
が形成されている。
器が前述した第１の態様の場合にはスケルトンの下方端
面中央に凹部が形成されており、また容器が第２の態様
の場合にはスケルトンの下方部分にはＣｕが溶浸した状
態でかつスケルトン下方端面にはＣｒが存在しない凹部
が形成されている。
第４工程は、焼結用容器からＣｒスケルトンを取出し、
これを溶浸用容器に凹部側を下方にして載置しＣｕ又は
／及びＡｇをスケルトンの空隙に溶浸せしめる工程であ
る。
これを溶浸用容器に凹部側を下方にして載置しＣｕ又は
／及びＡｇをスケルトンの空隙に溶浸せしめる工程であ
る。
溶浸用容器としては、従来から用いられるものであれば
何であってもよく格別限定されるものではない。例えば
黒鉛製である。
何であってもよく格別限定されるものではない。例えば
黒鉛製である。
本発明においては、Ｃｒスケルトンと容器との間にＡｌ
２Ｏ３又は／及びＳｉＯ２を主成分とするシート部材，
繊維状部材を介在させることが必要である。これらの部
材は後述するＣｕ又は／及びＡｇの融液とＣｒスケルト
ンとの反応を防止する機能を果たす。
２Ｏ３又は／及びＳｉＯ２を主成分とするシート部材，
繊維状部材を介在させることが必要である。これらの部
材は後述するＣｕ又は／及びＡｇの融液とＣｒスケルト
ンとの反応を防止する機能を果たす。
Ｃｒスケルトンの上面にＣｕ又は／及びＡｇのペレット
を載置し、全体を例えば真空中（１×１０-4〜１×１０
-6Torr）で加熱してＣｕ又は／及びＡｇをスケルトンの
空隙に溶浸せしめる。
を載置し、全体を例えば真空中（１×１０-4〜１×１０
-6Torr）で加熱してＣｕ又は／及びＡｇをスケルトンの
空隙に溶浸せしめる。
このときに用いるＣｕ又は／及びＡｇは、いずれもＡｌ
１００ppm 以下，Ｓｉ １００ppm 以下，Ｍｇ １０
０ppm 以下（いずれもゼロは含まない）の純度を有する
ものであることが必要である。その理由は、第１工程の
Ｃｒ原料粉選定時における理由と基本的に同じである。
１００ppm 以下，Ｓｉ １００ppm 以下，Ｍｇ １０
０ppm 以下（いずれもゼロは含まない）の純度を有する
ものであることが必要である。その理由は、第１工程の
Ｃｒ原料粉選定時における理由と基本的に同じである。
溶浸時の温度は、Ｃｕ，Ａｇの融点以上の温度であるこ
とはいうまでもなく、具体的には、Ｃｕの場合１１００
〜１３００℃，Ａｇの場合１０００〜１１００℃である
ことが好適である。また溶浸時間はＣｒスケルトンの空
隙にこれら融液が完全に含浸されるに必要な時間を設定
する。
とはいうまでもなく、具体的には、Ｃｕの場合１１００
〜１３００℃，Ａｇの場合１０００〜１１００℃である
ことが好適である。また溶浸時間はＣｒスケルトンの空
隙にこれら融液が完全に含浸されるに必要な時間を設定
する。
この溶浸により、Ｃｒスケルトンの下方端面に形成され
ていた凹部内には溶浸せしめたＣｕ又は／及びＡｇが充
填されることになる。すなわち、得られる素子の前駆体
は前方部分がＣｕ又は／及びＡｇとＣｒスケルトンとの
コンポジットとなっており、株の中央部分（凹部）には
Ｃｕ又は／及びＡｇのみが充填された状態になってい
る。
ていた凹部内には溶浸せしめたＣｕ又は／及びＡｇが充
填されることになる。すなわち、得られる素子の前駆体
は前方部分がＣｕ又は／及びＡｇとＣｒスケルトンとの
コンポジットとなっており、株の中央部分（凹部）には
Ｃｕ又は／及びＡｇのみが充填された状態になってい
る。
第５工程は全体を冷却する工程である。本発明方法にお
いては、８００℃から４００℃までに冷却する過程を制
御する。すなわち、８００〜４００℃の冷却温度域の列
客速度を０．６〜６℃／分に制御するのである。理由は
定かでないが、このような制御によって接点素子の導電
率が向上しひいては前述した接点特性を向上せしめるか
らである。
いては、８００℃から４００℃までに冷却する過程を制
御する。すなわち、８００〜４００℃の冷却温度域の列
客速度を０．６〜６℃／分に制御するのである。理由は
定かでないが、このような制御によって接点素子の導電
率が向上しひいては前述した接点特性を向上せしめるか
らである。
溶浸時の温度から８００℃まで、４００℃から室温まで
の冷却は限定されることなく任意に行なえばよい。
の冷却は限定されることなく任意に行なえばよい。
かくして、室温下に取出された素材は、Ｃｒスケルトン
とＣｕ又は／及びＡｇとのコンポジットの中央凹部にＣ
ｕ又は／及びＡｇが一体的に埋設された構成になってい
る。
とＣｕ又は／及びＡｇとのコンポジットの中央凹部にＣ
ｕ又は／及びＡｇが一体的に埋設された構成になってい
る。
その後、この素材に所定の機械加工を施して所定状に仕
上げて２層構造の接点素子が得られる。
上げて２層構造の接点素子が得られる。
（実施例） 不純物として、Ａｌ １０ppm 以下，Ｓｉ ２０ppm 以
下，Ｖ １０ppm 以下，Ｃａ １０ppm 以下，Ｏ２ １
０００ppm 以下，Ｎ２ １０００ppm 以下含有するＣｒ
粉末を用意した。このＣｒ粉を、内径５０mmφ，内壁高
さ１０mmで、底面の中央に直径４５mmφ高さ３mmの円形
台地を有する黒鉛製の焼結用容器の中に自然充填した。
充填Ｃｒ粉の上面は軽くならして水平とした。
下，Ｖ １０ppm 以下，Ｃａ １０ppm 以下，Ｏ２ １
０００ppm 以下，Ｎ２ １０００ppm 以下含有するＣｒ
粉末を用意した。このＣｒ粉を、内径５０mmφ，内壁高
さ１０mmで、底面の中央に直径４５mmφ高さ３mmの円形
台地を有する黒鉛製の焼結用容器の中に自然充填した。
充填Ｃｒ粉の上面は軽くならして水平とした。
ついで、これを真空加熱炉内に挿入し、真空度１×１０
-5Torr，温度９００℃の条件下で１時間焼成した。Ｃｒ
粉は焼結して下面中央に直径４５mmφ，深さ３mmの凹部
を有し空隙率５０％であるＣｒスケルトンが得られた。
-5Torr，温度９００℃の条件下で１時間焼成した。Ｃｒ
粉は焼結して下面中央に直径４５mmφ，深さ３mmの凹部
を有し空隙率５０％であるＣｒスケルトンが得られた。
黒鉛製の溶浸用容器の内壁底に、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２
を主成分とするシートを敷き、このシートの上に、上記
のＣｒスケルトンをその凹部を下に載置し上面には、表
示した不純物を含有するＣｕのペレットを載置した。
を主成分とするシートを敷き、このシートの上に、上記
のＣｒスケルトンをその凹部を下に載置し上面には、表
示した不純物を含有するＣｕのペレットを載置した。
全体を真空加熱炉内に挿入し、真空度１×１０-5Torr，
温度１１００℃の条件下で約１時間かけてＣｕペレット
をＣｒスケルトンに溶浸せしめた。
温度１１００℃の条件下で約１時間かけてＣｕペレット
をＣｒスケルトンに溶浸せしめた。
ついで、加熱炉の作動を停止し８００℃まで冷却したの
ち、８００℃から４００℃までは３℃／分の冷却速度を
維持し、その後はＮ２ガスで強制冷却した。
ち、８００℃から４００℃までは３℃／分の冷却速度を
維持し、その後はＮ２ガスで強制冷却した。
得られた素材を炉から取り出し、機械加工して直径４０
mmφ，厚み５mmの接点素子とした。この素子は、Ｃｒ−
Ｃｕコンポジットの部分とその片面に添着されているＣ
ｕ部分とから成る２層構造であり、ＣｒとＣｕとは重量
比で５０：５０，Ｃｕ部分の厚みは０．５mmであった。
mmφ，厚み５mmの接点素子とした。この素子は、Ｃｒ−
Ｃｕコンポジットの部分とその片面に添着されているＣ
ｕ部分とから成る２層構造であり、ＣｒとＣｕとは重量
比で５０：５０，Ｃｕ部分の厚みは０．５mmであった。
この素子のＣｕ面側をＣｕ台金とＡｇろうで接合した。
得られた接点につき、各合金から真空バルブ用の接点を
加工し、これらの遮断特性を測定した。測定条件は、円
板状接点片をデイマウンタブル型（接点の着脱自由）の
真空者断装置に装着し、接触力３０kgで、７．２kV−２
０kAの遮断電流を遮断した時の遮断状況を観察し、再点
孤の有無，アーク時間の長短，遮断不能などによって合
格，不合格を測定した。また、Ａｇろうとのぬれ性を超
音波探傷器にて接合面積チェックの点で判断し、更には
接合信頼性はハンマー（打撃）による剥離性を観察して
判断した。以上の結果を一括して表に示した。
加工し、これらの遮断特性を測定した。測定条件は、円
板状接点片をデイマウンタブル型（接点の着脱自由）の
真空者断装置に装着し、接触力３０kgで、７．２kV−２
０kAの遮断電流を遮断した時の遮断状況を観察し、再点
孤の有無，アーク時間の長短，遮断不能などによって合
格，不合格を測定した。また、Ａｇろうとのぬれ性を超
音波探傷器にて接合面積チェックの点で判断し、更には
接合信頼性はハンマー（打撃）による剥離性を観察して
判断した。以上の結果を一括して表に示した。
［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように、本発明方法は、再点孤発
生率，発孤率が極めて小さく接点特性に優れ、しかも台
金との接合性も良好である高信頼性の真空バルブ用接点
素子を提供することができるので、その工業的価値は大
である。
生率，発孤率が極めて小さく接点特性に優れ、しかも台
金との接合性も良好である高信頼性の真空バルブ用接点
素子を提供することができるので、その工業的価値は大
である。
第１図，第２図はいずれも、本発明方法で使用する焼結
用容器の態様を表わす図である。 １……容器、２……充填したＣｒ粉末 ３……Ｃｕペレット
用容器の態様を表わす図である。 １……容器、２……充填したＣｒ粉末 ３……Ｃｕペレット
Claims (1)
- 【請求項１】アルミニウム１００ppm 以下，ケイ素１０
０ppm 以下，バナジウム１００ppm 以下，カルシウム１
０ppm 以下（ただし、いずれの場合もゼロは含まない）
を不純物として含有し、かつ平均粒子径が５〜１５０μ
ｍであるクロム粉末を選択する工程； 該クロム粉末を自重のみで、その内壁底面の略中央部に
台地状突起を備えている容器、又は内壁底面は平坦でそ
の略中央部に所定厚みの銅ペレットが載置されている容
器のいずれかである焼結用容器に充填する工程； 該クロム粉末を該焼結用容器と一緒に非酸化性雰囲気中
で焼結してクロムスケルトンにする工程； 該クロムスケルトンを、アルミナ又は／及び二酸化ケイ
素を主成分とするシート状部材又は繊維状部材を介して
溶浸用容器内に載置したのち、アルミニウム１００ppm
以下，ケイ素１００ppm 以下，マグネシウム１００ppm
以下（ただし、いずれの場合もゼロは含まない）を不純
物として含有する銅又は／及び銀を溶浸する工程； 冷却に際しては、８００〜４００℃の冷却温度域を０．
６〜６℃／分の冷却速度で冷却する工程； とを具備することを特徴とする真空バルブ用接点素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12568086A JPH0653899B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 真空バルブ用接点素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12568086A JPH0653899B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 真空バルブ用接点素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284029A JPS62284029A (ja) | 1987-12-09 |
| JPH0653899B2 true JPH0653899B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=14916012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12568086A Expired - Lifetime JPH0653899B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 真空バルブ用接点素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653899B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075932B2 (ja) * | 1986-10-09 | 1995-01-25 | 株式会社東芝 | 真空バルブ用接点材料の製造方法 |
| US10267564B2 (en) | 2010-07-30 | 2019-04-23 | Lg Innotek Co., Ltd. | Heat treatment container for vacuum heat treatment apparatus |
| CN105087981B (zh) * | 2015-07-31 | 2017-05-24 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种抗熔焊、抗烧蚀Cu‑纳米Al2O3‑Cr触头材料的制备方法 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12568086A patent/JPH0653899B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62284029A (ja) | 1987-12-09 |
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