JPH06503585A - 金属配位錯体の製造 - Google Patents

金属配位錯体の製造

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JPH06503585A JP5507762A JP50776293A JPH06503585A JP H06503585 A JPH06503585 A JP H06503585A JP 5507762 A JP5507762 A JP 5507762A JP 50776293 A JP50776293 A JP 50776293A JP H06503585 A JPH06503585 A JP H06503585A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 金属配位錯体の製造 本発明はある種の金属配位錯体の製造法に関する。更に詳しくは本発明はこの金 属錯体の改良された収率と単純化された分離をもたらすそのような方法に関する 。
本発明の方法を利用しうる金属配位錯体はη5結合と2価架橋基の双方によって 単一シクロペンタジェニル基または置換シクロペンタジェニル基に結合する金属 を含む。これらの錯体はオレフィン重合の触媒として使用するのに、およびビニ ル芳香族モノマーおよびビニル芳香族モノマー以外のすレフインを重合して成形 用樹脂として有用なランダムコポリマーを製造するのに、および包装またはその 他の用途に適するフィルムおよびフオームを製造するのに、特に適している。
本発明により製造しうる錯体および触媒種、以下これを拘束幾何錯体と呼ぶ、は EP416.815号に開示されており、米国特許出願第545.403号およ び同第547.728号に特許出願されている。これらの米国特許出願は共に1 990年7月3日に出願され、本願と同じ譲渡人に譲渡された。これらの米国特 許出願の教示を引用によってそれらの全部をここにくみ入れる。上記の引用にお いて、金属錯体はT i C1aのような金属化合物をジリチオシクロペンタジ ェニルアミドシランまたは同様のジアニオン塩化合物と反応させることによって 製造された。このような塩化合物はアルカリ金属シクロペンタジエニドまたは同 様の化合物をシクロロンランと反応させ次いでアミンまたはリチウムアミドと反 応させることによって製造された。
この反応系列は望んているものよりも複雑で非効率的であることかわかった。特 にこの反応系列において早期に所望の構造体にシクロペンタジェニル基をくみ入 れることは望ましくないことかわかった。この合成系列は明らかに効率かわるく 、最も高価な試剤の損失か増大するからである。その結果として、これらの商業 的に価値のある触媒成分の改良された合成か望まれる。
本発明によれば次式 〔Mは元素の周期律表の第3族〜第10族、またはランクナイト系列の金属であ り、cp゛はシクロペンタジェニル基、または20個以下の非水素原子をもつヒ ドロカルビル、シリル、およびゲルミル基、ハロおよびシアノ基から成る群から えらばれた4個以下の基で置換されたシクロペンタジェニル基であるか、あるい はシクロペンタジェニル基の2個の隣接炭素は同じCI−4゜ヒドロカルビレン 基に結合していてもよい、 Zはホウ素を包含する基又は元素の周期律表の第14族または第15族の一員を 包含する基であり、該基は20個以下の非水素原子をもち、また任意にCpoと Zは一緒になって縮合環系を形成する、Xはそれぞれの場合独立に30個以下の 非水素原子をもつアニオン性リガンド基であるか、あるいは2個のX基は一緒に なってその2価誘導体を形成していてもよい。
nは0.1.2.3または4であり、Mの原子価より2つ小さい、Lは錯体に付 随する中性の基であり、qは0〜3の有理数であり、そして YはZおよびMに結合した、窒素、リン、酸素または硫黄を含み、そして20個 までの非水素原子をもつアニオン性リガンド基であり、任意にYとZは一緒にな って縮合環系を形成していてもよい〕に相当する金属配位錯体の製造法であって 、式 cp” H−Z−Y−H(Cp’、ZおよびYは前記定義のとおり) に相当する置換シクロペンタジェン化合物を直接に又は間接に式MX、L、(M 、、X、Lおよびqは前記定義のとおりであり、mはn+2に等しい) に相当する金属化合物と接触させることを特徴とする金属配位錯体の製造法が提 供される。
直接法において、置換シクロペンタジェン化合物を式MX、L。
(Xは少なくとも2つの場合においてハイドライド、アミドまたはホスフィト基 であるか、またはヒドロカルビル基もしくは1個以上のハロ、シリル、ゲルミル 、ヒドロカルビルオキシ、アミド、ホスフィト、サルファイド、またはシロキシ 基で置換されたヒドロカルビル基である)に相当する金属化合物と接触させる。
金属化合物か式MX、L、(Xは少なくとも2つの場合において水素またはヒド ロカルビルオキシである)に相当する場合に適用される間接法において、置換シ クロペンタジェン化合物をまずアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属またはそ のオルガニル誘導体と接触させて金属化誘導体を製造し、そしてその後に該金属 化誘導体を上記の金属化合物と接触させる。
金属化合物の置換の場合、MX、L、は直接法および間接法の双方の要件を満足 し、いずれかの方法を使用することかできる。
更に本発明によれば、次の諸工程による上記式Iの金属配位錯体の製造法も提供 される。
l)式X’ ZYH(ZおよびYは上記定義のとおりであり、X。
はハロである)のハロゲン化化合物を式(X)、(L)、M’ 。Cp″H(M ’ はそれぞれの場合独立にアルカリ金属、アルカリ土類金属、第12族金属、 第14族金属またはメタロイド、アルミニウムおよび鋼から成る群からえらばれ た金属であり;Cp”、XおよびLは前記定義のとおりであり、そしてt、sお よびUはそれぞれの場合独立に0〜3の有理数である)に相当する金属シクロペ ンタジェニル化合物またはその誘導体と接触させて式cp” H−Z−YHに相 当する置換シクロペンタジェン化合物を製造し、そして2)その後に工程l)の 反応生成物を式MX、L、に相当する前記の金属化合物と接触させるか、または まずこれをアルカリ金属またはアルカリ土類金属またはそのオルガニル誘導体で 金属化してメタロイド誘導体を製造し、そして上記の式MX、L、のハロゲン化 金属化合物と接触させる。
直接法の方法は中性のアミノシクロペンタジェニルシラン−、ホスフィノンクロ ペンタジェニルシラン−または同様のリガンド上の酸素水素基によって該金属化 合物のX基をプロトン化することを包含する。この方法に使用するのに好ましい 金属化合物として、Xがベンジル、ネオペンチル、トリメチルシリルメチル、ま たは環アルキル−またはアミノ−置換ベンジル化合物たとえば2−メチルベンジ ルおよび2−ジメチルアミノベンジルである、金属化合物かあげられる。最も好 ましい金属化合物はテトラベンジルチタンである。
Mかチタン(IV)またはジルコニウム(IV)であるものも好ましい。
間接法の方法は金属化誘導体による金属化合物のX基の置換を包含する。このよ うなルートによってXは好ましくは塩基である。このルートにとってもMがチタ ン(IV)またはジルコニウム(IV)とあるのか好ましい。
ひとたび製造された後は、金属配位錯体の金属かその最高の酸化状態になくてよ り高い酸化状態か望まれるならば、非干渉性酸化剤をその後に金属配位錯体と接 触させて金属の酸化状態を上昇させることかできる。この酸化は錯体自体の製造 に使用した溶媒と反応条件を利用して金属配位錯体と酸化剤を単に接触させるこ とによって達成される。ここに使用する「非干渉性酸化剤」とは所望の錯体生成 物およびその後の重合法に干渉することなしに金属酸化状態を上昇させるに十分 な酸化ポテンシャルをもつ化合物を意味する。特に好適な非干渉性酸化剤はAg C1、PbC1,または有機ハライドたとえばメチレンクロライドである。反応 は好ましくは不活性溶媒中、0〜50℃の範囲の温度で行われる。
詳細な記述 ここで参照する元素の周期律表およびその族はすべてIUPAC命名会議を使用 するCRCブレス(1987)刊行のHandb。
ok of Chemistry and Physicsに頒布された表の文 脈を参照するものである。第14族金属またはメタロイドはケイ素、ゲルマニウ ム、スズおよび鉛である。
Cp9上の好ましいCI−f。置換基は10個までの炭素のアルキル基またはア リール基である。好適なC20基の例はシクロペンタジェニル、テトラメチルシ クロペンタジェニル、インデニル、およびフルオレニル基である。ここに使用す るシクロペンタジェニルまたはシクロペンタジェニルド、または同様の用語は上 記の対応する置換誘導体を包含するこのような基のすべてを一般に指すことか理 解されるであろう。
好適な中性基りは配位共有結合により錯体の金属に結合する基ならびにファン・ デル・ワールス結合、結晶充填結合または他の結合によって錯体に付随する基を 包含する。例としてCI−1!エーテル(環状エーテルを含む)たとえばテトラ ヒドロフラン、アミン、およびホスフィンがあげられる。好適な金属M゛ とじ てリチウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、鋼および亜鉛があげら れる。好適な試剤(X)、(L)、M’ 、Cp9Hの例としテc、 f(s  Li、MgCIC5Hs、Mg(CsHs)2、ClZnC5Hs、Li (( C2H5)20)2 Cu (CN)Ci Hs、(CH。
)2 AlC5Hs 、Cs Hs Si (CH3)sおよび対応する置換シ クロペンタジエニル誘導体かあげられる。
好ましい態様において、本発明により製造される金属配位錯体は次式に相当する 。
Ro Roはそれぞれの場合独立に水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ンアバ ハロおよびそれらの組合せ(それらは20個以下の非水素原子をもつ)がら成る 群からえらばれるが、あるいは1個以上のRoが一緒になって環を形成すること ができ;Xはそれぞれの場合独立にヒドライド、ハロ、ヒドロカルビル、ノリル 、ゲルミル、ヒドロカルビルオキシ、アミド、ホスフィト、サルファイド、シロ キシ基およびそれらの組合せ(それらは20個以下の非水素原子をもつ)から成 る群からえらばれ:Yは一〇−1−S−1−NR”−1または−PR”−1であ り。
Mは第4族金属であり、 Zは5tRt ”、CR2”、S!Rt ” 5jR2”、CR2” CR2’  、CR’ =CR” 、CRt ” 5ift ” 、GeRz ’ 、また はBR’であり。
Roはそれぞれの場合独立に水素、ファン、ハロゲン、ヒドロカルヒル、シリル 、ンロキシ、およびハロゲン化ヒドロカルビル基(それらは20個以下の非水素 原子をもつ)およびそれらの組合せから成る群からえらばれるか、あるいはZか らの又はYとZからの2個以上のR°基は縮合環系を形成することができ、そし てnは1または2である。
最も好ましい金属錯体はMがチタンまたはジルコニウムであり、YかNR”であ り、そしてX、R#、およびRoかそれぞれの場合独立に水素、ハロ、シリル、 ヒドロカルビル、およびそれらの組合せ(10個以下の炭素またはケイ素原子を もつ)から成る群からえらばれる錯体である。最も高度に好ましくはXは少なく とも1つの場合に独立にC1−1゜ヒドロカルビル基またはC1−4ジ−ヒドロ カルビルアミノ−またはC1−4ジ−ヒドロカルビルホスフィノ−置換のヒドロ カルビル基である。また最も好ましくは、工程1)に使用する金属シクロペンタ ジェニル化合物またはその誘導体はリチウム、ナトリウムまたはカリウムシクロ ペンタジエナイドもしくはテトラメチルシクロペンタジェニルドであり、工程2 )のアルカリ金属またはアルカリ土類金属またはそのオルガニル誘導体はカリウ ム金属、メチルリチウム、ブチルリチウム、フェニルリチウム、イソプロピルマ グネシウムクロライド、またはメチルマグネシウムブロマイドである。
一般に、本発明のいずれかの態様における反応は液体希釈剤たとえばCS−2゜ 脂肪酸または芳香族炭化水素、脂肪族エーテル、およびそれらの混合物の中で行 われる。この反応は不活性雰囲気下で行われる。窒素、ヘリウム、または同様の 不活性ガスを使用して不活性雰囲気を作ることかできる。所望ならば攪拌を使用 することかできる。それぞれの反応の温度は一般に−200〜200″C1好ま しくは一20〜150°Cである。本発明の反応中種々の試剤を数分から数時間 まで接触させることができる。
生成する錯体はこれをアルモキサンたとえばメチルアルモギサンと混合にするこ とによって触媒的に活性にすることかできる。あるいはまた、いくつかの場合に おいて、この方法によって製造される中性錯体の触媒的に活性なカチオン性誘導 体は、たとえばトリスペンタフルオロフェニルホウ素による該金属からのX基の ホウ素引き抜きによって製造することかできる。この技術はCs−+oアルカン のような不活性溶媒中−20°C〜200℃の温度で金属配位錯体とホウ素を触 媒させることを含む。この方法は本願と同じ譲受人に譲渡された1991年6月 24日出願の米国特許第720,041号に更に十分に記載されている。上記出 願の教示を引用によってここにくみ入れる。
本発明を以上のように記述したが、次の実施例により本発明を更に具体的に説明 する。他に特別の記載のない限り、部および百分率(%)は重量基準である。メ ルトインデックス■、は2.16kgの重量を使用してASTM D−1238 に従って190℃において測定される。
実施例1 第3族〜第10族またはランタナイドの金属化合物との反応に使用するために多 数のアミノシクロペンタジェニルシラン誘導体を製造した。
製造l 窒素雰囲気下の8mlのテトラヒドロフラン(THF)中の0゜200g(1, 39ミリモル)のナトリウム 1,2,3.4−テトラメチルシクロペンタジエ ナイドの溶液に、0.2299g(1゜39ミリモル)の(N−t−ブチルアミ ノ)(クロロ)ジメチルシランを加えた。この反応混合物を数時間攪拌した。溶 媒を除去し、残渣をペンタンで抽出して濾過した。ペンタンを減圧下に除去して 生成物を淡黄色油として得た。収率は、0.3028g(86,8%)であった 。
製造2 6m1のTHF中の0.250gのリチウムシクロペンタジエナイド(9〜lO モル%のリチウムメチルシクロペンタジエナイドを含む)(合計3.41ミリモ ル)の溶液に0.5752g (3,47ミリモル)の(N−t−ブチルアミノ )(クロロ)(ジメチルシラン)を加えた。反応混合物を数時間攪拌した。溶媒 を除去し、残渣をペンタンで抽出して濾過した。ペンタンを真空除去して生成物 を淡黄色油としてえた。収率は0.4675g(70,0%)であった。
製造3 40m1のTHF中の1.50g(9,05ミリモル)の(N−t−ブチルアミ ノ)(クロロ)ジメチルシランの溶液に、THF中のナトリウムシクロペンタジ エナイドの2. M溶液4.5mlを20分間にわたって滴下状に加えた。反応 混合物を数時間攪拌した。
気−液クロマトグラフ(GC)によるモニタは生成物の明瞭な生成を示した。溶 媒を除去し、残渣をジメチルエーテルで抽出して濾過した。エーテルを真空除去 して生成物を淡黄色油としてえた。収率は1.44g(81%)であった。
製造4 (N−t−ブチルアミノ)(ジメチル)(メチルシクロペンタジエニル)シラン 2.300gのナトリウムシクロペンタジエナイド(22,5ミリモル)を90 m1のTHF中で3,733g (22,5ミリモル)の(N−t−ブチルアミ ノ)(クロロ)ジメチルシランと反応させた。反応混合物を数時間攪拌した。G Cによるモニタは反応か完了したことを示した。溶媒を除去し、残渣をペンタン で抽出して濾過した。ペンタンを真空除去して生成物を無色油としてえた。収率 は3,814g(8,0%)であった。
製造5 (N−t−ブチルアミノ)(ジメチル)(1−ブチルシクロペンタジェニル)シ ラン 75m1THF中の3.346g(20,2ミリモル)の(N−t−ブチルアミ ノ)(クロロ)ジメチルシランの溶液に、3.577g(17,7ミリモル)の リチウムt−プチルシクロペンタジエナイド・エーテレートを加えた。メチルリ チウムを6,6−シメチルフルペンと接触させることによってリチウムt−プチ ルシクロペンタジエナイドを製造した。溶媒を除去し、残渣をペンタンで抽出し て濾過した。ペンタンを真空除去して生成物を淡黄色油としてえた。収率は2. 873g(64,6%)であった。
製造6 (N−t−ブチルアミノ)(クロロ)ジフェニルシラン220m1のペンタン中 の12.66g(50,0ミリモル)のジクロロジフェニルシランの溶液に、7 .38g (10,1ミリモル)のt−ブチルアミンを加えた。厚い沈殿が生成 した。反応混合物を一夜攪拌してから濾過した。ペンタンを真空除去して生成物 を粘稠無色油としてえた。 ’H(C,D、)δ7.85 (m、4H)、7、 l 4 (m、6H)、1.51 (s、IH)、1. 10 (s、9H)。
”C(C,D、) δ135 8、+34.9.128.2.50 8.33  2゜ 130m1THF中の4.7023g(16,2ミリモル)の(N−t−ブチル アミノ)(クロロ)ジフェニルシランの溶液に、40m1THF中の2.409 g(16,7ミリモル)のナトリウムI、2. 3. 4−テトラメチルシクロ ペンタジエニナイドの溶液を加えた。反応混合物を一夜攪拌した。溶媒を除去し 、残渣をペンタンで抽出して濾過した。ペンタンを真空除去して生成物をクリー ム状白色固体をえた。この固体は低温でペンタンから再結晶させることができた 。収率は5.982g (98,2%)であった。
製造7 30m1THF中の0.37g (2,2ミリモル)の(N−t −ブチルアミ ノ)(クロロ)ジメチルシランの溶液中に、n−ブチルリチウムによるテトラヒ ドロフルオレンのリチウム化によって製造したリチウム・テトラヒドロフルオレ ナイドの0.39g (2,2ミリモル)を含む10m1THF溶液を15分間 にわたって加えた。
このテトラヒドロフルオレンはまたOrg、Chem、55.p5301−53 02 (1990)に記載の方法に従って製造することもできる。この溶液を5 時間攪拌してGC分析によって示されるように反応を完了させた。次いで溶媒を 除去し、残渣をペンタンで抽出して濾過した。収率は0.55g(83%)であ った。 ’HNMR(THF−d* )δ7.Q−7.4 (m、4H)、1. 5−2゜7 (m、8H)、1.15 (s、9H)、0.10 (s、3H) 、−0,14(s、3H)、MS:299゜製造8 (N−t−ブチルアミノ)(ジメチル)(インデニル)シラン50m1のジエチ ルエーテル中の0.54g (3,3ミリモル)の(N−t−ブチルアミノ)( クロロ)ジメチルシランの溶液に、0.40g(3,28ミリモル)のリチウム ・インブナイドを含む10m1のジエチルエーテル溶液を1時間にわたって加え た。この溶液を24時間攪拌してGC分析によって示されるように反応を完了さ せた。次いで溶媒を除去し、残渣をペンタンで抽出して濾過した。次いでペンタ ンを真空除去して生成物を軽黄色油としてえた。
収率は0.58g(83%)であった。生成物の同定を気/液クロマトグラフお よびマス・スペクトルによって確認した。
製造9 (N−t−ブチルアミノ)(ジメチル)(オクタヒドロフルオレニル)シラン 80m1のTHF中の0.46g(2,フロミリモル)の(N−t−ブチルアミ ノ)(クロロ)ジメチルシランの溶液に、0.50g(2,フロミリモル)のリ チウム・オクタヒドロフルオレナイドを加えた。このリチウム・オクタヒドロフ ルオレナイドはn−ブチルリチウムによるオクタヒドロフルロレンのリチウム化 によって製造した。次いでこの懸濁液を5分間環流させて固体をとかした。この 期間の後に溶液を室温に冷却した。GC分析は反応か完了したことを示した。次 いで溶媒を除去し、残渣をペンタンで抽出して濾過した。次いでペンタンを減圧 下に除去して生成物を軽黄色油としてえた。収率は0.73g(92%)であっ た。 ’HNMR(C,D、)62.8−1.5 (m、16H)、1.13  (s、9H) 、0゜16 (s、6H)、MS:303゜ 製造10 (N−t−ブチルアミノ)(ジメチル)(l−メチルインデニル)シラン 25m1のジエチルエーテル中の1.82g (11,0ミリモル)の(N−t −ブチルアミノ)(クロロ)ジメチルシランの溶液に、l、50g(11,0ミ リモル)のりチウム−1−メチルインブナイドを含む25m1のジエチルエーテ ル溶液を30分間にわたって加えた。リチウム−1−メチルインブナイドはn− ブチルリチウムによるI−メチルインデンのリチウム化によって製造した。1− メチルインデンはまたJ、Org、Chem、47.p−1051−1058( 1982)に記載の方法により製造することができる。この溶液を5時間攪拌し て、GC分析によって示されるように反応を完了させた。次いで溶媒を除去し、 残渣をペンタンで抽出して濾過した。次いでペンタンを減圧下に除去して生成物 を軽黄色油としてえた。収率は2.1g(73%)であった。 ’HNMR(T HF −d * )δ7.15 (d、18)、7.31 (d、IH)、7. 12(m、2H)、6.33(s、IH)、3.4 (m、IH)、2.18  (s、3H)、1.19 (s、9H)、0.10 (s。
3H)、0.13 (s、38)、MS+259゜製造11 (N−t−ブチルアミノ)(ジメチル) (2,3,4,5−テトラメチルシク ロペンタジェニル)シラン120m1THF中の3.758g(26,1ミリモ ル)のナトリウム l、2.3.4−テトラメチル、シクロペンタジェナイドの 溶液に、4.3195g(26,1ミリモル)の(N−t−ブチルアミノ)(ク ロロ)ジメチルシランを加えた。反応混合物を一夜攪拌した。溶媒を除去し、残 渣をペンタンで抽出して濾過した。残渣を真空除去して生成物を軽黄色油として えた。収率は6.4244g(98,0o6)であった。
製造12 t−ブチルアミノ(クロロメチル)ジメチルシラン9.56g(131ミリモル )のt−ブチルアミンと9. 35g(653ミリモル)のクロロ(クロロメチ ル)ジメチルフランを150m1のエーテル中で混合した。厚い沈殿か生成した 。この反応混合物を数日間攪拌し、次いで濾過した。エーテルを真空除去して生 成物を無色液体としてえた。収率6.425g、54.7%。
’H(C,Ds )δ2. 57 (S、2H)、0. 99 (S、9H)、 0.54 (s、IH)、0.11 (s、6H)、 +3C(C,D6)49 .3.33.7.32.4、−1. 1゜(N−t−ブチルアミノ)(ジメチル ’) ((2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジェニル)メチル)シラ ン30mI THF中の2.432g(16,9ミリモル)のナトリウム I、 2. 3. 4−テトラメチルシクロペンタジェニルドの溶液を、3.032g (16,9ミリモル)のt−ブチルアミノ(クロロメチル)ジメチルシランに加 えた。沈殿は除々に生成し、反応混合物は一夜攪拌した。溶媒を除去し、残渣を ペンタンで抽出して濾過した。ペンタンを真空除去して生成物を軽黄色油として えた。
収率は2.988g(66,7%)であった。
製造13 (2−メトキシフェニル)アミノ)ジメチル(テトラメチルシクロペンタジェニ ル)シラン) 50mlのテトラヒドロフラン(THF)中の1.3g (5,9ミリモル)の ((テトラメチルシクロペンタジェニル)ジメチルシリル)クロライドに、(1 86g (5,9ミリモル)のナトリウム2−メトキシアニリドを加えた。混合 物を一夜攪拌した。溶媒を減圧下に除去し、残渣をペンタンで抽出した。ペンタ ン抽出物を濾過し、−緒にして濃縮して淡黄色液体をえた。収率1.4g(79 %)。 ’HNMR(ベンゼン−d、)66.91 (m、2.2)、6、 7 4 (m、1. り、6. 57 (d、]、l、J=9)、4゜25 (S、 I)、3.32 (s、3.7)、1.93 (s、6゜7)、1.80 (s 、6.8)、0.13 (s、6.3)。
製造14 ((4−フルオロフェニル)アミノ)ジメチル(テトラメチルシクロペンタジェ ニル)シラン 等モル量の((テトラメチルシクロペンタジェニル)ジメチルシリル)クロライ ドとリチウム4−フルオロフェニルアニライドとをTHF中で混合し、混合物を 一夜攪拌した。溶媒を減圧下に除去した。 ’HNMR(ベンゼン−d、)66 .79 (m、2.5)、6゜33 (m、2. 4L 2. 95 (s、1 )、2. 90’(s、1)、1、 87 (s、6. 9)、1. 79 ( S、6. 9)、0. 02 (s。
実施例! ジリチウム(t−ブチルアミド)(ジメチル)(テトラメチルシクロペンタジェ ニル)シラン 100m1エーテル中の製造lの中性リガンドHN−tBusiMe、Cs M ea Hの3.OOOg(11,98ミリモル)の溶液に、混合C,アルカン溶 媒中の2.6M(23,95ミリモル)のブチルリチウム9.21m1を除々に 加えた。白色沈殿が生成し、反応混合物を一夜攪拌してから濾過した。固体をエ ーテルで数回洗浄してから減圧下に乾燥して生成物を白色固体としてえた。収率 は3.134g(99,8%)であった。
(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−シクロベ0.721g( 3,80ミリモル)のT t Cl 4を30m1の凍結(−+96°C)TH Fに加えた。この混合物を一78°C(ドライアイス浴)に加温した。えられた 黄色溶液に、30m1THF中の1、OOOg(3,80ミリモル)のジリチウ ム(t−ブチルアミ、 ド)(ジメチル)テトラメチルシクロペンタジェニル) シランの溶液を除々に加えた。この溶液を一夜攪拌しながら室温に加温した。
えられた非常に暗色の溶液から溶媒を除去した。残渣をペンタンで抽出して濾過 した。冷凍話中で冷却して非常に溶解性の暗赤褐色物質を軽黄緑色結晶固体から 分離した。この固体を濾過し、ペンタンから再結晶させてオリーブ緑色生成物を えた。収率はO,143g。
10.2%であった。
実施例2 ジリチウム(N−t−ブチルアミド”) (2,3,4,5−テトラメチルシク ロペンタジェニル)(ジフェニル)シラン100m1z−チル中の5.982g (15,93ミリモル) の(N−t−ブチルアミノ’) (2,3,4,5− テトラメチルシクロペンタジェニル)(ジフェニル)シランの溶液(製造6)に 、混合ヘキサン溶媒中の1.48M(32,65ミリモル)のブチルリチウムの 溶液22.06m1を除々に加えた。生成する黄色溶液を一夜攪拌してから少量 の沈殿から濾過し、溶媒を除去した。固体をペンタン中でスラリ化し、濾過し、 ペンタンで洗浄してから真空乾燥して生成物を0.5ジエチルエーテル溶媒和物 (NMRによる)として白色粉末としてえた。収率は6.784 (100%で あった)。
’H(溶媒和物ピークを含まず)(THFd−8)δ7. 78−719 (3 m、10H)、1. 93 (s、6H)、1. 83 (s、6H)、1.  08 (s、9H)。
C(N−t−ブチルアミド)(ジフェニル)(テトラメチル−フラスコに0.7 701g(1,89ミリモル)のジリチウム(N−t−ブチルアミド)(2,3 ,4,5−テトラメチルシクロペンタジェニル)(ジフェニル)シランおよび0 .7365g(1゜99ミ’J モル) (7)T i CI s (THF)  2を充填した。これニ80m1のTHFを加えた。溶液を10分間攪拌した後 に、0.3040g(1,09ミリモル)のPbC1,を加え、この溶液を数時 間攪拌した。最初に深褐黒色であった溶液が橙赤色に変わった。この溶液を濾過 して溶媒を除去した。残渣をペンタンで抽出し、濾過し、溶媒を除去してガラス 状の黄色固体をえた。この化合物をペンタン中でスラリ状にし、フィルター上に 集めて真空乾燥することによって精製した。レモン黄色粉末の収率は0.305 4g、31.2%であった。 ’H(C,D、)7.84−7.81 (m、4 H)、7゜19−7.17 (m、6H)、1.95 (s、6H)、1.81 (s、6H)、1.67(s、9H)。”C(C,D、)142゜8.138. 8.136.3.135.6.130.6.128゜3.104.6.62.0 .33.5.17.1,13.10実施例3 ジリチウム(N−t−ブチルアミド)(ジメチル> (2,3,4゜5−テトラ メチルシクロペンタジェニル)メチル)フラン70m1エーテル中の2.988 g(11,3ミリモル)の(N−t−ブチルアミノ)(ジメチル) (2,3, 4,5−テトラメチルシクロペンタジェニル)メチル)シラン(製造12)の溶 液に、ヘキサン中のi、4H6M(22,5ミリモル)のブチルリチウムの溶液 を、ガス発生下に、徐々に加えた。生成する黄色溶液を一夜攪拌し、溶媒を淡橙 色溶液から除去した。えられた固体をペンタン中てスラリ化し、濾過してペンタ ンで洗浄してから真空乾燥して生成物を実質的に定量的な収率て軽橙色粉末とし てえた。
((N−t−ブチルアミド)(ジメチル)(テトラメチル−η5−ノクロベンタ ジエニルメチル)シランフチタン・ジクロライドフラスコに2.01gg (7 ,27ミリモル)のジリチウム(N−1−ブチルアミド)(ジメチル)(2,3 ,4,5−テトラメチルシクロペンタジェニルメチル 27ミリモル)のTiCI= (THF)=を充填した。これに70mlのTH Fを加えた。溶液を10分間攪拌した後に、この非常に暗色の溶液に]、062 g(3.81ミリモル)のPbC l□を加え、反応混合物を一夜攪拌した。深 赤褐色溶液を濾過し、溶媒を除去した。残渣をペンタンで抽出して濾過した。濃 縮後に、溶液を一35°C冷凍器中で冷却して結晶化を誘起させた。生成物をペ ンタンから2回再結晶させた。輝赤色結晶生成物の収率は0.6565g、23 、6%であった。 ’H (Cs Ds )δ2,06 (S,6H)、1、9 4 (s, 6H)、1.89 (s,2H)、1. 58 (s, 9H)  、0.30 (s,6H)。”C (Cs D− )δ132.8、131、8 、128.4、62.5、33.4、17,5、■3.9、13、5、7.6。
実施例4 不活性雰囲気トライボックス中で、チタンテトラベンジル(0。
328g、0 8ミリモル)を100mlフラスコに入れて40mlの乾燥脱ガ スペンタンにとかした。この溶液に製造lの中性リガンド(N− t−ブチルア ミノ)(ジメチル’) (2, 3, 4. 5−テトラメチルシクロペンタジ ェニル)シランの0.2g (0.8ミリモル)を加えた。この反応フラスコを 55〜60°Cの油浴に12時間入れた。加熱後に、溶媒を減圧下に除去して( N−t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5〜シクロペンタジェニル )シランチタンジベンジルをえた。スペクトル・データをもとにして収率は90 %であった。ペンタンからの再結晶によって更なる精製を行った。 ’H NM R (C.Ds 、ppm): 7.1 8−6.90(m,Cs Hs 、1  0H): 2.5 8 1、2.249 (AB,CH、C.H.、4H,J ,11+=8Hz); 1.806、1,631(s。
C,(CH2 )、、それぞれ6H);1.426。
重 合 アルゴン充填グローブボックス中で、(1−ブチルアミド)ジメチル(テトラメ チル−η5ーシクロペンタジェニル)シラン・チタンジクロライドの0.OIO MI−ルエン溶液500μl (5 0Hモル)およびトルエン2.5mlをス テンレス鋼ショットタンクに充填した。第2のショットタンクにおいて、トルエ ン中のメチルアルモキサン(MAO)共触媒の1.0M溶液の5.0mlをトル エン92mlに加えた。両方のショットタンクを密封し、グロブボックスから除 いて600mlの加圧槽に取付けた。加圧槽を排気してアルゴンでフラッシュし 、次いでエチレンでフラッシュした。共触媒溶液を加圧槽に加え、内容物を62 0KPa(920psig)のエチレン圧力下に89℃に加熱した。この時点で 反応器に触媒溶液を加えた。発熱反応の結果として数秒以内に温度は109℃に 上昇した。約0. 5時間後に温度は約110”Cに増大し、エチレンの吸収が 増大した。約1.0時間後にエチレンの供給をやめ、反応器を大気に排気し、冷 却させた。この圧力槽を開放し、メタノールで急冷してポリマーを分離した。揮 発性成分の除去後に、結晶ポリエチレンの収率は24gであった。
補正書の翻訳文提出書(特許法第184条の7第1項)平成5年6月14日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Mは元素の周期律表の第3族〜第10族、またはランタナイド系列の金属であ り、Cp*はシクロペンタジエニル基、または20個以下の非水素原子をもつヒ ドロカルビル、シリル、およびゲルミル基、ハロおよびシアノ基から成る群から えらばれた4個以下の基で置換されたシクロペンタジエニル基であるか、あるい はシクロペンタジエニル基の2個の隣接炭素は同じC1−20ヒドロカルビレン 基に結合していてもよい、 Zはホウ素又は元素の周期律表の第14族または第15族の一員を包含する基で あり、該基は20個以下の非水素原子をもち、そして任意にCp*とZは一緒に なって縮合環系を形成する、Xはそれぞれの場合独立に30個以下の非水素原子 をもつアニオン性リガンド基であるか、あるいは2個のX基は一緒になってその 2価誘導体を形成していてもよい。 nは0、1、2、3または4であり、Mの原子価より2つ小さい、 Lは錯体に付随する中性の基であり、qは0〜3の有理数であり、そして YはZおよびMに結合した、窒素、リン、酸素または硫黄を含み、そして20個 までの非水素原子をもつアニオン性リガンド基であり、任意にYとZは一緒にな って縮合環系を形成していてもよい〕 に相当する金属配位錯体の製造法であって、式Cp*H−Z−Y−H(Cp*、 ZおよびYは前記定義のとおり) に相当する置換シクロペンタジエン化合物を直接に又は間接に式MXmLq(M 、X、Lおよびqは前記定義のとおりであり、mはn+2に等しい) に相当する金属化合物と接触させることを特徴とする金属配位錯体の製造法。 2.式X′ZYH(ZおよびYは上記定義のとおりであり、X′はハロである) のハロゲン化化合物を式(X)i(L)aM′mCp*H(M′はそれぞれの場 合独立にアルカリ金属、アルカリ土類金属、第12族金属、第14族金属または メタロイド、アルミニウムおよび銅から成る群からえらばれた金属であり;Cp *、XおよびLは前記定義のとおりであり、そしてt、sおよびuはそれぞれの 場合独立に0〜3の有理数である)に相当する金属シクロペンタジエニル化合物 またはその誘導体と接触させることによって置換シクロペンタジエン化合物を製 造する請求項1の方法。 3.置換シクロペンタジエン化合物を式MXmLq(Xはそれぞれの場合独立に アニオン性リガンド基でありそして少なくとも2つの場合にXはハイドライド、 アミドまたはホスフィド基であるか又はヒドロカルビル基あるいは1つ以上のハ ロ、シリル、ゲルミル、ヒドロカルビルオキシ、アミド、ホスフィド、サルファ イドもしくはシロキシ基で置換されたヒドロカルビル基である) に相当する金属化合物と直接に接触させて金属配位錯体を製造する請求項1の方 法。 4.置換シクロペンタジエン化合物を式MXmLq(Xは少なくとも2の場合に ハロゲンまたはヒドロカルビルオキシである) に相当する金属化合物と間接的に接触させる、すなわちまず置換シクロペンタジ エン化合物をアルカリ金属またはアルカリ土類金属またはそれらのオルガニル誘 導体と接触させて金属化誘導体を製造し、その後にこのような金属化誘導体を金 属化合物と接触させることによって金属配位錯体を製造する請求項1の方法。 5.カリウム金属、ブチルリチウム、メチルリチウム、フェニルリチウム、イソ プロピルマグネシウムクロライドまたはメチルマグネシウムブロマイドとの接触 によって置換シクロペンタジエン化合物を金属化して金属化誘導体を製造する請 求項4の方法。 6YがNR*であり、R*がそれぞれの場合独立に水素、アルキル、アリール、 シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール基(それらは20個以下の非 水素原子をもつ)、およびそれらの混合物から成る群からえらばれる請求項1の 方法。 7.金属配位錯体が次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔R′はそれぞれの場合独立に水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シア ノ、ハロおよびそれらの組合せ(それらは20個以下の非水素原子をもつ)から 成る群からえらばれるか、あるいは1個以上のR′が一緒になって環を形成する ことができ;Xはそれぞれの場合独立にハイドライド、ハロ、ヒドロカルビル、 シリル、ゲルミル、ヒドロカルビルオキシ、アミド、ホスフイド、サルファイト 、シロキシおよびそれらの組合せ(それらは20個以下の非水素原子をもつ)か ら成る群からえらばれ;Yは−O−、−S−、−NR*−、または−PR*−、 であり; Mは第4族金属であり; ZはSiR2*、CR2*、SiR2*SiR2*、CR2*CR2*、CR* =CR*、CR2*SiR2*、GeR2*、またはBR*であり; R*はそれぞれの場合独立に水素、シアノ、ハロゲン、ヒドロカルビル、シリル 、シロキシ、およびハロゲン化ヒドロカルビル基(それらは20個以下の非水素 原子をもつ)およびそれらの組合せから成る群からえらばれるか、あるいはZか らの又はYとZからの2個以上のR*基は縮合環系を形成し、nは1または2で あり、そしてLは錯体に付随する中性基であり、qは0〜3の有利数である〕 に相当する請求項1の方法。 8.Xはそれぞれの場合C1−10ヒドロカルビル基またはC1−4ジ−ヒドロ カルビルアミノ−もしくはC1−4ジ−ヒドロカルビルホスフィノ置換のその誘 導体である請求項7の方法。 9.Mがチタンまたはジルコニウムである請求項7の方法。 10.金属配位錯体が(N−t−ブチルアミド)(ジメチル)(η5−2,3, 4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル)シラン−ジルコニウムジクロライ ド、(N−t−ブチルアミド)(ジメチル)(η5−2,3,4,5−テトラメ チルシクロペンタジエニル)シラン・チタンジクロライド、(N−t−ブチルア ミド)(ジメチル)(η5−2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニ ル)シラン・ジルコニウムジクロライド、または(N−t−ブチルアミド)(ジ メチル)(η5−2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル)シラン ・チタンジベンジルである請求項9の方法。
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