JPH0646451B2 - 磁気ディスク基板の加工方法 - Google Patents
磁気ディスク基板の加工方法Info
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- JPH0646451B2 JPH0646451B2 JP62313668A JP31366887A JPH0646451B2 JP H0646451 B2 JPH0646451 B2 JP H0646451B2 JP 62313668 A JP62313668 A JP 62313668A JP 31366887 A JP31366887 A JP 31366887A JP H0646451 B2 JPH0646451 B2 JP H0646451B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25C—PRODUCING, WORKING OR HANDLING ICE
- F25C1/00—Producing ice
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ディスク基板の加工方法に関し、特に高磁
気密度の磁気ディスク（たとえば、めっきまたはスパッ
タ法による磁性薄膜を有する磁気ディスク）の潤滑性と
耐久性を高める磁気ディスク基板の加工方法に関するも
のである。
気密度の磁気ディスク（たとえば、めっきまたはスパッ
タ法による磁性薄膜を有する磁気ディスク）の潤滑性と
耐久性を高める磁気ディスク基板の加工方法に関するも
のである。
［従来の技術］ 一般に、磁性薄膜を用いる磁気ディスクは、ディスクの
起動時と停止時に生じる磁気ヘッドとの接触走行に耐え
るための耐ヘッドクラッシュ性を備える必要がある。こ
のため、磁気ディスク基板面上に形成された磁性薄膜上
にＳｉＯ２膜を保護膜として設けたり、潤滑性を高める
ために保護膜表面上に液体または固体の潤滑剤を塗布す
ることがなされている。磁気ディスク基板としては、記
録媒体の種類に依存して、アルミニウム合金面またはそ
の上に形成された金属めっき面，あるいはアルミニウム
合金上に形成された陽極酸化面を所要の精度に加工した
ものが使用される。
起動時と停止時に生じる磁気ヘッドとの接触走行に耐え
るための耐ヘッドクラッシュ性を備える必要がある。こ
のため、磁気ディスク基板面上に形成された磁性薄膜上
にＳｉＯ２膜を保護膜として設けたり、潤滑性を高める
ために保護膜表面上に液体または固体の潤滑剤を塗布す
ることがなされている。磁気ディスク基板としては、記
録媒体の種類に依存して、アルミニウム合金面またはそ
の上に形成された金属めっき面，あるいはアルミニウム
合金上に形成された陽極酸化面を所要の精度に加工した
ものが使用される。
無水硅酸の超微粒子を含むコロイダルシリカ研摩液と研
摩クロスを用いて鏡面に仕上げる方法によって、アルミ
ニウム合金上に形成されたＮｉ−Ｐめっき面を加工すれ
ば、基板面は５０Å程度の非常に小さな凹凸に上げられ
る。しかし、このように仕上げられた磁気ディスク基板
面上に形成された磁性薄膜上にＳｉＯ２膜を保護膜とし
て設け、さらに液体の潤滑剤を塗布して磁気ディスクを
製作した場合、磁気ヘッドが磁気ディスク面上に静止し
ている間に、潤滑剤および空気中から凝縮した水滴など
が磁気ディスクと磁気ヘッドとの間に薄く拡がる。した
がって、この薄く広がった液体の表面張力によって、磁
気ディスクと磁気ヘッドとが強く吸着し、磁気ディスク
の回転起動が不可能となるという問題がある。また、磁
気ディスク面が非常に平らであるために摩擦係数が高く
なり、傷が入りやすいという問題もある。
摩クロスを用いて鏡面に仕上げる方法によって、アルミ
ニウム合金上に形成されたＮｉ−Ｐめっき面を加工すれ
ば、基板面は５０Å程度の非常に小さな凹凸に上げられ
る。しかし、このように仕上げられた磁気ディスク基板
面上に形成された磁性薄膜上にＳｉＯ２膜を保護膜とし
て設け、さらに液体の潤滑剤を塗布して磁気ディスクを
製作した場合、磁気ヘッドが磁気ディスク面上に静止し
ている間に、潤滑剤および空気中から凝縮した水滴など
が磁気ディスクと磁気ヘッドとの間に薄く拡がる。した
がって、この薄く広がった液体の表面張力によって、磁
気ディスクと磁気ヘッドとが強く吸着し、磁気ディスク
の回転起動が不可能となるという問題がある。また、磁
気ディスク面が非常に平らであるために摩擦係数が高く
なり、傷が入りやすいという問題もある。
そこで、特開昭６１−２９４１８号公報に示された方法
のように、回転する磁気ディスク基板面にラッピングフ
ィルムを加圧接触させて、ラッピングフィルム面上の砥
粒の微少切削作用によって磁気ディスク基板表面に微細
な凹凸を形成している。しかし、この方法では、砥粒が
集合して大きくなった場合に磁気ディスク基板面に時折
非常に大きな傷ができたり、ラッピングフィルム面上の
砥粒の剥がれや磁気ディスク基板面の切削による塵を生
じることがある。
のように、回転する磁気ディスク基板面にラッピングフ
ィルムを加圧接触させて、ラッピングフィルム面上の砥
粒の微少切削作用によって磁気ディスク基板表面に微細
な凹凸を形成している。しかし、この方法では、砥粒が
集合して大きくなった場合に磁気ディスク基板面に時折
非常に大きな傷ができたり、ラッピングフィルム面上の
砥粒の剥がれや磁気ディスク基板面の切削による塵を生
じることがある。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の方法ではディスク基板上に切削滓などを発生し、
またラッピングフィルム面上の砥粒が集合して大きくな
った場合には非常に大きな傷を生じるという問題があ
る。
またラッピングフィルム面上の砥粒が集合して大きくな
った場合には非常に大きな傷を生じるという問題があ
る。
このような従来技術の問題に鑑み、本発明の目的は、磁
気ディスク面への磁気ヘッドの吸着力を小さくし、かつ
摩擦力を小さくするために、磁気ディスク表面に塵を付
着させることなく均一で微細な凹凸を形成することがで
きる磁気ディスク基板の加工方法を提供することであ
る。
気ディスク面への磁気ヘッドの吸着力を小さくし、かつ
摩擦力を小さくするために、磁気ディスク表面に塵を付
着させることなく均一で微細な凹凸を形成することがで
きる磁気ディスク基板の加工方法を提供することであ
る。
［問題点を解決するための手段］ この発明による磁気ディスク基板の加工方法は、氷の微
粒子を磁気ディスク基板表面に噴射衝突させることによ
り、均一で微細な凹凸を形成するものである。
粒子を磁気ディスク基板表面に噴射衝突させることによ
り、均一で微細な凹凸を形成するものである。
［作用］ この発明によれば、磁気ディスク基板表面は氷の微粒子
の衝撃によって均一で微細な凹凸が形成され、それによ
って、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の吸着力を減少
させて磁気ディスクの回転起動を容易にし、さらに磁気
ディスクの大きな傷の発生を防止する。
の衝撃によって均一で微細な凹凸が形成され、それによ
って、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の吸着力を減少
させて磁気ディスクの回転起動を容易にし、さらに磁気
ディスクの大きな傷の発生を防止する。
［発明の実施例］ 第１図は、本発明の一実施例による磁気ディスク基板の
加工方法を示す概略的なブロック図である。この図を参
照して、たとえば４００×４００ｍｍ２の断面で１５０
０ｍｍの高さの断熱容器１の内部の液体窒素貯蔵層６に
蓄えられた液体窒素を窒素ガス散気管７から窒素ガスを
３００／ｍｉｎの割合でバブリングさせれば、液体窒
素が蒸発して冷気が発生し、バブリングした窒素ガスも
液体窒素と熱交換して冷気となる。この冷気は網状体３
を通過して断熱容器１中を上昇し、スプレーノズル２か
らスプレーされた水の微噴霧と熱交換した後に排気口１
１から排気される。また、スプレーノズルからスプレー
された水の微噴霧は冷気と熱交換して凍結し、氷の微粒
子４となって網状体３上に滞留する。
加工方法を示す概略的なブロック図である。この図を参
照して、たとえば４００×４００ｍｍ２の断面で１５０
０ｍｍの高さの断熱容器１の内部の液体窒素貯蔵層６に
蓄えられた液体窒素を窒素ガス散気管７から窒素ガスを
３００／ｍｉｎの割合でバブリングさせれば、液体窒
素が蒸発して冷気が発生し、バブリングした窒素ガスも
液体窒素と熱交換して冷気となる。この冷気は網状体３
を通過して断熱容器１中を上昇し、スプレーノズル２か
らスプレーされた水の微噴霧と熱交換した後に排気口１
１から排気される。また、スプレーノズルからスプレー
された水の微噴霧は冷気と熱交換して凍結し、氷の微粒
子４となって網状体３上に滞留する。
加圧容器５内に密封された超純水は窒素ガスの圧力によ
って４．０ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧力と０．２／ｍｉｎの
流量でスプレーノズル２に供給される。スプレーノズル
２には４．０ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧力と１０／ｍｉｎの
流量で窒素ガスが導入されている。これによって、超純
水は断熱容器１内に噴射されて微噴霧となる。この噴霧
条件で粒径約１００μｍ程度の超純水の氷粒子４が得ら
れる。氷粒子４の粒径はスプレーノズル２に供給される
液量，窒素ガス量，およびスプレー圧力によって制御す
ることができる。
って４．０ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧力と０．２／ｍｉｎの
流量でスプレーノズル２に供給される。スプレーノズル
２には４．０ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧力と１０／ｍｉｎの
流量で窒素ガスが導入されている。これによって、超純
水は断熱容器１内に噴射されて微噴霧となる。この噴霧
条件で粒径約１００μｍ程度の超純水の氷粒子４が得ら
れる。氷粒子４の粒径はスプレーノズル２に供給される
液量，窒素ガス量，およびスプレー圧力によって制御す
ることができる。
網状体３上に滞留した氷の微粒子４は噴射ノズル８によ
って磁気ディスク基板９の表面に噴射される。この噴射
ノズル８はたとえば高圧気体のエジェクタ方式のもので
あり、２ｋｇ／ｃｍ２Ｇの厚力で０．６ｍ３／ｍｉｎの
流量の窒素ガスまたは乾燥空気などが吹き込まれ、氷の
微粒子４を０．３／ｍｉｎの割合で噴射する。この噴
射された氷粒子４は磁気ディスク基板表面に突出し、そ
の衝撃によって磁気ディスク基板表面に凹凸を形成す
る。この凹凸の深さは、氷粒子４の粒径，噴射ノズルか
らの噴射圧力，噴射ノズルから磁気ディスク基板への距
離，噴射時間，噴射角度などを調節することにより制御
し得る。
って磁気ディスク基板９の表面に噴射される。この噴射
ノズル８はたとえば高圧気体のエジェクタ方式のもので
あり、２ｋｇ／ｃｍ２Ｇの厚力で０．６ｍ３／ｍｉｎの
流量の窒素ガスまたは乾燥空気などが吹き込まれ、氷の
微粒子４を０．３／ｍｉｎの割合で噴射する。この噴
射された氷粒子４は磁気ディスク基板表面に突出し、そ
の衝撃によって磁気ディスク基板表面に凹凸を形成す
る。この凹凸の深さは、氷粒子４の粒径，噴射ノズルか
らの噴射圧力，噴射ノズルから磁気ディスク基板への距
離，噴射時間，噴射角度などを調節することにより制御
し得る。
粒径１００μｍの氷粒子，２ｋｇ／ｃｍ２Ｇの噴射圧
力，１００ｍｍの噴射距離，１０秒の噴射時間，および
９０゜の噴射角度の条件下において、深さ２００Åの微
細な凹凸が磁気ディスク基板表面に形成された。この場
合、磁気ディスク基板９は回転装置１０によって回転し
ながら加工された。また、使用した磁気ディスク基板９
はアルミニウム合金ディスクにＮｉ−Ｐめっきを施した
のであり、予め研削とポリシングによって基板は５０Å
程度の極めて微細な凹凸を有する平面にされていた。
力，１００ｍｍの噴射距離，１０秒の噴射時間，および
９０゜の噴射角度の条件下において、深さ２００Åの微
細な凹凸が磁気ディスク基板表面に形成された。この場
合、磁気ディスク基板９は回転装置１０によって回転し
ながら加工された。また、使用した磁気ディスク基板９
はアルミニウム合金ディスクにＮｉ−Ｐめっきを施した
のであり、予め研削とポリシングによって基板は５０Å
程度の極めて微細な凹凸を有する平面にされていた。
第２図は本実施例によって氷粒子を磁気ディスク基板に
噴射衝突させた場合の氷粒子の衝撃力によって磁気ディ
スク基板表面に形成された凹凸の状態を示している。こ
の凹凸の間隔と深さは氷の粒子径，噴射圧力，噴射時
間，噴射距離，噴射角度などの噴射条件によって任意の
ものを得ることができる。また、凹凸の均一化は氷粒子
の粒径を均一にすることによって可能である。
噴射衝突させた場合の氷粒子の衝撃力によって磁気ディ
スク基板表面に形成された凹凸の状態を示している。こ
の凹凸の間隔と深さは氷の粒子径，噴射圧力，噴射時
間，噴射距離，噴射角度などの噴射条件によって任意の
ものを得ることができる。また、凹凸の均一化は氷粒子
の粒径を均一にすることによって可能である。
表はこのようにして得られた磁気ディスク基板と磁気ヘ
ッドの付着力を示している。この付着力は、磁気ディス
ク上に磁気ヘッドスライダを荷重１０ｇで押しつけ、１
６８時間放置した後に引き剥がしに要する力として測定
された。この表からわかるように、磁気ディスクと磁気
ヘッドとの付着力は従来の約１／７程度となり、十分に
効果があることがわかる。さらに、氷粒子は超純水によ
って作られているので、発塵が全くなく、加工後の洗浄
工程が不要となる。
ッドの付着力を示している。この付着力は、磁気ディス
ク上に磁気ヘッドスライダを荷重１０ｇで押しつけ、１
６８時間放置した後に引き剥がしに要する力として測定
された。この表からわかるように、磁気ディスクと磁気
ヘッドとの付着力は従来の約１／７程度となり、十分に
効果があることがわかる。さらに、氷粒子は超純水によ
って作られているので、発塵が全くなく、加工後の洗浄
工程が不要となる。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、氷の微粒子を磁気デ
ィスク基板表面に噴射衝突させることによって磁気ディ
スク基板表面に均一で微細な凹凸を形成することができ
るので、磁気ディスクと磁気ヘッドの吸着力を小さくし
て磁気ディスクの回転起動を容易にし、かつ磁気ディス
クと磁気ヘッドの運動摩擦力を小さくすることができ
る。また、本発明による加工は発塵を伴なわず、加工後
のディスク基板の洗浄が不要となる。さらに、本発明に
よる加工によってディスク基板表面に形成された微細の
凹凸は、潤滑剤が磁気ディスクの高速回転によってその
ディスク表面から飛散することを防止する効果もある。
ィスク基板表面に噴射衝突させることによって磁気ディ
スク基板表面に均一で微細な凹凸を形成することができ
るので、磁気ディスクと磁気ヘッドの吸着力を小さくし
て磁気ディスクの回転起動を容易にし、かつ磁気ディス
クと磁気ヘッドの運動摩擦力を小さくすることができ
る。また、本発明による加工は発塵を伴なわず、加工後
のディスク基板の洗浄が不要となる。さらに、本発明に
よる加工によってディスク基板表面に形成された微細の
凹凸は、潤滑剤が磁気ディスクの高速回転によってその
ディスク表面から飛散することを防止する効果もある。
第１図は本発明の一実施例による磁気ディスク基板の加
工方法の概略を示すブロック図である。 第２図は本発明によって加工された磁気ディスク基板表
面の凹凸状態を示す金属組織写真である。 図において、１は断熱容器、２はスプレーノズル、３は
網、４は氷の粒子、５は加圧容器、６は液体窒素貯蔵
槽、７は散気管、８は噴射ノズル、９は磁気ディスク基
板、１０は回転装置、１１は排気口を示す。
工方法の概略を示すブロック図である。 第２図は本発明によって加工された磁気ディスク基板表
面の凹凸状態を示す金属組織写真である。 図において、１は断熱容器、２はスプレーノズル、３は
網、４は氷の粒子、５は加圧容器、６は液体窒素貯蔵
槽、７は散気管、８は噴射ノズル、９は磁気ディスク基
板、１０は回転装置、１１は排気口を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 寿朗 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 表野 匡 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社材料研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】氷の微粒子を磁気ディスク基板面に噴射衝
突させることにより、磁気ディスク基板面に微細な凹凸
を形成することを特徴とする磁気ディスク基板の加工方
法。 - 【請求項２】前記氷の微粒子は超純水から作られかつ
０．１μｍ〜１００μｍの範囲内の均一な粒径を有し、
ガスの噴流によって噴射されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気ディスク基板の加工方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313668A JPH0646451B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 磁気ディスク基板の加工方法 |
| DE3830132A DE3830132A1 (de) | 1987-12-11 | 1988-09-05 | Verfahren zum bearbeiten einer grundplatte fuer magnetplatten |
| US07/266,705 US4869090A (en) | 1987-12-11 | 1988-11-03 | Method of processing base plate for magnetic disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313668A JPH0646451B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 磁気ディスク基板の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155517A JPH01155517A (ja) | 1989-06-19 |
| JPH0646451B2 true JPH0646451B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=18044077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313668A Expired - Fee Related JPH0646451B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 磁気ディスク基板の加工方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4869090A (ja) |
| JP (1) | JPH0646451B2 (ja) |
| DE (1) | DE3830132A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130921A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Taiyo Sanso Co Ltd | 固体表面洗浄装置 |
| JP2618104B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 超微細凍結粒子の製造装置及び製造方法 |
| US5380564A (en) * | 1992-04-28 | 1995-01-10 | Progressive Blasting Systems, Inc. | High pressure water jet method of blasting low density metallic surfaces |
| WO1994000274A1 (en) * | 1992-06-22 | 1994-01-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | A method of and apparatus for removing debris from the floptical medium |
| DE19524220A1 (de) * | 1994-07-04 | 1996-01-11 | Mitsubishi Chem Corp | Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zu dessen Herstellung, und Aufnahme- und Wiedergabeverfahren |
| US5785581A (en) * | 1995-10-19 | 1998-07-28 | The Penn State Research Foundation | Supersonic abrasive iceblasting apparatus |
| US5778713A (en) * | 1997-05-13 | 1998-07-14 | Waterjet Technology, Inc. | Method and apparatus for ultra high pressure water jet peening |
| DE19844668A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-03-30 | Linde Ag | Bearbeitung von mittels thermischen Spritzens zu beschichtender Oberflächen |
| US6202423B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-03-20 | Bell Semiconductor, Inc. | Non-damage transport system by ice condensation |
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