JPH0648339U - ゴム、プラスチック絶縁ケーブルの端末処理部 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ゴム、プラスチック絶縁体の厚さを低減させ
ても、モールドストレスコーンの挿嵌により電気的スト
レスを十分にコントロールすることができ、かつ内径の
異なる何種類ものモールドストレスコーンを用意する必
要がないケーブルの端末処理部を提供する。 【構成】 ケーブル端部の絶縁体９に架橋ポリエチレン
加熱モールド層１１が、テープ巻モールド法等により設
けられ、その後端部はコーン状に形成され電気的ストレ
スの集中が防止されている。また、加熱モールド層１１
上から外部半導電層１０の剥ぎ取り端部上に跨がって、
半導電性モールド層１２が形成されており、加熱モール
ド層１１上にゴムモールドストレスコーン１３が挿嵌さ
れ、その半導電ストレスコーン部１４が半導電性モール
ド層１２の先端部に直接密接されるように構成されてい
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、ゴム、プラスチック絶縁ケーブルの端末処理部に係わり、特に高圧 用ＣＶケーブル（ 275KV架橋ポリエチレン絶縁ケーブル）のプレハブ形接続部に 適用される端末処理部に関する。

【０００２】

【従来の技術】

近年、ＣＶケーブルのようなゴム、プラスチック絶縁ケーブルにおいて、直線 、分岐あるいは終端等の接続部を形成する場合には、寸法の縮小化、作業の省力 化あるいは特性の安定化等の目的でプレハブ方式が採られ、ケーブル絶縁体外周 にプレモールド絶縁体（ゴムモールドストレスコーン）を挿嵌し、絶縁などの端 末処理を行っている。

【０００３】 従来からこのようなプレハブ方式の端末処理部は、以下に示すように構成され ている。すなわち、図３に示すように、段剥ぎされてケーブル導体１、ケーブル 絶縁体２、外部半導電層３等が順に露出されたＣＶケーブル４端部において、外 部半導電層３のガラス片等で削ぎ落とされた端部に、ケーブル絶縁体２上に跨が って、半導電性ポリエチレンテープの加熱モールド等により、半導電性モールド 層５が形成されている。そして、このような半導電性モールド層５に半導電スト レスコーン部６が接するようにゴムモールドストレスコーン７を挿嵌しても、ボ イドや面圧不均一などの電気的な弱点が生じないように構成されている。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながらこのような構造の端末処理部において、特にケーブル絶縁体２の 厚さが低減されたＣＶケーブル４では、絶縁体表面の電位傾度が大きくなる。そ のため、プレハブ形のゴムモールドストレスコーン７では、電気的ストレスを十 分にコントロールすることが難しく、立上がり部（図中 gで示す。）で絶縁破壊 が生じてしまうことが多かった。

【０００５】 また、一般にケーブル絶縁体２は押出成形により形成されるので外径の変動が 大きいのに対して、ゴムモールドストレスコーン７は金型を用いて製作されるの で、内径がほぼ一定している。そのため、一つのＣＶケーブル４に対して内径の 異なる何種類ものモールドストレスコーン７を用意する必要があった。

【０００６】 本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので、ケーブル絶縁体の厚 さを低減させても、モールドストレスコーンの挿嵌により電気的ストレスを十分 にコントロールすることができ、かつ内径の異なる何種類ものモールドストレス コーンを用意する必要がない、ゴム、プラスチック絶縁ケーブルの端末処理部を 提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案のゴム、プラスチック絶縁ケーブルの端末処理部は、段剥ぎ露出された ケーブル絶縁体上に加熱モールド層を設けるとともに、前記加熱モールド層上に 外部半導電層の剥ぎ取り端部に跨がって半導電性モールド層を形成してなり、前 記加熱モールド層上に絶縁部と半導電部とから成るストレスコーンを、前記半導 電部が前記半導電性モールド層に接するように挿嵌するように構成してなること を特徴とする。

【０００８】

【作用】

本考案のゴム、プラスチック絶縁ケーブルの端末処理部においては、段剥ぎ露 出されたケーブル絶縁体上に、架橋ポリオレフィンからなる加熱モールド層が設 けられているので、表面の電位傾度が十分に低く抑えられている。したがって、 その上にモールドストレスコーンを挿嵌することにより、電気的ストレスが十分 にコントロールされ、絶縁破壊が生じるおそれがなくなる。また、このような加 熱モールド層は外径調整が容易であり、その上にモールドストレスコーンが挿嵌 されるので、密着性が良好であり、内径の異なる何種類ものモールドストレスコ ーンを用意する必要がない。さらに、加熱モールド層上から外部半導電層の剥ぎ 取り端部上に跨がって、半導電性モールド層が形成され、半導電部がこの層に直 接接するようにモールドストレスコーンが挿嵌されるので、ボイドや面圧不均一 などの電気的な弱点が生じず、電気的機械的特性の良好な接続部を得ることがで きる。

【０００９】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。

【００１０】 図１は、本考案の一実施例であるＣＶケーブルの端末処理部を示す縦断面図で ある。

【００１１】 図において、符号８は端末処理を施すべきＣＶケーブルを示し、その端部は階 段状に剥ぎ取られ、ケーブル導体（図示を省略。）とその上に押出成形された架 橋ポリエチレンからなる絶縁体９と、このようなケーブル絶縁体９上に形成され た外部半導電層１０等がそれぞれ順に露出されている。そして、こうして剥ぎ取 られた外部半導電層１０端部に近いケーブル絶縁体９上には、架橋ポリエチレン の加熱モールド層１１が設けられており、この加熱モールド層１１の外部半導電 層１０に対向する後端部は、電気的ストレスが集中しないように紡錘（コーン） 形状に形成されている。なお、このような加熱モールド層１１を形成する方法と しては、架橋剤が配合されたポリエチレンテープを所定形状に巻回した後巻回層 を加熱架橋して一体に成形するテープ巻モールド法と、架橋剤入りのポリエチレ ンを押出成形した後成形層を架橋する押出しモールド法の２つの方法があるが、 いずれの方法を行っても良い。また、加熱モールド層１１の厚さは、その表面の 電位傾度が後述するゴムモールドストレスコーンの耐電圧値以下になるように設 定することが望ましい。さらに、このような加熱モールド層１１上から外部半導 電層１０の剥ぎ取り端部上に跨がって、前記したテープ巻モールド法等により、 半導電性モールド層１２が形成されている。

【００１２】 このように構成される実施例の端末処理部においては、図２に示すように、加 熱モールド層１１上にゴムモールドストレスコーン１３が挿嵌され、その半導電 ストレスコーン部１４が半導電性モールド層１２の先端部に直接密接されるとも に、さらに所要の処理がなされて接続部の形成に供せられる。こうして実施例の 端末処理部により形成される接続部においては、ケーブル絶縁体９の外周に、架 橋ポリエチレンの加熱モールド層１１が設けられており、その表面の電位傾度が モールドストレスコーン１３の耐電圧値以下に低減されているので、モールドス トレスコーン１３により電気的ストレスが十分にコントロールされ、ストレスコ ーン立上がり部等に絶縁破壊が生じるおそれがない。また、加熱モールド層１１ の外径調整が容易であるので、何種類ものモールドストレスコーン１３を用意す る必要がなく、さらに半導電性モールド層１２とモールドストレスコーン１３と の電気的機械的な密着性が良く、ボイドや面圧不均一などの電気的な弱点が生じ ない。

【００１３】

【考案の効果】

以上説明したように本考案のゴム、プラスチック絶縁ケーブルの端末処理部に よれば、特に絶縁体厚を低減させたゴム、プラスチック絶縁ケーブルにおいても 、その上にモールドストレスコーンを挿嵌することにより、電気的ストレスを十 分にコントロールし絶縁破壊の発生を抑えることができる。したがって、このよ うな端末処理部にさらに所要の処理を施すことにより、絶縁性能が良好なプレハ ブ形接続部を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例であるＣＶケーブルの端末処
理部の要部を示す縦断面図。

【図２】実施例の端末処理部の外周にモールドストレス
コーンを挿嵌した状態を示す縦断面図。

【図３】従来からのＣＶケーブルの端末処理部を示す縦
断面図。

【符号の説明】

１………ケーブル導体 ２、９………ケーブル絶縁体 ３、１０………外部半導電層 ４、８………ＣＶケーブル ５、１２………半導電性モールド層 ６、１４………半導電ストレスコーン部 ７、１３………ゴムモールドストレスコーン １１………架橋ポリエチレンの加熱モールド層

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 段剥ぎ露出されたケーブル絶縁体上に加
   熱モールド層を設けるとともに、前記加熱モールド層上
   に外部半導電層の剥ぎ取り端部に跨がって半導電性モー
   ルド層を形成してなり、前記加熱モールド層上に絶縁部
   と半導電部とから成るストレスコーンを、前記半導電部
   が前記半導電性モールド層に接するように挿嵌するよう
   に構成してなることを特徴とするゴム、プラスチック絶
   縁ケーブルの端末処理部。