JPH1135793A - エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸湿性が低く、流動性に優れたエポキシ樹脂
組成物を提供する。 【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤
と、（ｃ）硬化促進剤と、（ｄ）重合反応可能な置換基
を有し、Ｐａｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以下の原
子よりなる、分子量１５０以上５００以下の有機化合物
とを含有するエポキシ樹脂組成物である。
組成物を提供する。 【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤
と、（ｃ）硬化促進剤と、（ｄ）重合反応可能な置換基
を有し、Ｐａｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以下の原
子よりなる、分子量１５０以上５００以下の有機化合物
とを含有するエポキシ樹脂組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の封止
材料として好適に用いられるエポキシ樹脂組成物、およ
びこれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
材料として好適に用いられるエポキシ樹脂組成物、およ
びこれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、メモリをはじめとする各種デバイ
スが安価で生産性の高いエポキシ樹脂を主成分とするプ
ラスチックにより封止されている。また最近では、電子
部品の高密度実装化や組み立て工程の自動化の要求に応
じて、半導体の実装方式としては、従来の挿入方式に代
わって表面実装方式が主流になりつつある。この実装方
式では、パッケージを回路基板に実装する際には、半田
浸漬や赤外線リフローなどの工程が採用されており、パ
ッケージ全体が高温に曝されることになる。
スが安価で生産性の高いエポキシ樹脂を主成分とするプ
ラスチックにより封止されている。また最近では、電子
部品の高密度実装化や組み立て工程の自動化の要求に応
じて、半導体の実装方式としては、従来の挿入方式に代
わって表面実装方式が主流になりつつある。この実装方
式では、パッケージを回路基板に実装する際には、半田
浸漬や赤外線リフローなどの工程が採用されており、パ
ッケージ全体が高温に曝されることになる。
【０００３】このため従来の封止樹脂では、樹脂内部に
存在していた水分が熱により急激に気化するという現象
が生じ、その結果、パッケージ内部の高い水蒸気内圧に
耐えきれずに樹脂のクラック破壊を引き起こしていた。
さらに、半導体チップの大型化やパッケージの薄型化に
伴なって、封止材に対して従来よりも厳しい特性が要求
されている。
存在していた水分が熱により急激に気化するという現象
が生じ、その結果、パッケージ内部の高い水蒸気内圧に
耐えきれずに樹脂のクラック破壊を引き起こしていた。
さらに、半導体チップの大型化やパッケージの薄型化に
伴なって、封止材に対して従来よりも厳しい特性が要求
されている。
【０００４】上述したような不都合を避けるために、半
導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂は、低応力性
や優れた耐ハンダリフロー性等の性能を備えていなけれ
ばならない。さらに、チップの大型化やパッケージの薄
型化に伴なって、封止樹脂は流動性が高く優れた成形性
を有していることも要求される。
導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂は、低応力性
や優れた耐ハンダリフロー性等の性能を備えていなけれ
ばならない。さらに、チップの大型化やパッケージの薄
型化に伴なって、封止樹脂は流動性が高く優れた成形性
を有していることも要求される。
【０００５】そこで、耐熱性、耐クラック性、および成
形性の優れた封止樹脂の改良が検討され、封止用樹脂の
主成分であるエポキシ樹脂、硬化剤、触媒などの樹脂マ
トリックス成分や、さらにはフィラーに至るまでさまざ
まな方向から改良が行われている。
形性の優れた封止樹脂の改良が検討され、封止用樹脂の
主成分であるエポキシ樹脂、硬化剤、触媒などの樹脂マ
トリックス成分や、さらにはフィラーに至るまでさまざ
まな方向から改良が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、半導
体素子封止用の樹脂には、種々の特性が要求されている
ものの、従来の樹脂を用いて製造された半導体装置にお
ける耐湿性や耐リフロークラック性は未だ充分ではな
く、半導体素子封止用として最適な封止樹脂が求められ
ている。
体素子封止用の樹脂には、種々の特性が要求されている
ものの、従来の樹脂を用いて製造された半導体装置にお
ける耐湿性や耐リフロークラック性は未だ充分ではな
く、半導体素子封止用として最適な封止樹脂が求められ
ている。
【０００７】そこで本発明は、吸湿性が低く流動性に優
れたエポキシ樹脂組成物、および高い耐熱衝撃性、耐湿
信頼性、耐リフロークラック性を有する樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的とする。
れたエポキシ樹脂組成物、および高い耐熱衝撃性、耐湿
信頼性、耐リフロークラック性を有する樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、（ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤
と、（ｃ）硬化促進剤と、（ｄ）重合反応可能な置換基
を有し、Ｐａｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以下の原
子からなる、分子量１５０以上５００以下の有機化合物
とを含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物を提
供する。
に、本発明は、（ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤
と、（ｃ）硬化促進剤と、（ｄ）重合反応可能な置換基
を有し、Ｐａｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以下の原
子からなる、分子量１５０以上５００以下の有機化合物
とを含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物を提
供する。
【０００９】また本発明は、半導体素子と、前記半導体
素子とを封止する樹脂層とを具備し、前記樹脂層は、前
述の樹脂組成物の硬化物を用いることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置を提供する。
素子とを封止する樹脂層とを具備し、前記樹脂層は、前
述の樹脂組成物の硬化物を用いることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置を提供する。
【００１０】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本
発明のエポキシ樹脂組成物に配合され得る（ａ）成分と
してのエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ
基を有するものであれば任意の化合物を使用することが
でき、特に限定されない。具体的には、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールタイプのノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラッ
ク型エポキシ樹脂、フェノールまたはアルキルフェノー
ルとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合物をエポキシ
化して得られるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカン
のエポキシ化物、テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカ
ンのエポキシ化物、２，２’，４，４’−テトラグリシ
ドキシベンゾフェノン、パラアミノフェノールのトリグ
リシジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、
１，３，５−トリグリシジルエーテルベンゼン、１，
２，３−トリグリシジルエーテルベンゼン、フェノール
アラルキル樹脂のグリシジルエーテルなどが挙げられ
る。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。
発明のエポキシ樹脂組成物に配合され得る（ａ）成分と
してのエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ
基を有するものであれば任意の化合物を使用することが
でき、特に限定されない。具体的には、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールタイプのノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラッ
ク型エポキシ樹脂、フェノールまたはアルキルフェノー
ルとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合物をエポキシ
化して得られるトリス（ヒドロキシフェニル）アルカン
のエポキシ化物、テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカ
ンのエポキシ化物、２，２’，４，４’−テトラグリシ
ドキシベンゾフェノン、パラアミノフェノールのトリグ
リシジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、
１，３，５−トリグリシジルエーテルベンゼン、１，
２，３−トリグリシジルエーテルベンゼン、フェノール
アラルキル樹脂のグリシジルエーテルなどが挙げられ
る。これらのエポキシ樹脂は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。
【００１１】本発明のエポキシ樹脂組成物において、
（ｂ）成分である硬化剤としては、フェノール樹脂を用
いることができ、具体的には、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボ
ラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビス
フェノールＡ型ノボラック樹脂、ナフトール系ノボラッ
ク樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、２，２’−
ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノールモノマーとの縮
合重合化合物のフェノールアラルキル樹脂、ビフェニル
型フェノールアラルキル樹脂、ナフタレン型フェノール
アラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン・フェノール重
合体、ヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール、
１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，３，５−ト
リヒドロキシベンゼンなどが挙げられる。これらのフェ
ノール樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。
（ｂ）成分である硬化剤としては、フェノール樹脂を用
いることができ、具体的には、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボ
ラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビス
フェノールＡ型ノボラック樹脂、ナフトール系ノボラッ
ク樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、２，２’−
ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノールモノマーとの縮
合重合化合物のフェノールアラルキル樹脂、ビフェニル
型フェノールアラルキル樹脂、ナフタレン型フェノール
アラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン・フェノール重
合体、ヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール、
１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，３，５−ト
リヒドロキシベンゼンなどが挙げられる。これらのフェ
ノール樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。
【００１２】本発明のエポキシ樹脂組成物において、エ
ポキシ樹脂成分とフェノール樹脂成分との配合比は、硬
化剤であるフェノール樹脂のフェノール性水酸基数とエ
ポキシ樹脂のエポキシ基数との比（フェノール性水酸基
数／エポキシ基数）が０．５〜１．５の範囲となるよう
に調整することが望ましい。この値が０．５未満では、
硬化反応を十分に生じさせることが困難となり、一方
１．５を超えると硬化の特性、特に耐湿性が劣化しやす
くなる。
ポキシ樹脂成分とフェノール樹脂成分との配合比は、硬
化剤であるフェノール樹脂のフェノール性水酸基数とエ
ポキシ樹脂のエポキシ基数との比（フェノール性水酸基
数／エポキシ基数）が０．５〜１．５の範囲となるよう
に調整することが望ましい。この値が０．５未満では、
硬化反応を十分に生じさせることが困難となり、一方
１．５を超えると硬化の特性、特に耐湿性が劣化しやす
くなる。
【００１３】本発明において、（ｃ）成分である硬化促
進剤としては、アミン系、リン系、ホウ素系、およびリ
ン−ホウ素系等を用いることができるが、これらのなか
でも、特にリン系の硬化促進剤を配合した樹脂組成物
は、硬化後の耐湿性が優れているので半導体素子の封止
用として好適である。硬化促進剤の配合量は、樹脂成分
全体の０．０５〜５ｗｔ％であることが好ましい。これ
は、硬化促進剤の配合量が０．０５ｗｔ％未満の場合に
は、その効果を十分に発揮することが困難となり、一方
５ｗｔ％を超えると、ゲル時間が短くなりすぎ、未充填
が起こるおそれがあるからである。また、（ｄ）成分の
重合反応を促進させるものとして、有機過酸化物やジア
ゾ化合物などのラジカル発生剤を用いることができる。
ラジカル発生剤を配合する場合には、その配合量は樹脂
成分全体に対して０．０１〜５ｗｔ％とすることが好ま
しい。
進剤としては、アミン系、リン系、ホウ素系、およびリ
ン−ホウ素系等を用いることができるが、これらのなか
でも、特にリン系の硬化促進剤を配合した樹脂組成物
は、硬化後の耐湿性が優れているので半導体素子の封止
用として好適である。硬化促進剤の配合量は、樹脂成分
全体の０．０５〜５ｗｔ％であることが好ましい。これ
は、硬化促進剤の配合量が０．０５ｗｔ％未満の場合に
は、その効果を十分に発揮することが困難となり、一方
５ｗｔ％を超えると、ゲル時間が短くなりすぎ、未充填
が起こるおそれがあるからである。また、（ｄ）成分の
重合反応を促進させるものとして、有機過酸化物やジア
ゾ化合物などのラジカル発生剤を用いることができる。
ラジカル発生剤を配合する場合には、その配合量は樹脂
成分全体に対して０．０１〜５ｗｔ％とすることが好ま
しい。
【００１４】本発明において、（ｄ）成分として配合さ
れる有機化合物は、重合反応可能な置換基を有し、Ｐａ
ｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以下の原子からなる、
分子量１５０以上５００以下の化合物である。
れる有機化合物は、重合反応可能な置換基を有し、Ｐａ
ｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以下の原子からなる、
分子量１５０以上５００以下の化合物である。
【００１５】ここで重合可能な置換基としては、炭素−
炭素二重結合や三重結合を挙げることができる。電気陰
性度が２．９を越える原子が化合物中に含有されると吸
水率が上昇してしまうので、本発明においては、（ｄ）
成分として配合される有機化合物を構成する原子の電気
陰性度を２．９以下に限定した。電気陰性度が２．９以
下の原子としては、例えば、炭素原子（電気陰性度：
２．５）や水素原子（電気陰性度２．１）などが挙げら
れる。一方、電気陰性度が２．９を越える原子として
は、例えば、酸素原子（電気陰性度：３．５）および窒
素原子（電気陰性度：３．０）などが挙げられる。
炭素二重結合や三重結合を挙げることができる。電気陰
性度が２．９を越える原子が化合物中に含有されると吸
水率が上昇してしまうので、本発明においては、（ｄ）
成分として配合される有機化合物を構成する原子の電気
陰性度を２．９以下に限定した。電気陰性度が２．９以
下の原子としては、例えば、炭素原子（電気陰性度：
２．５）や水素原子（電気陰性度２．１）などが挙げら
れる。一方、電気陰性度が２．９を越える原子として
は、例えば、酸素原子（電気陰性度：３．５）および窒
素原子（電気陰性度：３．０）などが挙げられる。
【００１６】かかる有機化合物の分子量が過剰に高い場
合には、粘度が上昇して成形性が低下してしまい、一
方、低すぎる場合には気化して成形時にボイドが発生す
る。このような不都合を避けるために、（ｄ）成分の有
機化合物の分子量を１５０以上５００以下の範囲に限定
した。具体的には、（ｄ）成分として配合される有機化
合物としては、以下の一般式で表わされる化合物を用い
ることができる。
合には、粘度が上昇して成形性が低下してしまい、一
方、低すぎる場合には気化して成形時にボイドが発生す
る。このような不都合を避けるために、（ｄ）成分の有
機化合物の分子量を１５０以上５００以下の範囲に限定
した。具体的には、（ｄ）成分として配合される有機化
合物としては、以下の一般式で表わされる化合物を用い
ることができる。
【００１７】
【化３】
【００１８】
【化４】
【００１９】
【化５】 （式中、Ｒは同一でも異なっていてもよく、水素原子ま
たは１価の有機基であり、同一であっても異なっていて
もよい。ただし、１つの化合物中、Ｒのうち１つは重合
性の官能基を有する。また、ｎは整数である。） 上述した一般式（１）〜（１０）中にＲとして導入され
得る１価の有機基としては、Ｃm Ｈ2m+1、Ｃm Ｈ2m-1、
およびＣm Ｈ2m-3（ｍは１〜２０の整数である）で表わ
される基が挙げられる。より具体的には、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ビニル基、アセチル基、プロペニ
ル基、およびプロパギル基などが挙げられる。本発明の
エポキシ樹脂組成物において（ｄ）成分として含有され
得る有機化合物の一例を以下に示すが、これらの化合物
に限定されるものではない。
たは１価の有機基であり、同一であっても異なっていて
もよい。ただし、１つの化合物中、Ｒのうち１つは重合
性の官能基を有する。また、ｎは整数である。） 上述した一般式（１）〜（１０）中にＲとして導入され
得る１価の有機基としては、Ｃm Ｈ2m+1、Ｃm Ｈ2m-1、
およびＣm Ｈ2m-3（ｍは１〜２０の整数である）で表わ
される基が挙げられる。より具体的には、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ビニル基、アセチル基、プロペニ
ル基、およびプロパギル基などが挙げられる。本発明の
エポキシ樹脂組成物において（ｄ）成分として含有され
得る有機化合物の一例を以下に示すが、これらの化合物
に限定されるものではない。
【００２０】
【化６】
【００２１】なお、上述した化合物のうち、芳香環を有
するものを用いると難燃剤を配合しなくともＵＬ９４Ｖ
−Ｏの難燃性を有するエポキシ樹脂組成物が得られるの
で好ましい。
するものを用いると難燃剤を配合しなくともＵＬ９４Ｖ
−Ｏの難燃性を有するエポキシ樹脂組成物が得られるの
で好ましい。
【００２２】（ｄ）成分である有機化合物の配合量は、
（（ａ）＋（ｂ））／（ｄ）が重量比で、（（ａ）＋
（ｂ））／（ｄ）＝７５／２５〜９６／４となるように
することが望ましい。これより少ない場合には、この有
機化合物を配合した効果を充分に得ることができず、一
方、多い場合には樹脂強度が著しく低下してしまい、耐
リフロークラック性、耐湿性、耐熱性に劣るおそれがあ
る。
（（ａ）＋（ｂ））／（ｄ）が重量比で、（（ａ）＋
（ｂ））／（ｄ）＝７５／２５〜９６／４となるように
することが望ましい。これより少ない場合には、この有
機化合物を配合した効果を充分に得ることができず、一
方、多い場合には樹脂強度が著しく低下してしまい、耐
リフロークラック性、耐湿性、耐熱性に劣るおそれがあ
る。
【００２３】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上述した
成分に加えて無機質充填剤を配合することにより、半導
体封止用として好ましく使用することができる。用い得
る無機質充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶性
シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒
化ホウ素および雲母等が挙げられ、これらは単独でまた
は２種以上混合して使用することができる。なお、低吸
湿性でしかも低溶融粘度の組成物が得られることから、
溶融シリカや結晶性シリカ等が特に好ましく用いられ
る。溶融シリカや結晶性シリカの形状は、破砕状および
球状シリカなどがあり、これらを組み合わせて配合して
もよい。
成分に加えて無機質充填剤を配合することにより、半導
体封止用として好ましく使用することができる。用い得
る無機質充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶性
シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒
化ホウ素および雲母等が挙げられ、これらは単独でまた
は２種以上混合して使用することができる。なお、低吸
湿性でしかも低溶融粘度の組成物が得られることから、
溶融シリカや結晶性シリカ等が特に好ましく用いられ
る。溶融シリカや結晶性シリカの形状は、破砕状および
球状シリカなどがあり、これらを組み合わせて配合して
もよい。
【００２４】いずれの無機質充填剤の場合も、ソフトエ
ラーを防止するために、充填剤中のウラン（Ｕ）および
トリウム（Ｔｈ）の含有量は、ともに０．５ｐｐｂ以下
であることが望まれる。
ラーを防止するために、充填剤中のウラン（Ｕ）および
トリウム（Ｔｈ）の含有量は、ともに０．５ｐｐｂ以下
であることが望まれる。
【００２５】無機質充填剤の形状および粒径は、特に限
定されない。ただし、その形状が破砕状である場合に
は、充填剤の鋭角部が素子表面に接触して局部に大きな
応力を与えて半導体素子の誤動作を引き起こすおそれが
ある。これを防止する観点から、破砕状無機質充填剤の
最大粒径は、７５μｍ以下であることが好ましい。
定されない。ただし、その形状が破砕状である場合に
は、充填剤の鋭角部が素子表面に接触して局部に大きな
応力を与えて半導体素子の誤動作を引き起こすおそれが
ある。これを防止する観点から、破砕状無機質充填剤の
最大粒径は、７５μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】上述したような無機質充填剤の配合量は、
樹脂組成物全体に対して５０〜９５ｗｔ％、さらには８
５〜９５ｗｔ％とすることが好ましい。５０ｗｔ％未満
では十分な耐熱衝撃性を得ることが困難となり、一方９
５ｗｔ％を超えると組成物の溶融粘度が高く成形性が低
下するおそれがある。
樹脂組成物全体に対して５０〜９５ｗｔ％、さらには８
５〜９５ｗｔ％とすることが好ましい。５０ｗｔ％未満
では十分な耐熱衝撃性を得ることが困難となり、一方９
５ｗｔ％を超えると組成物の溶融粘度が高く成形性が低
下するおそれがある。
【００２７】本発明のエポキシ樹脂組成物に、添加剤と
して、シリコンオイル、シリコンゲル、シリコンゴム、
ＡＢＳ樹脂またはＭＢＳ樹脂の粉末を配合してもよい。
さらに、上述の成分に加えて、天然ワックス類、合成ワ
ックス類、直鎖脂肪酸やその金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤；カーボンブラッ
ク、二酸化チタンなどの顔料；シランカップリング剤な
どのフィラー表面処理剤；三酸化アンチモンなどの難燃
助剤などを適宜添加してもよい。
して、シリコンオイル、シリコンゲル、シリコンゴム、
ＡＢＳ樹脂またはＭＢＳ樹脂の粉末を配合してもよい。
さらに、上述の成分に加えて、天然ワックス類、合成ワ
ックス類、直鎖脂肪酸やその金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤；カーボンブラッ
ク、二酸化チタンなどの顔料；シランカップリング剤な
どのフィラー表面処理剤；三酸化アンチモンなどの難燃
助剤などを適宜添加してもよい。
【００２８】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
各成分を加熱ロール、ニーダーまたは押出機によって溶
融混練したり、微粉砕可能な特殊混合機によって混合し
たり、あるいはこれらの各方法を適宜組み合わせること
により容易に製造することができる。
各成分を加熱ロール、ニーダーまたは押出機によって溶
融混練したり、微粉砕可能な特殊混合機によって混合し
たり、あるいはこれらの各方法を適宜組み合わせること
により容易に製造することができる。
【００２９】本発明のいエポキシ樹脂組成物を用いて半
導体素子を封止するに当っては、最も一般的には、低圧
トランスファー成形が用いられるが、これに限定される
ものではない。すなわち、インジェクション成形、圧縮
成形および注型などの任意の方法で半導体素子を封止す
ることができる。封止後には、１７５℃以上の温度でア
フターキュアすることが望ましい。また、本発明のエポ
キシ樹脂組成物は低粘度であるので、フリップチップ方
式の半導体装置にも好適に使用することができる。
導体素子を封止するに当っては、最も一般的には、低圧
トランスファー成形が用いられるが、これに限定される
ものではない。すなわち、インジェクション成形、圧縮
成形および注型などの任意の方法で半導体素子を封止す
ることができる。封止後には、１７５℃以上の温度でア
フターキュアすることが望ましい。また、本発明のエポ
キシ樹脂組成物は低粘度であるので、フリップチップ方
式の半導体装置にも好適に使用することができる。
【００３０】なお、本発明において封止される半導体チ
ップは特に限定されず、目的や用途等に応じた任意のチ
ップを封止することができる。本発明のエポキシ樹脂組
成物には、重合反応可能な置換基を有し、電気陰性度
２．９以下の原子からなる分子量１５０以上５００以下
の有機化合物が配合されているので、溶融粘度が低く成
形性に優れており、成形体中におけるボイドの発生も抑
制される。しかも、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化
物は吸水率が低く、電気特性や耐湿性等のエポキシ樹脂
の特性は何等損なわれることがない。したがって、本発
明のポキシ樹脂組成物で半導体素子を封止することによ
り、高い耐リフロークラック性および耐熱信頼性を有す
る樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
ップは特に限定されず、目的や用途等に応じた任意のチ
ップを封止することができる。本発明のエポキシ樹脂組
成物には、重合反応可能な置換基を有し、電気陰性度
２．９以下の原子からなる分子量１５０以上５００以下
の有機化合物が配合されているので、溶融粘度が低く成
形性に優れており、成形体中におけるボイドの発生も抑
制される。しかも、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化
物は吸水率が低く、電気特性や耐湿性等のエポキシ樹脂
の特性は何等損なわれることがない。したがって、本発
明のポキシ樹脂組成物で半導体素子を封止することによ
り、高い耐リフロークラック性および耐熱信頼性を有す
る樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例によってさ
らに詳細に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定
されるものではない。本実施例のエポキシ樹脂組成物に
配合される各成分を以下に示す。
らに詳細に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定
されるものではない。本実施例のエポキシ樹脂組成物に
配合される各成分を以下に示す。
【００３２】 エポキシ樹脂Ａ：ビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂 （ＹＸ−４０００Ｈ、油化シェルエポキシ製、当量１９３） エポキシ樹脂Ｂ：ジフェエニルメタン型エポキシ樹脂 （ＥＳＬＶ−８０ＸＹ、新日鐵化学製、当量１９６） エポキシ樹脂Ｃ：ジフェエニルメタン型エポキシ樹脂 （ＧＫ−８００１、新日鐵化学製、当量２０５） 硬化剤Ａ：フェノールアラルキル樹脂 （ＸＬ−２２５−４Ｌ、三井東圧化学製、当量１７０） 硬化剤Ｂ：ナフトール型フェノールアラルキル樹脂 （ＳＮ−１８０、新日鐵化学製、当量１９１） 硬化剤Ｃ：ビフェニル型フェノールアラルキル樹脂 （ＭＥＨ−７８５１、明和化成製、当量１９９） 硬化促進剤：トリフェニルホスフィン 重合開始剤Ａ：ジクミルパーオキサイド 重合開始剤Ｂ：１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンニトリル 重合性化合物Ａ：４−ビニルビフェニル （分子量：１８０．２） 重合性化合物Ｂ：２，２’−ジビニルビフェニル （分子量：２０６．３） 重合性化合物Ｃ：９−ビニルアントラセン （分子量：２０４．３） 重合性化合物Ｄ：１，５−ジビニルナフタレン （分子量：１８０．２） 重合性化合物Ｅ：９，10−ジビニルアントラセン （分子量：２３０．３） 重合性化合物Ｆ：ブタジエンオリゴマー（分子量２００〜４００、平均分子量 ２５０） 重合性化合物Ｇ：１，１１−ドデカジイン （分子量：１６２．３） 重合性化合物Ｈ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタンビスマレイミド （分子量：３５８．４） 重合性化合物Ｉ：Ｎ，Ｎ’−フェニレンビスマレイミド （分子量：２３６．２） カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン 離型剤：エステル系ワックス 顔料：カーボンブラック 難燃剤：三酸化アンチモン 無機充填剤：溶融シリカ粉 上述した重合性化合物のうち、重合性化合物ＨおよびＩ
は、酸素原子（電気陰性度３．５）および窒素原子（電
気陰性度３．０）を含有している。これ以外の重合性化
合物（Ａ〜Ｇ）は、炭素原子（電気陰性度２．５）およ
び水素原子（電気陰性度２．１）のみから構成されてい
る。
は、酸素原子（電気陰性度３．５）および窒素原子（電
気陰性度３．０）を含有している。これ以外の重合性化
合物（Ａ〜Ｇ）は、炭素原子（電気陰性度２．５）およ
び水素原子（電気陰性度２．１）のみから構成されてい
る。
【００３３】これらの成分を、下記表１〜４に示す処方
で配合して実施例１〜１４、比較例１〜３、および参考
例１のエポキシ樹脂組成物を調製した。なお、表中の配
合量は重量部である。
で配合して実施例１〜１４、比較例１〜３、および参考
例１のエポキシ樹脂組成物を調製した。なお、表中の配
合量は重量部である。
【００３４】エポキシ樹脂組成物の調製に当っては、ま
ず、ヘンシェルミキサー中でシランカップリング剤を用
いて無機充填剤に表面処理を施した。さらに、エポキシ
樹脂、硬化剤等の他の成分をそれぞれ配合して６０〜１
３０℃の加熱ロールで混練し、冷却した後、粉砕するこ
とによりエポキシ樹脂組成物を得た。
ず、ヘンシェルミキサー中でシランカップリング剤を用
いて無機充填剤に表面処理を施した。さらに、エポキシ
樹脂、硬化剤等の他の成分をそれぞれ配合して６０〜１
３０℃の加熱ロールで混練し、冷却した後、粉砕するこ
とによりエポキシ樹脂組成物を得た。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】
【表４】
【００３９】次いで、これらの実施例１〜１４、比較例
１〜３、および参考例１のエポキシ樹脂について以下の
評価を行なった。 （１）溶融粘度 各エポキシ樹脂組成物の粉体材料２．５ｇを用いて底面
積１ｃｍ2 の円柱状タブレットを作製し、フローテスタ
ーにより測定した。フローテスターＣＦＴ−５００Ａ
（島津製作所製）を用い、測定条件１８０℃、ノズル
０．５ｍｍφ×１ｍｍ、荷重１０ｋｇで測定した。 （２）曲げ強度および曲げ弾性率 各エポキシ樹脂組成物を用いて、１８０℃、１分の条件
で、トランスファー成形により試験片（１０ｍｍ×４ｍ
ｍ×８０ｍｍ）を作製し、１７５℃で８時間アフターキ
ュアして測定用の試料を得た。得られた試料について、
支点間距離６４ｍｍ、クロスヘッドスピード２ｍｍ／ｍ
ｉｎの条件で３点曲げ試験を行なうことにより、室温に
おける曲げ強度および曲げ弾性率を測定した。さらに、
試験片を２４０℃の雰囲気中に４分間放置した後、前述
と同様の条件で曲げ試験を行なって、２４０℃における
曲げ強度を得た。 （３）熱膨張率 各エポキシ樹脂組成物を用いて、曲げ試験片と同じ試験
片を切り出すことにより試験片（約４ｍｍ×約４ｍｍ×
約１８ｍｍ）を作製した。得られた試験片に３ｇの荷重
をかけた状態で、室温から５℃／分で昇温した際の試験
片の伸びを測定することにより求めた。 （４）ガラス転移温度 各エポキシ樹脂組成物を用いて、曲げ試験片と同じ試験
片を切り出すことにより試験片（約０．５ｍｍ×約４ｍ
ｍ×約２５ｍｍ）を作製した。得られた試験片を用い、
測定長２０ｍｍ、周波数３ＨｚでＤＭＳの測定を行な
い、ｔａｎδの変化から求めた。 （５）吸水率 各エポキシ樹脂組成物を用いて試験片（３０ｍｍ×３０
ｍｍ×１ｍｍ）を作製し、この試験片を８５℃、相対湿
度８５％の条件で１６８時間放置して質量増加により求
めた。 （６）耐リフロークラック性 各エポキシ樹脂組成物を用いて、試験用デバイス（１０
ｍｍ×１８ｍｍのチップ）をトランスファー成形により
封止して、１３ｍｍ×２２ｍｍ×１．５ｍｍのパッケー
ジを作製し、１７５℃で８時間アフターキュアした。次
いで、このパッケージを８５℃、相対湿度８５％の雰囲
気中に１６８時間放置して吸湿処理を行なった後、２４
０℃で赤外線リフロー処理を施してクラックの発生を調
べた。 （７）耐湿信頼性 前述の耐リフロークラック性を調べるものと同様のパッ
ケージを作製し、同様の条件でアフターキュア、吸湿、
リフロー処理を行なった後、１２７℃の飽和水蒸気中に
放置し、不良（リーク不良、オープン不良）の発生率を
調べた。 （８）耐熱衝撃性 各エポキシ樹脂組成物を用い、大型の耐熱衝撃性試験用
の半導体チップ（１５ｍｍ×１５ｍｍ）を封止し、パッ
ケージを作製した。このパッケージに対し、まず耐リフ
ロー性を調べるときと同じ条件でアフターキュア、吸
湿、リフロー処理を行なった。その後、−６５℃（３０
分）、室温（５分）、１５０℃（３０分）、室温（５
分）を１サイクルとする冷熱サイクルを５０〜４００サ
イクル繰り返し、デバイスの動作特性チェックにより不
良発生率を調べた。これらの結果を下記表５ないし８に
示す。
１〜３、および参考例１のエポキシ樹脂について以下の
評価を行なった。 （１）溶融粘度 各エポキシ樹脂組成物の粉体材料２．５ｇを用いて底面
積１ｃｍ2 の円柱状タブレットを作製し、フローテスタ
ーにより測定した。フローテスターＣＦＴ−５００Ａ
（島津製作所製）を用い、測定条件１８０℃、ノズル
０．５ｍｍφ×１ｍｍ、荷重１０ｋｇで測定した。 （２）曲げ強度および曲げ弾性率 各エポキシ樹脂組成物を用いて、１８０℃、１分の条件
で、トランスファー成形により試験片（１０ｍｍ×４ｍ
ｍ×８０ｍｍ）を作製し、１７５℃で８時間アフターキ
ュアして測定用の試料を得た。得られた試料について、
支点間距離６４ｍｍ、クロスヘッドスピード２ｍｍ／ｍ
ｉｎの条件で３点曲げ試験を行なうことにより、室温に
おける曲げ強度および曲げ弾性率を測定した。さらに、
試験片を２４０℃の雰囲気中に４分間放置した後、前述
と同様の条件で曲げ試験を行なって、２４０℃における
曲げ強度を得た。 （３）熱膨張率 各エポキシ樹脂組成物を用いて、曲げ試験片と同じ試験
片を切り出すことにより試験片（約４ｍｍ×約４ｍｍ×
約１８ｍｍ）を作製した。得られた試験片に３ｇの荷重
をかけた状態で、室温から５℃／分で昇温した際の試験
片の伸びを測定することにより求めた。 （４）ガラス転移温度 各エポキシ樹脂組成物を用いて、曲げ試験片と同じ試験
片を切り出すことにより試験片（約０．５ｍｍ×約４ｍ
ｍ×約２５ｍｍ）を作製した。得られた試験片を用い、
測定長２０ｍｍ、周波数３ＨｚでＤＭＳの測定を行な
い、ｔａｎδの変化から求めた。 （５）吸水率 各エポキシ樹脂組成物を用いて試験片（３０ｍｍ×３０
ｍｍ×１ｍｍ）を作製し、この試験片を８５℃、相対湿
度８５％の条件で１６８時間放置して質量増加により求
めた。 （６）耐リフロークラック性 各エポキシ樹脂組成物を用いて、試験用デバイス（１０
ｍｍ×１８ｍｍのチップ）をトランスファー成形により
封止して、１３ｍｍ×２２ｍｍ×１．５ｍｍのパッケー
ジを作製し、１７５℃で８時間アフターキュアした。次
いで、このパッケージを８５℃、相対湿度８５％の雰囲
気中に１６８時間放置して吸湿処理を行なった後、２４
０℃で赤外線リフロー処理を施してクラックの発生を調
べた。 （７）耐湿信頼性 前述の耐リフロークラック性を調べるものと同様のパッ
ケージを作製し、同様の条件でアフターキュア、吸湿、
リフロー処理を行なった後、１２７℃の飽和水蒸気中に
放置し、不良（リーク不良、オープン不良）の発生率を
調べた。 （８）耐熱衝撃性 各エポキシ樹脂組成物を用い、大型の耐熱衝撃性試験用
の半導体チップ（１５ｍｍ×１５ｍｍ）を封止し、パッ
ケージを作製した。このパッケージに対し、まず耐リフ
ロー性を調べるときと同じ条件でアフターキュア、吸
湿、リフロー処理を行なった。その後、−６５℃（３０
分）、室温（５分）、１５０℃（３０分）、室温（５
分）を１サイクルとする冷熱サイクルを５０〜４００サ
イクル繰り返し、デバイスの動作特性チェックにより不
良発生率を調べた。これらの結果を下記表５ないし８に
示す。
【００４０】
【表５】
【００４１】
【表６】
【００４２】
【表７】
【００４３】
【表８】
【００４４】表５ないし７に示されるように、本発明の
エポキシ樹脂組成物（実施例１〜１４）は、いずれも適
切な溶融粘度を有しており、かかるエポキシ樹脂組成物
を硬化させてなる硬化物は、吸水率が低く、高い曲げ強
度を有している。このように優れた特性を有する本発明
のエポキシ樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装
置は、耐リフロークラック性、耐湿信頼性および耐熱衝
撃性の試験に供しても不良はほとんど発生しないこと
が、表５ないし７の結果に示されている。
エポキシ樹脂組成物（実施例１〜１４）は、いずれも適
切な溶融粘度を有しており、かかるエポキシ樹脂組成物
を硬化させてなる硬化物は、吸水率が低く、高い曲げ強
度を有している。このように優れた特性を有する本発明
のエポキシ樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装
置は、耐リフロークラック性、耐湿信頼性および耐熱衝
撃性の試験に供しても不良はほとんど発生しないこと
が、表５ないし７の結果に示されている。
【００４５】これに対して表８に示されるように、
（ｄ）成分を含有しないエポキシ樹脂組成物（比較例
１）は、溶融粘度が２７（Ｐａ・ｓ）にも及んでおり、
吸水率は２２５０（ｐｐｍ）と大きい。また、電気陰性
度が２．９より大きな原子を含む有機化合物を（ｄ）成
分として含有するエポキシ樹脂組成物（比較例２、３）
は、溶融粘度および吸水率がさらに高くなっている。こ
のようなエポキシ樹脂組成物（比較例１、２および３）
で封止された半導体装置は、いずれの試験においても不
良が発生しており、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置
が得られないことがわかる。
（ｄ）成分を含有しないエポキシ樹脂組成物（比較例
１）は、溶融粘度が２７（Ｐａ・ｓ）にも及んでおり、
吸水率は２２５０（ｐｐｍ）と大きい。また、電気陰性
度が２．９より大きな原子を含む有機化合物を（ｄ）成
分として含有するエポキシ樹脂組成物（比較例２、３）
は、溶融粘度および吸水率がさらに高くなっている。こ
のようなエポキシ樹脂組成物（比較例１、２および３）
で封止された半導体装置は、いずれの試験においても不
良が発生しており、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置
が得られないことがわかる。
【００４６】なお、（ｄ）成分の配合量が少ないエポキ
シ樹脂組成物は溶融粘度や吸水率の上昇が生じ、このよ
うなエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、充分に高い
信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが
困難であることが、参考例１として表８に示されてい
る。
シ樹脂組成物は溶融粘度や吸水率の上昇が生じ、このよ
うなエポキシ樹脂組成物を用いた場合には、充分に高い
信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を製造することが
困難であることが、参考例１として表８に示されてい
る。
【００４７】ここで、本発明の樹脂封止型半導体装置の
一例の断面図を図１に示す。図１に示す半導体装置１０
おいては、ダイパッド１１上に実装された半導体チップ
１２は、ワイヤ１４によってリード１３に接続され、さ
らに、本発明のエポキシ樹脂組成物を硬化させてなる樹
脂層１５により封止されている。
一例の断面図を図１に示す。図１に示す半導体装置１０
おいては、ダイパッド１１上に実装された半導体チップ
１２は、ワイヤ１４によってリード１３に接続され、さ
らに、本発明のエポキシ樹脂組成物を硬化させてなる樹
脂層１５により封止されている。
【００４８】図２には、本発明の樹脂封止型半導体装置
の他の例の断面図を示す。図２に示す半導体装置２０に
おいては、裏面にハンダボール２２を有する基板２１の
表面に、半導体チップ２４がバンプ２３を介してフェイ
スダウン方式で実装されている。基板２１と半導体チッ
プ２４との間の間隙には、本発明のエポキシ樹脂組成物
を硬化させてなる樹脂層２６が配置されている。
の他の例の断面図を示す。図２に示す半導体装置２０に
おいては、裏面にハンダボール２２を有する基板２１の
表面に、半導体チップ２４がバンプ２３を介してフェイ
スダウン方式で実装されている。基板２１と半導体チッ
プ２４との間の間隙には、本発明のエポキシ樹脂組成物
を硬化させてなる樹脂層２６が配置されている。
【００４９】なお、図２に示すようなフリップチップ方
式の半導体装置は、基板と半導体チップとの間に、毛細
管現象あるいは圧力をかけることによって樹脂組成物を
流し込んで製造する。基板と半導体チップとの間の間隙
は、３０〜１００μｍと極めて小さいので、ここに流し
込む樹脂組成物は低粘度であることが要求される。本発
明のエポキシ樹脂組成物は低粘度であるので、このよう
なフリップチップ方式の半導体装置に特に有効に用いる
ことができる。
式の半導体装置は、基板と半導体チップとの間に、毛細
管現象あるいは圧力をかけることによって樹脂組成物を
流し込んで製造する。基板と半導体チップとの間の間隙
は、３０〜１００μｍと極めて小さいので、ここに流し
込む樹脂組成物は低粘度であることが要求される。本発
明のエポキシ樹脂組成物は低粘度であるので、このよう
なフリップチップ方式の半導体装置に特に有効に用いる
ことができる。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
溶融粘度が低く、樹脂硬化物の吸水率が小さいエポキシ
樹脂組成物が提供される。この樹脂組成物を用いること
により、耐リフロークラック性、耐熱衝撃性および耐湿
信頼性の信頼性が全て良好な樹脂封止型半導体装置が得
られる。かかる樹脂封止型半導体装置は、電子機器の高
密度化、チップの大型化等に対応できるものであり、そ
の工業的価値は極めて大きい。
溶融粘度が低く、樹脂硬化物の吸水率が小さいエポキシ
樹脂組成物が提供される。この樹脂組成物を用いること
により、耐リフロークラック性、耐熱衝撃性および耐湿
信頼性の信頼性が全て良好な樹脂封止型半導体装置が得
られる。かかる樹脂封止型半導体装置は、電子機器の高
密度化、チップの大型化等に対応できるものであり、そ
の工業的価値は極めて大きい。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の一例を表わす
断面図。
断面図。
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の他の例を表わ
す断面図。
す断面図。
１０，２０…樹脂封止型半導体装置 １１…ダイパッド １２，２４…半導体チップ １３…リード １４…ワイヤ １５，２４…樹脂層 ２１…基板 ２２…はんだボール ２３…バンプ
Claims (5)
- 【請求項１】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤
と、（ｃ）硬化促進剤と、（ｄ）重合反応可能な置換基
を有し、Ｐａｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以下の原
子よりなる、分子量１５０以上５００以下の有機化合物
とを含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 前記（ｄ）成分に含まれる重合反応可能
な置換基は、炭素−炭素二重結合あるいは三重結合を有
する請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 前記（ｄ）成分である、重合反応可能な
置換基をもち、Ｐａｕｌｉｎｇの電気陰性度が２．９以
下の原子よりなる、分子量１５０以上５００以下の有機
化合物は、下記一般式（１）〜（１０）のいずれかで表
わされる化合物の少なくとも１種である請求項１に記載
のエポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】 （上記一般式中、Ｒは同一でも異なっていてもよく、水
素原子、または１価の有機基である。ただし、１つの化
合物中、Ｒの少なくとも１つ以上は重合性の置換基を有
する。） - 【請求項４】 （ｄ）成分の配合量が、重量比で、
（（ａ）＋（ｂ））／（ｄ）＝７５／２５〜９６／４で
ある請求項１ないし３のいずれか１項に記載のエポキシ
樹脂組成物。 - 【請求項５】 半導体素子と、前記半導体素子とを封止
する樹脂層とを具備し、前記樹脂層は、請求項１ないし
４のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物を用いる
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197284A JPH1135793A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197284A JPH1135793A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1135793A true JPH1135793A (ja) | 1999-02-09 |
Family
ID=16371911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9197284A Pending JPH1135793A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1135793A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060904A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Chisso Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| WO2011118157A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 |
| JP2020026515A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | Jsr株式会社 | 硬化性組成物及び化合物 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP9197284A patent/JPH1135793A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060904A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Chisso Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| WO2011118157A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 |
| JPWO2011118157A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2013-07-04 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 |
| JP5725016B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2015-05-27 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 |
| US9048187B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-06-02 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same |
| JP2020026515A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | Jsr株式会社 | 硬化性組成物及び化合物 |
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