JPH0653550A - 多波長光半導体整列素子 - Google Patents
多波長光半導体整列素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 LED 間の間隔を狭めることにより指向性を単
峰性とし、新しい結晶InGaAlP を用いることにより赤色
から緑色間でLED の光度を殆ど同じにし、しかもチップ
に多色のLED を作成することによりステムへのマウント
回数を減らす点。 【構成】 赤色から緑色間の多色LED を同一のInGaAlP
結晶のAl組成を変えることにより製造できる点を特徴と
しており、各LED の電流拡散層とオーミック層を一度の
再成長で形成する。
峰性とし、新しい結晶InGaAlP を用いることにより赤色
から緑色間でLED の光度を殆ど同じにし、しかもチップ
に多色のLED を作成することによりステムへのマウント
回数を減らす点。 【構成】 赤色から緑色間の多色LED を同一のInGaAlP
結晶のAl組成を変えることにより製造できる点を特徴と
しており、各LED の電流拡散層とオーミック層を一度の
再成長で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光波長が違うＮ個の
LED ( 発光ダイオード）を整列する構造の多波長光半導
体整列素子に係わり、特に任意に波長が変えられるGaAl
AsP,InGaAlP系結晶から成る発光ダイオードアレイ（Arr
ay)素子に利用するものである。
LED ( 発光ダイオード）を整列する構造の多波長光半導
体整列素子に係わり、特に任意に波長が変えられるGaAl
AsP,InGaAlP系結晶から成る発光ダイオードアレイ（Arr
ay)素子に利用するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光ダイオードアレイを図１を参
照して説明する。ステム１には、570ｎｍの波長で発光
する黄色GaAsP 系のLED チップ２と、555 ｎｍの波長で
発光する緑色 GaP系のよびLED チップ３を、ステム１に
導電性ペーストによりマウントする。LED チップ２及び
３に形成する電極（図示せず）夫々とステム１間には、
金属細線例えば金線４、５をボンデイング法により圧着
して固定し、これらをいわゆるトランスファモールド(T
ransfer Mold以後モールド法と記載) 法により透明な樹
脂６により封止する。LED チップ２、３から放射する光
は、透明樹脂６内に設けるレンズにより集光する方式が
採られている。ステム１にマウントするLED チップ２及
び３間の距離は、ほぼ 200μｍであり、電流を印加する
と黄色と緑色に発光する。
照して説明する。ステム１には、570ｎｍの波長で発光
する黄色GaAsP 系のLED チップ２と、555 ｎｍの波長で
発光する緑色 GaP系のよびLED チップ３を、ステム１に
導電性ペーストによりマウントする。LED チップ２及び
３に形成する電極（図示せず）夫々とステム１間には、
金属細線例えば金線４、５をボンデイング法により圧着
して固定し、これらをいわゆるトランスファモールド(T
ransfer Mold以後モールド法と記載) 法により透明な樹
脂６により封止する。LED チップ２、３から放射する光
は、透明樹脂６内に設けるレンズにより集光する方式が
採られている。ステム１にマウントするLED チップ２及
び３間の距離は、ほぼ 200μｍであり、電流を印加する
と黄色と緑色に発光する。
【０００３】図２には、LED チップ２及び３の光指向性
を示す。
を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】LED アレイの製造に当
たって、LED チップ単体毎にマウントする手法は、生産
コストの上昇を招く。しかも、各LED チップをステム１
にマウントするには、前記のように塗布した導電性ペー
ストに夫々を載置後、加熱して固化する。しかし、ペー
ストの粘度が高いために当初 100μｍの間隔でマウント
したものが固化すると平均的な間隔が20μｍ〜50μｍと
なってLED チップ間に導電性ペーストが這上がり、短絡
するものが5 ％程度発生する。このためにLED チップの
集光特性を犠牲にしてLED チップ間の間隔を 200μｍに
する。この時のLED チップの指向性は、双峰性を示す。
また、黄色のLED チップは、GaAsP 結晶を用いてお
り、光度として0.4 ｃｄを示す。このように多波長光半
導体整列素子では、結晶材料が異なるためにLED チップ
の光度に差がある。
たって、LED チップ単体毎にマウントする手法は、生産
コストの上昇を招く。しかも、各LED チップをステム１
にマウントするには、前記のように塗布した導電性ペー
ストに夫々を載置後、加熱して固化する。しかし、ペー
ストの粘度が高いために当初 100μｍの間隔でマウント
したものが固化すると平均的な間隔が20μｍ〜50μｍと
なってLED チップ間に導電性ペーストが這上がり、短絡
するものが5 ％程度発生する。このためにLED チップの
集光特性を犠牲にしてLED チップ間の間隔を 200μｍに
する。この時のLED チップの指向性は、双峰性を示す。
また、黄色のLED チップは、GaAsP 結晶を用いてお
り、光度として0.4 ｃｄを示す。このように多波長光半
導体整列素子では、結晶材料が異なるためにLED チップ
の光度に差がある。
【０００５】本発明は、このような事情により成された
もので、特にLED チップの間隔を従来より狭めることに
より指向性を単峰性にし、新しい結晶 InGaAlPを適用す
ることにより、赤色から緑色の間でLED チップの光度を
等しくする。また1 チップに多色のLED を作成すること
によりステムへのマウントを一回ですますことに目的が
ある。
もので、特にLED チップの間隔を従来より狭めることに
より指向性を単峰性にし、新しい結晶 InGaAlPを適用す
ることにより、赤色から緑色の間でLED チップの光度を
等しくする。また1 チップに多色のLED を作成すること
によりステムへのマウントを一回ですますことに目的が
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】GaAs基板に、発光波長の
異なる発光層を備えるGaAlAs系、InGaAlP 系の多層膜結
晶を積層する多波長光半導体整列素子において，各発光
素子の電流拡散層及びオーミック層を一度の再成長によ
り形成する点に本発明に係わる多波長光半導体整列素子
の特徴がある。
異なる発光層を備えるGaAlAs系、InGaAlP 系の多層膜結
晶を積層する多波長光半導体整列素子において，各発光
素子の電流拡散層及びオーミック層を一度の再成長によ
り形成する点に本発明に係わる多波長光半導体整列素子
の特徴がある。
【０００７】
【作用】このように、本発明に係わる多波長光半導体整
列素子は、赤色から緑色の多色LED を全てGaAlAs InGaA
lP系結晶のAl組成を変えることにより製作できる特徴を
利用してあり、また、各LED の電流拡散層とオーミック
層を一度の再成長で積層する。
列素子は、赤色から緑色の多色LED を全てGaAlAs InGaA
lP系結晶のAl組成を変えることにより製作できる特徴を
利用してあり、また、各LED の電流拡散層とオーミック
層を一度の再成長で積層する。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図３〜図１４を参照して説
明する。図３は、本発明に係わるInGaAlP 系LED の結晶
の断面図であり、図４乃至図１２に多波長光半導体整列
素子の製造工程を明らかにする断面図、図１３が多波長
光半導体整列素子をパッケ−ジにマウントした状態を示
す断面図、図１４に２波長光半導体整列素子の光指向性
を曲線図により明らかにした。
明する。図３は、本発明に係わるInGaAlP 系LED の結晶
の断面図であり、図４乃至図１２に多波長光半導体整列
素子の製造工程を明らかにする断面図、図１３が多波長
光半導体整列素子をパッケ−ジにマウントした状態を示
す断面図、図１４に２波長光半導体整列素子の光指向性
を曲線図により明らかにした。
【０００９】InGaAlP 系LED 結晶の製造に当たっては、
MOCVD 法により必要な各層を格子整合した条件で堆積す
るが、説明を簡略化するためにn 形 GaAs 基板１４に堆
積する層を順番に列記する。厚さが1 μｍ程度で不純物
濃度が 2×101 7 c m - 3 のn-In(GaAl)P クラッド層１
５、In(Ga 1 - Y AlY ) P のn 形活性層１６であり厚さ
がほぼ0.8 μｍで不純物濃度が 1×101 6 c m - 3 ，組
成Ｙ＝0.55、次に厚さが約1 μｍで不純物濃度が 2×10
1 7 c m - 3 のp-In(GaAl)P のクラッド層１７、厚さが
1 μｍ位で不純物濃度が 2×101 7 c m - 3 のn-In(G
aAl)P 層１８更に厚さが2 μｍ位で不純物濃度が 2×10
1 8 c m - 3 のn-GaAs層１９により緑色LED 結晶を成
長する。
MOCVD 法により必要な各層を格子整合した条件で堆積す
るが、説明を簡略化するためにn 形 GaAs 基板１４に堆
積する層を順番に列記する。厚さが1 μｍ程度で不純物
濃度が 2×101 7 c m - 3 のn-In(GaAl)P クラッド層１
５、In(Ga 1 - Y AlY ) P のn 形活性層１６であり厚さ
がほぼ0.8 μｍで不純物濃度が 1×101 6 c m - 3 ，組
成Ｙ＝0.55、次に厚さが約1 μｍで不純物濃度が 2×10
1 7 c m - 3 のp-In(GaAl)P のクラッド層１７、厚さが
1 μｍ位で不純物濃度が 2×101 7 c m - 3 のn-In(G
aAl)P 層１８更に厚さが2 μｍ位で不純物濃度が 2×10
1 8 c m - 3 のn-GaAs層１９により緑色LED 結晶を成
長する。
【００１０】次に、緑色LED 結晶上にMOCVD 法により黄
色LED 結晶に必要な各層を連続的に格子整合した条件で
形成するが、緑色LED 結晶のn-In(Ga 1 - Y AlY ) P 活
性層１６の組成をＹ＝0.44に変更する以外は全く同一の
構成である。
色LED 結晶に必要な各層を連続的に格子整合した条件で
形成するが、緑色LED 結晶のn-In(Ga 1 - Y AlY ) P 活
性層１６の組成をＹ＝0.44に変更する以外は全く同一の
構成である。
【００１１】即ち、n-GaAs層１９上に積層する各層は、
厚さが1 μｍ程度で不純物濃度が 2×101 7 c m - 3 の
n-In(GaAl)P クラッド層２０、厚さがほぼ0.8 μｍで不
純物濃度が 1×101 6 c m - 3 、組成Ｙ＝0.44のn - In
(Ga 1 - Y AlY ) P 活性層２１、厚さが１μｍ程度で不
純物濃度が 2×101 7 c m - 3 のp クラッド層２２、厚
さが1 μｍ位で不純物濃度が 2×101 7 c m - 3 のn-
In(GaAl)P 層２３更に厚さが2 μｍ位で不純物濃度が 2
×101 8 c m - 3 のn-GaAs層２４により黄色LED 結晶
を構成する。
厚さが1 μｍ程度で不純物濃度が 2×101 7 c m - 3 の
n-In(GaAl)P クラッド層２０、厚さがほぼ0.8 μｍで不
純物濃度が 1×101 6 c m - 3 、組成Ｙ＝0.44のn - In
(Ga 1 - Y AlY ) P 活性層２１、厚さが１μｍ程度で不
純物濃度が 2×101 7 c m - 3 のp クラッド層２２、厚
さが1 μｍ位で不純物濃度が 2×101 7 c m - 3 のn-
In(GaAl)P 層２３更に厚さが2 μｍ位で不純物濃度が 2
×101 8 c m - 3 のn-GaAs層２４により黄色LED 結晶
を構成する。
【００１２】次にこのような結晶組成の緑色LED 結晶な
らびに黄色LED 結晶の製造工程を図４乃至図１２により
説明するが、便宜上緑色LED ２５と黄色LED ２６にまと
め、各層の番号を省略し、必要な時には、具体的な番号
を改めて記載する。
らびに黄色LED 結晶の製造工程を図４乃至図１２により
説明するが、便宜上緑色LED ２５と黄色LED ２６にまと
め、各層の番号を省略し、必要な時には、具体的な番号
を改めて記載する。
【００１３】前記２色用の活性層１６及び２１と共に各
層を備えるn 形 GaAs 基板１４に堆積する黄色LED 用層
表面には、CVD(Chemical Vapour Deposition) 法により
SiO2 膜２７を約2000オングストローム堆積後（図４参
照）、PEP(Photo EngravingProcess)により図５に示す
ようにSiO 2 膜の一部を取除く。続いてn-GaASとn -InG
aAlP 結晶に対して選択性のある硫酸系ならびに燐酸系
のエッチング液を用いて、図６の断面図に明らかにした
ように両LED の結晶層２５、２６が夫々表面に露出する
ようにエッチング加工する。
層を備えるn 形 GaAs 基板１４に堆積する黄色LED 用層
表面には、CVD(Chemical Vapour Deposition) 法により
SiO2 膜２７を約2000オングストローム堆積後（図４参
照）、PEP(Photo EngravingProcess)により図５に示す
ようにSiO 2 膜の一部を取除く。続いてn-GaASとn -InG
aAlP 結晶に対して選択性のある硫酸系ならびに燐酸系
のエッチング液を用いて、図６の断面図に明らかにした
ように両LED の結晶層２５、２６が夫々表面に露出する
ようにエッチング加工する。
【００１４】ここでSiO 2 膜２７をNH4 Ｆ液で除去後、
改めてSiO 2 膜２８を約2000オングストローム堆積後PE
P 工程によりその一部を溶除して、SiO 2 膜２８部分ａ
に隣接する部分に窓２９を形成する。SiO 2 膜２８部分
ａの寸法は、例えば５０μｍとし、窓２９を含めて１５
０μｍ程度とする。両SiO 2 膜２８部分ａの中心間の距
離は、約３５０μｍである（図７参照）。なお図７より
図６までのように各層を省略せずに記載する。
改めてSiO 2 膜２８を約2000オングストローム堆積後PE
P 工程によりその一部を溶除して、SiO 2 膜２８部分ａ
に隣接する部分に窓２９を形成する。SiO 2 膜２８部分
ａの寸法は、例えば５０μｍとし、窓２９を含めて１５
０μｍ程度とする。両SiO 2 膜２８部分ａの中心間の距
離は、約３５０μｍである（図７参照）。なお図７より
図６までのように各層を省略せずに記載する。
【００１５】次ぎに図７で明らかにするように、SiO 2
膜２８部分の溶除工程により露出した黄色LED ２６及び
緑色LED ２５結晶用の最上層を構成するn-GaAs層１９と
n-GaAs層２４と、これに隣接かつ連続するn-(GaAl)P 層
１８とn-(GaAl)P 層２３をエッチング処理して黄色LED
及び緑色LED 用発光領域ｂをSiO 2 膜２８部分ａの直下
に設ける（図８参照）。
膜２８部分の溶除工程により露出した黄色LED ２６及び
緑色LED ２５結晶用の最上層を構成するn-GaAs層１９と
n-GaAs層２４と、これに隣接かつ連続するn-(GaAl)P 層
１８とn-(GaAl)P 層２３をエッチング処理して黄色LED
及び緑色LED 用発光領域ｂをSiO 2 膜２８部分ａの直下
に設ける（図８参照）。
【００１６】SiO 2 膜をNH4 Ｆ液で除去して露出したn-
GaAs層１９とn-GaAs層２４と、これに隣接かつ連続する
n-In(GaAl)P 層１８とn-In(GaAl)P 層２３をエッチング
処理して図９の断面構造とする。
GaAs層１９とn-GaAs層２４と、これに隣接かつ連続する
n-In(GaAl)P 層１８とn-In(GaAl)P 層２３をエッチング
処理して図９の断面構造とする。
【００１７】次に新SiO 2 膜３０をCVD 法で約2000オン
グストローム堆積し、引続きPEP 工程によって、黄色LE
D 及び緑色LED 形成部分を除いたSiO 2 膜部分を溶除し
て図１０に示す断面構造とする。
グストローム堆積し、引続きPEP 工程によって、黄色LE
D 及び緑色LED 形成部分を除いたSiO 2 膜部分を溶除し
て図１０に示す断面構造とする。
【００１８】このような各層の積層構造体には、p-Ga
0 . 3 Al0 . 7 Asから成り不純物濃度1×101 8 c m
- 3 厚さ３μｍの電流拡散層３１と、不純物濃度 1×10
1 8 cm - 3 厚さ５μｍのp-GaASオーミック層３２を
積層する。この結晶成長工程を３０Torr程度の減圧MOCV
D により行うと、新SiO 2 膜３０上には、p-GaAsオーミ
ック層３１及びp-GaAlAs電流拡散層３１は成長せず、新
SiO 2 膜を除去した部分に選択的に堆積成長する（図１
１参照）。
0 . 3 Al0 . 7 Asから成り不純物濃度1×101 8 c m
- 3 厚さ３μｍの電流拡散層３１と、不純物濃度 1×10
1 8 cm - 3 厚さ５μｍのp-GaASオーミック層３２を
積層する。この結晶成長工程を３０Torr程度の減圧MOCV
D により行うと、新SiO 2 膜３０上には、p-GaAsオーミ
ック層３１及びp-GaAlAs電流拡散層３１は成長せず、新
SiO 2 膜を除去した部分に選択的に堆積成長する（図１
１参照）。
【００１９】更にまた、PEP 工程により最上層を構成す
るp-GaAsオーミック層３２とn-In(GaAl)P層１８に重な
って形成する新SiO 2 膜３０をPEP 工程により除去して
から、p-GaAs層２４とn-In( GaAl)P層１８上にオーミッ
ク層としてAu-Zn ３３（Zn濃度３Wt％）及びAu-Ge ３４
（Ge濃度３Wt％）また、基板１４の裏面にAu-Ge （Ge濃
度３Wt％）から成るオーミック電極３５を真空蒸着によ
り積層する。続いて熱処理を行って、黄色LED 及び緑色
LED を同一の基板１４に形成してチップ化し、その断面
図を図１２に示す。
るp-GaAsオーミック層３２とn-In(GaAl)P層１８に重な
って形成する新SiO 2 膜３０をPEP 工程により除去して
から、p-GaAs層２４とn-In( GaAl)P層１８上にオーミッ
ク層としてAu-Zn ３３（Zn濃度３Wt％）及びAu-Ge ３４
（Ge濃度３Wt％）また、基板１４の裏面にAu-Ge （Ge濃
度３Wt％）から成るオーミック電極３５を真空蒸着によ
り積層する。続いて熱処理を行って、黄色LED 及び緑色
LED を同一の基板１４に形成してチップ化し、その断面
図を図１２に示す。
【００２０】更に図１３に明らかにするように、多波長
光半導体整列素子を形成するには、このチップをステム
１に銀ペースト層３６を介してマウントし、黄色LED ２
６及び緑色LED ２５とステム１間にAu線４を圧着して電
気的に接続する。
光半導体整列素子を形成するには、このチップをステム
１に銀ペースト層３６を介してマウントし、黄色LED ２
６及び緑色LED ２５とステム１間にAu線４を圧着して電
気的に接続する。
【００２１】その後モールド(Transfer Moldの略) 法に
より透明なエポキシ樹脂６を被覆する。この多波長光半
導体整列素子に電流を印加した結果、黄色LED 素子２６
が１０ｍＡで２ｃｄ、緑色LED 素子２５が１ｃｄの光度
が得られた。更に両LED 素子の指向性は図１４に明らか
にするように単峰性となる。
より透明なエポキシ樹脂６を被覆する。この多波長光半
導体整列素子に電流を印加した結果、黄色LED 素子２６
が１０ｍＡで２ｃｄ、緑色LED 素子２５が１ｃｄの光度
が得られた。更に両LED 素子の指向性は図１４に明らか
にするように単峰性となる。
【００２２】このように本実施例では、黄色LED と緑色
LED を整列した多波長光半導体整列素子を示したが、赤
色及び橙色のLED を付加することは容易である。それに
は、MOCVD 法により発光層を構成するIn(Ga Y A
l1 - Y )P結晶のＹの値を変えることにより行える。ま
た活性層で発光した光をn-In(GaAl)P クラッド層の中で
反射する反射層を設けることにより各LED の光度を増大
することもできる。
LED を整列した多波長光半導体整列素子を示したが、赤
色及び橙色のLED を付加することは容易である。それに
は、MOCVD 法により発光層を構成するIn(Ga Y A
l1 - Y )P結晶のＹの値を変えることにより行える。ま
た活性層で発光した光をn-In(GaAl)P クラッド層の中で
反射する反射層を設けることにより各LED の光度を増大
することもできる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の係わる多波長光半導体整列素子
においては、同一基板にMOCVD 法により、InGaAlP 結晶
を積層し、発光波長の違う多色LED を設置する特徴があ
り、効果としては、ａ．InGaAlP 結晶の利用により、従
来のGaAsP 系結晶に比較して約１０倍の光度が得られ
た。
においては、同一基板にMOCVD 法により、InGaAlP 結晶
を積層し、発光波長の違う多色LED を設置する特徴があ
り、効果としては、ａ．InGaAlP 結晶の利用により、従
来のGaAsP 系結晶に比較して約１０倍の光度が得られ
た。
【００２４】ｂ．同一基板上に複数のLED 形成している
ので、一回のマウント工程ですみかつ、銀ペーストの這
い上りによる電気的な短絡不良が皆無となった。
ので、一回のマウント工程ですみかつ、銀ペーストの這
い上りによる電気的な短絡不良が皆無となった。
【００２５】ｃ．各LED 素子間の間隔を３５０μｍ以下
にすることによりエポキシ樹脂レンズにおける光の指向
性は単峰性となった。
にすることによりエポキシ樹脂レンズにおける光の指向
性は単峰性となった。
【図１】従来の２波長光半導体整列素子の断面図であ
る。
る。
【図２】図１の２波長光半導体整列素子の光指向性を示
す曲線図である。
す曲線図である。
【図３】本発明に係わるInGaAlP 系LED の結晶断面図で
ある。
ある。
【図４】図３のInGaAlP 系LED の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図５】図４のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示す図
である。
である。
【図６】図５のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示す図
である。
である。
【図７】図６のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示す図
である。
である。
【図８】図７のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示す図
である。
である。
【図９】図８のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示す図
である。
である。
【図１０】図９のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示す
図である。
図である。
【図１１】図１０のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示
す図である。
す図である。
【図１２】図１１のInGaAlP 系LED に続く製造工程を示
す図である。
す図である。
【図１３】本発明に係わる２波長光半導体整列素子の断
面図である。
面図である。
【図１４】図１３に示す素子の光指向性を示す曲線図で
ある。
ある。
１：ステム、 ２、３：LED チップ ４、５：金線 ６：樹脂 １４：基板 １５、２０：n-In(GaAl)P クラッド層 １６、２１：n-In(Ga 1 - Y AlY ) P 活性層 １７、２２：p-In(GaAl)P クラッド層 １８、２３：n-In(GaAl)P 層 １９、２４：n-GaAs層 ２５：緑色LED （図４〜図１１記載） ２６：黄色LED （図４〜図１１記載） ２７、２８、２９、３０：SiO 2 膜 ３１：p-GaAlAs電流拡散層 ３２：p-GaAsオーミック層 ３３：Au-Zn オーミック層 ３４：Au-Ge オーミック層 ３５：オーミック電極 ３６：銀ペースト層
Claims (1)
- 【請求項１】 GaAs基板に、発光波長の異なる発光層を
備えるGaAlAs系、InGaAlP 系の多層膜結晶を積層する多
波長光半導体整列素子において，各発光素子の電流拡散
層及びオーミック層を一度の再成長により形成すること
を特徴とする多波長光半導体整列素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20501192A JPH0653550A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 多波長光半導体整列素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20501192A JPH0653550A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 多波長光半導体整列素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653550A true JPH0653550A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16499973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20501192A Pending JPH0653550A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 多波長光半導体整列素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653550A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU629217B2 (en) * | 1988-06-09 | 1992-10-01 | Tonen Sekiyukagaku K.K. | Thermoplastic resin composition containing a titanate coupling agent |
| US5625201A (en) * | 1994-12-12 | 1997-04-29 | Motorola | Multiwavelength LED devices and methods of fabrication |
| JP2004528700A (ja) * | 2000-03-14 | 2004-09-16 | クリー インコーポレイテッド | 制御された導電率を有する半導体材料および半導体デバイスの製造方法 |
| KR100450514B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-09-30 | 주식회사 엘지이아이 | 백색 발광 다이오드 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP20501192A patent/JPH0653550A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU629217B2 (en) * | 1988-06-09 | 1992-10-01 | Tonen Sekiyukagaku K.K. | Thermoplastic resin composition containing a titanate coupling agent |
| US5625201A (en) * | 1994-12-12 | 1997-04-29 | Motorola | Multiwavelength LED devices and methods of fabrication |
| JP2004528700A (ja) * | 2000-03-14 | 2004-09-16 | クリー インコーポレイテッド | 制御された導電率を有する半導体材料および半導体デバイスの製造方法 |
| KR100450514B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-09-30 | 주식회사 엘지이아이 | 백색 발광 다이오드 |
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