JPH06500051A - 光により発生される酸化物除去剤を有する半田付け用フラックス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光により発生される酸化物除去剤を有する半田付は用フラックス 技術分野 本発明は半田付はフラックス調合剤、および１つの態様において、とくに有用な 揮発性化合物を発生すべく半田付けの間中反応する材料を導入した半田付はフラ ックス調合剤に関する。

発明の背景 半田付はクリームまたは半田付はペーストとしても知られる半田付は調合剤（ｓ ｏｌｄｅｒ　ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎｓ）は流動組成物またはフラックス、有機 溶媒、および半田付は調合剤に所望の粘性またはペースト状軟度を付与する濃化 剤を普通含有する液状媒体中に分散される代表的には粉末形状の軟らかい半田付 は合金からなる均質の混合物である。かかる半田付は調合剤は、スクリーン印刷 、または注射器（ｓｙｒｉｎｇｅ）のごとき分配器によって、または単に粘性ペ ーストが電子部品のリード線のごとき場所に付着するように半田付けされるべき 場所を半田付けペースト調合剤中に浸漬することによるような、多数の種々の方 法で半田付けを必要とする表面または位置に塗布することができる。

最近、半田付はペースト調合剤の使用はエレクトロニクス産業により、とくにリ ードレスの小型電子部品が半田付はペースト調合剤がスクリーン印刷等によって 前もって付加されたプリント回路基板（Ｐ　ＣＢ）に表面実装されるプリント回 路の自動製造において増大している。ＰＣＢは次に、例えば加熱コンベアベルト によって、十分に高い温度にさらされ、調合剤中のフラックスおよび半田付は合 金を液化させかつ次のＰＣＢの冷却時、部品がＰＣＢ上で本来の場所に半田付け されたままであるように電子部品リード線を接触させる。

エレクトロニクス産業における幾つかの使用に関しては、半田付は調合剤のフラ ックス組成物として非腐食性でありかつ加熱および冷却工程後、それら自体非腐 食性でかつ非導電性であるフラックス残渣を提供する材料を使用するのが望まし い。このために、ロジンを基礎にしたフラックス組成物がとくに表面実装電子部 品の製造に使用するために作られた市場で入手し得る半田付はペースト調合剤に おいて広く使用されている。

代替的に、腐食性および／または導電性である残渣を残す、より反応性のフラッ クス組成物が使用されても良い。

金属表面に形成する酸化物が除去されて次に形成される半田結合を物理的および 電気的により強力にすることができるようにしばしば多少腐食性のフラックス組 成物が望まれる。しかしながら、結果として生じる半田付けされた回路が非腐食 性であることを保証するために水性または有機溶媒系によって形成される残渣を 除去する必要がある。

かかるロジンを基礎にしたまたはより反応性のフラックスを含有する半田付はペ ースト調合剤の使用は多くの欠点を生ずる。第１に、非腐食性残渣は粘り付く傾 向があるため、これらの残渣は回路の反復自動試験を阻止する。加えて、かかる 残渣は目障りでかつそのため、同様に美しくない腐食性フラックス残渣と同様に 、除去されることを要する。除去工程は余分な生産設備、時間および材料を伴う 。

第２に、フラックス残渣は湿り易い傾向がありかつそれによりスパッタリングを 生じる可能性がある。第３に、幾つかのフラックスはペースト中の半田粒子を半 田付は場所から除去させかつ、電気的短絡回路を生成する場合がある、半田付け された接合部のまわりに多数の軟らかい半田の個々の小さな球を形成させる。

これらおよび他の欠点のため、フラックス残渣および半田球をできるだけ多く除 去するのが望ましくかつしばしば仕様に合わせるために必須である。しかしなが ら、しばしば、とくに電子部品の下のＰＣＢの領域からのそれらの除去は困難ま たは不可能である。

よく知られているように、一般的な手順はフラックス残渣の除去において水性ま たは有機溶媒を使用することである。水はそれ自体不快な残渣を残さないため好 適であるけれども、水は、残渣の多くが水に僅かだけ溶は得るので、一般的には 効果的でない媒体である。有機溶媒はより効果的であるが、それらが高価である ためかつとくにそれらは処分するのにより面倒であるため余り望ましくない。広 範な使用を達成している特定の等級の有機溶媒は、それらが清浄後揮発するため クロロフルオロカーボン（ＣＦＣｓ）のごとき含ハロゲン炭素化合物（ｈａｌｏ ｃａｒｂｏｎｓ）である。しかしながら、これらの材料はとくに不活性でありか つそれらの結果として起こり得る分解が大気のオゾンの望ましくない涸渇をもた らすことが推測される。

したがって、これらおよび他の理由のため、従来の半田付はフラックス組成物は 余り好適でなくかつそれゆえこれらの欠点の１またはそれ以上を回避する新規な フラックス組成物を発見するのが好都合である。

発明の概要 したがって、本発明の目的は半田付は過程の間中酸化物除去剤を容易にかつ制御 可能に発生する半田付はフラックス組成物を提供することにある。

本発明の他の目的は容易に揮発するかまたは水により容易に除去される酸化物除 去剤を発生する新規なフラックス剤を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は環境的な影響が少ないかまたは持たないフラックス組 成物を提供することにある。

本発明のこれらおよび他の目的を達成する上で、１つの態様で半田調合剤のため のフラックス組成物が提供され、該フラックス組成物は光にさらすと酸化物除去 剤を解放または放出する（ｒｅｌｅａｓｅ）化合物を有する。

発明の詳細な説明 優れたフラックス組成物が光または光と熱の組み合わせにさらすとき酸化物除去 剤を解放または発生する化合物を組み込むことにより提供され得ることを発見し た。また、この概念を実行するのに多数の方法があることを発見した。

酸化物除去剤は酸であっても良いが、とくにフォトアシド（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ ）、すなわち、光また光および熱にさらすとき特定の化合物により発生または製 造されるフォトアシドであっても良い。

オニオム塩（ｏｎｉｕｍ　５ａｌｔｓ）は酸製造の光誘導を許容するために半田 付はフラックス組成物に組み込まれる化合物である。注目されるように、形成さ れた酸は他の方法では有効な半田リフロー操作を阻止する酸化物を除去するよう に作用する。オニオム塩はカチオン／アニオン対（ｃ’ａｔｉｏｎ／ａｎｉｏｎ 　ｐａｉｒ）である。オニオム塩に適するカチオンはアリルジアゾニウム（Ａ　 ｒ　Ｎ　２＋）、ジアリルイオジニウム（Ａｒ２Ｉ＋）、トリアリルスルフオニ ウム（ＡｒｓＳ＋）、ジアリルアルキルスルフオニウム（Ａ　ｒ　２　ＲＳ　＋ 　）、フ“エナリルスルフォニウム等およびそれらの混合物を含むがそれらに限 定されない。ここで、Ａｒはアリル基である。アニオンはテトラフルオロボレー ）　（ＢＦ４−）　、ヘキサフルオロフォスペード（ＰＦ６−）、ヘキサフルオ ロアンチモネート（ｓｂＦ６−）等およびその混合物を含むグループから選択さ れるがそれらに限定されない。

このリストのカチオン／アニオン対により製造される塩は形状ＨＸの酸を生じ、 ここでＸは光、とくに紫外光にさらされるとき描記されたアニオンのいずれかで ある。熱が同様に幾つかの化合物に要求されるかも知れないが、他のものには必 要ない。もちろん、化合物は半田付は工程の間中加熱される。非金属オニオム塩 および非イオンフォトアシド発生剤がまた有用であると思われる。かかる材料は 、これらに限定されるものではないが、０−ニトロベンジルアルコールスルフォ ネート、オキシムスルフォネート、ナフトキノンジアジデー４−スルフォネート 、トリクロロメチル−置換−ｓ−トリアジン、Ｏ，Ｑ’　−ジハロゲン化フェノ ール、ジニトロベンジルエステル等およびその混合物を含む、幾つかのハロゲン 化炭化水素および芳香族化合物を含むが、それに限定されない。有機重合材料が また有用であるかも知れない。

光分解を受ける化合物はカルボニル基を含むフリル化合物である。かかる化合物 は構造： を有し、ここでＲはカルボニル基、例えば半分−ＣＯＯＨまたは−ＣＨ＝ＣＨ− Ｃ０ＯＨを含む置換体である。特定のフリル化合物は２−フロ酸（２−ｆｕｒｏ ｉｃ　ａｃｉｄ）、フリルアクリル酸、フロイルアクロレイン、フリルアセテー ト、フリルアセトフェノン、フリル酢酸、フリル安息香酸、フリルカルボキシル 酸、フリルグリオキシル酸等およびその混合物を含むがそれに限定されない。こ の場合に能動化合物は上記で示されるフリル化合物でありそして化合物はそれら がＰＣＢから酸化物を清浄した後容易に揮発する低分子量成分に光により分解さ れる。代表的には、分解生成物はフラン（ｆｕｒａｎ）および低分子量酸であり 、そしてまた−酸化炭素また二酸化炭素を含むかも知れない。言い換えれば、半 田付はフラックス成分の光揮発は他の方法では化合物部分と反応する非架橋化学 物質とともに使用されるときフラックス組成物残渣の形成を阻止する。

この揮発はさらに半田リフロー後オゾン涸渇ＣＦＣにより基板を洗浄する必要を 減少または除外する。高い温度（半田リフローの間に遭遇するような）での紫外 放射線誘導ノリッシュ分解（Ｎｏｒｒｉｓｈ　ｃｌｅａｖａｇｅ　ｒｅａｃｔｉ ｏｎｓ）が基板を洗浄しかつ次いで揮発する半田付はフラックス成分を形成する 残留物を分解し、基板に非常に僅かな残留物を残すかまたは残留物を残さない。

装置は特定の波長範囲に応答するように設計され得るけれども、とくに有用な領 域は紫外線（ＵＶ）である。この特定の波長範囲は光誘導（ｐｈｏｔｏｉｎｉｔ ｉａｔｉ。

ｎ）が早過ぎてまたは遅すぎて発生することができないように制御できるように する。加えて、ＵＶ光源は容易に入手し得る。

本発明のこれらの化合物および方法のいずれかによれば、設備の改造は現存の組 み立てラインに単にＵＶ透過窓およびＵＶ露光工具の設置を伴うだけである。幾 つかの利点が半田付は前および／または半田付は後ＵＶ光に半田付は調合剤をさ らすことから得られるが、最大の利益は半田リフロ一作業の間中ＵＶ光により構 体（ａ　ｓ　ｓ　ｅｍｂ　ｌ　ｙ）を単に覆うことにより達成されるものと予期 される。幾らかの残留物がこれらのシステムの幾つかに残るならば、さらに理解 されることは、これらのシステムが比較的低い分子量のシステムでありかつ、す べての場合でないならば、大抵水で洗い流すことができるということである。金 属オニオム塩の場合には、幾らかの金属が水中に運び込まれる可能性があり、そ の金属は除去されねばならないかも知れない。非金属化合物からの正確な有機部 分に応じて、それらを濯ぐための水は十分に処理されることを特徴とする特許知 れない。それにも拘わらず、これらの懸念はＣＦＣ剤により呈されるものよりか なり少ない。

１つの態様において、酸化物除去剤発生化合物の割合はフラックス組成物全体の 少なくとも１重量％にすべきである。化合物の割合が少なくとも３重量％である のが好ましい。理解されることは、半田付は調合剤全体の割合としての化合物の 割合は特定の調合剤に依存して変化するということである。フラックス組成物の 残り（ｂａｌａｎｃｅ）は通例の材料のいずれかにすることができ、例えば、プ ロピレンカーボネートが担体材料として使用され得る。理解されることは、ロジ ンのごとき、他の一般的な材料が本発明の化合物に関連して使用され得るけれど も、これらの代表的な材料の幾つかはフラックス残渣に寄与しかつ本発明のフラ ックス組成物により与えられる少ない残渣または残渣なしという利点を活用する のには使用されるべきでないということである。

本明細書に記載されたフラックス組成物は鉛／錫粉末のごとき半田粉末、溶媒お よび増粘剤と通常の方法で一体に混合され得る一方、また発見されたことは、フ ラックス組成物をリフロー前に半田表面上に単に被覆するのみでも有効であるこ とである。

本発明のフラックス組成物はまた紫外線増感剤を含んでも良い。とくに好適なの は紫外線トリプレット増感剤である。これらのトリプレット増感剤はＵＶ放射線 に関する最適な波長を最も一般的なＨｇ−Ｘｅ露光源により供給される領域に移 動するのに使用される。これらは単一（ｓｉｎｇｌｅｔ）電子状態からトリプレ ット電子状態へそれらの電子対を励起するためにＵＶエネルギを容易に吸収する 化合物である。前記対が単一状態に戻るときエネルギが化合物に該化合物が酸化 物清浄剤を分解（ｃｌｓａｖｅ）および解放するように放出される。トリプレッ ト光増感剤はＵＶエネルギを吸収しかつそれを使用のために化合物に伝送するた めにフラックス組成物を助ける特別な分子である。

増感剤は最適のトリプレット励起状態寿命およびシステム間交差効率（ｉｎｔｅ ｒｓｙｓｔｅｍ　ｃｒｏｓｓｉｎｇｅｆｆｉｃｉｅｎｃｉｅｓ）に基づいて選択 される。幾つかの表面的に関係のある化合物は余りにも早くまたは使用できない 形においてエネルギを解放しかつしたがって適当ではない。

許容し得るトリプレット光増感剤はアセトフェノン、ベンゾフェノン、ミシュラ ーケトン（テトラメチルジアミノベンゾフェノン）、トリフェニレン、ナフタリ ン、アセトフェノンの誘導体、２−フェニルアセトフェノンおよびその誘導体、 ケトクマリン、チオキサンソン等およびその混合物を含むが、それらに限定され ない。アセトフェノントリプレット増感剤を利用する半田付はフラックス組成物 が半田付はペースト調合剤におけるトリプレットエネルギ転送剤としてとくに有 効であることが見い出された。フラックス組成物中の増感剤の割合は約３０重量 ％以下、例えば、０．１〜約３０重量％、そして１つの態様において約３ないし 約１０重量％にすべきである。

本発明を以下の例示的な例に関連してより詳細に説明する。

表■に示した組成を有するフラックス組成物が２３０゜Ｃで調製されかつリフロ ーされた。他の成分は溶媒として使用され、そしてそれらが書き留められている 。例５．９および１０を除いて、すべての例に関してオニオム塩システムは（Ｃ Ｈ）　Ｓ　＋　／　Ａ　ｓ　Ｆ　ｓ−であった。比較例５．９および１０はオニ オム塩を使用しなかった。各側に関する残渣の量が示されている。これらの例の 各々において、ＵＶ光はりフローの間および前に与えられた。これら同一の材料 に関してＵＶ光が使用されなかった場合は、かなり多くの残渣が、リフローが行 なわれた場合に、注目された。残渣に関する相対的な表記法は酸含量がリフロー を促進するのに不十分であったときに観察された最大残渣に基礎を置いている。

オニオム塩を使用している例４および７の調合剤がかなり少ない残渣を与えたこ とが見られる。

表■ フォトアシド発生剤としてのオニオム塩の使用例　第１成分　第２成分　第１成 分量 （あるならば）　ｍｇ １　プロピレン　３９４．７ カーボネート ２　プロピレン　６３３５．５８ カーボネート ３　プロピレン　２２１０．３５ カーボネート ４　プロピレン　２−プロ　１５０．２カーボネート　パノール ５　プロピレン　ＤＱ’　７１４．２６カーボネート ６　２−　９０９．２１ プロパツール ７　プロピレン　ＮＢＡ＊３　４２．１９カーボネート ８　ＥＡ”　６４８．２９ ＄５ ９　ＥＡ　ＡＡ　１２７０．２８ ネ６ １０　ＥＡ　ＰＦ　１８３８．　０７ 例　第２成分量　オニオム塩量　ｏｓ”　制御によるｍｇ　ｍｇ　ｗｔ％　残渣 比較 １　１１．７２　〜３　残渣 ２　９．１１　〜０．１５　リフローなし３　２２．３９　〜１８０　リフロー なし４　５８４．２３　１０．９９　〜１．５　残渣少５　２１．５６　−　残 渣 ６　１８．４６　〜２　リフローなし ７　３３２、　４６　１０．　３５　〜３　残渣少８　１９．７２　〜３　残渣 ９　３９．４０　−　残渣 １０５６．９３　−　分解 ”ｏ　ｓ　＝オニオム塩 ＄２ＤＱ＝ジアゾキノン ＊３ｎ　Ｂ　Ａ　＝　ｎ−ブチルアセテート＄４ＥＡ＝エチルアセテート ＄５ＡＡ＝アクリル酸 ”ＰＦ＝バラ−フォルムアルディト 例１１〜１５ フォトアシド発生剤としてのフリル化合物の使用これらの例は示した結果ととも に例１〜１ｏと同様に導かれた。意外にも、フリル化合物の場合において、ＵＶ 光が使用されたとき、ＵＶ光め補助が使用されない例１１と比較すると、残渣が 少ないかまた残渣が無いことが認められた。

表ＩＩ フォトアシド発生剤としてのフリル化合物の使用例　溶媒　フォトアシド　溶媒 量 解放化合物　ｍｇ １１　プロピレン　（Ｃ６Ｈ５）　３Ｓ＋／　１１２３．４カーボネー）ＡｓＦ ６− １２　プロピレン　２−フロ酸　１４１４．１カーボネート １３　プロピレン　２−フロ酸　１４１４．１カーボネート １４　プロピレン　フリル　１３６５．９カーボネート　アクリル酸 １５　プロピレン　フリル　１３６５．９カーボネート　アクリル酸 例　Ｏ８または　Ｏ８または　制御によるフリル化合物　フリル化合物　残渣比 較量　ｍｇ　ｗｔ、％ １１　３６．４　〜３　例１５より 少ない残渣 １２　４４．０　〜３　例１１より 少ない残渣 １３　１０２．９　〜７　例１１より 少ない残渣 １４　４７．２　〜３　例１１より 少ない残渣 １５　４７．２　〜３　残渣 （ＵＶ補助なし） 例１６ トリプレット増感剤としてのアセトフェノンの使用銅帯片がリンゴ酸中に浸漬さ れかつ次いで脱イオン（ＤＩ）水中で濯がれた。フラックス組成物は６１９．４ ｍｇのエチレンカーボネート（２７５，２＋３４４．２）　、２６７．６ｍｇの アセトフェノンおよび３５ｍｇのフリルアクリル酸からなる。この組成物中の割 合は６７ｗｔ、％のエチレンカーボネート、２９ｗｔ、％のアセトフェノンおよ び４ｗｔ、％のフリルアクリル酸であった。３つの半田球が鋼帯片上に置かれか っフラックス組成物により被覆された。４０秒のＵＶ処理を含んだ帯片上の２４ ５°Ｃでのこの材料の５０秒のりフローが、洗浄前でも、非常に少ない残渣を有 する結合された半田球を生成した。かくして、この実験はトリプレット増感剤は 光誘導された酸発生をより効果的にするようにエネルギ転送を著しく助けること ができ、かつまたフラックス組成物がそれと一体に混合される代りとして半田に 局所的に（ｔｏｐｉｃａｌｌｙ）添加され得ることを示す。

理解されることは、本明細書で請求されたような本発明の精神および範囲内にあ る上記例に示された本発明の実施において変更をなし得るということである。例 えば、フラックス組成物の処理条件、モードまたは添加のシーケンス、およびフ ラックス組成物の正確な組み合わせがせ当該技術に熟練した者により本発明を最 適にするように変更され得ることが予期される。同様に、本発明の方法が、ＣＦ Ｃの使用なしに、あり得る洗浄工程を潜在的に除去することよって、より経済的 に、表面実装装置を含むＰＣＢを組み立てるのに使用され得ることが期待される 。

国際調査報告 フロントページの続き （７２）発明者　ディビス・ジェイムズ　リンアメリカ合衆国フロリダ州　３３ ３２１、タマラック、ノース・ユニバーシティ・ドライブ８１６５　＃５２ （７２）発明者　ノウノウ・ファディアアメリカ合衆国フロリダ州　３３３１３ 、プランティジョン、ノース・ウェスト・セブンティス・アベニュー　１３２１

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. １．光にさらされるとき還元剤を放出する化合物を含むことを特徴とする半田付 け調合剤用フラックス組成物。
2. ２．前記化合物が少なくとも１重量％の割合において前記フラックス組成物中に 存在することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の半田付け用調合剤フラック ス組成物。
3. ３．前記化合物がオニオム塩であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の 半田付け調合剤用フラックス組成物。
4. ４．前記オニオム塩が非金属有機オニオム塩および非イオンフォトアシド発生剤 を含むグループから選択されることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の半田 付け調合剤用フラックス組成物。
5. ５．前記オニオム塩がカチオンおよびアニオンの組み合わせであり、ここで、カ チオンがはアリルジアゾニウム（ＡｒＮ２＋）、ジアリルイオジニウム（Ａｒ２ Ｉ＋）、トリアリルスルフォニウム（Ａｒ３Ｓ＋）、ジアリルアルキルスルフォ ニウム（Ａｒ２ＲＳ＋）、フェナリルスルフォニウム等およびそれらの混合物を 含むグループから選択され、ここで、Ａｒはアリル基でありかつＲはアルキル基 であり；そしてアニオンはテトラフルオロポレート（ＢＦ４−）、ヘキサフルオ ロフォスヘート（ＰＦ６−）、ヘキサフルオロアーセネート（ＡｓＦ６−）、ヘ キサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６−）等およびその混合物を含むグループ から選択され；そして非イオンフォトアシド発生剤がｏ−ニトロベンジルアルコ ールスルフォネート、オキシムスルフォネート、ナフトキノンジアジデ−４−ス ルフォネート、トリクロロメチル−置換−Ｓ−トリアジン、ｏ，ｏ′−ジハロゲ ン化フェノール、ジニトロベンジルエステル等およびその混合物を含むグループ から選択されることを特徴とする請求の範囲第４項に記載の半田付け調合剤用フ ラックス組成物。
6. ６．前記化合物がカルボニル基を含むフリル化合物であることを特徴とする請求 の範囲第１項に記載の半田付け調合剤用フラックス組成物。
7. ７．前記フリル化合物は２−フロ酸、フリルアクリル酸、フロイルアクロレイン 、フリルアセテート、フリルアセトフェノン、フリル酢酸、フリル安息香酸、フ リルカルボキシル酸、フリルグリオキシル酸等およびその混合物を含むグループ から選択されることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の半田付け調合剤用フ ラックス組成物。
8. ８．前記化合物が紫外線光にさらされるとき還元剤を放出することを特徴とする 請求の範囲第１項に記載の半田付け調合剤用フラックス組成物。
9. ９．さらに、紫外線増感剤を含むことを特徴とする請求の範囲第８項に記載の半 田付け調合剤用フラックス組成物。
10. １０．前記紫外線増感剤がアセトフェノン、ベンゾフェノン、ミシュラーケトン （テトラメチルジアミノベンゾフェノン）、トリフェニレン、ナフタリン、アセ トフェノンの誘媒体、２−フェニルアセトフェノンおよびその誘導体、ケトクマ リン、チオキサンソン等およびその混合物からなるグループから選択されること を特徴とする請求の範囲第８項に記載の半田付け調合剤用フラックス組成物。
11. １１．前記紫外線増感剤が前記フラックス組成物中に約３０重量％またはそれ以 下の量において存在することを特徴とする請求の範囲第８項に記載の半田付け調 合剤用フラックス組成物。
12. １２．光にさらされるとき酸化物除去剤を放出する化合物を含み、ここで該化合 物が少なくとも１重量％の割合でその中に存在するフラックス組成物；および鉛 ／錫半田粉末； を具備することを特徴とする半田付け調合剤。
13. １３．前記フラックス組成化合物がオニオム塩またはカルボニル基を含むフリル 化合物であることを特徴とする請求の範囲第１２項に記載の半田付け調合剤。
14. １４．少なくとも２つの金属を一緒に半田付けするための半田付け方法において 、実効的に順次以下の工程、すなわち、 半田付けされるべき複数の金属を近接して配置する工程；半田付け調合剤を前記 金属の少なくとも１つに付着する工程であって、その場合に前記半田付け調合剤 が、光にさらされるとき酸化物除去剤を放出する化合物を含み該化合物が少なく とも１重量％の割合でその中に存在するフラックス調合剤と、鉛／錫半田粉末と を含むもの；前記酸化物除去剤を放出するために半田付け調合剤に露光する工程 ；そして 前記半田付け調合剤を流動させかつ前記金属と接触させかつ半田結合を形成させ る工程； を具備することを特徴とする半田付け方法。
15. １５．前記フラックス組成物において、前記化合物がオニオム塩であることを特 徴とする請求の範囲第１４項に記載の半田付け方法。
16. １６．前記フラックス組成物において、前記化合物がカルボニル基を含むフリル 化合物であることを特徴とする請求の範囲第１４項に記載の半田付け方法。
17. １７．前記化合物が紫外線光にさらきれるとき酸化物除去剤を放出することを特 徴とする請求の範囲第１４項に記載の半田付け方法。
18. １８．含ハロゲン炭素による半田結合または金属の洗浄工程が存在しないことを 特徴とする請求の範囲第１４項に記載の半田付け方法。