JPH0653285A - Ｉｃテ−プキャリアとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 アウタリ−ドが充分な強度を有するととも
に、ＩＣボンディングの容易なインナリ−ドを有するＩ
Ｃテ−プキャリアを提供する。 【構成】 ２０〜２００μの厚さのポリイミドやポリエ
ステル製のフィルム状絶縁基材１０の表面に接着剤１１
を介してディバイス孔１０ａとアウタリ−ド孔１０ｂと
をあけ、絶縁基材１０上に５０〜１００μの厚さの導体
１２をラミネイトしてディバイス孔１０ａとアウタリ−
ド孔１０ｂとを塞ぐ。導体１２をディバイス孔１０ａ対
向面だけ１８〜３５μの厚さとしてインナリ−ド１２ａ
を形成し、導体１２の表面には、仕上鍍金１３を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣなどを実装して
例えば液晶パネルに接続するＩＣテ−プキャリアに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣテ−プキャリアは、フィルム
状の絶縁基材にディバイス孔とアウタリ−ド孔をあけ、
その絶縁基材上に一定の厚さを有する導体をラミネ−ト
してからフォトレジストコ−ト・露光・エッチング・レ
ジスト除去の工程を経てインナリ−ドとアウタリ−ドを
形成していた。従って、図７に示すように、そのＩＣテ
−プキャリア１におけるインナリ−ド２ａとアウタリ−
ド２ｂは、導体２の厚さそのものであるため当然同じ厚
さとなっていた。そして、インナリ−ド２ａには、図８
に示すように、ＩＣ３をボンディングして取り付け、ア
ウタリ−ド孔部分で切断して、図９に示すように、アウ
タリ−ド２ｂをプリント基板４に取り付ける。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、導体２の厚さ
を薄くするとインナリ−ド２ａへのＩＣ３のボンディン
グが容易となり、また、最近のインナリ−ド２ａのファ
インピッチ化に伴う更に薄いものへの要求を満たすこと
ができるが、アウタリ−ド２ｂは、その強度が弱くなっ
て曲がりやすく折れやすくなり、甚だしい場合には、ア
ウタリ−ド２ｂが切断してしまうという問題点があっ
た。また、反対に導体２の厚さを厚くすると、インナリ
−ド２ａへＩＣ３をボンディングする時に強度が大き過
ぎたり、熱の伝導が良過ぎたりして取り付けがやりにく
いという問題点があった。

【０００４】そこで、この発明の目的は、アウタリ−ド
が充分な強度を有するとともに、ＩＣボンディングの容
易なインナリ−ドを有するＩＣテ−プキャリアを提供す
ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そのため、請求項１に記
載のものは、例えば以下の図１及び２に示す実施例のよ
うに、導体１２の厚さをインリ−ド１２ａ部分だけ薄く
形成してなる、ことを特徴とする。

【０００６】請求項２に記載のものは、例えば以下の図
３及び４に示す実施例のように、フィルム状の絶縁基材
１０にディバイス孔１０ａとアウタリ−ド孔１０ｂをあ
け、その絶縁基材１０上に導体１２をラミネ−トしてか
ら前記ディバイス孔１０ａ対向面を除き前記導体１２の
表面にレジストコ−トし、化学研磨液１６にて前記導体
１２の厚さをインナリ−ド１２ａ部分だけ薄くして後、
前記レジストコ−ト１４を除去してなる、ことを特徴と
する。

【０００７】請求項３に記載のものは、例えば以下の図
５・６及び８に示す実施例のように、導体１２の厚さを
アウタリ−ド１２ｂ部分だけ厚く形成してなる、ことを
特徴とする。

【０００８】また、請求項４に記載のものは、例えば以
下の図７に示す実施例のように、フィルム状の絶縁基材
１０にディバイス孔１０ａとアウタリ−ド孔１０ｂをあ
け、その絶縁基材１０上に導体１２をラミネ−トしてか
らフォトレジストコ−ト・露光・エッチング・レジスト
除去の工程を経てインナリ−ド１２ａとアウタリ−ド１
２ｂを形成し、前記アウタリ−ド孔１０ｂ対応部分を除
き前記導体１２の表面にレジストコ−トし、鍍金２１を
施して前記導体の厚さをアウタリ−ド１２ｂ部分だけ厚
く形成して後、前記レジストコ−ト２０を除去してな
る、ことを特徴とする。

【０００９】

【作用】そして、インナリ−ド１２ａにＩＣなどを取り
付け、アウタリ−ド１２ｂを液晶パネルやプリント基板
などに接続する。

【００１０】

【実施例】以下、図面を参照しながら、この発明の実施
例について説明する。図１には、この発明の一実施例で
あるＩＣテ−プキャリアを示す。図中符号１０は、２０
〜２００μの厚さのポリイミドやポリエステル製のフィ
ルム状絶縁基材である。絶縁基材１０の表面には、２０
μ〜３０μ程度の接着剤１１で５０〜１００μの厚さの
導体１２が接着され、導体１２の厚さをインナリ−ド１
２ａ部分だけ１８〜３５μの厚さに薄く形成してある。
また、導体１２の表面には、仕上鍍金１３が施してあ
る。

【００１１】このＩＣテ−プキャリアは、次ぎのように
つくる。先ず、図３（イ）に示すように、この絶縁基材
１０上の全面に２０〜３０μの厚さのフィルム状の高耐
熱性の接着剤１１を転写する。次ぎに、図３（ロ）に示
すように、絶縁基材１０と接着剤１１を貫通するディバ
イス孔１０ａとアウタリ−ド孔１０ｂとをあけた後、図
３（ハ）に示すように、接着剤１１を用いて絶縁基材１
０の上に導体１２をラミネイトしてディバイス孔１０ａ
とアウタリ−ド孔１０ｂとを塞ぐ。尚、導体１２として
は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、
鉄、鉄合金などを用いる。

【００１２】しかる後、図３（ニ）に示すように、その
導体１２のディバイス孔１０ａ対向面を除き導体１２の
表面にレジストコ−ト１４を施し、図４に示すように、
ロ−ラ１５でガイドして化学研磨液１６を入れた槽１７
内を通して、図３（ホ）に示すように、導体１２の厚さ
をインナリ−ド１２ａ部分だけ薄くして１８〜３５μの
厚さとする。そして、レジストコ−ト１４を除去して図
３（ヘ）に示すような状態とする。

【００１３】更に、図３（ト）に示すように、導体１２
の上面にフォトレジストコ−ト１８を施し、また、ディ
バイス孔１０ａ対向面にはバックコ−ト１９を行い、フ
ォトレジストコ−ト１８面に露光して、図３（チ）に示
すように、フォトレジストコ−ト１８を所望の形状に残
し、エッチングを行って、図３（リ）に示すようにフォ
トレジストコ−ト１８及びバックコ−ト１９で被われた
部分以外の導体１２を浸食させてインナリ−ド１２ａを
形成する。その後、フォトレジストコ−ト１８及びバッ
クコ−ト１９を除去して図３（ヌ）に示すような状態と
する。更に、導体１２表面に仕上鍍金１３を施して図１
に示すようなインナリ−ド１２ａとアウタリ−ド１２ｂ
を有するＩＣテ−プキャリアを形成して切り出し、イン
ナリ−ド１２ａをＩＣ３０にボンディングして図２に示
すような状態とする。

【００１４】また、図５には、この発明の他の実施例で
あるＩＣテ−プキャリアを示す。このＩＣテ−プキャリ
アは、前記実施例と同様にフィルム状の絶縁基材１０の
表面に接着剤１１で１８〜３５μの厚さの導体１２が接
着され、導体１２の厚さをアウタリ−ド１２ｂ部分だけ
厚く形成してある。また、導体１２の表面には、仕上鍍
金１３が施してある。

【００１５】このＩＣテ−プキャリアは、次ぎのように
つくる。先ず、図７（イ）に示すように、この絶縁基材
１０上の全面に２０〜３０μの厚さのフィルム状の高耐
熱性の接着剤１１を転写する。次ぎに、図７（ロ）に示
すように、絶縁基材１０と接着剤１１を貫通するディバ
イス孔１０ａとアウタリ−ド孔１０ｂとをあけた後、図
７（ハ）に示すように、接着剤１１を用いて絶縁基材１
０の上に導体１２をラミネイトしてディバイス孔１０ａ
とアウタリ−ド孔１０ｂとを塞ぐ。尚、導体１２として
は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、
鉄、鉄合金などを用い、その厚さは、１８〜３５μ程度
とする。

【００１６】そして、図示省略するが、フォトレジスト
コ−ト・露光・エッチング・レジスト除去の工程を経て
図７（ニ）に示すように、インナリ−ド１２ａとアウタ
リ−ド１２ｂとを形成し、図７（ホ）に示すように、ア
ウタリ−ド孔１０ｂ対応部分を除き導体１２の表面にレ
ジストコ−ト２０を施す。そして、図７（ヘ）に示すよ
うに、鍍金２１を施してアウタリ−ド孔１０ｂ部分だけ
導体１２を厚くした後、レジストコ−ト２０を除去して
図７（ト）に示すような鍍金２１と導体１２とでアウタ
リ−ド１２ｂ部分を厚く形成する。そのＩＣテ−プキャ
リアの上面とアウタリ−ド１２ｂの底面とに仕上鍍金１
３を施して図５に示すようなインナリ−ド１２ａとアウ
タリ−ド１２ｂを有するＩＣテ−プキャリアを形成す
る。そして、アウタリ−ド孔１０ｂ部分で切断して、図
６に示すようにアウタリ−ド１２ｂをプリント基板３１
に接続する。

【００１７】また、図５に示す実施例は、アウタリ−ド
孔１０ｂ対応部分の導体１２の表面だけに鍍金２１を施
して厚くしたが、図８に示すように、アウタリ−ド孔１
０ｂ対応部分の導体１２の裏面にも鍍金２１を施して更
に厚くして同じようにその上に仕上鍍金１３を施しても
よい。

【００１８】

【発明の効果】従って、請求項１及び２に記載のものに
よれば、厚みのある導体を使用してＩＣテ−プキャリア
を作り、インナリ−ド部分だけを薄くしたので、また、
請求項３及び４に記載のものによれば、薄い導体を使用
してＩＣテ−プキャリアを作り、アウタリ−ド部分だけ
厚くしたので、何れもアウタリ−ドが充分な強度を有す
るとともに、ＩＣボンディングの容易なインナリ−ドを
有するＩＣテ−プキャリアを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例であるＩＣテ−プキャリア
の断面図である。

【図２】そのＩＣテ−プキャリアを切り出した状態の平
面図である。

【図３】その製造工程をその工程順に示す断面図であ
る。

【図４】その工程中の化学研磨状態を示す説明図であ
る。

【図５】この発明の他の実施例であるＩＣテ−プキャリ
アの断面図である。

【図６】そのアウタリ−ドをプリント基板に接続した状
態図である。

【図７】その製造工程をその工程順に示す断面図であ
る。

【図８】この発明の更に他の実施例であるＩＣテ−プキ
ャリアの断面図である。

【図９】従来のＩＣテ−プキャリアの断面図である。

【図１０】そのＩＣテ−プキャリアのインナリ−ドにＩ
Ｃを取り付けた状態を示す断面図である。

【図１１】そのアウタリ−ド孔部分で切断してプリント
基板に取り付けた状態図である。

【符号の説明】

１０ 絶縁基材 １０ａ ディバイス孔 １０ｂ アウタリ−ド孔 １２ 導体 １２ａ インナリ−ド １２ｂ アウタリ−ド １４ レジストコ−ト １６ 化学研磨液 ２０ レジストコ−ト ２１ 鍍金

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【手続補正書】

【提出日】平成５年１月１８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣテ−プキャリアは、フィルム
状の絶縁基材にディバイス孔とアウタリ−ド孔をあけ、
その絶縁基材上に一定の厚さを有する導体をラミネ−ト
してからフォトレジストコ−ト・露光・エッチング・レ
ジスト除去の工程を経てインナリ−ドとアウタリ−ドを
形成していた。従って、図９に示すように、そのＩＣテ
−プキャリア１におけるインナリ−ド２ａとアウタリ−
ド２ｂは、導体２の厚さそのものであるため当然同じ厚
さとなっていた。そして、インナリ−ド２ａには、図１
０に示すように、ＩＣ３をボンディングして取り付け、
アウタリ−ド孔部分で切断して、図１１に示すように、
アウタリ−ド２ｂをプリント基板４に取り付ける。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体の厚さをインナリ−ド部分だけ薄く
   形成してなる、ＩＣテ−プキャリア。
2. 【請求項２】 フィルム状の絶縁基材にディバイス孔と
   アウタリ−ド孔をあけ、その絶縁基材上に導体をラミネ
   −トしてから前記ディバイス孔対向面を除き前記導体の
   表面にレジストコ−トし、化学研磨液にて前記導体の厚
   さをインナリ−ド部分だけ薄くして後、前記レジストコ
   −トを除去してなる、ＩＣテ−プキャリアの製造方法。
3. 【請求項３】 導体の厚さをアウタリ−ド部分だけ厚く
   形成してなる、ＩＣテ−プキャリア。
4. 【請求項４】 フィルム状の絶縁基材にディバイス孔と
   アウタリ−ド孔をあけ、その絶縁基材上に導体をラミネ
   −トしてからフォトレジストコ−ト・露光・エッチング
   ・レジストコ−ト除去の工程を経てインナリ−ドとアウ
   タリ−ドを形成し、前記アウタリ−ド孔対応部分を除き
   前記導体の表面にレジストコ−トし、鍍金を施して前記
   導体の厚さをアウタリ−ド部分だけ厚く形成して後、前
   記レジストコ−トを除去してなる、ＩＣテ−プキャリア
   の製造方法。