JPH0653552A - 光特性測定用溝の形成方法 - Google Patents
光特性測定用溝の形成方法Info
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- JPH0653552A JPH0653552A JP22512192A JP22512192A JPH0653552A JP H0653552 A JPH0653552 A JP H0653552A JP 22512192 A JP22512192 A JP 22512192A JP 22512192 A JP22512192 A JP 22512192A JP H0653552 A JPH0653552 A JP H0653552A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＤのオンウエハテスト用溝を１回のエッチ
ング工程にて形成する方法を提供する。 【構成】 ドライエッチングに対して耐性のある金属マ
スク３と、それほど耐性のないレジストマスク８を用い
てエッチング窓９を形成し、これにイオン種４を垂直方
向に打ち込むドライエッチングを行うと、一度に、ＬＤ
光出射端面６とＬＤ光反射面５１を有する溝２１が形成
される。
ング工程にて形成する方法を提供する。 【構成】 ドライエッチングに対して耐性のある金属マ
スク３と、それほど耐性のないレジストマスク８を用い
てエッチング窓９を形成し、これにイオン種４を垂直方
向に打ち込むドライエッチングを行うと、一度に、ＬＤ
光出射端面６とＬＤ光反射面５１を有する溝２１が形成
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＬＤ（レーザ・ダイオ
ード）や光導波路等を有する半導体装置の光特性をオン
ウエハで測定する際にドライエッチングを用いて形成す
る溝の形成方法に関するものである。
ード）や光導波路等を有する半導体装置の光特性をオン
ウエハで測定する際にドライエッチングを用いて形成す
る溝の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のＬＤの特性をウエハをチッ
プに分割する前にオンウエハで測定する際のウエハの平
面図であり、ウエハ１上には複数のストライプ状のレー
ザダイオード構造１１が形成され、これと直交するよう
に光特性試験用の溝２０が形成されている。
プに分割する前にオンウエハで測定する際のウエハの平
面図であり、ウエハ１上には複数のストライプ状のレー
ザダイオード構造１１が形成され、これと直交するよう
に光特性試験用の溝２０が形成されている。
【０００３】図３は上記ウエハ１に溝２０を形成する際
の方法を示すＡ−Ａ線における工程断面図であり、図に
おいて、２はウエハ１に形成された活性層、５は溝２０
のＬＤ光反射面、６は溝２０のＬＤ光出射端面であり、
７はＬＤ出射光を示す。
の方法を示すＡ−Ａ線における工程断面図であり、図に
おいて、２はウエハ１に形成された活性層、５は溝２０
のＬＤ光反射面、６は溝２０のＬＤ光出射端面であり、
７はＬＤ出射光を示す。
【０００４】次に溝の形成方法について説明する。ＬＤ
ウエハ１上にエッチング耐性の強い金属マスク３を形成
し、エッチング窓３ａをパターニングする。次いでこの
金属マスク３の上から、ＲＩＢＥ，ＲＩＥ，ＩＢＥ等の
周知のドライエッチング法を用いてエッチング種４を斜
め方向に打ち込んでエッチングする（図２(a) ）。
ウエハ１上にエッチング耐性の強い金属マスク３を形成
し、エッチング窓３ａをパターニングする。次いでこの
金属マスク３の上から、ＲＩＢＥ，ＲＩＥ，ＩＢＥ等の
周知のドライエッチング法を用いてエッチング種４を斜
め方向に打ち込んでエッチングする（図２(a) ）。
【０００５】そして少なくとも活性層２が露出するまで
エッチングした後、金属マスク３を除去する。このエッ
チングにより露出した斜面のうち、ＬＤウエハ１の上方
に向いた斜面はＬＤ光反射面５となる（図２(b) ）。
エッチングした後、金属マスク３を除去する。このエッ
チングにより露出した斜面のうち、ＬＤウエハ１の上方
に向いた斜面はＬＤ光反射面５となる（図２(b) ）。
【０００６】そして再び金属マスク３１を用いて今度は
ＬＤ光反射面５をカバーし、該面５と対向する斜面（Ｌ
Ｄウエハ１の下方に向いている面）はカバーされないよ
うにエッチング窓３１ａを形成し、金属マスク３１の上
からＲＩＢＥ，ＲＩＥ，ＩＢＥ等のドライエッチング法
を用いてエッチング種４を垂直方向に打ち込んでエッチ
ングする（図２(c) ）。
ＬＤ光反射面５をカバーし、該面５と対向する斜面（Ｌ
Ｄウエハ１の下方に向いている面）はカバーされないよ
うにエッチング窓３１ａを形成し、金属マスク３１の上
からＲＩＢＥ，ＲＩＥ，ＩＢＥ等のドライエッチング法
を用いてエッチング種４を垂直方向に打ち込んでエッチ
ングする（図２(c) ）。
【０００７】このときＬＤ光反射面５に対向する斜面
が、少なくとも活性層２の深さまでＬＤウエハ１に対し
て垂直になるようにエッチングされ、この垂直な面をＬ
Ｄ光出射端面６とする。そして最後に金属膜３１を除去
し、必要に応じてウエハ裏面，上面にそれぞれ電極１０
ａ，１０ｂを形成する。（図２(d) ）。
が、少なくとも活性層２の深さまでＬＤウエハ１に対し
て垂直になるようにエッチングされ、この垂直な面をＬ
Ｄ光出射端面６とする。そして最後に金属膜３１を除去
し、必要に応じてウエハ裏面，上面にそれぞれ電極１０
ａ，１０ｂを形成する。（図２(d) ）。
【０００８】以上のようにして検出された溝２０を有す
るウエハ１の電極１０ａ，１０ｂに電流を供給し、ＬＤ
光出射端面６から出射されたＬＤ出射光７をＬＤ光反射
面５で上方に反射させ、この反射光を図示しない検出器
を用いて観測することで、オンウエハのままでＬＤの光
強度や波長等の光特性を測定することができる（図２
(d) 参照）。
るウエハ１の電極１０ａ，１０ｂに電流を供給し、ＬＤ
光出射端面６から出射されたＬＤ出射光７をＬＤ光反射
面５で上方に反射させ、この反射光を図示しない検出器
を用いて観測することで、オンウエハのままでＬＤの光
強度や波長等の光特性を測定することができる（図２
(d) 参照）。
【０００９】なお、エッチングにより形成されたウエハ
端面と劈開により形成されたウエハ端面とではその端面
反射率が異なるため同一の光強度は得られず、上記溝２
０のＬＤ光出射端面６を共振端面とせずに、他の部分を
劈開して共振端面とする場合には、予め作成した対応表
等を用いて、チップ分割後のＬＤ素子の光強度を知るこ
とができる。
端面と劈開により形成されたウエハ端面とではその端面
反射率が異なるため同一の光強度は得られず、上記溝２
０のＬＤ光出射端面６を共振端面とせずに、他の部分を
劈開して共振端面とする場合には、予め作成した対応表
等を用いて、チップ分割後のＬＤ素子の光強度を知るこ
とができる。
【００１０】また、２回目のドライエッチング時に用い
られる金属膜３１の一部を除去せずにそのまま光特性測
定用の電極１０ａとして用いる場合もある。
られる金属膜３１の一部を除去せずにそのまま光特性測
定用の電極１０ａとして用いる場合もある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の光特性測定用溝
の形成方法は、以上のように構成されているので、出射
端面と反射面とを形成するのにドライエッチング工程を
２回行わなければならず、スループットの面で問題があ
った。
の形成方法は、以上のように構成されているので、出射
端面と反射面とを形成するのにドライエッチング工程を
２回行わなければならず、スループットの面で問題があ
った。
【００１２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、１回のドライエッチング工程
で、オンウエハテスト用の溝を形成できる光特性測定用
溝の形成方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、１回のドライエッチング工程
で、オンウエハテスト用の溝を形成できる光特性測定用
溝の形成方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光特性測
定用溝の形成方法は、エッチング耐性の強い第１のマス
ク材と、該マスク材よりもエッチング耐性が弱く、かつ
その膜厚が上記第１のマスク材と近接する端部から徐々
に増大する形状を有する第２のマスク材を用いてドライ
エッチング等の異方性エッチングを行うようにしたもの
である。
定用溝の形成方法は、エッチング耐性の強い第１のマス
ク材と、該マスク材よりもエッチング耐性が弱く、かつ
その膜厚が上記第１のマスク材と近接する端部から徐々
に増大する形状を有する第２のマスク材を用いてドライ
エッチング等の異方性エッチングを行うようにしたもの
である。
【００１４】
【作用】この発明においては、第２のマスク材は第１の
マスク材に近接する部分のパターンエッジが斜面状とな
っており、かつ第１のマスク材ほどエッチング耐性が強
くないので、ドライエッチングに対して被エッチング物
であるウエハに斜面形状が形成される。
マスク材に近接する部分のパターンエッジが斜面状とな
っており、かつ第１のマスク材ほどエッチング耐性が強
くないので、ドライエッチングに対して被エッチング物
であるウエハに斜面形状が形成される。
【００１５】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例によるＬＤのオ
ンウエハテスト用溝を形成する方法を示す工程フロー図
であり、図２と同一符号は同一または相当部分を示し、
８はレジストマスクであり、また２１は垂直なＬＤ光出
射端面６及びスロープのついたＬＤ光反射面５１を有す
るオンウエハテスト用溝である。
いて説明する。図１は本発明の一実施例によるＬＤのオ
ンウエハテスト用溝を形成する方法を示す工程フロー図
であり、図２と同一符号は同一または相当部分を示し、
８はレジストマスクであり、また２１は垂直なＬＤ光出
射端面６及びスロープのついたＬＤ光反射面５１を有す
るオンウエハテスト用溝である。
【００１６】次に工程フローについて説明する。ＬＤウ
エハ１上にエッチング耐性の強い例えばチタン等の金属
マスク３と、該金属マスク３ほどはエッチング耐性の強
くないレジストマスク８を設け、これらマスク３，８間
の隙間をエッチング窓９とする。この際、レジストマス
ク８のパターンエッジ部がエッチング窓９に近づくに従
ってその膜厚が小さくなるような斜面状となるように、
あらかじめレジストマスク８のパターニング時の露光，
現像，ベーキング条件を調整しておく。そしてこれらマ
スク３，８が形成されたウエハ１に対して、ＲＩＢＥ，
ＲＩＥ，ＩＢＥ等のドライエッチングを行い、エッチン
グ種４を垂直方向に打ち込む（図１(a)）。
エハ１上にエッチング耐性の強い例えばチタン等の金属
マスク３と、該金属マスク３ほどはエッチング耐性の強
くないレジストマスク８を設け、これらマスク３，８間
の隙間をエッチング窓９とする。この際、レジストマス
ク８のパターンエッジ部がエッチング窓９に近づくに従
ってその膜厚が小さくなるような斜面状となるように、
あらかじめレジストマスク８のパターニング時の露光，
現像，ベーキング条件を調整しておく。そしてこれらマ
スク３，８が形成されたウエハ１に対して、ＲＩＢＥ，
ＲＩＥ，ＩＢＥ等のドライエッチングを行い、エッチン
グ種４を垂直方向に打ち込む（図１(a)）。
【００１７】そして少なくとも活性層２が露出するまで
エッチングすると、エッチング窓９の金属マスク３側の
エッジはエッチング耐性が強いので垂直な面が出てＬＤ
光出射端面６となるが、レジストマスク８側のエッジは
エッチング耐性がそれほど強くないのに加えて斜面状と
なっているので、エッチング中にエッチング窓９端から
しだいに後退してゆき、結果として被エッチング面も斜
面状になる。この斜面がＬＤ光反射面５１となる（図２
(b) ）。このようにして一度のドライエッチング工程で
ＬＤ光反射面５１と出射端面６が形成される。
エッチングすると、エッチング窓９の金属マスク３側の
エッジはエッチング耐性が強いので垂直な面が出てＬＤ
光出射端面６となるが、レジストマスク８側のエッジは
エッチング耐性がそれほど強くないのに加えて斜面状と
なっているので、エッチング中にエッチング窓９端から
しだいに後退してゆき、結果として被エッチング面も斜
面状になる。この斜面がＬＤ光反射面５１となる（図２
(b) ）。このようにして一度のドライエッチング工程で
ＬＤ光反射面５１と出射端面６が形成される。
【００１８】次いで上記各マスク材３，８を全部取り除
き、必要に応じてウエハ裏面，上面にそれぞれ電極１０
ａ，１０ｂを形成する。以上のようにしてウエハ１に形
成された溝２１を有するウエハに電流を供給すると、垂
直なＬＤ光出射端面６から出射されたＬＤ光出射光７
が、傾斜したＬＤ光反射面５１で上方に反射され、この
反射光を図示しない検出器を用いて観測することで、オ
ンウエハのままでＬＤの光強度や波長等の光特性を測定
することができる（図１(c) ）。
き、必要に応じてウエハ裏面，上面にそれぞれ電極１０
ａ，１０ｂを形成する。以上のようにしてウエハ１に形
成された溝２１を有するウエハに電流を供給すると、垂
直なＬＤ光出射端面６から出射されたＬＤ光出射光７
が、傾斜したＬＤ光反射面５１で上方に反射され、この
反射光を図示しない検出器を用いて観測することで、オ
ンウエハのままでＬＤの光強度や波長等の光特性を測定
することができる（図１(c) ）。
【００１９】このように本実施例によれば、ＬＤ構造が
形成されたウエハ１上に、金属マスク３と、これに近接
してそのエッジ部の形状が斜面状になっているレジスト
マスク８とを設け、ドライエッチングによりエッチング
種４をウエハに対して垂直方向に打ち込むようにしたの
で、マスクのエッチング耐性の強弱に応じて、金属マス
ク３エッジでは垂直方向にエッチングが進み、一方レジ
スト８のエッジ部ではレジストが徐々に後退するために
斜めに傾斜した形状となり、１回のドライエッチング処
理により、ＬＤ光出射端面６及びＬＤ光反射面５１を有
する光特性測定用溝２１を得ることができ、従来のよう
にドライエッチングを２回行って光特性測定用溝を形成
するのに比べて、スループットの向上を図ることができ
る。
形成されたウエハ１上に、金属マスク３と、これに近接
してそのエッジ部の形状が斜面状になっているレジスト
マスク８とを設け、ドライエッチングによりエッチング
種４をウエハに対して垂直方向に打ち込むようにしたの
で、マスクのエッチング耐性の強弱に応じて、金属マス
ク３エッジでは垂直方向にエッチングが進み、一方レジ
スト８のエッジ部ではレジストが徐々に後退するために
斜めに傾斜した形状となり、１回のドライエッチング処
理により、ＬＤ光出射端面６及びＬＤ光反射面５１を有
する光特性測定用溝２１を得ることができ、従来のよう
にドライエッチングを２回行って光特性測定用溝を形成
するのに比べて、スループットの向上を図ることができ
る。
【００２０】なお、上記実施例ではドライエッチング耐
性の強いマスクとして金属マスクを用いたが、金属以外
の導電性部材または非導電性部材を用いてもよい。
性の強いマスクとして金属マスクを用いたが、金属以外
の導電性部材または非導電性部材を用いてもよい。
【００２１】また、ドライエッチング時に用いる金属マ
スク３を残して、これを光特性測定時に用いる電極１０
ａとしてもよく、このようにすることで電極１０ａの形
成工程を省略することができる。
スク３を残して、これを光特性測定時に用いる電極１０
ａとしてもよく、このようにすることで電極１０ａの形
成工程を省略することができる。
【００２２】さらに上記実施例ではＬＤ構造を有するウ
エハの光特性を測定する場合を例として説明したが、光
導波路等の非発光構造を有するウエハの光特性を溝を用
いて測定する際にも適用でき、同様の効果を奏すること
ができる。なおこの場合にはウエハ上面及び下面には電
極を形成する必要はない。
エハの光特性を測定する場合を例として説明したが、光
導波路等の非発光構造を有するウエハの光特性を溝を用
いて測定する際にも適用でき、同様の効果を奏すること
ができる。なおこの場合にはウエハ上面及び下面には電
極を形成する必要はない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る光特性測
定用溝の形成方法によれば、発光領域または光導波路が
形成されたウエハ上に、ドライエッチング耐性の異なる
２種類のマスクを設け、かつエッチング耐性の弱いマス
クのエッジ部を斜面状としてドライエッチングを行うよ
うにしたので、光出射端面及び反射面を有するオンウエ
ハテスト用溝が一度のドライエッチング工程で形成さ
れ、スループットの向上を図ることができるという効果
がある。
定用溝の形成方法によれば、発光領域または光導波路が
形成されたウエハ上に、ドライエッチング耐性の異なる
２種類のマスクを設け、かつエッチング耐性の弱いマス
クのエッジ部を斜面状としてドライエッチングを行うよ
うにしたので、光出射端面及び反射面を有するオンウエ
ハテスト用溝が一度のドライエッチング工程で形成さ
れ、スループットの向上を図ることができるという効果
がある。
【図１】この発明の一実施例によるＬＤオンウエハテス
ト用溝の形成方法を示す工程フロー図である。
ト用溝の形成方法を示す工程フロー図である。
【図２】従来のＬＤが形成されたウエハの平面図であ
る。
る。
【図３】上記ウエハにオンウエハテスト用の溝を形成す
る方法を示す工程フロー図である。
る方法を示す工程フロー図である。
１ ＬＤウエハ ２ 活性層 ３ 金属マスク ４ エッチング種 ６ ＬＤ光出射端面 ７ ＬＤ出射光 ８ レジストマスク ９ エッチング窓 ２１ オンウエハテスト用溝 ５１ ＬＤ光反射面
Claims (1)
- 【請求項１】 光導波路または発光領域が形成されたウ
エハの光特性を測定するための溝を、該ウエハの一部に
形成する方法において、 ウエハ表面に、ドライエッチングに対して耐性の強い第
１のマスク材を形成する工程と、 上記第１のマスク材よりもドライエッチング耐性の低
く、かつ上記第１のマスク材と近接する端部から徐々に
その膜厚が増大する形状を有する第２のマスク材を形成
する工程と、 上記第１及び第２のマスク材を用いてウエハに垂直方向
にエッチング種を打ち込む異方性エッチングを施して溝
を形成する工程とを含むことを特徴とする光特性測定用
溝の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22512192A JPH0653552A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光特性測定用溝の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22512192A JPH0653552A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光特性測定用溝の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653552A true JPH0653552A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16824297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22512192A Pending JPH0653552A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 光特性測定用溝の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653552A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996026450A1 (en) * | 1995-02-24 | 1996-08-29 | The Whitaker Corporation | Laser/pin assembly with integrated burn-in assembly |
| US5692084A (en) * | 1996-06-11 | 1997-11-25 | The Whitaker Corporation | Package for an optoelectronic device |
| US5764836A (en) * | 1996-06-11 | 1998-06-09 | The Whitaker Corporation | Pigtailed package for an optoelectronic device |
| JP2009180861A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Kyocera Corp | 光伝送基板とその製造方法、複合光伝送基板ならびに光モジュール |
| JP2011107384A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nec Corp | 光結合デバイスの製造方法 |
| JP2011199074A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| JP2012198566A (ja) * | 2012-06-15 | 2012-10-18 | Kyocera Corp | 光伝送基板とその製造方法、複合光伝送基板ならびに光モジュール |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP22512192A patent/JPH0653552A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996026450A1 (en) * | 1995-02-24 | 1996-08-29 | The Whitaker Corporation | Laser/pin assembly with integrated burn-in assembly |
| US5694048A (en) * | 1995-02-24 | 1997-12-02 | The Whitaker Corporation | Monitor-detector assembly on silicon wafer board |
| US5692084A (en) * | 1996-06-11 | 1997-11-25 | The Whitaker Corporation | Package for an optoelectronic device |
| US5764836A (en) * | 1996-06-11 | 1998-06-09 | The Whitaker Corporation | Pigtailed package for an optoelectronic device |
| JP2009180861A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Kyocera Corp | 光伝送基板とその製造方法、複合光伝送基板ならびに光モジュール |
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| JP2011199074A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| US8890201B2 (en) | 2010-03-19 | 2014-11-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JP2012198566A (ja) * | 2012-06-15 | 2012-10-18 | Kyocera Corp | 光伝送基板とその製造方法、複合光伝送基板ならびに光モジュール |
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