JPH0653803A - 固体リレー - Google Patents
固体リレーInfo
- Publication number
- JPH0653803A JPH0653803A JP20088592A JP20088592A JPH0653803A JP H0653803 A JPH0653803 A JP H0653803A JP 20088592 A JP20088592 A JP 20088592A JP 20088592 A JP20088592 A JP 20088592A JP H0653803 A JPH0653803 A JP H0653803A
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- JP
- Japan
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- current
- switch element
- resistor
- gate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】主スイッチ素子のオン時には電路に抵抗を挿入
することなくスイッチ素子に過大な電流が流れるのを抑
制した固体リレーを提供する。 【構成】発光素子１および光電素子２は互いに対向す
る。主スイッチ素子３は、光電素子２の光起電力がゲー
ト・ソース間に印加されるとオンになる。主スイッチ素
子３はＭＯＳＦＥＴであって、ドレイン電流に比例する
電流を出力する電流検出端子Ｃを備える。トランジスタ
よりなる保護スイッチ素子４は、コレクタ・エミッタ間
が主スイッチ素子３のゲート・ソース間に接続される。
また、スイッチ素子４のベース・エミッタ間は電流検出
端子ＣとソースＳとの間に接続した抵抗Ｒ0 の両端に接
続される。ドレイン電流が過大になると、抵抗Ｒ0 の両
端電圧が上昇して保護スイッチ素子４をオンにし、主ス
イッチ素子３のドレイン・ソース間に過大な電流が流れ
るのを防止する。
することなくスイッチ素子に過大な電流が流れるのを抑
制した固体リレーを提供する。 【構成】発光素子１および光電素子２は互いに対向す
る。主スイッチ素子３は、光電素子２の光起電力がゲー
ト・ソース間に印加されるとオンになる。主スイッチ素
子３はＭＯＳＦＥＴであって、ドレイン電流に比例する
電流を出力する電流検出端子Ｃを備える。トランジスタ
よりなる保護スイッチ素子４は、コレクタ・エミッタ間
が主スイッチ素子３のゲート・ソース間に接続される。
また、スイッチ素子４のベース・エミッタ間は電流検出
端子ＣとソースＳとの間に接続した抵抗Ｒ0 の両端に接
続される。ドレイン電流が過大になると、抵抗Ｒ0 の両
端電圧が上昇して保護スイッチ素子４をオンにし、主ス
イッチ素子３のドレイン・ソース間に過大な電流が流れ
るのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子と光電素子と
を光結合し、光電素子の出力によってスイッチ素子をオ
ン・オフさせる固体リレーに関するものである。
を光結合し、光電素子の出力によってスイッチ素子をオ
ン・オフさせる固体リレーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の固体リレーとして、
図６に示すように、発光ダイオードのような発光素子１
と、フォトダイオードや太陽電池などを複数個直列に接
続した光電素子２とを対置し、光電素子２の光起電力を
用いてＭＯＳＦＥＴよりなる主スイッチ素子３をオン・
オフさせる構成のものが提案されている。このような固
体リレーにおいて、主スイッチ素子３のドレイン・ソー
ス間に過大な電流が通電されると主スイッチ素子３が破
壊されるから、主スイッチ素子３の破壊を防止するよう
にドレイン・ソース間の電流を制限することが要求され
ている。制御回路５は、スイッチ素子３がオンからオフ
に移行する際に、残留電荷を短時間で放電させる経路を
形成し、スイッチ素子３のオフへの移行時間を短縮する
ものである。
図６に示すように、発光ダイオードのような発光素子１
と、フォトダイオードや太陽電池などを複数個直列に接
続した光電素子２とを対置し、光電素子２の光起電力を
用いてＭＯＳＦＥＴよりなる主スイッチ素子３をオン・
オフさせる構成のものが提案されている。このような固
体リレーにおいて、主スイッチ素子３のドレイン・ソー
ス間に過大な電流が通電されると主スイッチ素子３が破
壊されるから、主スイッチ素子３の破壊を防止するよう
にドレイン・ソース間の電流を制限することが要求され
ている。制御回路５は、スイッチ素子３がオンからオフ
に移行する際に、残留電荷を短時間で放電させる経路を
形成し、スイッチ素子３のオフへの移行時間を短縮する
ものである。
【０００３】スイッチ素子３のドレイン・ソース間の電
流を制限する構成としては、図６に示すように、外部回
路に接続する端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間にスイッチ素子３のソ
ースに接続した抵抗Ｒ1 をドレイン・ソースとともに接
続する構成が考えられる。このような抵抗Ｒ1 を用いれ
ば、ソース電流に応じた自己バイアスによって過大電流
に対してはゲート・ソース間の電圧を下げて主スイッチ
素子３を保護することができる。しかしながら、抵抗Ｒ
1 が端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間の電路に挿入されることによっ
て、スイッチ素子３のオン時における抵抗値が大きくな
るという問題がある。
流を制限する構成としては、図６に示すように、外部回
路に接続する端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間にスイッチ素子３のソ
ースに接続した抵抗Ｒ1 をドレイン・ソースとともに接
続する構成が考えられる。このような抵抗Ｒ1 を用いれ
ば、ソース電流に応じた自己バイアスによって過大電流
に対してはゲート・ソース間の電圧を下げて主スイッチ
素子３を保護することができる。しかしながら、抵抗Ｒ
1 が端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間の電路に挿入されることによっ
て、スイッチ素子３のオン時における抵抗値が大きくな
るという問題がある。
【０００４】これに対して、図７に示すように、抵抗Ｒ
2 の両端電圧が所定電圧以上になるとオンになる保護ス
イッチ素子４を、主スイッチ素子３のゲート・ソース間
に接続する構成も考えられる。保護スイッチ素子４は、
トランジスタよりなりベース・エミッタ間に抵抗Ｒ2 が
接続され、コレクタがスイッチ素子３のゲートに接続さ
れる。したがって、端子Ｔ1 ，Ｔ2 に過大な電流が流れ
ると、抵抗Ｒ2 の両端電圧が上昇して保護スイッチ素子
４がオンになり、主スイッチ素子３のゲート・ソース間
電圧を低下させるのである。ＭＯＳＦＥＴは、ゲート・
ソース間電圧が低い領域では、ドレイン・ソース間電流
を制限するから、この構成でも主スイッチ素子３を保護
することができる。また、保護スイッチ素子４は、抵抗
Ｒ2 の両端電圧がベース・エミッタ間の順方向電圧に達
するとオンになるから、図６の構成に用いる抵抗Ｒ1 に
比較して図７の構成に用いる抵抗Ｒ2 のほうが抵抗値を
小さくすることができ、主スイッチ素子３がオンになっ
たときの端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間の抵抗値を図６の構成より
も小さくすることができるのである。
2 の両端電圧が所定電圧以上になるとオンになる保護ス
イッチ素子４を、主スイッチ素子３のゲート・ソース間
に接続する構成も考えられる。保護スイッチ素子４は、
トランジスタよりなりベース・エミッタ間に抵抗Ｒ2 が
接続され、コレクタがスイッチ素子３のゲートに接続さ
れる。したがって、端子Ｔ1 ，Ｔ2 に過大な電流が流れ
ると、抵抗Ｒ2 の両端電圧が上昇して保護スイッチ素子
４がオンになり、主スイッチ素子３のゲート・ソース間
電圧を低下させるのである。ＭＯＳＦＥＴは、ゲート・
ソース間電圧が低い領域では、ドレイン・ソース間電流
を制限するから、この構成でも主スイッチ素子３を保護
することができる。また、保護スイッチ素子４は、抵抗
Ｒ2 の両端電圧がベース・エミッタ間の順方向電圧に達
するとオンになるから、図６の構成に用いる抵抗Ｒ1 に
比較して図７の構成に用いる抵抗Ｒ2 のほうが抵抗値を
小さくすることができ、主スイッチ素子３がオンになっ
たときの端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間の抵抗値を図６の構成より
も小さくすることができるのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７の
構成であっても、端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間に抵抗Ｒ2 が挿入
されているから、主スイッチ素子３のオン時における抵
抗値が大きくなるという問題が完全には解消されないと
いう問題がある。これらの問題を解決する構成として、
光電素子２となるフォトダイオードや太陽電池の個数を
少なくして、光起電力を小さくすることが考えられる。
すなわち、光起電力を下げることによって主スイッチ素
子３のドレイン・ソース間電流を制限するのである。し
かしながら、光電素子２は、一般に周囲温度によって光
起電力が大きく変化し、高温になると光起電力が低下す
るという特性を有しているから、常温下で過電流に対す
る保護ができる程度に起電力を下げると高温下では正常
な動作ができなくなるのであって、このような構成は採
用できない。
構成であっても、端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間に抵抗Ｒ2 が挿入
されているから、主スイッチ素子３のオン時における抵
抗値が大きくなるという問題が完全には解消されないと
いう問題がある。これらの問題を解決する構成として、
光電素子２となるフォトダイオードや太陽電池の個数を
少なくして、光起電力を小さくすることが考えられる。
すなわち、光起電力を下げることによって主スイッチ素
子３のドレイン・ソース間電流を制限するのである。し
かしながら、光電素子２は、一般に周囲温度によって光
起電力が大きく変化し、高温になると光起電力が低下す
るという特性を有しているから、常温下で過電流に対す
る保護ができる程度に起電力を下げると高温下では正常
な動作ができなくなるのであって、このような構成は採
用できない。
【０００６】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、主スイッチ素子のオン時には主スイッチ素子
が挿入されている電路に抵抗が挿入されないようにしな
がらも過大な電流に対する保護を行うことができる固体
リレーを提供しようとするものである。
のであり、主スイッチ素子のオン時には主スイッチ素子
が挿入されている電路に抵抗が挿入されないようにしな
がらも過大な電流に対する保護を行うことができる固体
リレーを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、対置された発光素子１および光電素子
２と、ＭＯＳＦＥＴよりなり光電素子２の光起電力がゲ
ート・ソース間に印加されることによって発光素子１の
点灯・消灯に応じてオン・オフされる主スイッチ素子３
とを備え、主スイッチ素子３はドレイン電流に応じた電
流を検出する電流検出端子を備え、電流検出端子とソー
スとの間には抵抗Ｒ0 が挿入され、抵抗Ｒ0 の両端電圧
が所定電圧以上になるとオンになる保護スイッチ素子４
が主スイッチ素子３のソース・ゲート間に接続されてい
るのである。
達成するために、対置された発光素子１および光電素子
２と、ＭＯＳＦＥＴよりなり光電素子２の光起電力がゲ
ート・ソース間に印加されることによって発光素子１の
点灯・消灯に応じてオン・オフされる主スイッチ素子３
とを備え、主スイッチ素子３はドレイン電流に応じた電
流を検出する電流検出端子を備え、電流検出端子とソー
スとの間には抵抗Ｒ0 が挿入され、抵抗Ｒ0 の両端電圧
が所定電圧以上になるとオンになる保護スイッチ素子４
が主スイッチ素子３のソース・ゲート間に接続されてい
るのである。
【０００８】
【作用】本発明の構成では、主スイッチ素子３としてド
レイン電流に応じた電流を検出する電流検出端子を備え
たＭＯＳＦＥＴを用いているのであって、電流検出端子
とソースとの間に接続した抵抗Ｒ0 の両端電圧によりド
レイン電流の大きさを検出し、この抵抗Ｒ0 の両端電圧
が所定電圧以上になると保護スイッチ素子４をオンにし
て主スイッチ素子３のゲート・ソース間電圧を下げ、主
スイッチ素子３を保護することができるのである。ま
た、主スイッチ素子３に設けた電流検出端子に抵抗Ｒ0
を接続しているのであって、ドレイン・ソース間には抵
抗が接続されないから、主スイッチ素子３のオン時には
主スイッチ素子３によってオン・オフされる電路に抵抗
が挿入されることはないのである。
レイン電流に応じた電流を検出する電流検出端子を備え
たＭＯＳＦＥＴを用いているのであって、電流検出端子
とソースとの間に接続した抵抗Ｒ0 の両端電圧によりド
レイン電流の大きさを検出し、この抵抗Ｒ0 の両端電圧
が所定電圧以上になると保護スイッチ素子４をオンにし
て主スイッチ素子３のゲート・ソース間電圧を下げ、主
スイッチ素子３を保護することができるのである。ま
た、主スイッチ素子３に設けた電流検出端子に抵抗Ｒ0
を接続しているのであって、ドレイン・ソース間には抵
抗が接続されないから、主スイッチ素子３のオン時には
主スイッチ素子３によってオン・オフされる電路に抵抗
が挿入されることはないのである。
【０００９】
【実施例】（実施例）図１に示すように、発光ダイオー
ドのような発光素子１と、複数個のフォトダイオードや
太陽電池の直列回路よりなる光電素子２とが対置され、
光電素子２の光起電力によってＭＯＳＦＥＴよりなる主
スイッチ素子３がオン・オフされるように、主スイッチ
素子３のゲート・ソース間に光電素子２が接続される。
また、従来構成と同様に、主スイッチ素子３のオフへの
移行時間を短縮するための制御回路５が設けられる。
ドのような発光素子１と、複数個のフォトダイオードや
太陽電池の直列回路よりなる光電素子２とが対置され、
光電素子２の光起電力によってＭＯＳＦＥＴよりなる主
スイッチ素子３がオン・オフされるように、主スイッチ
素子３のゲート・ソース間に光電素子２が接続される。
また、従来構成と同様に、主スイッチ素子３のオフへの
移行時間を短縮するための制御回路５が設けられる。
【００１０】主スイッチ素子３は、図２（ａ）に示すよ
うに、ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳのほかに、電流
検出端子Ｃを備えるものであって、等価的には、図２
（ｂ）のように２個のＭＯＳＦＥＴを用いて、ドレイン
およびゲートをそれぞれ共通に接続してドレインＤおよ
びゲートＧとし、一方のＭＯＳＦＥＴのソースをソース
Ｓ、他方のＭＯＳＦＥＴのソースを電流検出端子Ｃとし
たものになる。したがって、ドレイン電流は両ＭＯＳＦ
ＥＴに分流されてソースＳおよび電流検出端子Ｃに流れ
るのであって、ソースＳで検出される電流と電流検出端
子Ｃで検出される電流とは一定比率になる。すなわち、
電流検出端子Ｃではドレイン電流に比例する電流を検出
することができる。この種のＭＯＳＦＥＴは、インター
ナショナル・レクティファイヤ（International Rectif
ier ）社よりHEXSenseという商標名で提供されている。
うに、ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳのほかに、電流
検出端子Ｃを備えるものであって、等価的には、図２
（ｂ）のように２個のＭＯＳＦＥＴを用いて、ドレイン
およびゲートをそれぞれ共通に接続してドレインＤおよ
びゲートＧとし、一方のＭＯＳＦＥＴのソースをソース
Ｓ、他方のＭＯＳＦＥＴのソースを電流検出端子Ｃとし
たものになる。したがって、ドレイン電流は両ＭＯＳＦ
ＥＴに分流されてソースＳおよび電流検出端子Ｃに流れ
るのであって、ソースＳで検出される電流と電流検出端
子Ｃで検出される電流とは一定比率になる。すなわち、
電流検出端子Ｃではドレイン電流に比例する電流を検出
することができる。この種のＭＯＳＦＥＴは、インター
ナショナル・レクティファイヤ（International Rectif
ier ）社よりHEXSenseという商標名で提供されている。
【００１１】主スイッチ素子３のドレインＤは外部回路
に接続される一方の端子Ｔ1 に接続され、ソースＳは他
方の端子Ｔ2 に接続される。さらに、電流検出端子Ｃは
抵抗Ｒ0 を介してソースＳに接続される。主スイッチ素
子３のゲートＧとソースＳとの間には、トランジスタよ
りなる保護スイッチ素子４のコレクタ・エミッタ間が接
続される。また、保護スイッチ素子４のベース・エミッ
タ間が抵抗Ｒ0 の両端に接続される。
に接続される一方の端子Ｔ1 に接続され、ソースＳは他
方の端子Ｔ2 に接続される。さらに、電流検出端子Ｃは
抵抗Ｒ0 を介してソースＳに接続される。主スイッチ素
子３のゲートＧとソースＳとの間には、トランジスタよ
りなる保護スイッチ素子４のコレクタ・エミッタ間が接
続される。また、保護スイッチ素子４のベース・エミッ
タ間が抵抗Ｒ0 の両端に接続される。
【００１２】上記構成によれば、ドレイン電流が過大に
なり、ドレイン電流に比例して得られる電流検出端子Ｃ
の出力電流に応じて抵抗Ｒ0 の両端電圧が保護スイッチ
素子４のベース・エミッタ間の順方向電圧以上になる
と、保護スイッチ素子４がオンになり、主スイッチ素子
３のゲート・ソース間電圧を制限する。ここで、ＭＯＳ
ＦＥＴは、図３に示すように、ゲート・ソース間電圧Ｖ
GSが低い領域では、ドレイン・ソース間電流を制限する
特性を有しているから、保護スイッチ素子４がオンにな
ると、ドレイン・ソース間電流が制限されて過大な電流
の通過による主スイッチ素子３の破壊が防止されるので
ある。このように、電流検出端子Ｃに抵抗Ｒ0 を接続
し、この抵抗Ｒ0 の両端電圧を用いて保護スイッチ素子
４をオン・オフするのであって、主スイッチ素子３のオ
ン時には両端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間に抵抗が挿入されない回
路が形成されるから、オン時の抵抗値が大きくならず、
両端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間の抵抗を主スイッチ素子３のオン
抵抗のみとして低く抑えることができるのである。ここ
において、保護スイッチ素子４としてバイポーラトラン
ジスタを用いているが、保護スイッチ４をＦＥＴとして
もよい。すなわち、ＦＥＴのドレイン・ソース間を主ス
イッチ４のゲート・ソース間に接続するとともに、ゲー
ト・ソース間を抵抗Ｒ0 の両端に接続すればよいのであ
る。
なり、ドレイン電流に比例して得られる電流検出端子Ｃ
の出力電流に応じて抵抗Ｒ0 の両端電圧が保護スイッチ
素子４のベース・エミッタ間の順方向電圧以上になる
と、保護スイッチ素子４がオンになり、主スイッチ素子
３のゲート・ソース間電圧を制限する。ここで、ＭＯＳ
ＦＥＴは、図３に示すように、ゲート・ソース間電圧Ｖ
GSが低い領域では、ドレイン・ソース間電流を制限する
特性を有しているから、保護スイッチ素子４がオンにな
ると、ドレイン・ソース間電流が制限されて過大な電流
の通過による主スイッチ素子３の破壊が防止されるので
ある。このように、電流検出端子Ｃに抵抗Ｒ0 を接続
し、この抵抗Ｒ0 の両端電圧を用いて保護スイッチ素子
４をオン・オフするのであって、主スイッチ素子３のオ
ン時には両端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間に抵抗が挿入されない回
路が形成されるから、オン時の抵抗値が大きくならず、
両端子Ｔ1 ，Ｔ2 の間の抵抗を主スイッチ素子３のオン
抵抗のみとして低く抑えることができるのである。ここ
において、保護スイッチ素子４としてバイポーラトラン
ジスタを用いているが、保護スイッチ４をＦＥＴとして
もよい。すなわち、ＦＥＴのドレイン・ソース間を主ス
イッチ４のゲート・ソース間に接続するとともに、ゲー
ト・ソース間を抵抗Ｒ0 の両端に接続すればよいのであ
る。
【００１３】（応用例）図４に示すように、通常のＭＯ
ＳＦＥＴを用いた主スイッチ素子３のゲート・ソース間
にツェナーダイオードよりなる定電圧素子６を接続し
て、ゲート・ソース間電圧を制限することによっても、
主スイッチ素子３を保護することができる。このような
定電圧素子６を用いれば、光電素子２の光起電力が過大
になると主スイッチ素子３のゲート・ソース間電圧を制
限し、主スイッチ素子３のドレイン・ソース間に過大な
電流が流れるのを防止することができる。ここで、定電
圧素子６としてツェナーダイオードを１個用いればよい
から、温度特性によってブレークオーバ電圧が変動して
も光電素子２の光起電力の温度変化ほどには大きな変化
はなく、光電素子２を構成するフォトダイオードや太陽
電池の個数を減らす場合に比較して主スイッチ素子３の
ゲート・ソース間電圧を安定して制御することができ
る。ここにおいて、図５に示すように、ドレイン・ソー
ス間を接続したＦＥＴを定電圧素子６として用いること
も可能である。実施例１と同じ符号を付した他の部材
は、実施例１と同様に動作する。
ＳＦＥＴを用いた主スイッチ素子３のゲート・ソース間
にツェナーダイオードよりなる定電圧素子６を接続し
て、ゲート・ソース間電圧を制限することによっても、
主スイッチ素子３を保護することができる。このような
定電圧素子６を用いれば、光電素子２の光起電力が過大
になると主スイッチ素子３のゲート・ソース間電圧を制
限し、主スイッチ素子３のドレイン・ソース間に過大な
電流が流れるのを防止することができる。ここで、定電
圧素子６としてツェナーダイオードを１個用いればよい
から、温度特性によってブレークオーバ電圧が変動して
も光電素子２の光起電力の温度変化ほどには大きな変化
はなく、光電素子２を構成するフォトダイオードや太陽
電池の個数を減らす場合に比較して主スイッチ素子３の
ゲート・ソース間電圧を安定して制御することができ
る。ここにおいて、図５に示すように、ドレイン・ソー
ス間を接続したＦＥＴを定電圧素子６として用いること
も可能である。実施例１と同じ符号を付した他の部材
は、実施例１と同様に動作する。
【００１４】
【発明の効果】本発明は上述のように、主スイッチ素子
がドレイン電流に応じた電流を検出する電流検出端子を
備え、電流検出端子とソースとの間に抵抗が挿入され、
抵抗の両端電圧が所定電圧以上になるとオンになる保護
スイッチ素子が主スイッチ素子のソース・ゲート間に接
続されているので、抵抗の両端電圧に基づいてドレイン
電流の大きさを検出することができ、この抵抗の両端電
圧が所定電圧以上になると保護スイッチ素子をオンにし
て主スイッチ素子のゲート・ソース間電圧を下げ、主ス
イッチ素子を保護することができるという利点を有して
いる。しかも、主スイッチ素子に設けた電流検出端子に
抵抗を接続しているのであって、ドレイン・ソース間に
は抵抗が接続されないから、主スイッチ素子のオン時に
は主スイッチ素子によってオン・オフされる電路に抵抗
が挿入されることがなく、オン時の抵抗を低く抑えるこ
とができるという効果を奏する。
がドレイン電流に応じた電流を検出する電流検出端子を
備え、電流検出端子とソースとの間に抵抗が挿入され、
抵抗の両端電圧が所定電圧以上になるとオンになる保護
スイッチ素子が主スイッチ素子のソース・ゲート間に接
続されているので、抵抗の両端電圧に基づいてドレイン
電流の大きさを検出することができ、この抵抗の両端電
圧が所定電圧以上になると保護スイッチ素子をオンにし
て主スイッチ素子のゲート・ソース間電圧を下げ、主ス
イッチ素子を保護することができるという利点を有して
いる。しかも、主スイッチ素子に設けた電流検出端子に
抵抗を接続しているのであって、ドレイン・ソース間に
は抵抗が接続されないから、主スイッチ素子のオン時に
は主スイッチ素子によってオン・オフされる電路に抵抗
が挿入されることがなく、オン時の抵抗を低く抑えるこ
とができるという効果を奏する。
【図１】実施例を示す回路図である。
【図２】実施例に用いる主スイッチ素子を示し、（ａ）
はシンボルと端子との関係を示す図であり、（ｂ）は等
価回路と端子との関係を示す回路図である。
はシンボルと端子との関係を示す図であり、（ｂ）は等
価回路と端子との関係を示す回路図である。
【図３】実施例の動作説明図である。
【図４】応用例を示す回路図である。
【図５】応用例に用いる他の定電圧素子を示す図であ
る。
る。
【図６】従来例を示す回路図である。
【図７】他の従来例を示す回路図である。
【符号の説明】 １ 発光素子 ２ 光電素子 ３ 主スイッチ素子 ４ 保護スイッチ素子 ５ 制御回路 Ｃ 電流検出端子 Ｄ ドレイン Ｇ ゲート Ｒ0 抵抗 Ｓ ソース Ｔ1 端子 Ｔ2 端子
Claims (1)
- 【請求項１】 対置された発光素子および光電素子と、
ＭＯＳＦＥＴよりなり光電素子の光起電力がゲート・ソ
ース間に印加されることによって発光素子の点灯・消灯
に応じてオン・オフされる主スイッチ素子とを備え、主
スイッチ素子はドレイン電流に応じた電流を検出する電
流検出端子を備え、電流検出端子とソースとの間には抵
抗が挿入され、抵抗の両端電圧が所定電圧以上になると
オンになる保護スイッチ素子が主スイッチ素子のソース
・ゲート間に接続されて成ることを特徴とする固体リレ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20088592A JPH0653803A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 固体リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20088592A JPH0653803A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 固体リレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653803A true JPH0653803A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16431867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20088592A Withdrawn JPH0653803A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 固体リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653803A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007135081A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体リレー装置 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP20088592A patent/JPH0653803A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007135081A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体リレー装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |