JPH0983111A - 半導体搭載用配線板の製造法 - Google Patents
半導体搭載用配線板の製造法Info
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- JPH0983111A JPH0983111A JP7235292A JP23529295A JPH0983111A JP H0983111 A JPH0983111 A JP H0983111A JP 7235292 A JP7235292 A JP 7235292A JP 23529295 A JP23529295 A JP 23529295A JP H0983111 A JPH0983111 A JP H0983111A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低コストで薄形の熱放散性の良い半導体搭載素
子装置用配線板の製造方法を提供すること。 【解決手段】絶縁基板１の片面に、熱硬化性樹脂の接着
層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、この絶縁基板
１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を重ね、加
熱加圧して積層一体化し、全面に金属めっき５を行な
い、エッチングレジストを設け、エッチングレジストか
ら露出した箇所の銅をエッチング除去して所望のパター
ン６を形成し、次いでめっきレジスト７を設け、レジス
トのない箇所に金属めっき８を行なうこと。
子装置用配線板の製造方法を提供すること。 【解決手段】絶縁基板１の片面に、熱硬化性樹脂の接着
層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、この絶縁基板
１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を重ね、加
熱加圧して積層一体化し、全面に金属めっき５を行な
い、エッチングレジストを設け、エッチングレジストか
ら露出した箇所の銅をエッチング除去して所望のパター
ン６を形成し、次いでめっきレジスト７を設け、レジス
トのない箇所に金属めっき８を行なうこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体搭載素子装
置用配線板の製造法に関する。
置用配線板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路基板は一般に樹脂基板上に銅
箔による回路パターンを形成し、ＩＣチップや抵抗素子
あるいはコンデンサー素子のような電気回路素子を回路
パターンの上に、はんだ等により接着して形成される。
近年、小型の電気製品や電卓あるいはＩＣカード等に代
表されるように回路基板の小型化、特に薄形化の要求が
強くなっている。回路基板を薄くするためには樹脂基板
を薄くしたり、回路部品自体を小型にする方法が行われ
る一方、回路基板への回路部品の実装方法も改良されな
ければならない。同時に、回路基板が小型化すると、回
路素子特に半導体素子のような発熱の大きな素子からの
熱の放散性の高い基板が要求される。
箔による回路パターンを形成し、ＩＣチップや抵抗素子
あるいはコンデンサー素子のような電気回路素子を回路
パターンの上に、はんだ等により接着して形成される。
近年、小型の電気製品や電卓あるいはＩＣカード等に代
表されるように回路基板の小型化、特に薄形化の要求が
強くなっている。回路基板を薄くするためには樹脂基板
を薄くしたり、回路部品自体を小型にする方法が行われ
る一方、回路基板への回路部品の実装方法も改良されな
ければならない。同時に、回路基板が小型化すると、回
路素子特に半導体素子のような発熱の大きな素子からの
熱の放散性の高い基板が要求される。
【０００３】そこで、特開昭６２−３２７６３５号公報
に開示され、図２に示すように、樹脂基板５１の一方の
面に、半導体素子５２が入るような孔５１の途中まで機
械加工によりあけて、その中に半導体素子５２を配置し
て半導体素子５２の端子（ボンディングパット）と回路
パターン５５とをワイヤボンディングする方法が知られ
ている。この公報によれば、孔５３に半導体素子が入る
ので、回路基板全体の高さが低くなる。
に開示され、図２に示すように、樹脂基板５１の一方の
面に、半導体素子５２が入るような孔５１の途中まで機
械加工によりあけて、その中に半導体素子５２を配置し
て半導体素子５２の端子（ボンディングパット）と回路
パターン５５とをワイヤボンディングする方法が知られ
ている。この公報によれば、孔５３に半導体素子が入る
ので、回路基板全体の高さが低くなる。
【０００４】また、特開平４−１６６３６０号公報にも
開示され、図３に示すように、両面銅張ポリイミド樹脂
基板（ガラス布なし）７１の片面に、エッチングレジス
トを設け、エッチングマシンにより所望のパターンを形
成し、次いでパターン形成を行った部分にエキシマレー
ザにより、樹脂を除去し銅箔７２の部分が露出するまで
孔を明けて形成しており、熱放散性の向上と回路基板全
体の高さが低くなる。
開示され、図３に示すように、両面銅張ポリイミド樹脂
基板（ガラス布なし）７１の片面に、エッチングレジス
トを設け、エッチングマシンにより所望のパターンを形
成し、次いでパターン形成を行った部分にエキシマレー
ザにより、樹脂を除去し銅箔７２の部分が露出するまで
孔を明けて形成しており、熱放散性の向上と回路基板全
体の高さが低くなる。
【０００５】また、特開平７−１５０９８号公報に開示
され、図４に示すように、金属箔７０に所望形状の開口
部が形成されているプリプレグ７１を有し、所望形状の
開口部と対応する形状の銅張積層板７３とを、開口部が
対応するように重ね合わせ接着し凹部を形成しており、
熱放散性の向上と回路基板全体の高さが低くなる。
され、図４に示すように、金属箔７０に所望形状の開口
部が形成されているプリプレグ７１を有し、所望形状の
開口部と対応する形状の銅張積層板７３とを、開口部が
対応するように重ね合わせ接着し凹部を形成しており、
熱放散性の向上と回路基板全体の高さが低くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５の従来技術に示す
回路基板は、孔５４をサグリを施した分だけ半導体素子
５２による高さが低くできるので薄形化にはなるもの
の、機械加工により孔５３を明けるために、孔の深さす
なわち基板の薄い部分のバラツキが大きくなる。また、
基板５１の機械的強度を保つために、ある程度の基板の
厚みを残して孔を加工するために、その分、回路基板の
薄形化には限界があった。さらにまた、樹脂基板を介し
て放熱するために熱放散性がそれほど良くならない。
回路基板は、孔５４をサグリを施した分だけ半導体素子
５２による高さが低くできるので薄形化にはなるもの
の、機械加工により孔５３を明けるために、孔の深さす
なわち基板の薄い部分のバラツキが大きくなる。また、
基板５１の機械的強度を保つために、ある程度の基板の
厚みを残して孔を加工するために、その分、回路基板の
薄形化には限界があった。さらにまた、樹脂基板を介し
て放熱するために熱放散性がそれほど良くならない。
【０００７】図６の従来技術に示す回路基板は、レーザ
により凹部を形成するために、その分、基板の薄形化と
銅箔上面まで加工を施すため熱放散性の改良には効果が
あるが、レーザ照射時に単品加工しか出来ないため生産
性が全くない。また、基板に使用される樹脂基板は、ガ
ラスクロスレスのためハンドリング性、実装性に問題が
ある。
により凹部を形成するために、その分、基板の薄形化と
銅箔上面まで加工を施すため熱放散性の改良には効果が
あるが、レーザ照射時に単品加工しか出来ないため生産
性が全くない。また、基板に使用される樹脂基板は、ガ
ラスクロスレスのためハンドリング性、実装性に問題が
ある。
【０００８】図７の従来技術に示す回路基板は、金属箔
に予め開口部を有するプリプレグを接着し、次いで同位
置に開口部を有する銅張積層板を重ね合わせるため、開
口部同士の位置合わせが難しいことと、側面の開口部に
樹脂が露出しているため実装、封止後の吸湿性に問題が
ある。また、プリプレグの開口部を、打ち抜き加工によ
り形成する時、ガラスクロスに含浸された樹脂が脱落
し、構成時金属箔表面に飛び散りが発生することや、樹
脂の脱落により、開口部の接着性に問題がある。
に予め開口部を有するプリプレグを接着し、次いで同位
置に開口部を有する銅張積層板を重ね合わせるため、開
口部同士の位置合わせが難しいことと、側面の開口部に
樹脂が露出しているため実装、封止後の吸湿性に問題が
ある。また、プリプレグの開口部を、打ち抜き加工によ
り形成する時、ガラスクロスに含浸された樹脂が脱落
し、構成時金属箔表面に飛び散りが発生することや、樹
脂の脱落により、開口部の接着性に問題がある。
【０００９】本発明は、低コストで薄形の熱放散性の良
い半導体搭載素子装置用配線板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
い半導体搭載素子装置用配線板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体搭載用配
線板の製造法は、絶縁基板１の片面に、熱硬化性樹脂の
接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、この絶縁
基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を重
ね、加熱加圧して積層一体化し、全面に金属めっき５を
行ない、エッチングレジストを設け、エッチングレジス
トから露出した箇所の銅をエッチング除去して所望のパ
ターン６を形成し、次いでめっきレジスト７を設け、レ
ジストのない箇所に金属めっき８を行なうことを特徴と
する。
線板の製造法は、絶縁基板１の片面に、熱硬化性樹脂の
接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、この絶縁
基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を重
ね、加熱加圧して積層一体化し、全面に金属めっき５を
行ない、エッチングレジストを設け、エッチングレジス
トから露出した箇所の銅をエッチング除去して所望のパ
ターン６を形成し、次いでめっきレジスト７を設け、レ
ジストのない箇所に金属めっき８を行なうことを特徴と
する。
【００１１】
【発明の実施の形態】また、絶縁基板１の片面に、熱硬
化性樹脂の接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設
け、この絶縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、
銅箔４を重ね、加熱加圧して積層一体化し、全面を導電
化処理し、エッチングレジストを設け、エッチングレジ
ストから露出した箇所の導電性物質をエッチング除去し
て所望のパターン６を形成し、電気金属めっき５を行な
い、全面にめっきレジスト７を設け、レジスト以外の全
面に金属めっき８を行なうこともできる。
化性樹脂の接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設
け、この絶縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、
銅箔４を重ね、加熱加圧して積層一体化し、全面を導電
化処理し、エッチングレジストを設け、エッチングレジ
ストから露出した箇所の導電性物質をエッチング除去し
て所望のパターン６を形成し、電気金属めっき５を行な
い、全面にめっきレジスト７を設け、レジスト以外の全
面に金属めっき８を行なうこともできる。
【００１２】また、絶縁基板１の片面に、熱硬化性樹脂
の接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、この絶
縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を重
ね、加熱加圧して積層一体化し、所望形状の貫通孔９を
設け、全面に金属めっき５を行ない、エッチングレジス
トを設け、エッチングレジストから露出した箇所の銅を
エッチング除去して所望のパターン６を形成し、めっき
レジスト７を設け、レジスト以外の全面に金属めっき８
を行なうこともできる。
の接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、この絶
縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を重
ね、加熱加圧して積層一体化し、所望形状の貫通孔９を
設け、全面に金属めっき５を行ない、エッチングレジス
トを設け、エッチングレジストから露出した箇所の銅を
エッチング除去して所望のパターン６を形成し、めっき
レジスト７を設け、レジスト以外の全面に金属めっき８
を行なうこともできる。
【００１３】さらにまた、絶縁基板１の片面に、熱硬化
性樹脂の接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、
絶縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を
重ね、加熱加圧して積層一体化し、所望形状の貫通孔９
を設け、全面に導電化処理を行ない、エッチングレジス
トを設け、エッチングレジストか露出した導電性物質を
エッチング除去して所望のパターン６を形成し、パター
ン６に電気金属めっき５を行ない、めっきレジスト７を
設け、レジスト以外の全面に金属めっき８を行なうこと
もできる。
性樹脂の接着層２を設け、所望形状の貫通孔３を設け、
絶縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層２の上に、銅箔４を
重ね、加熱加圧して積層一体化し、所望形状の貫通孔９
を設け、全面に導電化処理を行ない、エッチングレジス
トを設け、エッチングレジストか露出した導電性物質を
エッチング除去して所望のパターン６を形成し、パター
ン６に電気金属めっき５を行ない、めっきレジスト７を
設け、レジスト以外の全面に金属めっき８を行なうこと
もできる。
【００１４】本発明に用いる、絶縁樹脂は、樹脂と強化
繊維からなるベースと、その表面に設けた熱硬化性樹脂
層とからなるものを用いることが好ましく、このベース
に用いる樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂、ビスマレイミド樹脂から選択されたもので
あり、強化繊維は、ガラス布、ガラス紙、アミド布、ア
ミド紙から選択されたものであることが好ましい。
繊維からなるベースと、その表面に設けた熱硬化性樹脂
層とからなるものを用いることが好ましく、このベース
に用いる樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂、ビスマレイミド樹脂から選択されたもので
あり、強化繊維は、ガラス布、ガラス紙、アミド布、ア
ミド紙から選択されたものであることが好ましい。
【００１５】また、接着層は、ガラスクロスレス用シリ
コン樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、あるい
はポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。
コン樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、あるい
はポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。
【００１６】金属めっきとしては、無電解銅、無電解
錫、無電解ニッケル、ダイレクトプレーティング処理、
電気硫酸銅、電気ピロ銅を用いることが好ましい。
錫、無電解ニッケル、ダイレクトプレーティング処理、
電気硫酸銅、電気ピロ銅を用いることが好ましい。
【００１７】導電化処理としては、ＤＭＳ処理（ピロー
ルモノマ）、パラジウム処理、カーボン処理を用いるこ
とが好ましい。
ルモノマ）、パラジウム処理、カーボン処理を用いるこ
とが好ましい。
【００１８】
実施例１ 図１に示すように、エポキシ樹脂ガラス布基材積層板で
あるＭＣＬ−Ｅ６７９（日立化成工業株式会社製、商品
名）の片面に、熱硬化性樹脂であるＧＦ−３５００（日
立化成工業株式会社製、商品名）をラミネーターで仮圧
着し、さらにＮ／Ｃマシンを用いて貫通孔明けを行い、
その上面に銅箔であるＹＧＲ−１２（日本電解株式会社
製、商品名）を重ね、真空プレスを使用して、圧力２９
４×１０４Ｐａ（３０kgf/cm2）、温度１７５℃、保持
時間６０分の条件で、加熱して積層し、次いでスルーホ
ールクリーニング処理と電気めっき（２０μｍ）を行な
った後、さらにソフトエッチングマシンを用いて、化学
研磨を行い、また、その銅箔表面に厚さ２５μｍの紫外
線硬化型レジストフィルムであるＨ−Ｋ４２５（日立化
成工業株式会社製、商品名）をラミネーターで圧着し、
さらにその上面にネガ型マスクを置き紫外線露光装置で
配線パターンを焼き付けた。次いで、炭酸ナトリウム水
溶液で現像し、塩化第二鉄エッチングマシンを用いて、
レジスト剥離機でレジスト剥離し、次いで液状レジスト
を印刷及び現像し回路に絶縁層を形成し、さらに、レジ
スト以外のパターンに電気ニッケル・金めっきを施し、
次いで、ルータマシンにより、外形加工を施した。
あるＭＣＬ−Ｅ６７９（日立化成工業株式会社製、商品
名）の片面に、熱硬化性樹脂であるＧＦ−３５００（日
立化成工業株式会社製、商品名）をラミネーターで仮圧
着し、さらにＮ／Ｃマシンを用いて貫通孔明けを行い、
その上面に銅箔であるＹＧＲ−１２（日本電解株式会社
製、商品名）を重ね、真空プレスを使用して、圧力２９
４×１０４Ｐａ（３０kgf/cm2）、温度１７５℃、保持
時間６０分の条件で、加熱して積層し、次いでスルーホ
ールクリーニング処理と電気めっき（２０μｍ）を行な
った後、さらにソフトエッチングマシンを用いて、化学
研磨を行い、また、その銅箔表面に厚さ２５μｍの紫外
線硬化型レジストフィルムであるＨ−Ｋ４２５（日立化
成工業株式会社製、商品名）をラミネーターで圧着し、
さらにその上面にネガ型マスクを置き紫外線露光装置で
配線パターンを焼き付けた。次いで、炭酸ナトリウム水
溶液で現像し、塩化第二鉄エッチングマシンを用いて、
レジスト剥離機でレジスト剥離し、次いで液状レジスト
を印刷及び現像し回路に絶縁層を形成し、さらに、レジ
スト以外のパターンに電気ニッケル・金めっきを施し、
次いで、ルータマシンにより、外形加工を施した。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、熱放散性、吸湿性、ハンドリング性、薄型化性、成
形精度に優れた半導体搭載素子装置用配線板を効率的に
製造する方法を提供することができた。
て、熱放散性、吸湿性、ハンドリング性、薄型化性、成
形精度に優れた半導体搭載素子装置用配線板を効率的に
製造する方法を提供することができた。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来例を説明するための断面図である。
【図３】他の従来例を説明するための断面図である。
【図４】さらに他の従来例を説明するための断面図であ
る。
る。
５１、７１、７３ 絶縁樹脂基板 ５２ 半導体素子 ５３ 孔 ５４ ザグリ加工 ５５ パターン ７２、８０ 銅箔 ８１ プリプレグ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年９月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 孝 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板(1)の片面に、熱硬化性樹脂の接
着層(2)を設け、所望形状の貫通孔(3)を設け、この絶縁
基板(1)の熱硬化性樹脂の接着層(2)の上に、銅箔(4)を
重ね、加熱加圧して積層一体化し、全面に金属めっき
(5)を行ない、エッチングレジストを設け、エッチング
レジストから露出した箇所の銅をエッチング除去して所
望のパターン(6)を形成し、次いでめっきレジスト(7)を
設け、レジストのない箇所に金属めっき(8)を行なうこ
とを特徴とする半導体搭載用配線板の製造法。 - 【請求項２】絶縁基板(1)の片面に、熱硬化性樹脂の接
着層(2)を設け、所望形状の貫通孔(3)を設け、この絶縁
基板(1)の熱硬化性樹脂の接着層(2)の上に、銅箔(4)を
重ね、加熱加圧して積層一体化し、全面を導電化処理
し、エッチングレジストを設け、エッチングレジストか
ら露出した箇所の導電性物質をエッチング除去して所望
のパターン(6)を形成し、電気金属めっき(5)を行ない、
全面にめっきレジスト(7)を設け、レジスト以外の全面
に金属めっき(8)を行なうことを特徴とする半導体搭載
用配線板の製造法。 - 【請求項３】絶縁基板(1)の片面に、熱硬化性樹脂の接
着層(2)を設け、所望形状の貫通孔(3)を設け、この絶縁
基板(1)の熱硬化性樹脂の接着層(2)の上に、銅箔(4)を
重ね、加熱加圧して積層一体化し、所望形状の貫通孔
(9)を設け、全面に金属めっき(5)を行ない、エッチング
レジストを設け、エッチングレジストから露出した箇所
の銅をエッチング除去して所望のパターン(6)を形成
し、めっきレジスト(7)を設け、レジスト以外の全面に
金属めっき(8)を行なうことを特徴とする半導体搭載用
配線板の製造法。 - 【請求項４】絶縁基板(1)の片面に、熱硬化性樹脂の接
着層(2)を設け、所望形状の貫通孔(3)を設け、絶縁基板
(1)の熱硬化性樹脂の接着層(2)の上に、銅箔(4)を重
ね、加熱加圧して積層一体化し、所望形状の貫通孔(9)
を設け、全面に導電化処理を行ない、エッチングレジス
トを設け、エッチングレジストか露出した導電性物質を
エッチング除去して所望のパターン(6)を形成し、パタ
ーン(6)に電気金属めっき(5)を行ない、めっきレジスト
(7)を設け、レジスト以外の全面に金属めっき(8)を行な
うことを特徴とする半導体搭載素子装置用プリント配線
板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7235292A JPH0983111A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 半導体搭載用配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7235292A JPH0983111A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 半導体搭載用配線板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983111A true JPH0983111A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16983957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7235292A Pending JPH0983111A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 半導体搭載用配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088477A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | キャビティを備えた基板の製造方法 |
| JP2010507237A (ja) * | 2006-10-12 | 2010-03-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置 |
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1995
- 1995-09-13 JP JP7235292A patent/JPH0983111A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088477A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | キャビティを備えた基板の製造方法 |
| JP4648277B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-03-09 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャビティを備えた基板の製造方法 |
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