JPH0649178A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂組成物の硬化物によって封止されてなる
樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂の低応力化を
目的とする。 【構成】 エポキシ樹脂及びマレイミド樹脂の少なくと
も１種からなる熱硬化性樹脂と、この熱硬化性樹脂の硬
化剤と、低応力付与剤としての下記一般式で表されるポ
リシラン共重合体を配合する。 【化１】 （式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は炭素数１〜24の一価の有機基を示
し、かつＲ₁ ，Ｒ₂ の少なくとも一方は水酸基で置換さ
れている。） 【効果】 耐熱衝撃性、耐湿性の優れた樹脂封止型半導
体装置が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂組成物の硬化物に
よって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以前より、半導体素子の封止樹脂として
はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂組
成物が広く利用されており、その硬化物は耐湿性、成形
性、高温電気特性等に優れているため、モ―ルド用樹脂
の主流となっている。ところで、近年の半導体素子の高
集積化に伴って、半導体素子上の各機能単位の微細化、
半導体素子ペレット自体の大型化が急速に進んでいる。
このような半導体素子ペレットの変化により、これまで
の封止樹脂では耐熱衝撃性等の要求を満足できなくなり
つつある。

【０００３】すなわち、この系統の樹脂組成物を用いて
大型でかつ微細な表面構造を有するペレットを封止する
と、ペレット表面のアルミニウム配線パタ―ンを保護す
るためのリンケイ酸ガラス膜や窒化ケイ素膜に割れを生
じたり、封止樹脂にクラックを生じたりする。特に、冷
熱サイクル試験（ＴＣＴ試験）を実施した場合にその傾
向が非常に大きい。その結果、半導体装置の外観不良や
信頼性の低下を招いている。

【０００４】また、半導体装置を表面実装する場合、基
板に半田付けをする際、装置全体が200〜 260℃の高温
雰囲気中に５〜90秒程度さらされるという過酷な熱衝撃
を受ける。この際、パッケ―ジ内部に取り込まれた水分
の気化が主な原因となり、やはり封止樹脂のクラックを
生じることがある。

【０００５】これらの対策としては、熱衝撃を受けた場
合の耐クラック性に優れた低応力の封止樹脂の開発が活
発に行なわれている。従来、封止樹脂の内部応力の低減
には、樹脂組成物中へのシリコ―ンオイルやシリコ―ン
ゴムの配合が有効であることが知られているが、シリコ
―ンオイルを樹脂組成物配合時に単に配合しただけで
は、前記シリコ―ンオイルが成形時あるいは硬化時にブ
リ―ドオフするため、外観の不良や成形金型の汚れが発
生することが多い。またシリコ―ンゴムを配合した場合
には、樹脂組成物の溶融粘度が増大するので、封止樹脂
の機械的強度の低下といった問題を生じる。さらにこの
ような問題に鑑み、特開昭58-34824号、特公平 2-34181
号等では、水酸基等の官能基を有するシリコ―ンオイル
やシリコ―ンゴムを樹脂組成物に配合する技術が開示さ
れている。しかしながら、得られる封止樹脂によって半
導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置でも、
未だ耐熱衝撃性は充分ではなく、また耐湿性についても
一層の向上が望まれていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、近年
の半導体素子の高集積化に伴い、従来の封止樹脂によっ
て封止された樹脂封止型半導体装置では、耐熱衝撃性等
を満足できなくなりつつある。

【０００７】本発明はこのような問題を解決して、封止
樹脂の応力が小さく耐熱衝撃性に優れ、かつ耐湿性等も
良好な樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とし
ている。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の樹脂封
止型半導体装置は、 （ａ） エポキシ樹脂及びマレイミド樹脂の少なくとも
１種からなる熱硬化性樹脂 （ｂ） 前記熱硬化性樹脂の硬化剤 （ｃ） 下記化学式（１）及び（２）で表される構成単
位を有するポリシラン共重合体 を必須成分とする樹脂組成物の硬化物によって半導体素
子が封止されてなるものであり、前記ポリシラン共重合
体を低応力付与剤として樹脂組成物に配合したことを特
徴としている。

【０００９】

【化３】

【００１０】（式中、Ｒ₁ ，Ｒ₂ は同一でも異なってい
てもよく炭素数１〜24の一価の有機基を示し、かつ
Ｒ₁ ，Ｒ₂ の少なくとも一方は水酸基で置換されてい
る。）

【００１１】

【化４】 （式中、Ｒ₃ ，Ｒ₄ は同一でも異なっていてもよく炭素
数１〜24の一価の有機基を示す。） 以下、本発明を詳細に説明する。

【００１２】本発明において、樹脂組成物の主成分とな
る熱硬化性樹脂として使用可能なエポキシ樹脂として
は、分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれ
ばいかなるものであってもよいが、耐熱性を考慮すると
エポキシ当量が 250以下のエポキシ樹脂が好ましい。こ
のようなエポキシ樹脂を具体的に例示すると、例えばフ
ェノ―ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ―ルノボラ
ック型エポキシ樹脂、ナフト―ルタイプのノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノ―ルＡのノボラック型エポキ
シ樹脂、フェノ―ル又はアルキルフェノ―ル類とヒドロ
キシベンズアルデヒドとの縮合物をエポキシ化して得ら
れるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベ―スのエ
ポキシ化物、テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカンの
エポキシ化物、２，２′，４，４′−テトラグリシドキ
シベンゾフェノン、ｐ−アミノフェノ―ルのトリグリシ
ジルエ―テル、ポリアリルグリシジルエ―テル、１，
３，５−トリグリシジルエ―テルベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラグリシドキシビフェニル、４，４′−
ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３′，５，
５′−テトラメチルビフェニルのエポキシ化物、各種の
ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポ
キシ樹脂のうち、１種または２種以上が用いられる。

【００１３】本発明で用いられる上記エポキシ樹脂は、
半導体素子のワイヤ等金属材料の腐食を抑制するため
に、塩素イオンの含有量が10ppm 以下であることが好ま
しく、また加水分解性塩素の含有量が 0.1重量％以下で
あることが好ましい。

【００１４】また本発明において、前記熱硬化性樹脂と
して使用可能なマレイミド樹脂の具体例としては、２，
２−ビス（４−フェノキシフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス
マレイミド、Ｎ，Ｎ′−フェニレンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ′−ヘキサメチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ′−
ジフェニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ′−オキシ−
ジ−ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ′−４，
４′−ベンゾフェノンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ′−ｐ−
ジフェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ′−（３，
３′−ジメチル）メチレン−ジ−ｐ−フェニレンビスマ
レイミド、ポリ（フェニルメチレン）ポリマレイミド、
ビス（４−フェノキシフェニル）スルホン−Ｎ，Ｎ′−
ビスマレイミド、１，４−ビス（４−フェノキシ）ベン
ゼン−Ｎ，Ｎ′−ビスマレイミド、１，３−ビス（４−
フェノキシ）ベンゼン−Ｎ，Ｎ′−ビスマレイミド、
１，３−ビス（３−フェノキシ）ベンゼン−Ｎ，Ｎ′−
ビスマレイミド等が挙げられる。これらのマレイミド樹
脂のうち、１種または２種以上が用いられる。

【００１５】さらに本発明で使用される上記熱硬化性樹
脂の硬化剤としては、フェノ―ル樹脂、有機酸無水物、
アミン類等一般にエポキシ樹脂及びマレイミド樹脂の硬
化剤として知られているものであれば特に限定されず使
用できるが、なかでもフェノ―ル樹脂が最も好ましい。
このようなフェノ―ル樹脂を具体的に例示すると、フェ
ノ―ルノボラック樹脂、クレゾ―ルノボラック樹脂、ｔ
−ブチルフェノ―ルノボラック樹脂、ノニルフェノ―ル
ノボラック樹脂、ビスフェノ―ルＦのノボラック樹脂、
ビスフェノ―ルＡのノボラック樹脂、ナフト―ルのノボ
ラック樹脂等のノボラック型フェノ―ル樹脂、ポリ（ｐ
−オキシスチレン）等のポリオキシスチレン、２，２′
−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノ―ルモノマ―との
縮合重合化合物等のフェノ―ルアラルキル樹脂、トリス
（ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（ヒドロキシメ
チルフェニル）メタン、トリス（ヒドロキシフェニル）
プロパン、トリス（ヒドロキシフェニル）メチルメタン
等のトリス（ヒドロキシフェニル）アルカンベ―スの化
合物、テルペンフェノ―ル樹脂等が挙げられる。これら
のフェノ―ル樹脂のうち、１種または２種以上が用いら
れる。

【００１６】本発明において、上述したような熱硬化性
樹脂及び硬化剤の配合量は、以下の如く設定され得る。
すなわち熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合には、
エポキシ樹脂１に対して硬化剤を化学当量で 0.5〜 1.
5、さらには 0.8〜 1.2配合することが好ましく、例え
ば硬化剤としてフェノ―ル樹脂が配合された樹脂組成物
では、全フェノ―ル樹脂中のフェノ―ル性水酸基数と全
エポキシ樹脂中のエポキシ基数の比（フェノ―ル性水酸
基数／エポキシ基数）が 0.5〜 1.5、さらには 0.8〜
1.2の範囲内となるように配合量が設定されることが好
ましい。この理由は、硬化剤の配合量が少なすぎると樹
脂組成物の硬化が不充分となり、硬化剤の配合量が多す
ぎると得られる樹脂封止型半導体装置の耐湿性が低下す
るおそれがあるからである。

【００１７】一方、熱硬化性樹脂としてマレイミド樹脂
を配合した樹脂組成物では、マレイミド樹脂 100重量部
に対して硬化剤としてのフェノ―ル樹脂等が好ましくは
10〜50重量部、さらに好ましくは20〜40重量部配合され
る。すなわち、硬化剤の配合量が10重量部未満だと樹脂
組成物の溶融粘度が増大して、成形時に未充填やワイヤ
―流れを生じ易く、逆に50重量部を越えると樹脂組成物
の硬化が不充分となるおそれがある。

【００１８】さらに本発明では、樹脂組成物の低応力付
与剤として、上記ポリシラン共重合体が配合される。こ
のポリシラン共重合体は、上述したような化学式（１）
で表される構成単位及び化学式（２）で表される構成単
位を有するものであり、式中Ｒ₁ 〜Ｒ₄ で示される一価
の有機基としては、具体的には脂肪族炭化水素基、脂環
式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらが結合した
基が挙げられる。而してこのポリシラン共重合体では、
Ｒ₁ ，Ｒ₂ で示される有機基のうち少なくとも一方の水
素原子が水酸基により置換されているので、前記化学式
（１）で表される構成単位中の水酸基の部分のみが主成
分である熱硬化性樹脂との相溶性を備えている。従って
樹脂組成物の硬化物において、ポリシラン共重合体がマ
トリックス中に細かく均一に分散した、いわゆる海−島
構造が得られ、結果として前記硬化物の応力が著しく低
減される。さらに、このようなポリシラン共重合体を配
合する場合、主鎖がシリコ−ンゴム等に比べて剛直であ
るため、硬化物のガラス転移温度の低下が小さく耐熱性
も充分であり、しかも主鎖が非極性であるため、得られ
る樹脂封止型半導体装置の耐湿性も向上する。

【００１９】本発明で使用されるポリシラン共重合体に
おいて、前記化学式（１）で表される構成単位と化学式
（２）で表される構成単位の共重合比は10：１〜１：10
さらには７：３〜３：７の範囲内とすることが好まし
く、これらの構成単位からなるブロック共重合体が特に
好ましい。好ましい共重合比を上記範囲内に設定する理
由は、ポリシラン共重合体中化学式（１）で表される構
成単位が多すぎると、主成分である熱硬化性樹脂中にポ
リシラン共重合体が大部分取りこまれて樹脂組成物の硬
化物の耐熱性が低下するおそれがある。逆に、化学式
（２）で表される構成単位が多すぎると、マトリックス
中に分散されるポリシラン共重合体の粒子が大きくな
り、ポリシラン共重合体が均一に分散されず硬化物の応
力低減が不充分となるばかりか、機械的強度の低下、外
観の不良等を招く傾向がある。さらに本発明では、この
ようなポリシラン共重合体の好ましい平均分子量は 500
〜 1,000,000、より好ましくは 1,000〜 100,000であ
る。この理由は、ポリシラン共重合体の平均分子量が 5
00未満だと、ポリシラン共重合体が主成分である熱硬化
性樹脂中に取りこまれて硬化物の耐熱性が低下し易く、
またポリシラン共重合体の平均分子量が 1,000,000を越
えると、ポリシラン共重合体の分散が不均一となって、
硬化物の応力低減が不充分でかつ機械的強度が低下する
おそれがあるからである。

【００２０】上述したようなポリシラン共重合体を合成
するには、前記化学式（１）で表される構成単位及び化
学式（２）で表される構成単位のうち、まずいずれか一
方の構成単位の構造を分子中に有するシラン化合物を反
応させ、所望の重合度にまでポリマ化した後、他方の構
成単位の構造を分子中に有するシラン化合物を添加して
反応せしめる。このとき、化学式（１）で表される構成
単位の構造を分子中に有するシラン化合物については、
あらかじめ水酸基をシロキシル基、アルコキシル基等の
保護基で保護し、重合反応が完了した後に前記保護基を
加水分解により取り除く。なお前記シラン化合物として
は、ジクロロシラン化合物、４員環または５員環の環状
シラン化合物、ジシレン前駆体等を使用することがで
き、特に環状シラン化合物、ジシレン前駆体が好まし
い。

【００２１】また本発明において、上記ポリシラン共重
合体の配合量は、樹脂組成物中 0.1〜10重量％、さらに
は１〜５重量％であることが好ましい。ポリシラン共重
合体の配合量が 0.1重量％未満だと、樹脂組成物の硬化
物の応力低減が不充分となり、10重量％を越えると、硬
化物の機械的強度の低下、外観不良が生じるおそれがあ
る。

【００２２】さらに本発明では、上述したような主成分
としての熱硬化性樹脂、硬化剤、低応力付与剤に加え
て、通常硬化触媒が樹脂組成物中に配合される。この硬
化触媒としては、前記熱硬化性樹脂に対して適用可能な
ものであれば特に限定されないが、例えば塩基性触媒、
過酸化物が使用され得る。

【００２３】これらのうち塩基性触媒としては、例え
ば、有機ホスフィン化合物、イミダゾ―ル化合物または
その誘導体、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７）またはそのフェノ―ル塩等が
挙げられる。これらは、１種または必要に応じて混合し
て使用され得る。

【００２４】前記有機ホスフィンの具体例としては、ト
リメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メ
チルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホ
スフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジブチルフェ
ニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，
２−ビス（ジフェニルホスフィン）エタン、ビス（ジフ
ェニルホスフィン）メタン等が挙げられる。

【００２５】前記イミダゾ―ル化合物の具体例として
は、２−メチルイミダゾ―ル、２，４−ジメチルイミダ
ゾ―ル、２−エチル−４−メチルイミダゾ―ル、２−フ
ェニルイミタゾ―ル、２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾ―ル、２−ヘプタデシルイミダゾ―ル等が挙げられ
る。前記ＤＢＵのフェノ―ル塩の具体例としては、ＳＡ
−８５３（サンアプロ）等が挙げられる。

【００２６】一方、前記過酸化物としては、例えば、ジ
−ｔ−ブチルパ―オキサイド、ジクミルパ―オキサイ
ド、ｔ−ブチルクミルパ―オキサイド、２，５−ジメチ
ル−２，５−ジ−ｔ−ブチルパ―オキシヘキサン等のジ
アリルパ―オキサイド類；ｔ−ブチルパ―オキシアセテ
―ト、ｔ−ブチルパ―オキシフタレ―ト、ｔ−ブチルパ
―オキシベンゾエ―ト、２，５−ジメチル−２，５−ジ
ベンゾイルパ―オキシヘキサン、ｔ−ブチルパ―オキシ
−２−エチルヘキサノエイト等のパ―オキシエステル
類；アセチルパ―オキサイド、イソブチリルパ―オキサ
イド、デカノイルパ―オキサイド、ラウロイルパ―オキ
サイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパ―オキ
サイド、ベンゾイルパ―オキサイド、ジ−２−エチルヘ
キシルパ―オキシジカ−ボネ―ト等のジアシルパ―オキ
サイド類；ｔ−ブチルハイドロパ―オキサイド、クメン
ハイドロパ―オキサイド、ｐ−メタンハイドロパ―オキ
サイド等のハイドロパ―オキサイド類；メチルエチルケ
トンパ―オキサイド、シクロヘキサノンパ―オキサイド
等のケトンパ―オキサイド類；１，１−ビス（ｔ−ブチ
ルパ―オキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブ
チルパ―オキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキ
サン等のパ―オキシケタ―ル類等が挙げられる。

【００２７】この他本発明では、石英ガラス、溶融シリ
カ、結晶性シリカ、ガラス繊維、タルク、アルミナ、ケ
イ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、マグ
ネシア等の無機質充填剤、三酸化アンチモン等の難燃助
剤、天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸やそ
の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等の
離型剤、カ―ボンブラック、二酸化チタン等の顔料、シ
ランカップリング剤等の表面処理剤等を樹脂組成物に適
宜配合することができる。また低応力付与剤として、上
記ポリシラン共重合体に併せてシリコ―ンゴム、シリコ
―ンオイル、各種のプラスチックス粉末、エンジニアリ
ングプラスチックス粉末、ＡＢＳ樹脂またはＭＢＳ樹脂
の粉末等を配合することも可能である。

【００２８】本発明において、上述したような樹脂組成
物は、各成分を例えばヘンシェルミキサ―によって充分
混合し、さらに熱ロ―ルによる溶融処理または二軸の押
し出し機等による溶融混合処理を加えた後、冷却、粉砕
することにより調製することができる。このとき本発明
では、ポリシラン共重合体を主成分である熱硬化性樹脂
中に均一に分散するために、ポリシラン共重合体を熱硬
化性樹脂及び熱硬化性樹脂の硬化剤の少なくとも一方と
あらかじめ溶融混合しておくことが好ましい。

【００２９】本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記樹
脂組成物を用い、半導体素子を樹脂封止することにより
製造される。この場合、最も一般的には低圧トランスフ
ァ―成形が用いられるが、インジェクション成形、圧縮
成形、注型等によっても封止することができる。封止後
の加熱硬化は 150℃以上の温度で行なうことが望まし
い。なお、本発明において樹脂組成物の硬化物によって
封止される半導体素子は特に限定されない。

【００３０】

【実施例】以下に、本発明を実施例に沿って詳細に説明
する。

【００３１】まず、表１に示す各成分が同表に示す組成
で配合されてなる樹脂組成物を、以下のようにして調製
した。すなわち、初めにヘンシェルミキサ―中で無機質
充填剤を表面処理剤で処理した。また各ポリシラン、ポ
リシラン共重合体、シリコ―ンオイルについては、あら
かじめ加熱溶融した硬化剤としてのフェノ―ル樹脂に混
合分散させた後、冷却・粉砕した。次いで全成分を配合
して60〜 130℃の加熱ロ―ルで混練し、冷却した後粉砕
することにより、前記樹脂組成物を得た。なお表１中に
示された各成分としては、それぞれ以下のものを用い
た。 エポキシ樹脂Ａ：ｏ−クレゾ―ルノボラックエポキシ樹
脂（ＥＳＣＮ 195ＸＬ、住友化学（株）製、当量 197） エポキシ樹脂Ｂ：ビスフェノ―ルＡ型臭素化エポキシ樹
脂（ＡＥＲ− 755、旭化成（株）製、当量 460） マレイミド樹脂：Ｎ，Ｎ′−ジフェニルメタンビスマレ
イミド（分子量 358） 硬化剤：フェノ―ルノボラック樹脂（ＢＲＧ− 557、昭
和高分子（株）製、当量 104） ポリシラン共重合体Ａ：下記一般式（３）で表されるブ
ロック共重合体（平均分子量10,000） ポリシラン共重合体Ｂ：下記一般式（４）で表されるブ
ロック共重合体（平均分子量 5,000） ポリシラン共重合体Ｃ：下記一般式（５）で表されるブ
ロック共重合体（平均分子量12,000） ポリシラン共重合体Ｄ：下記一般式（６）で表されるブ
ロック共重合体（平均分子量10,000） ポリシラン共重合体Ｅ：下記一般式（７）で表されるブ
ロック共重合体（平均分子量12,000） ポリシランＡ：下記一般式（８）で表されるポリシラン
（平均分子量10,000） ポリシランＢ：下記一般式（９）で表されるポリシラン
（平均分子量 9,000） シリコ―ンオイルＡ：ポリジメチルシロキサン（東芝シ
リコ−ン（株）製、ＴＳＦ 451−１Ｍ、粘度10,000cp） シリコ―ンオイルＢ：両末端フェノ―ル変性ジメチルシ
ロキサン（粘度 250cp） 硬化触媒Ａ：トリフェニルホスフィン（ＰＰ− 360、ケ
イアイ化成（株）製） 硬化触媒Ｂ：ジクミルパ―オキサイド 離型剤：カルナバワックス 顔料：カ―ボンブラック 難燃助剤：三酸化アンチモン 無機質充填剤：溶融シリカ粉（平均粒径20μｍ） 表面処理剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン（Ａ− 187、日本ユニカ―（株）製）

【００３２】

【化５】

【００３３】

【化６】

【００３４】

【表１】 次いで、これらの樹脂組成物についてそれぞれ下記のよ
うな評価試験を行なった。

【００３５】［１］各樹脂組成物を用い、 175℃、３分
の条件でトランスファ―成形により試験片を作成し、 1
80℃で４時間アフタ―キュアした。これらの試験片につ
いて、熱膨張係数、ガラス転移温度、曲げ弾性率、曲げ
強度、吸水率を測定した。またフレ―ム材である42アロ
イ上に樹脂組成物をモ―ルドした試験片を作成し、引っ
張り方向の接着強度を測定した。

【００３６】［２］耐湿性を調べるために以下のＰＣＴ
試験を行なった。すなわち各樹脂組成物を用い、試験用
デバイスを封止した後、 180℃で４時間アフタ―キュア
した。得られた樹脂封止型半導体装置を85℃、相対湿度
85％の雰囲気中に72時間放置して吸湿処理を行なった
後、これを 215℃のフロロカ―ボン蒸気雰囲気中に１分
間さらした。まずこの時点でパッケ―ジのクラック発生
率を調べた。さらにこの樹脂封止型半導体装置を 127℃
の飽和水蒸気雰囲気中に所定時間放置し、不良（リ―ク
不良、オ―プン不良）発生率を調べ、耐湿性を評価し
た。

【００３７】［３］耐熱衝撃性を調べるために以下のＴ
ＣＴ試験を行なった。すなわち各樹脂組成物を用い、大
型の耐熱衝撃性試験用デバイス（８mm×８mm）を封止し
た後、 180℃で４時間アフタ―キュアした。得られた樹
脂封止型半導体装置に−65℃→室温→ 150℃を１サイク
ルとする冷熱サイクルを50〜 400サイクル繰り返し、デ
バイスの動作特性チェックにより不良発生率を調べた。
以上の測定結果を表２及び表３にまとめて示す。

【００３８】表２及び表３から明らかなように、本実施
例の樹脂組成物の硬化物では曲げ弾性率が小さく応力低
減が図られており、また曲げ強度等の機械的強度も良好
である。従って、得られる樹脂封止型半導体装置ではＰ
ＣＴ試験、ＴＣＴ試験による不良発生がほとんどなく、
優れた耐湿性、耐熱衝撃性を有していることがわかる。

【００３９】

【表２】

【００４０】

【表３】

【００４１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置は、低応力の樹脂組成物の硬化物によって
半導体素子が封止されているので、耐熱衝撃性が極めて
優れており、また表面実装を行なってもその後の耐湿性
は良好であり、非常に高い信頼性を有するものである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ） エポキシ樹脂及びマレイミド樹
   脂の少なくとも１種からなる熱硬化性樹脂 （ｂ） 前記熱硬化性樹脂の硬化剤 （ｃ） 下記化学式（１）及び（２）で表される構成単
   位を有するポリシラン共重合体 を必須成分とする樹脂組成物の硬化物によって半導体素
   子が封止されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体
   装置。 【化１】 （式中、Ｒ₁ ，Ｒ₂ は同一でも異なっていてもよく炭素
   数１〜24の一価の有機基を示し、かつＲ₁ ，Ｒ₂ の少な
   くとも一方は水酸基で置換されている。） 【化２】 （式中、Ｒ₃ ，Ｒ₄ は同一でも異なっていてもよく炭素
   数１〜24の一価の有機基を示す。）