JPH06507090A - パルス形成回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 パルス形成回路 発明の分野 本発明は電気的パルスを形成するための回路に係わる。さらに詳しくは一定の振 幅、長さ及び形成を有する電気的パルスを形成するための回路に係わる。

発明の背景 電気的パルスは抵抗器、コンデンサ、及びインダクタ、いわゆるＲＬＣ回路を利 用することによって所要の立上がり／立下がりパターン、振幅、及び長さを有す るパルスを形成することによって形成するのが普通である。特に比較的大きい電 圧または電流のパルスを必要とする場合、この種の公知回路の短所の１つはこの 回路の構成に必要な部品のサイズ及び重量であった。この公知ＲＬＣ回路はその サイズ及び重量の点で、比較的小さい設備または設備の総重量を極力軽くしなけ ればならない場合には不適当である。例えば、細動除去装置に組込まれるパルス 形成回路を軽量化及び小型化できれば細動除去装置の携帯性を、従って利用度を その分だけ高めることができる。

従って、比較的小型軽量のソリッドステート・デバイスを利用し、高い信頼度で 所要の電流波形を有するパルスを繰返し形成することのできる新規の波整形回路 が切実に望まれて要約すれば、種々の実施例において、本発明は負荷へ供給され る電気的パルスを形成するため電源と負荷の間に例えばサーミスタのような感温 抵抗器を利用する。抵抗器の温度／抵抗特性は抵抗器の温度に応じてパルスの形 状が一定の態様で変化するように選択される。本発明の一実施例においては、負 荷として細動除去を必要とする患者の経胸インピーダンスを想定することができ る。

図面の簡単な説明 本発明そのものは本明細書の一部を形成する請求の範囲に記述しである。ただし 、本発明の種々の実施例の構造及び作用は添付図面に沿った以下の詳細な説明か ら明らかになるであろう。添付図面において、 図１は本発明の一実施例の模式図、 図２は図１に示した回路によって形成されるパルスの典型的な経時電流変化を示 すグラフ、 図３は本発明の第２実施例の模式図、 図３ａは本発明の第３実施例の模式図、図４は図３に示した回路によって形成さ れるパルスの典型的な経時電流変化を示すグラフ、 図５は本発明の第４実施例の模式図、 図６は図５に示した回路によって形成されるパルスの典型的な経時電流変化を示 すグラフ、 図７は本発明の種々の実施例において使用されるサーミスタの正面及び背面に取 付けられるヒートシンクの側面図、図８は図７に示したヒートシンク及びサーミ スタの正面図、図９は本発明の第５実施例の模式図、 図１０は図９に示した回路によって形成されるパルスの典型的な経時変化を示す グラフ、 図１１は本発明の種々の実施例の１つを組込むように構成された細動除去装置の 模式図である。

好ましい実施例の詳細な説明 図１は本発明の回路の第１実施例を模式的に示す。この回路は正端子が第１常開 スイツチ４を介してコンデンサ６の一方の側と接続し、負端子が前記コンデンサ ６の他方の側と接続するＤＣ電源２を含む。コンデンサ６と並列に第２常開スイ ツチ８、サーミスタ１０、及び抵抗素子１２によって表わされる負荷が接続して いる。サーミスタ１０は自己加熱型熱作用抵抗性デバイスである。サーミスタ１ ０はその温度が上昇すると抵抗値が低下する負温度係数を有するように選択され る。素子１２によって表わされる負荷は原則として本発明の回路の一部を形成せ ず、従って図面では本発明の回路が抵抗性負荷と接続する態様を示すにとどめた 。

本発明の一実施例ではペンシルバニア州セントメアリーズ市１５８５７　に所在 のＫｅ７ｓｔｏｎｅ　Ｃａｒｂｏｎ　Ｃｏｍｐａｎ７の製品Ｍ　ｏ　ｄ　ｅ　Ｉ Ｎｏ、　ＣＬ　−７０のような３個の直列接続サーミスタをサーミスタ１０とし て使用して所期の成果を得ることができる。この実施例におけるコンデンサ６は ３７．５ｍ　Ｆコンデンサであり、約４．２００Ｖの電荷が蓄積される。これら の回路素子は患者インピーダンスを約５０オームと想定して選択する。

図１に示した回路の動作を図１及び２に沿って説明する。

スイッチ４が閉じると、コンデンサ６は電源の電圧及びスイッチ閉成時間によっ て決定される値まで充電される。次いでスイッチ４が開放され、スイッチ８が閉 じる。スイッチ８が閉じると、コンデンサ６の電荷がサーミスタ１０及び負荷１ ２の直列回路に印加される。初期の段階ではサーミスタ１０の抵抗値が比較的高 いから、負荷１２への電流が比較的低い。

しかし、初期電流がサーミスタの温度を急上昇させることによってその抵抗値を 低下させ、サーミスタを流れる電流を上昇させる。サーミスタの温度が上昇し続 けるのに伴なって電流が経時的に増大する。サーミスタの抵抗値変化速度、従っ て、図２に波形にで示すように、パルスによって供給される電流の大きさの変化 は使用されるサーミスタの温度／抵抗特性及び使用されるサーミスタの熱容量に よって決定される。

サーミスタの温度はコンデンサ６の電荷量によって決定される最大電流値に達す るまで上昇し続ける。コンデンサがサーミスタ及び負荷１２を介して放電し続け るのに従ってこれらの素子を流れる電流が低下する。

パルスによって供給される電流に対するサーミスタ１０の影響を、負荷を流れる 電流を経時的にプロットしたグラフとして図２に示した。スイッチ８が閉じるや 否や、負荷１２を流れる電流はサーミスタ１０及び負荷１２の初期抵抗値によっ て決定される有限値まで飛躍する。スイッチ８は閉じたままであるから、最大値 に達するまで電流が増大し続ける。この増大はサーミスタ１０の低下する抵抗値 に起因する。同時にコンデンサ６の電荷が低下し、一定の時点において負荷を流 れる電流が最大値に達し、次いで低下する。その結果形成される図２にＫで示し た電流波形は減衰正弦波に近い波形である。

細動除去装置の場合、おそらくその他の用途においても、ピーク電流値に達した 直後に負荷電流（細動除去装置の場合なら患者電流）をゼロまで低下させること が望ましいと考えられる。負荷電流のこのような急低下を達成するためには、図 ３に示す本発明の実施例が開発された。図３に示す回路は負荷と並列に第２サー ミスタ１４を接続することを除けば図１に示し、かつ図１に沿って説明した回路 と全く同じである。

サーミスタ１４は負の抵抗係数を有するから、サーミスタの温度上昇に伴なって これを流れる電流が増大する。図３に示す回路実施例はペンシルバニア州セント メリアーズ市に所在のＫｅ７ｓｔｏｎｅ　Ｃａｒｂｏｎ　Ｃｏｍｐａｎ７の製品 Ｍｏｄｅｌ　Ｎｏ、ＣＬ　−７０のような３個の直列接続サーミスタをサーミス タ１４として使用して所期の成果を得ることができる。

パルスによって供給される電流に対する図３に示す回路の影響を、ここでも負荷 を流れる電流を経時的にプロットしたグラフとして図４に示した。サーミスタ１ ０と負荷の相互作用は図１の回路の場合とほぼ同じ態様で行われる。初期段階で はサーミスタ１４の値は負荷の抵抗値よりもはるかに大きいから、電流波形して 示すように、パルスの初期部分において電流の大部分が負荷を流れる。しかし、 パルスの継続に伴なってサーミスタ１４が加熱され、その抵抗値が低下し、サー ミスタが負荷から電流を分流させ始める。パルスの終りにはサーミスタ１４の抵 抗値は負荷の抵抗値よりもはるかに低く、従ってサーミスタはコンデンサに残留 しているエネルギーのほとんどすべてを負荷から分流させる。

場合によっては、回路によって供給される電流の大きさを他の構成を採用した場 合よりも迅速に低下させるため公知のＲＬＣ回路にサーミスタ１４を採用するの が好ましい場合もある。即ち、公知のＲＬＣ回路にサーミスタ１４を採用するこ とにより図３に示した回路との関連で上述した分流機能を行うことができる。図 ３ａはコンデンサ６から放出されるエネルギーの残留部分を図３の回路に関して 述べたように負荷から分流させるように負荷と並列にサーミスタ１４を接続した 公知のＲＬＣ回路を示す。図３ａに示す回路はサーミスタ１０の代りにインダク タ１５を使用する点だけが図３の回路と異なる。図３ａの回路によって供給され るパルスの電流は電流が比較的低い初期の大きさから上昇することを除けばほぼ 図４に示す波形りに従って立上がりかつ立下がる。

図５及び図６に示すように、状況によっては公知の細動除去装置に組込まれてい るような従来型のＲＬＣパルス発生回路によって形成される減衰正弦波を図１及 び図３に示す回路よりももっと正確にシミュレートする必要がある。このために 開発されたのが図５に示す回路３０である。回路３０はスイッチ８とサーミスタ １０の間に誘導素子３２を直列接続したことを除けば図１の回路と同じである。

本発明の実施例では誘導素子３２は１０ｍＨインダクタである。

図６に電流波形Ｍで示すように、回路３０によって形成されるパルスが供給する 電流の大きさは図１及び図３に示す回路によって形成されるパルスが供給する電 流の大きさよりもゆっくりと増大する。状況によってはパルスによって供給され る電流の大きさがこのようにゆっくりと増大することが望ましい。例えば、回路 ３０を細動除去装置に組込み、回路から発生するパルスを患者の心臓の細動を除 去する目的で患者に供給する場合、医学的な条件として、パルスによって供給さ れる電流が余り急激にピーク値まで増大しないことが望ま□しい場合がある。

図３に示す回路に誘導素子３２を採用することもできる。

この場合、スイッチ８とサーミスタ１０の間に直列に誘導素子３２をも接続する 。

図５に示す回路３０は誘導素子３２を含むため、図１及び図３に示す回路よりも やや重く、コストも高くつく。とはいえ、定格が２０ｍＨないし５０ｍＨの少な くとも１つの誘導素子を含むのが普通の公知ＲＬＣパルス形成回路はど重くもな ければ高コストでもない。場合によっては図１及び図３に示す回路または公知Ｒ ＬＣ回路の代りに図５に示す回路３０を使用することによって軽量化及びコスト 軽減と回路の性能との間の理想的なバランスを達成することができる。

次に図７及び図８に関連のものは、細動除去パルスなどを短い連続時間ずつ繰返 し患者または負荷に加えねばならない場合に望ましい。状況によっては、図１２ 図３及び図５に示す上記回路におけるサーミスタ１０及び１４が図２２図４及び 図６に示す上記電流波形を有するパルスの発生を妨げるほどの残留熱をパルス間 に保持することがある。サーミスタが残留熱を保持する程度はパルスの周波数、 サーミスタの温度／抵抗特性、及びサーミスタの配置環境に応じて異なる。

この熱保持を極力少なくしてパルス周波数を高めるためには、サーミスタ１０及 び１４にヒートシンク５０を取付ければよい。各ヒートシンク５０は一体的なベ ースプレート５３を介してサーミスタの前後面に取付けられる複数のひれ部材５ ２を含む。この取付けは熱伝導性接着剤５４、例えば適当なエポキシを使用する ことによって達成される。ヒートシンク５０は熱伝導率の高い、例えばアルミニ ウムのような材料から成る。サーミスタ１０及び１４にヒートシンク５０を付加 することによってサーミスタは迅速に、典型的には約５秒以内に冷却され、迅速 なパルス印加を可能にする。

図９及び図１０に関連のものは、最近実施した実験及び臨床試験において２相ま たは交流波形を有する細動除去パルスを形成するように構成した細動除去装置に 使用した。この波形は正の極性を有する東１部分と負の極性を有する第２部分を 特徴とし、図１０に示す波形Ｎとほぼ同じである。２相波形を有する細動除去パ ルスを形成し、図１１図３２図３ａ及び図５に示した回路と同様に小型化、軽量 化される回路６０を図９に示した。

回路６０は電源２、スイッチ４，８．及びコンデンサ６を含むことでは図１の回 路と同様である。さらに回路６０が接続されて構成される抵抗性負荷を抵抗素子 １２で表わしである。抵抗素子１２の一方の側を参照番号６６で示し、他方の側 を参照番号６８で示す。回路６０はサーミスタ１０の代りにサーミスタ７２，７ ４，７６．７８を含むという点で図１の回路と異なる。サーミスタ７２．７８は 正温度係数サーミスタであり、サーミスタ７４．７６は負温度係数サーミスタで ある。サーミスタ７２〜７８はブリッジ状に抵抗素子１２と接続し、サーミスタ ７２はスイッチ８と抵抗素子１２の側６６の間に接続され、サーミスタ７４はス イッチ８と抵抗素子１２の側６８の間に接続され、サーミスタ７６は抵抗素子１ ２の側６６と電源２の負極側の間に接続され、サーミスタ７８は抵抗素子１２の 側６８と電源２の負極側の間に接続されている。サーミスタ７２〜７８はサーミ スタが周囲温度、例えば２５℃の環境にあるサーミスタ７４．７２について、サ ーミスタ７４の抵抗値がサーミスタ７２の抵抗値よりも低（、またサーミスタ７ ６．７８が周囲温度であるときはサーミスタ７６の抵抗値がサーミスタ７８の抵 抗値よりも低くなるように設定される。さらに、作用温度のほぼ全範囲にわたっ てサーミスタ７４．７６がほぼ同じ抵抗値を有し、同様にサーミスタ７２．７８ が作用温度のほぼ全範囲にわたってほぼ同じ抵抗値を有するようにサーミスタを 設定する。

サーミスタ７２〜７８がブリッジを形成し、上記温度／抵抗特性を有するから、 周囲温度においてスイッチ８が閉成されると、サーミスタ７４、抵抗素子１２（ 即ち、抵抗性負荷）、次いでサーミスタ７６を通過する電流路ｉ　（図９）に沿 ってコンデンサ６から電流が流れる。この電流がサーミスタ７４．７６を通過し ながらこれらのサーミスタを急速に加熱し、その結果、このサーミスタの抵抗値 が急激に増大する。この抵抗値増大の結果、サーミスタ７４．７６を介して抵抗 性負荷へ供給される電流の大きさは図１０に示すように経時的に低下する。この 抵抗値増大と電流低下はサーミスタ７４の抵抗値がサーミスタ７２の抵抗値より も大きくなり、サーミスタ７６の抵抗値がサーミスタ７８の抵抗値よりも大きく なるまで継続する。この時点でコンデンサ６から供給される電流は、サーミスタ ７２から逆方向に抵抗性負荷１２を通りさらにサーミスタ７８を通過する電流路 ｉ　（図９）に沿って流れる。即ち、負温度係数サーミスタ７４．７６の抵抗値 が正温度係数サーミスタ７２．７８の抵抗値よりも大きくなった瞬間、抵抗素子 １２を通過する電流の方向が変わる。即ち、負荷を通過する電流が負になる。コ ンデンサ６の電荷残留部分が放出されると、波形の電流振幅がゼロ振幅レベルに 指数関数的に近づいて、電流振幅は経時的に負成分が消滅する。

従って、回路６０に使用するサーミスタ７２〜７８の熱／抵抗係数を適正に選択 することにより、図１０に示す２相波形Ｎを発生させることができる。波形Ｎの 具体的形状はサーミスタ７２〜７８を適当に選択することにより回路６０の用途 に正確に適合させることができる。

回路６０の一実施例では、コンデンサ６を４．３２０Ｖまで充電される５０マイ クロフアラツド・コンデンサとし、抵抗性負荷を５０オームとし、サーミスタ７ ４．７６を２５℃における抵抗値が５００オーム、熱容量が０．５ジユ一ル／℃ のサーミスタとし、サーミスタ７２．７８を２５℃における抵抗値が２オーム、 熱容量が０．６ジユ一ル／℃、移転温度が６５℃のサーミスタとした。負荷の抵 抗値は約５０オームであった。

回路６０のこの実施例によって形成される波形は図１０に示した通りであり、パ ルスの開始時（即ち、ｔ＝０）における電流は約７８アンペアであり、パルスの 極性は約０．７５ミリセコンド（即ち、時間Ｘ　＝０．７５ｍ５）において変化 し、パルスの負極性の最大振幅は約３２アンペアに等しい。

サーミスタ１０．１４に関連して上述したようにサーミスタ７２〜７８にヒート シンク５０を取付けてもよい。加熱後のサーミスタ７２〜７日の冷却速度を高め たい場合、このようにヒートシンク５０を組込むことが望ましい。

Ｈｏｖａｒｄ等の米国特許第３．８１４．１０５号に開示されている図１１に略 示する公知細動除去装置１００に公知の態様で図１゜図３９図３ａ、図５及び図 ９に示す回路を組込めばすぐれた成果が得られる。図示の細動除去装置１０［１ においては、図１゜図３２図３ａ、図５及び図９に示す回路のスイッチ４．８を 充電ボタン１０２及び放電ボタン１０４とそれぞれ接続する。同じくこの細動除 去装置ＩＱＱにおいて、図１９図３９図３ａ。

図５及び図９に示す回路の抵抗１２は電極ＩＧ６　、１０８と接続する（図示し ない）患者である。なお、この細動除去装置１００は最新の細動除去装置が具え ている他のすべての制御手段及び表示手段を具えている。

以上に述べた実施例には本発明の範囲内で種々の変更を加えることができるから 、図面に示し、かつ図面に沿って上述した構成はすべて説明のための実施例であ り、本発明を限定するものではない。

補正書の写しく翻訳文）提出書 （特許法第１８４条の８） 平成５年１０月７日

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. １．エネギー源、エネルギー蓄積手段及び蓄積手段に蓄積されているエネルギー を外部負荷と接続する接続手段を有するパルス整形回路において、エネルギー蓄 積手段と接続手段の間に電流制御手段を接続し、前記電流制御手段の温度に応じ てエネルギー蓄積手段から接続手段へ流動できる電流量を経時変化させることを 特徴とする波形成形回路。
2. ２．前記電流制御手段が抵抗デバイスから成り、その抵抗値が該デバイスの湿度 上昇に比例して低下することを特徴とする請求項１記載の回路。
3. ３．前記伝流制御手段が負の温度係数を有するサーミスタから成ることを特徴と する請求項１記載の回路。
4. ４．前記電流制御手段が自己加熱性の熱作用素子から成ることを特徴とする請求 項１記載の回路。
5. ５．（ａ）エネルギー源をエネルギー蓄積手段と選択的に接続したり、エネルギ ー源をエネルギー蓄積手段から遮断したりするためエネルギー源とエネルギー蓄 積手段の間に接続した第１スイッチング手段と、 （ｂ）エネルギー蓄積手段を選択的に接続手段と接続したり、接続手段からエネ ルギー蓄積手段を遮断したりするため、エネルギー蓄積手段と接続手段の間に接 続した第２スイッチング手段をも含むことを特徴とする請求項２記載の回路。
6. ６．前記蓄積手段が外部負荷に接続されたり外部負荷から遮断されたりした時に 前記蓄積手段によって放出されるエネルギーの残留部分を分流するため前記接続 手段に接続した分流手段をも含むことを特徴とする請求項１記載の回路。
7. ７．前記分流手段が抵抗性デバイスから成り、その抵抗値が前記抵抗性デバイス の温度に応じて変化することを特徴とする請求項６記載の回路。
8. ８．前記分流手段が負の温度係数を有するサーミスタから成ることを特徴とする 請求項６記載の回路。
9. ９．前記電流制御手段が前記抵抗性デバイスから熱を消失させるため前記抵抗性 デバイスに接続した冷却手段を含むことを特徴とする請求項２記載の回路。
10. １０．前記冷却手段がアルミニウム製の複数のヒレから成ることを特徴とする請 求項９記載の回路。
11. １１．エネルギーパルスを発生させてこれを外部負荷に供給するためのパルス発 生回路において、所定量のエネルギーを蓄積し、放出するためエネルギー源に接 続可能なエネルギー蓄積手段と、 前記エネルギー蓄積手段に接続され、前記エネルギー蓄積手段に蓄積されている エネルギーを外部負荷へ搬送するため外部負荷と接続可能な接続手段と、 前記エネルギー蓄積手段と前記接続手段の間に接続され、エネルギー蓄積手段か らの放出時に前記エネルギー蓄積手段から前記接続手段へ流動する電流量を自体 の温度に応じて経時的に変化させる電流制御手段とから成ることを特徴とするパ ルス発生回路。
12. １２．前記接続手段を外部負荷と接続したり外部負荷から遮断する時に前記エネ ルギー蓄積手段から放出されるエネルギーの残留部分を分流するため前記接続手 段に接続した分流手段をも含むことを特徴とする請求項１１記載の回路。
13. １３．エネルギー蓄積手段から放電されるエネルギーによって供給される電流が ピーク値に達するのに必要な時間量を増大させるように前記エネルギー蓄積手段 からの放出時に供給される一定量の電流を蓄積し、かつ放出するため前記エネル ギー蓄積手段と前記接続手段の間に接続した誘導手段をも含むことを特徴とする 請求項１１記載の回路。
14. １４．前記電流制御手段から熱を消失させるため前記電流制御手段に接続した冷 却手段をも含むことを特徴とする請求項１１記載の回路。
15. １５．一定量のエネルギーを蓄積し、放出するためエネルギー源と接続可能なエ ネルギー蓄積手段を含むエネルギーパルス発生回路に使用するための波形成形回 路において、エネルギー蓄積手段から放出される一定量のエネルギーによって供 給される電流の大きさを自体の温度に応じて経時的に変化させるためエネルギー 蓄積手段に接続可能な電流制御手段と、 前記電流制御手段をエネルギー蓄積手段及び外部負荷と接続するための接続手段 とから成ることを特徴とする波形成形回路。
16. １６．細動除去エネルギーのパルスを繰返し生成するためのパルス手段と、 前記細動除去エネルギーのパルスを患者に供給するため前記パルス手段に接続し た電極手段と、 前記パルス手段と接続し、抵抗性デバイスを含み、各パルスと関連する電流が一 定の波形に従って経時変化するように前記細動除去エネルギーのパルスによって 供給される電流を前記抵抗性デバイスの温度に応じて制御する回路手段とから成 ることを特徴とする細動除去装置。
17. １７．前記抵抗性デバイスの抵抗値が抵抗性デバイスの温度が上昇するに従って 低下することを特徴とする請求項１６記載の細動除去装置。
18. １８．前記電極手段を接続してある患者から前記細動除去エネルギーパルスのそ れぞれの残留部分を分流させるための分流手段をも含むことを特徴とする請求項 １６記載の細動除去装置。
19. １９．一定量のエネルギーを蓄積し、かつ放出するためエネルギー源に接続可能 なエネルギー蓄積手段と、前記エネルギー蓄積手段に蓄積されているエネルギー を外部負荷へ搬送するため前記エネルギー蓄積手段と接続し、かつ外部負荷に接 続可能な接続手段と、 （ａ）外部負荷が前記接続手段に接続される時及び（ｂ）分流手段の温度が一定 レベルを超えた時に前記エネルギー蓄積手段によって放出されるエネルギーの残 留部分を外部負荷から分流させるため前記接続手段に接続した分流手段とから成 ることを特徴とするパルス発生回路。
20. ２０．前記分流手段が抵抗性デバイスから成り、その抵抗値が該抵抗性デバイス の温度に応じて変化することを特徴とする請求項１９記載の回路。
21. ２１．２相電流波形を有するエネルギーパルスを生成する回路において、 エネルギーパルスを蓄積し、かつ放出するためエネルギー源に接続可能なエネル ギー蓄積手段と、前記エネルギー蓄積手段から放出されるエネルギーパルスを外 部負荷へ搬送するため前記エネルギー蓄積手段と接続し、外部負荷に接続可能な 接続手段と、 エネルギーパルスによって供給される電流が先ず１つの極性を持ち、一定時間後 に反対の極性を持つように前記エネルギー蓄積手段から放出されるエネルギーパ ルスを電流制御手段の温度に応じて形成するように前記エネルギー蓄積手段と前 記接続手段の間に接続した前記電流制御手段とから成ることを特徴とする回路。
22. ２２．前記電流制御手段が第１電流路を画定するように外部負荷に接続可能な第 １及び第２サーミスタと、第２電流路を画定するように外部負荷に接続可能な第 ３及び第４サーミスタとから成り前記第１及び第２サーミスタが負の温度係数を 有し、前記第３及び第４サーミスタが正の温度係数を有することを特徴とする請 求項２１記載の回路。
23. ２３．前記電流制御手段が第１組の熱／抵抗特性を有する第１サーミスタ対と、 第２組の熱／抵抗特性を有する第２サーミスタ対から成ることを特徴とする請求 項２１記載の回路。
24. ２４．エネルギーパルスを蓄積し、かつ放出するためエネルギー源に接続可能な エネルギー蓄積手段を含むエネルギーパルス発生回路に使用するための波形成形 回路において、各エネルギーパルスによって供給される電流の波形極性が経時変 化するようにエネルギー蓄積手段によって放出されるエネルギーパルスを波形成 形手段の温度に応じて経時的に成形するためエネルギー蓄積手段に接続可能な前 記波形成形手段と、 前記波形成形手段をエネルギー源及び外部負荷と接続するため前記波形成形手段 に接続する接続手段とから成ることを特徴とする波形成形回路。