JPH0647629A

JPH0647629A - 超硬質膜付部材及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0647629A
Application number: JP20522192A
Authority: JP
Inventors: Katsura Hayashi; 桂林
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1992-07-31
Filing date: 1992-07-31
Publication date: 1994-02-22

Abstract

(57)【要約】【目的】超硬質膜と支持層が強固に密着し、かつ仕上げ
面精度に優れた複雑形状の製品を製造することができる
超硬質膜付部材及びその製造方法を提供する。【構成】気相合成法により作成されたタングステン，モ
リブデン及びそれらと炭素との化合物のうち少なくとも
一種からなる支持層３３，４５，５５の表面に、ダイヤ
モンド, 立方晶窒化硼素等からなる超硬質膜３５，４
３，５３を気相合成法により形成してなる。このような
超硬質膜付部材は、例えば、基体３７，４１，５１の表
面に超硬質膜３５，４３，５３を形成した後、この超硬
質膜３５，４３，５３の表面にタングステン，モリブデ
ン及びそれらと炭素との化合物のうち少なくとも一種か
らなる支持層３３，４５，５５を気相合成法により形成
し、しかるのちに基体３７，４１，５１を除去すること
により得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐摩耗性に優れた超硬
質膜付部材に関する。

【０００２】

【従来技術】ダイヤモンド，立方晶窒化硼素等の超硬質
材料は、従来大規模な超高圧プレス装置により作成され
ていた。しかし、気相合成法によれば、これらの材料が
簡便な方法により得られることから、気相合成法による
ダイヤモンドや立方晶窒化硼素等の超硬質材料は、今
後、広範囲にわたる応用が期待されている（特開昭６０
−５４９９５号公報等参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする問題点】しかし、超硬質膜を
機械加工用工具類に用いようとすると３つの大きな問題
があった。一つは母材との密着性が不十分で剥がれが生
じやすいという問題である。これについては膜の材質を
改良するなど種々の改善策が模索されている。しかし、
実用上十分な密着強度のある超硬質膜のコーティング方
法は見出されていない。

【０００４】第２の問題は、被膜の表面粗さやうねり等
の仕上げ面精度が悪いという事である。一般に超硬質膜
は膜の結晶性を向上させ硬度などの特性を向上させれば
させるほど表面の面精度が低下する傾向に有る。この膜
の加工は膜が硬くまた薄いために通常の焼結体以上に難
しい。耐摩耗部品の多くが、非常に高精度の仕上げ面を
必要としているので、これは重要な問題である。しか
し、これは膜材質の本質的な性質であり解決は不可能で
ある。また、ダイヤモンド膜を工具として使用する場
合、特定の基板にコーティングを行う方法ではどうして
も刃先が丸くなってしまうという問題も発生している。

【０００５】そこで他の方法としてシリコン基盤上にダ
イヤモンド膜を形成し、しかるのちにこのダイヤモンド
膜を切り出して超硬工具の刃先に蝋付けする方法が特開
平１−２１２７６６号公報に開示されている。しかし、
この方法ではダイヤモンド膜の厚さを厚くする必要があ
る。何故ならば、薄い膜では膜に存在する残留応力のた
めに膜が変形したり、取り扱い時に膜が割れるという問
題があるからである。

【０００６】ところが超硬質膜は一般に析出速度が遅い
ためそのような厚い膜を作るためには長い時間が必要で
あった。また膜の厚さを大きくすると厚さのばらつきが
大きくなり表面の精度が低下するという問題があった。
これらの問題の解決法や適切な蝋材が見当たらず、この
方法は実用化できていない。

【０００７】第３の問題点は機械加工が難しく複雑形状
品を作ることが難しいということである。これについて
は特開平３−２７７４２４号公報に成形したシリコン基
盤上にダイヤモンドをコーティングする方法が開示され
ている。しかし、この場合も上記と同様、膜の変形や取
り扱い時に膜が割れる問題を解決するためダイヤモンド
膜の厚さを大きくする必要がある。従って生産性が低い
ことが問題である。また、この方法では、凹凸のあるダ
イヤモンド膜を蝋付けするので、蝋付けが難しく、また
うまく出来た場合でもダイヤモンド膜がひび割れたり、
剥離し易い傾向がある。これはダイヤモンドと蝋材の硬
度などの特性差が非常に大きいためである。

【０００８】そこで、これらの超硬質膜と母材とを強固
に密着させ、さらに仕上げ面精度を向上させることがで
きれば、ダイヤモンド，立方晶窒化硼素等の超硬質膜が
広い範囲で使用されるようになり、例えば、金属や複合
材料の加工用切削工具およびスリッターナイフ等の産業
用刃物あるいは各種の褶動部品やガイドブッシュ等の耐
摩耗部材などで大幅な性能改善が期待できる。しかし、
現状では、上記のように母材との密着性を向上すること
ができないために、これら超硬質膜が形成された工具は
未だ実用化されていなかった。

【０００９】さらに、現在はまだ重要視されていない
が、将来重要になる問題として、膜の付回り性が悪いこ
とが挙げられる。これは成膜する基板が複雑な形状にな
ると基板の凹部の膜厚が薄くなるという問題である。こ
れは現在未だ実用化されていないため重要視されていな
いが、例えば線引ダイス等に超硬質膜の成膜を行う場合
に、もっとも重要な孔の内部に膜が出来なくなる等の問
題を生じることが予測される。

【００１０】

【問題点を解決するための手段】本発明者は上記の問題
点に対し検討を重ねた結果、シリコン等からなる基体を
あらかじめ所望の形状および仕上げ面精度に加工してお
き、しかるのちその表面にダイヤモンド, 立方晶窒化硼
素等の超硬質膜を形成した後、この超硬質膜の表面にタ
ングステン，モリブデン及びそれらと炭素との化合物の
うち少なくとも一種からなる支持層を気相合成法により
形成し、しかるのちに前記基体を除去することにより、
超硬質膜と支持層が強固に密着し、かつ仕上げ面精度に
すぐれた複雑形状の製品を製造することができることを
見出し、本発明をするに至った。

【００１１】即ち、本発明の超硬質膜付部材は、気相合
成法により作成されたタングステン，モリブデン及びそ
れらと炭素との化合物のうち少なくとも一種からなる支
持層の表面に、超硬質膜を気相合成法により作成してな
るものである。

【００１２】このような超硬質薄膜付工具は、例えば、
シリコン等からなる基体をあらかじめ所望の形状および
仕上げ面精度に加工しておき、しかる後その表面に超硬
質膜を気相合成法により形成した後、この超硬質膜の表
面ににタングステン，モリブデン及びそれらと炭素との
化合物のうち少なくとも一種からなる支持層を気相合成
法により形成し、しかるのちに前記基体を除去すること
により作成される。

【００１３】

【作用】本発明の超硬質膜付部材では、上記の問題点を
全て解決することができる。まず、基板と膜との密着性
及び仕上げ面精度については次のように解決される。

【００１４】本発明では、シリコン等の基体上に気相合
成法によりダイヤモンド, 立方晶窒化硼素等からなる超
硬質膜を作成する。この表面に超硬質膜を作成すると超
硬質膜の基体に接する面は基体の表面粗さと同等にな
る。一方膜の表面は超硬質物質の結晶があらわれた凹凸
のある表面になる。

【００１５】さらにその膜の上に気相合成法によりタン
グステン，モリブデン及びそれらと炭素との化合物のう
ち少なくとも一種からなる支持層を形成すると、超硬質
膜の凹凸にそれらが絡み合って、超硬質膜と支持層との
結合が強固になる。

【００１６】しかも、ダイヤモンド, 立方晶窒化硼素と
タングステン、モリブデン及びそれらと炭素との化合物
とは熱膨張率が近似しているので膜剥離を抑制すること
ができ、また、タングステン，モリブデン及びそれらと
炭素との化合物の生成温度が低いためにダイヤモンド,
立方晶窒化硼素が分解することがない。

【００１７】また、気相合成法により作成された支持層
はその超硬質膜側に炭化タングステン膜や炭化モリブデ
ン膜を形成して構成すると、支持層と超硬質膜との密着
性がさらに向上する。タングステン等の気相合成は析出
速度も早いので支持層として必要な厚さにするのが容易
である。別の問題点である加工性については、本発明で
は以下のように解決できる。本発明によれば、あらかじ
めシリコン等を所望の基体形状に加工する。シリコン等
は加工が容易であるので形状は任意に作成でき、所望の
仕上げ面精度への加工は容易である。この表面に超硬質
膜を作成すると超硬質膜はシリコンの基体形状となるだ
けでなく、膜のシリコン基体に接する面はシリコン基体
の表面粗さと同等になり、仕上げ加工が不要になる。

【００１８】従来、複雑な形状をした膜を支持する部分
は、シリコン等の基板そのものであった。しかし、本発
明では支持基板であるタングステン等をこの超硬質膜上
に気相合成法によって形成する。タングステン等の気相
合成は超硬質膜の分解温度以下で行うことができ、また
析出速度も早いので支持層として必要な厚さにするのが
容易である。

【００１９】最後の問題点である、付回り性の悪さにつ
いては本発明では次のようにして解決できる。即ち、本
発明によればシリコン等の基体をあらかじめ成形加工し
ておき、後の工程で除去する。従って線引ダイス等を製
造する場合、製品の凹部は最初に成膜するシリコン等の
基体では凸部となる。超硬質膜の気相合成では一般に凸
部の成膜速度が早いので、付回り性の悪さは解消され
る。

【００２０】本発明によって製作したダイヤモンドとタ
ングステンよりなる部材と、公知の方法（例えば、特開
昭６３−９９１０２号、特開平１−２１２７６６号公報
等参照）によってタングステンを基板として製作したダ
イヤモンドとタングステンよりなる部材を比較すると、
本発明によって製作した部材は、被膜の密着性，仕上げ
面精度およびコーティング時の成膜速度において勝るほ
か、耐摩耗性も向上する。この理由は、ダイヤモンドの
結晶の大きさに関係している。公知の方法によってタン
グステンを基板として製作した膜の場合、コーティング
初期には微細な結晶核が生成し、コーティングを続ける
に連れ結晶が次第に成長し大きくなっていく。一方、本
発明によって製作したダイヤモンドとタングステンより
なる部材は、シリコン等の基体に成膜するので、膜表面
が非常に微細なダイヤモンドの結晶よりなっている。し
かも、シリコンのばあいタングステンよりもダイヤモン
ドの結晶の核生成が良いので、微細なダイヤモンドの結
晶が密に生成した状態になっている。このような膜は膜
の強度も高く、耐摩耗性にも優れている。膜表面に於け
るダイヤモンドの結晶の大きさは２μm 以上であれば耐
摩耗性改善の効果がみとめられるが、１μm 以下であれ
ば特に優れている。

【００２１】以上のように、本発明によれば従来の問題
点が一挙に解決され、ダイヤモンド，立方晶窒化硼素等
の超硬質膜が広い範囲で使用されるようになり、例え
ば、金属や複合材料の加工用切削工具およびスリッター
ナイフ等の産業用刃物あるいは各種の褶動部品やガイド
ブッシュ等の耐摩耗部材などで大幅な性能改善が期待で
きる。

【００２２】

【実施例】本発明の超硬質膜付部材及びその製造方法を
図面を用いて詳細に説明する。

【００２３】図１は、本発明の超硬質膜付部材を示すも
ので、気相合成法により作成されたタングステン，モリ
ブデン及びそれらと炭素との化合物のうち少なくとも一
種からなる支持層３３の表面には、ダイヤモンド, 立方
晶窒化硼素等からなる超硬質膜３５が形成されている。

【００２４】このような超硬質膜付部材を作成するに
は、先ず、図２に示すように、基体３７にダイヤモン
ド，立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）等の超硬質膜３５を形成
する。ダイヤモンド膜はマイクロ波プラズマＣＶＤ，熱
フィラメント法など、立方晶窒化硼素膜はIon Beam Asi
sted Deposition 法などの周知の方法により作成するこ
とができる。特に立方晶窒化硼素膜を形成する際には、
事前に基体３７上に立方晶窒化チタン膜を生成しておく
ことが好ましい。また、膜の厚さや結晶構造（純粋なダ
イヤモンドやｃＢＮの割合）についても任意に選択でき
る。性能と生産性との兼ね合いから超硬質膜３５の膜厚
は０．３〜１００μｍが適当である。

【００２５】これらの膜を成膜する基体３７は、例え
ば、シリコン，カーボン，チタン等の金属から形成さ
れ、任意に選択できるが、成膜初期に於ける核生成の容
易さや後の工程における基体３７の除去の容易さからシ
リコンからなる基体３７が適している。この基体３７に
おける超硬質膜３５が形成される側の面の表面粗さは、
Ｒ_max０．２μm 以下、好ましくは０．１μm 以下が良
い。

【００２６】次に、この基体３７の上に成膜したダイヤ
モンドもしくはｃＢＮ等の超硬質膜３５の上に、図３に
示すように、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）
及びそれらと炭素（Ｃ）からなる化合物の少なくとも一
種を成膜する。成膜に際しては公知の方法が使用でき
る。例えば、Ｗを成膜する例について説明すると、超硬
質膜３５の付着した基体３７を化学的気相合成装置内に
収容し、この化学的気相合成装置内を温度４５０〜１２
００℃に保持し、気相含浸装置内にＨ₂／ＷＦ₆のモル
比が４以上となるように混合したＷＦ₆＋Ｈ₂ガスを導
入することにより、超硬質膜３５の表面に、Ｗからなる
支持層３３が形成される。ＷＦ₆＋Ｈ₂ガスと同時にＡ
ｒガスやＨｅガス等の不活性ガスを導入しても良い。Ｗ
とＣからなる支持層３３を成膜する場合には、Ｈ₂，Ｗ
Ｆ₆のガスと同時にメタン，アセチレン等の炭素源とな
るガスを反応炉に導入する。

【００２７】支持層３３の厚さは後の工程での取扱の容
易さや強度の関係から０．１〜５ｍｍ程度が好ましい。
次いで、支持層３３の表面を研磨等の加工を行い、その
のち超硬質膜３５や支持層３３のマスキングを行い、シ
リコン等からなる基体３７を酸等で溶解除去する。これ
により、図１に示したように、支持層３３に超硬質膜３
５の付着した工具が得られる。次にこれをレーザーで所
定形状にカットし研磨などの加工を行い、本発明の超硬
質膜付部材を得る。

【００２８】尚、本発明によれば、支持層３３を、その
超硬質膜３５側に炭化タングステン膜や炭化モリブデン
膜を形成して構成しても良い。支持層３３の超硬質膜３
５側に、例えば、炭化タングステン膜を形成するには、
例えば、超硬質膜３５を形成した後、ＷＦ₆＋Ｈ₂ガス
と同時にメタン，アセチレン等の炭素源となるガスを反
応炉に導入して炭化タングステン膜を形成し、その後、
ＷＦ₆＋Ｈ₂ガスを反応炉内に導入することにより形成
される。このようにすれば、支持層３３と超硬質膜３５
からなる多層膜の強度が高くなり性能が向上するだけで
なく、ダイヤモンド等の超硬質膜３５と支持層３３との
密着性が向上する。

【００２９】尚、任意の基体３７上にＷ，Ｍｏ及びＭ
ｏ，ＷとＣとの化合物の少なくとも一種を析出させて支
持層３３を形成し、この支持層３３の上にダイヤモンド
等の超硬質膜３５を形成しても良い。しかし、この場
合、超硬質膜３５も凹凸の多い表面となり用途が限られ
る。平滑なシリコンからなる基体３７上に超硬質膜３５
を析出させると、基体３７を除去した後の超硬質膜３５
の表面は平滑となるので、実用上有利である。また、支
持層３３を形成する側の超硬質膜３５の表面をできるだ
け凹凸が大きくなるように析出条件を調整すると、支持
層３３のアンカー効果により、超硬質膜３５と支持層３
３との結合がより強固になる。また、基体３７に所定の
形状をつけると、それがそのまま超硬質膜３５に写し取
られることから、所望形状の超硬質膜３５を得ることが
できる。

【００３０】また、上記実施例では、基板状の工具を作
成した例について説明したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、例えば、線引きダイスや糸道に
本発明を適用しても良いことは勿論である。線引きダイ
スや糸道の作成方法を説明する。

【００３１】線引きダイスは、先ず、図４に示すよう
に、鉄線等の線材の直径を規制するような縮径部を有す
るように、シリコンからなる基体４１を所定形状に作成
する。

【００３２】そして、この基体４１の表面に、図５に示
すように、ダイヤモンドからなる超硬質膜４３を気相合
成法により作成する。この後、図６に示すように、超硬
質膜４３の表面にＷからなる支持層４５を気相合成法に
より作成する。そして、図７に示すように、上下を除去
した後、シリコンからなる基体４１を除去することによ
り得られる。そして、使用時は、図８に示すように、治
具４７に支持層４５を銀蝋、もしくはその他の蝋材で蝋
付け、接合して使用する。基体４１の除去は支持層４５
を治具４７に蝋付けした後行っても良い。

【００３３】治具４７は、例えば、ＷＣとコバルト（Ｃ
ｏ）と周期律表第４ａ，５ａ，６ａ族元素の炭化物，窒
化物または炭窒化物とからなる化合物や、ＴｉＣまたは
ＴｉＣＮとニッケル（Ｎｉ）またはＣｏと周期律表第４
ａ，５ａ，６ａ族元素の炭化物，窒化物または炭窒化物
とからなる化合物や、炭化ケイ素（ＳｉＣ）とホウ素と
炭素とからなる化合物や、Ｓｉ₃Ｎ₄またはＳｉＣと希
土類元素酸化物とからなる化合物から構成されている。

【００３４】また、糸道は、先ず、図９に示すように、
糸が通過する糸道部を有するように、シリコンからなる
基体５１を所定形状に作成する。そして、この基体５１
の表面に、図１０に示すように、ダイヤモンドからなる
超硬質膜５３を気相合成法により作成する。この後、図
１１に示すように、超硬質膜５３の表面にＷからなる支
持層５５を気相合成法により作成する。そして、図１２
に示すように、上下を除去した後、シリコンからなる基
体５１を除去し、糸道を作成する。

【００３５】以上のような超硬質膜付部材では、シリコ
ン等の基体上に気相合成法によりダイヤモンド, 立方晶
窒化硼素等からなる超硬質膜を作成したので、超硬質膜
のシリコン等に接する面はシリコン等の仕上げ面精度と
同等になり、面精度を向上することができる。また、基
体と反対側の超硬質膜は凹凸が形成されており、この超
硬質膜に支持層を形成すると、超硬質物質の凹凸にそれ
らが絡み合って、超硬質膜と支持層との結合を強固にす
ることができる。

【００３６】さらに、ダイヤモンド, 立方晶窒化硼素と
タングステン，モリブデン及びそれらと炭素との化合物
とは熱膨張率が近似しているので膜剥離を抑制すること
ができ、また、タングステン，モリブデン及びそれらと
炭素との化合物の生成温度が低いためにダイヤモンド,
立方晶窒化硼素が分解することがない。また、気相合成
法により作成された支持層はその超硬質膜側に炭化タン
グステン膜や炭化モリブデン膜を形成して構成すると、
接合膜と超硬質膜との密着性がさらに向上する。タング
ステン等の気相合成は析出速度も早いので支持層として
必要な厚さにするのが容易である。

【００３７】また、シリコン等からなる基体は加工が容
易であるので形状は任意に作成でき、所望の仕上げ面精
度への加工は容易である。この表面に超硬質膜を作成す
ると超硬質膜はシリコンの形状となるだけでなく、膜の
シリコン等に接する面はシリコン等の仕上げ面精度と同
等になり、仕上げ加工が不要になる。そして、例えば、
線引ダイス等を製造する場合、製品の凹部は最初に成膜
するシリコン等の基体では凸部となる。超硬質膜の気相
合成では一般に凸部の成膜速度が早いので、付回り性を
大幅に向上することができる。

【００３８】次に、本発明者は、本発明の効果を確認す
べく、Ｗ，ＭｏやＭｏ，ＷとＣの化合物からなる支持層
上に、超硬質膜を形成する実験を行った。即ち、ダイヤ
モンドは、ＣＨ₄／Ｈ₂が３／１００の混合ガスを、マ
イクロ設定出力４００Ｗ、圧力２５ｔｏｒｒの条件下で
析出させ、立方晶窒化硼素は、Ｂからなる蒸着源と、Ａ
ｒ＋Ｎ₂（３６ｖｏｌ％）からなるイオン源導入ガスを
用い、イオン加速電圧１ｋｅＶ、反応圧力１．５×１０
^-2Paの条件下で析出させた。また、タングステンは、化
学的気相合成装置内を温度８００℃に保持し、気相含浸
装置内にＨ₂／ＷＦ₆のモル比が５となるように混合し
たＷＦ₆＋Ｈ₂ガスを導入して析出させた。モリブデン
もタングステンとほぼ同様にして析出させた。

【００３９】そして、支持層からの超硬質膜の剥離を観
察するとともに、超硬質膜の表面粗さを表面粗さ計によ
り測定した。

【００４０】これらの結果を表１及び表２に示す。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【表２】

【００４３】表１及び表２により、本発明品は切削後に
おける超硬質膜の剥離や超硬質膜の面精度が良好であっ
た。また、基体への超硬質膜の付着を観察したところ、
ほぼ一定厚さの膜厚であり、付回り性が良好であった。

【００４４】超硬質膜の剥離の有無は、試料Ｎo.１〜１
３では、試料にダイヤモンド圧子を１０ｋｇで圧入し、
圧痕周辺の超硬質膜が剥離していないかを観察すること
により行った。また、試料Ｎo.１４〜２２では、アルミ
ニウム合金線を用い１００時間使用し、使用後の超硬質
膜の剥離状態を外観からチェックすることにより行っ
た。

【００４５】尚、上記実験では、シリコン等の基体の表
面粗さＲ_maxを０．０５μm とした。

【００４６】また、試料Ｎo.１〜１３では、サンプル形
状が１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍの板形状であり、試料
Ｎo.１４〜２２は、サンプル形状が孔径０．５ｍｍ、高
さ１５ｍｍの図７に示すようなダイスである。

【００４７】Ｎo.４，５は、ダイヤモンド膜を蝋付けし
た例であり、Ｎo.４では基板を製作することができず、
Ｎo.５は、表面のうねりが大きかった。さらに、Ｎo.
９，１０は、タングステン基板にダイヤモンドを析出さ
せた例であり、Ｎo.１１は、モリブデン基板にダイヤモ
ンドを析出させた例であり、Ｎo.１２は、シリコン基板
にダイヤモンドを析出させた例であり、Ｎo.１３は、窒
化珪素基板にダイヤモンドを析出させた例である。

【００４８】また、試料Ｎo.１９〜２２は、ダイス形状
に形成されたタングステン，モリブデン，シリコン，窒
化珪素からなる基体にダイヤモンドを析出させた例であ
り、穴の中央部にはダイヤモンド膜を形成することがで
きなかった。

【００４９】尚、試料Ｎo,６は、支持層をＷ膜とＷＣ膜
により構成した例であり、試料Ｎo,８は、支持層をＭｏ
膜とＭｏ₂Ｃ膜により構成した例である。

【００５０】また、試料Ｎo.１７〜１８は、基体上に予
め５μｍの窒化チタン膜を形成した後、ｃＢＮ膜を形成
した例である。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、ダ
イヤモンド，立方晶窒化硼素等の超硬質膜を、タングス
テンを主成分とする支持層に形成することにより、支持
層と超硬質膜とを強固に密着させることができ、超硬質
膜の面精度を向上することができ、さらに、付回り性を
大幅に向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の超硬質膜付部材を示す縦断面図であ
る。

【図２】基体上に超硬質膜を形成した状態を示す縦断面
図である。

【図３】超硬質膜上に支持層を形成した状態を示す縦断
面図である。

【図４】所定形状のシリコンからなる基体を示す縦断面
図である。

【図５】基体上に超硬質膜を形成した状態を示す縦断面
図である。

【図６】超硬質膜上に支持層を形成した状態を示す縦断
面図である。

【図７】図６の上下を所定量だけ除去し、内部の基体を
除去した状態を示す縦断面図である。

【図８】図７の支持層の内面に超硬質膜が形成されたダ
イスを工具本体に取り付けた状態を示す縦断面図であ
る。

【図９】所定形状のシリコンからなる基体を示す縦断面
図である。

【図１０】基体上に超硬質膜を形成した状態を示す縦断
面図である。

【図１１】超硬質膜上に支持層を形成した状態を示す縦
断面図である。

【図１２】図１１の上下を所定量だけ除去し、内部の基
体を除去して形成された糸道を示す縦断面図である。

【符号の説明】

３３，４５，５５支持層３５，４３，５３超硬質膜３７，４１，５１基体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気相合成法により作成されたタングステ
ン，モリブデン及びそれらと炭素との化合物のうち少な
くとも一種からなる支持層の表面に、超硬質膜を気相合
成法により形成してなることを特徴とする超硬質膜付部
材。
【請求項２】基体の表面に超硬質膜を気相合成法により
形成した後、この超硬質膜の表面にタングステン，モリ
ブデン及びそれらと炭素との化合物のうち少なくとも一
種からなる支持層を気相合成法により形成し、しかるの
ちに前記基体を除去することを特徴とする超硬質膜付部
材の製造方法。