JPH0650714A - 半導体装置の位置検出機構 - Google Patents
半導体装置の位置検出機構Info
- Publication number
- JPH0650714A JPH0650714A JP20282492A JP20282492A JPH0650714A JP H0650714 A JPH0650714 A JP H0650714A JP 20282492 A JP20282492 A JP 20282492A JP 20282492 A JP20282492 A JP 20282492A JP H0650714 A JPH0650714 A JP H0650714A
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- Japan
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- semiconductor device
- light
- detecting mechanism
- position detecting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】搬送中に振動等により加工すべき位置にずれる
ことなく半導体装置７を位置決めする。 【構成】加工（捺印）すべき位置に送られる半導体装置
７の外郭体における平端部及び型抜き勾配部（端面）に
光スポットを投射するレーザダイオード１及び光学系部
２と、これら部分より反射する光を補足する受光部５ａ
とを設け、移動する半導体装置７からの反射光４の強度
差を検知して半導体装置７がレーザヘッド９の真下に来
たことを認識する。
ことなく半導体装置７を位置決めする。 【構成】加工（捺印）すべき位置に送られる半導体装置
７の外郭体における平端部及び型抜き勾配部（端面）に
光スポットを投射するレーザダイオード１及び光学系部
２と、これら部分より反射する光を補足する受光部５ａ
とを設け、移動する半導体装置７からの反射光４の強度
差を検知して半導体装置７がレーザヘッド９の真下に来
たことを認識する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一方向から順次搬送さ
れる樹脂封止型半導体装置の位置を、検出する半導体装
置の位置検出機構に関する。
れる樹脂封止型半導体装置の位置を、検出する半導体装
置の位置検出機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置の位置検出機構
の一例を説明するためのレーザマーカの主要部を示す
図、図５は図４の変位型センサの動作を説明するための
模式図である。従来、この種の半導体装置位置検出機構
は、例えば、図４に示すレーザマーカに適用されてい
た。
の一例を説明するためのレーザマーカの主要部を示す
図、図５は図４の変位型センサの動作を説明するための
模式図である。従来、この種の半導体装置位置検出機構
は、例えば、図４に示すレーザマーカに適用されてい
た。
【０００３】この半導体装置の位置検出機構は、レーザ
ヘッド９に隣接して設けられた変位型センサ１１を有し
ていた。この変位型センサ１１は半導体装置７の樹脂外
郭体より大きく、数珠つなぎで一方向に送られる半導体
装置の樹脂外郭体を検出するのに、この変位型センサ１
１の真下に送られてきたときに検出していた。従ってレ
ーザヘッド９の下に送られたとき、検出信号を受けた制
御回路６は所定のタイムラグでレーザヘッド９を動作さ
せ、レーザビーム１０を発生させ、半導体装置７ａの樹
脂外郭再に捺印加工を施していた。
ヘッド９に隣接して設けられた変位型センサ１１を有し
ていた。この変位型センサ１１は半導体装置７の樹脂外
郭体より大きく、数珠つなぎで一方向に送られる半導体
装置の樹脂外郭体を検出するのに、この変位型センサ１
１の真下に送られてきたときに検出していた。従ってレ
ーザヘッド９の下に送られたとき、検出信号を受けた制
御回路６は所定のタイムラグでレーザヘッド９を動作さ
せ、レーザビーム１０を発生させ、半導体装置７ａの樹
脂外郭再に捺印加工を施していた。
【０００４】この変位型センサの動作は、図５に示すよ
うに、半導体装置７ａの外郭体の面に検出用レーザ光３
を角度θだけ傾むけて照射し、入光面を入射角θと同じ
角度に傾むけたリニアイメージセンサ１２で反射光４ａ
を入光し、半導体装置７ｂがあることを確定している。
そして半導体装置７ｂの外郭体の上面で反射する反射光
４ａと外郭体の傾斜面にさしかかる部分で反射する反射
光４ｂの位置の差を利用して送られる半導体装置７ｂの
端面を検出し、半導体装置７ｂの位置を検出していた。
うに、半導体装置７ａの外郭体の面に検出用レーザ光３
を角度θだけ傾むけて照射し、入光面を入射角θと同じ
角度に傾むけたリニアイメージセンサ１２で反射光４ａ
を入光し、半導体装置７ｂがあることを確定している。
そして半導体装置７ｂの外郭体の上面で反射する反射光
４ａと外郭体の傾斜面にさしかかる部分で反射する反射
光４ｂの位置の差を利用して送られる半導体装置７ｂの
端面を検出し、半導体装置７ｂの位置を検出していた。
【０００５】このように、半導体装置７ｂの検出信号に
より制御回路６に入力し、タイムラグをもたせて出力に
よりレーザヘッド９を動作させ、レーザビーム１０を半
導体装置７ａの樹脂外郭体に照射し、捺印加工を行って
いた。
より制御回路６に入力し、タイムラグをもたせて出力に
よりレーザヘッド９を動作させ、レーザビーム１０を半
導体装置７ａの樹脂外郭体に照射し、捺印加工を行って
いた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の位置検出機構では、半導体装置の外郭体が小さくなる
と、変位型センサの幅の半分に完全に隠れてしまう程に
なる。制御回路６のディレイ機能によってレーザ捺印を
行っているものの、加工場所まで移動距離が長くなり、
半導体装置が搬送中に振動等により位置ずれを起し、し
ばしば外郭体の所定位置に捺印が出来なくなる問題が発
生する。
の位置検出機構では、半導体装置の外郭体が小さくなる
と、変位型センサの幅の半分に完全に隠れてしまう程に
なる。制御回路６のディレイ機能によってレーザ捺印を
行っているものの、加工場所まで移動距離が長くなり、
半導体装置が搬送中に振動等により位置ずれを起し、し
ばしば外郭体の所定位置に捺印が出来なくなる問題が発
生する。
【０００７】本発明の目的は、半導体装置を正確に位置
決めできる半導体装置の位置検出機構を提供することで
ある。
決めできる半導体装置の位置検出機構を提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における第１の半
導体装置の位置検出機構は、一方向に数珠つなぎに搬送
される半導体装置の外郭体に光スポットを投射する単色
光投射手段と、この外郭体より反射する単色光を補足す
る受光部とを備え、前記光スポットが移動する前記半導
体装置の外郭体の平坦部から型抜き勾配部に移行する際
に前記受光部の入力する光強度差を検知することを特徴
としている。
導体装置の位置検出機構は、一方向に数珠つなぎに搬送
される半導体装置の外郭体に光スポットを投射する単色
光投射手段と、この外郭体より反射する単色光を補足す
る受光部とを備え、前記光スポットが移動する前記半導
体装置の外郭体の平坦部から型抜き勾配部に移行する際
に前記受光部の入力する光強度差を検知することを特徴
としている。
【０００９】また第２の半導体装置の位置検出機構は、
前記光スポットの形状が前記半導体装置の一辺と平行方
向に長い長方形であることを特徴としている。
前記光スポットの形状が前記半導体装置の一辺と平行方
向に長い長方形であることを特徴としている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の半導体装置の位置検出機構
の一実施例における構成を示す図である。この半導体装
置の位置検出機構は、図１に示すように、半導体装置７
の外郭体の上面に斜めに検出用レーザ光３を照射される
ように配置されるレーザダイオード１と、このレーザダ
イオード１の光軸を一致させ検出用レーザ光を収束する
光学系部２と、外郭体より反射する反射光を補足する受
光部５ａを備えている。
の一実施例における構成を示す図である。この半導体装
置の位置検出機構は、図１に示すように、半導体装置７
の外郭体の上面に斜めに検出用レーザ光３を照射される
ように配置されるレーザダイオード１と、このレーザダ
イオード１の光軸を一致させ検出用レーザ光を収束する
光学系部２と、外郭体より反射する反射光を補足する受
光部５ａを備えている。
【００１２】次に、この半導体装置の位置検出機構の動
作について説明する。まず、発光源であるレーザダイオ
ード１にて光学系部２で絞り込んだ検出用レーザ光３を
半導体装置７の外郭体に照射する。このことにより反射
光の垂直方向成分の反射光４と受光部５で検出して制御
回路６に転送する。次に、搬送部８により半導体装置７
が移動し、検出用レーザ光３が半導体装置７の外郭体に
おける角部の斜面に投射されると、垂直方向成分の反射
光が減り、受光部５の受光量が減少する。そしてこの受
光量のレベル差を半導体装置の端面として信号を制御回
路６に出力する。次に、この検知信号により制御回路６
はレーザヘッド９を動作させ、検出した位置の半導体装
置７にレーザビーム１０を照射し捺印を行う。
作について説明する。まず、発光源であるレーザダイオ
ード１にて光学系部２で絞り込んだ検出用レーザ光３を
半導体装置７の外郭体に照射する。このことにより反射
光の垂直方向成分の反射光４と受光部５で検出して制御
回路６に転送する。次に、搬送部８により半導体装置７
が移動し、検出用レーザ光３が半導体装置７の外郭体に
おける角部の斜面に投射されると、垂直方向成分の反射
光が減り、受光部５の受光量が減少する。そしてこの受
光量のレベル差を半導体装置の端面として信号を制御回
路６に出力する。次に、この検知信号により制御回路６
はレーザヘッド９を動作させ、検出した位置の半導体装
置７にレーザビーム１０を照射し捺印を行う。
【００１３】このように、加工すべき位置に移動したと
きに位置を検出することによって、検出する位置と加工
する位置が一致し、途中の移動による位置ずれが無くな
る。また、モールド成形された半導体装置の樹脂外郭体
における型抜き勾配はばらつきが少く、反射光の変化が
急峻であることから、位置の検出のばらつきは無い。
きに位置を検出することによって、検出する位置と加工
する位置が一致し、途中の移動による位置ずれが無くな
る。また、モールド成形された半導体装置の樹脂外郭体
における型抜き勾配はばらつきが少く、反射光の変化が
急峻であることから、位置の検出のばらつきは無い。
【００１４】図２及び図３は本発明の半導体装置の位置
検出機構の他の実施例を説明するための検出用レーザ光
のスポット形状を示す図である。前述の実施例では、検
出用レーザ光３がななめの位置から出射するために、半
導体装置７の外郭体面に照射されるレーザ光スポット３
ａの形状は楕円である。従って、図２に示すように、半
導体装置７の平坦部の間隔が広い場合では、検出用レー
ザ光３が半導体装置間の谷間に落ちるために垂直方向の
反射光が減り受光量が減るのでその受光量の減るレベル
差で端面として容易に検出することができる。しかし、
図３に示すように、半導体装置の間隔の狭い場合では、
楕円形状のレーザ光スポット３ａでは、受光量のレベル
差が少なくなるので検出が困難になる。そこで図３に示
すように、検出用レーザ光を例えば、シリンドリカルレ
ンズにより収束し、長方形状のレーザ光スポット３ｂに
すれば、半導体装置端面を検出するのに十分な、受光量
のレベル差を得る事ができ容易に検出できる。
検出機構の他の実施例を説明するための検出用レーザ光
のスポット形状を示す図である。前述の実施例では、検
出用レーザ光３がななめの位置から出射するために、半
導体装置７の外郭体面に照射されるレーザ光スポット３
ａの形状は楕円である。従って、図２に示すように、半
導体装置７の平坦部の間隔が広い場合では、検出用レー
ザ光３が半導体装置間の谷間に落ちるために垂直方向の
反射光が減り受光量が減るのでその受光量の減るレベル
差で端面として容易に検出することができる。しかし、
図３に示すように、半導体装置の間隔の狭い場合では、
楕円形状のレーザ光スポット３ａでは、受光量のレベル
差が少なくなるので検出が困難になる。そこで図３に示
すように、検出用レーザ光を例えば、シリンドリカルレ
ンズにより収束し、長方形状のレーザ光スポット３ｂに
すれば、半導体装置端面を検出するのに十分な、受光量
のレベル差を得る事ができ容易に検出できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、加工すべ
き位置に送られる半導体装置の外郭体における平坦部及
び型抜き勾配部に光スポットを照射する単色光投射手段
と、この光スポットの反射光を捕捉し、前記平坦部と前
記型抜き勾配部における反射光の強度差を検知して前記
半導体装置が前記加工位置にあること認識することによ
って、加工位置にずれることなく位置決めできるという
効果がある。
き位置に送られる半導体装置の外郭体における平坦部及
び型抜き勾配部に光スポットを照射する単色光投射手段
と、この光スポットの反射光を捕捉し、前記平坦部と前
記型抜き勾配部における反射光の強度差を検知して前記
半導体装置が前記加工位置にあること認識することによ
って、加工位置にずれることなく位置決めできるという
効果がある。
【図１】本発明の半導体装置の位置検出機構の一実施例
を説明するための構成を示す図である。
を説明するための構成を示す図である。
【図２】図１の検出用レーザ光のスポット形状を示す図
である。
である。
【図３】本発明の半導体装置の位置検出機構の他の一実
施例を説明するための検出用レーザ光のスポット形状を
示す図である。
施例を説明するための検出用レーザ光のスポット形状を
示す図である。
【図４】従来の変位型センサの動作を説明するための模
式図である。
式図である。
【図５】図４の変位型センサの動作を説明するための模
式図である。
式図である。
１ レーザダイオード ２ 光学系部 ３ 検出用レーザ光 ３ａ，３ｂ レーザ光スポット ４，４ａ，４ｂ 反射光 ５ａ 受光部 ５ｂ 受光面 ６ 制御回路 ７，７ａ，７ｂ 半導体装置 ８ 搬送部 ９ レーザヘッド １１ 変位型センサ
Claims (2)
- 【請求項１】 一方向に数珠つなぎに搬送される半導体
装置の外郭体に光スポットを投射する単色光投射手段
と、この外郭体より反射する単色光を補足する受光部と
を備え、前記光スポットが移動する前記半導体装置の外
郭体の平坦部から型抜き勾配部に移行する際に前記受光
部の入力する光強度差を検知することを特徴とする半導
体装置の位置検出機構。 - 【請求項２】 前記光スポットの形状が前記半導体装置
の一辺と平行方向に長い長方形であることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の位置検出機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20282492A JP2817525B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置の位置検出機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20282492A JP2817525B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置の位置検出機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0650714A true JPH0650714A (ja) | 1994-02-25 |
| JP2817525B2 JP2817525B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=16463802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20282492A Expired - Fee Related JP2817525B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置の位置検出機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2817525B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182133A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Nec Electronics Corp | レーザ捺印方法および捺印システム |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20282492A patent/JP2817525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182133A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Nec Electronics Corp | レーザ捺印方法および捺印システム |
| JP4543048B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2010-09-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | レーザ捺印方法および捺印システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2817525B2 (ja) | 1998-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980721 |
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