JPH0935258A

JPH0935258A - 磁気ディスク用基板、該基板の製造方法、及び、磁気ディスク

Info

Publication number: JPH0935258A
Application number: JP17602095A
Authority: JP
Inventors: Akira Noda; 章野田; Yuji Tanaka; 裕二田中
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-07-12
Filing date: 1995-07-12
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気ディスク用基板のテクスチャー処理によ
り、磁気ヘッドとのとの吸着現象の防止、記録密度向上
のための低浮上量化、段差によるヘッドクラッシュ防止
を比較的低コストで可能にする。【解決手段】表面研磨されたアモルファスカーボン基
板１の表面のうち、磁気ディスク装置の起動及び停止時
に磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含む一部の領域
に、パウダービーム加工により、すなわちノズル３によ
り平均粒径 0.5〜６μｍの微粒子を噴射して、テクスチ
ャー処理を施し、その表面粗さを、中心線平均粗さＲａ
で８〜30Å、最大高さＲｐで40〜 200Åとする。また、
他の領域に、軽度の微粒子噴射によるテクスチャー処理
を施し、その表面粗さを、中心線平均粗さＲａで５〜15
Å、最大高さＲｐで15〜90Åとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクに
代表される磁気ディスク用の基板、該基板の製造方法、
及び、磁気ディスクに関する。特には、磁気ヘッドと磁
気ディスクとの間に吸着現象が発生することを防止する
ために行う磁気ディスク用基板のテクスチャー（Ｔextu
re）処理の技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気ディスクは、基板上に磁
性膜を形成して構成されている。そして、磁気ディスク
装置（ドライブ）においては、磁気ディスク上に浮揚型
磁気ヘッドを配置し、停止時に磁気ヘッドと磁気ディス
クとは接触状態にあるが、起動時に磁気ヘッドが回転す
る磁気ディスク上を浮上するというコンタクト・スター
ト・ストップ（ＣＳＳ）方式が採用されている。

【０００３】しかしながら、磁気ディスク装置の停止中
において磁気ヘッド浮揚面と磁気ディスク表面との間に
吸着を生じる場合がある。この吸着現象は、磁気ヘッド
浮揚面及び磁気ディスク表面が極めて平滑であって双方
が微小間隔で対面しているときに、その間隙がＯ₂、Ｎ
₂、又はＨ₂Ｏ等の分子により埋め尽くされて、界面張
力により大きな吸着力が発生することに起因する。この
ような吸着現象が発生すると、磁気ディスク駆動用モー
タの起動時に多大の電力を消費するという不都合を招来
する。

【０００４】そこで、上述の吸着現象を防止するため、
磁気ディスク用基板においては、磁性膜を被着するに先
立ち、基板の表面を一旦鏡面仕上げした後、テクスチャ
ー処理（表面加工）を施すことにより、その表面粗さを
調整している。このテクスチャー処理方法としては、テ
ープテクスチャー、スパッタテクスチャーなどがある。

【０００５】テープテクスチャーでは、基板を回転させ
た状態で、この基板に研磨テープをローラで押し付けて
接触させつつ、研磨テープを基板の半径方向に移動させ
ることにより、磁気ディスク用基板の表面に同心円状の
条痕を付し、条痕が円周方向に配向した粗面を得ること
ができる。スパッタテクスチャーでは、基板の表面に、
Ａｌ、Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ等のターゲットをスパッタし、
金属結晶を成長させて、凹凸を形成する。

【０００６】しかしながら、従来にあっては、磁気ディ
スク用基板の全表面に一様にテクスチャー処理を施して
いたため、磁気ヘッドの浮上高さ（グライドハイト；Ｇ
ＨＴ）が大きくなり、書込み時及び読出し時の磁気ヘッ
ドと磁気ディスクとの距離が大きくなることから、吸着
現象防止のためのテクスチャー処理が高記録密度化の支
障になっていた。

【０００７】そこで、表面研磨された磁気ディスク用基
板の表面のうち、磁気ディスク装置の起動及び停止時に
磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含む一部の領域（例
えば内周側の領域）にのみ、テクスチャー処理（いわゆ
るゾーンテクスチャー）を施すことにより、磁気ヘッド
との吸着現象を防止しつつ、低浮上量化により記録密度
の向上を図ることが考えられている。

【０００８】しかしながら、磁気ディスク装置の起動及
び停止時に磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含む一部
の領域にのみテープテクスチャーあるいはスパッタテク
スチャーを施すと、テクスチャー処理を行った領域とテ
クスチャー処理を行わなかった領域との間に段差を生
じ、この段差で磁気ヘッドの滑らかな動きが妨げられ、
いわゆるヘッドクラッシュを生じる恐れがある。

【０００９】そこで、特開平６−２９０４５２号公報に
よれば、磁気ディスク装置の起動及び停止時に磁気ヘッ
ドとの接触が生じる領域を含む一部の領域にのみ、パル
スレーザーの離散的又は連続的な照射により多数の孔
（凹部）を形成して、ゾーンテクスチャーを行ってい
る。これによれば、孔間隔の設定により、段差の心配は
なくなる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公
報に記載のパルスレーザーによるテクスチャー処理で
は、パルスレーザーの生成及び制御のために、精密で高
価な装置を使う必要があり、高コストになるという問題
点があった。また、磁気ディスク装置の起動及び停止時
に磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含む一部の領域に
選択的に吸着現象防止のための凹凸を形成する場合、他
の領域にも適当な凹凸を形成することが必要であるが、
パルスレーザーによるテクスチャー処理ではこれが困難
である。

【００１１】先ず他の領域にも適当な凹凸を形成するこ
とが必要な理由を述べる。磁気ディスクの凹凸の形成さ
れていない領域上に磁気ヘッドが位置している場合、通
常は磁気ヘッドが浮上しており、この状態のまま磁気デ
ィスクの回転が停止することはない。しかし、例えば停
電等の理由で、磁気ヘッドが磁気ディスクの凹凸の形成
されていない領域に着地すると、磁気ヘッドと磁気ディ
スクとが吸着し、動作しなくなる。このため、これを防
ぐ機構を持ったドライブでないと、この磁気ディスクは
使用できない。

【００１２】従って、磁気ディスク装置の起動及び停止
時に磁気ヘッドとの接触が生じる領域以外の他の領域に
適当な凹凸を形成することが必要であるが、パルスレー
ザーによるテクスチャー処理では、他の領域に適当な凹
凸を形成するのに困難が伴う。なぜならば、パルスレー
ザーによるテクスチャー処理はコストが高く、全面に適
用しずらいからである。また、他の領域の凹凸は、接触
領域の凹凸に比べて、比較的小さな凹凸でなければなら
ないが、レーザー加工では実質的に困難であるからであ
る。

【００１３】更に、磁気ディスク装置の起動及び停止時
に磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含む一部の領域に
比較的大きな凹凸を形成し、他の領域に比較的小さな凹
凸を形成するための方法について考える。このための方
法としては、２つの領域で異なるテクスチャー処理（方
式そのものを変えるか、テクスチャー条件を変える）を
施す必要がある。

【００１４】ところが、例えばスパッタテクスチャーで
は、その方式上、基板全面が同時に加工されるため、実
施しにくい。また、例えばテープテクスチャーや、その
研磨テープに代えてダイヤスラリーとバフテープとを用
いるスラリーテクスチャーでは、２つの領域で異なるテ
クスチャー処理を施すことは可能であるが、その方式
上、２つの領域の加工それぞれに、別の加工装置（機
構）を用意しなければならず効率が悪い。２つの領域の
加工を１つの加工装置で兼用しようとすると、更に効率
は悪くなる。このため、高価な加工になるという問題点
が残される。

【００１５】本発明は、このような従来の問題点に鑑
み、第１には、磁気ヘッドとの吸着現象の防止、記録密
度向上のための低浮上量化、段差によるヘッドクラッシ
ュ防止を比較的低コストで可能にすることを目的とす
る。第２には、２つの領域に異なるテクスチャー処理を
施すのを容易にすることを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】このため、本発明は、表
面研磨された磁気ディスク用基板の表面のうち、磁気デ
ィスク装置の起動及び停止時に磁気ヘッドとの接触が生
じる領域を含む一部の領域に、微粒子を噴射してテクス
チャー処理を施し、テクスチャー処理後の前記一部の領
域の表面粗さを、中心線平均粗さＲａで８〜30Å、最大
高さＲｐ（＝Ｒ _max）で40〜 200Åとしたことを特徴と
する磁気ディスク用基板を提供する（請求項１）。

【００１７】また、本発明は、表面研磨された磁気ディ
スク用基板の表面のうち、磁気ディスク装置の起動及び
停止時に磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含む一部の
領域に、平均粒径 0.5〜６μｍの微粒子を噴射してテク
スチャー処理を施し、テクスチャー処理後の前記一部の
領域の表面粗さを、中心線平均粗さＲａで８〜30Å、最
大高さＲｐで40〜 200Åとしたことを特徴とする磁気デ
ィスク用基板の製造方法を提供する（請求項４）。

【００１８】また、本発明は、表面研磨された磁気ディ
スク用基板の表面のうち、磁気ディスク装置の起動及び
停止時に磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含む一部の
領域に、微粒子を噴射してテクスチャー処理を施し、テ
クスチャー処理後の前記一部の領域の表面粗さを、中心
線平均粗さＲａで８〜30Å、最大高さＲｐで40〜 200Å
とし、この基板上に、少なくとも磁性膜及び保護膜を形
成してなることを特徴とする磁気ディスクを提供する
（請求項11）。

【００１９】被加工物の表面に微粒子を噴射して加工す
る方法は、例えばパウダービーム加工方法と呼ばれ、平
均粒径数ミクロン以下の微粒子を、気体と共に噴射し
て、被加工物の表面に衝突させる加工方法である。この
方法で、被加工物の表面に微小な凹凸を形成したり、あ
るいは被加工物を削ることで形状を変えることができ
る。

【００２０】本発明者らは、磁気ヘッドとの吸着現象防
止のために、磁気ディスク用基板の表面に適切な凹凸を
形成するためのテクスチャー処理方法として、パウダー
ビーム加工方法が適切であることを見出したのである。
パウダービーム加工によるテクスチャー処理の際、使用
される微粒子の材質はこの加工方法に不適当な大きさ、
硬さ、または形状を持つものでなければ、何でも構わな
い。例えば、研磨砥粒として一般的に用いられているダ
イヤモンドなどの無機粒子、金属酸化物、セラミック粒
子、金属粒子等を用いることができる。好ましくは、炭
化ケイ素系砥粒、アルミナ系砥粒を使用する。また、研
磨砥粒に限らず、適当な大きさ、硬さ、または形状を持
つものであれば、自由に用いることができる。

【００２１】尚、微粒子の粒径は任意に選べるが、請求
項１の表面性状を実現するためには、請求項４のごとく
平均粒径 0.5〜６μｍの微粒子を用いると容易な加工条
件の制御により実現できるので好ましい。パウダービー
ム加工によるテクスチャー処理を用いることで、磁気ヘ
ッドとの接触が生じる領域を含む一部の領域にのみ選択
的にテクスチャー処理を施しても、テクスチャー処理を
行った領域と行わなかった領域との境界部に段差ができ
なくなる。なぜなら、ノズルから微粒子を噴射させて基
板に衝突させることにより凹凸を形成するので、ノズル
から噴射された微粒子は、ノズル出口で広がりながら進
み、基板に衝突する。このため２つの領域の境界部は、
凹凸の大きい部分から小さい部分になだらかに粗さが変
化するからである。尚、この境界部の幅は、加工条件
（ノズルからの微粒子の噴射速度、ノズルと基板との距
離など）により、任意にコントロールできる。

【００２２】本発明では、更に、前記一部の領域以外の
他の領域に、前記一部の領域のテクスチャー処理より軽
度の微粒子噴射によるテクスチャー処理を施し、テクス
チャー処理後の前記他の領域の表面粗さを、中心線平均
粗さＲａで５〜15Å（但し前記一部の領域のＲａより
小）、最大高さＲｐで15〜90Å（但し前記一部の領域の
Ｒｐより小）とすることを、より好ましいこととして提
案する（請求項２，５，12）。

【００２３】更にまた、前記一部の領域の表面粗さは、
スキューネスＲｓｋ： 0.4〜2.0 、トガリＲｋｕ： 3.0
〜8.0 の範囲になることが好ましい。この範囲である
と、良好なＣＳＳ特性が安定的に得られる。パウダービ
ーム加工によるテクスチャー処理を用いて、２つの領域
に粗さの異なる凹凸を工業的に簡便に形成する方法とし
ては、次の２つの方法を挙げることができる。

【００２４】第１の方法は、前記一部の領域のテクスチ
ャー処理を、前記他の領域のテクスチャー処理より、微
粒子の衝突時間を大きくする（請求項６）。衝突時間が
長いほど、大きな凹凸が形成されるからであり、前記一
部の領域では大きな凹凸を形成するために衝突時間を長
く、前記他の領域では比較的小さな凹凸を形成するため
に衝突時間を短くする。

【００２５】より具体的な例の１つとしては、基板の表
面に微粒子噴射用のノズルを対向させ、ノズルと基板と
を該基板の処理を施す部分の全面に微粒子が衝突するよ
うに相対移動させて、テクスチャー処理を行い、前記一
部の領域と前記他の領域とで微粒子の衝突時間を変更す
るために、前記一部の領域と前記他の領域とでノズルと
基板との相対移動速度を変更すればよい（請求項７）。

【００２６】ノズルと基板との相対移動速度が遅いほ
ど、あるいは一時的に停止させるほど、衝突時間が長く
なって、大きな凹凸が形成されるからである。このと
き、ノズルと基板とを相対移動させるために、ノズルを
動かしても、基板を動かしてもよいが、望ましくは基板
を動かした方がよい。なぜならば、ノズルを動かすと、
微粒子をノズルまで送る配管の状態が変わり、微粒子の
噴射状態が変化する場合があるからである。

【００２７】第２の方法は、前記一部の領域のテクスチ
ャー処理を、前記他の領域のテクスチャー処理より、微
粒子の衝突速度を大きくする（請求項８）。衝突速度が
大きいほど、大きな凹凸が形成されるからであり、前記
一部の領域では大きな凹凸を形成するために衝突速度を
大きく、前記他の領域では比較的小さな凹凸を形成する
ために衝突速度を小さくする。

【００２８】より具体的な例の１つとしては、基板の表
面に微粒子噴射用のノズルを対向させ、ノズルと基板と
を該基板の処理を施す部分の全面に微粒子が衝突するよ
うに相対移動させて、テクスチャー処理を行い、前記一
部の領域と前記他の領域とで微粒子の衝突速度を変更す
るために、前記一部の領域と前記他の領域とでノズルと
基板との距離を変更すればよい（請求項９）。

【００２９】ノズルと基板との距離が短いほど、衝突速
度が大きくなって、大きな凹凸が形成されるからであ
る。このとき、ノズルと基板との距離を変更するため
に、ノズルを動かしても、基板を動かしてもよいが、望
ましくは基板を動かした方がよい。なぜならば、ノズル
を動かすと、微粒子をノズルまで送る配管の状態が変わ
り、微粒子の噴射状態が変化する場合があるからであ
る。

【００３０】このようにパウダービーム加工によるテク
スチャー処理を用いれば、磁気ヘッドとの接触が生じる
領域を含む一部の領域に比較的大きな凹凸を形成し、他
の領域に比較的小さな凹凸を形成することが容易にでき
る。つまり、１つの加工装置（機構）で簡便に実施でき
る。１つの加工ヘッドを用いて加工中に上記の具体的方
法を採ることは極めて容易であり、効率良く安価に実施
できるからである。

【００３１】尚、上記に掲げた具体的方法以外の方法
で、例えば２つの領域で使用する微粒子の平均粒径を変
えたり、あるいは微粒子の基板への衝突速度を変えるた
めに微粒子を噴射するエアの圧力を変えることにより、
凹凸をコントロールしてもかまわない。但し、微粒子の
粒径や微粒子噴射用エアの圧力を変えようとすると、条
件の変更に時間がかかり、効率が悪くなることがあるの
で注意を要する。

【００３２】本発明では、更に、前記基板として、アモ
ルファスカーボン基板を用いることを、より好ましいこ
ととして提案する（請求項３，10，13）。アモルファス
カーボン基板は、軽量かつ高硬度であると共に、耐熱性
及び表面精度が優れていて、Ａｌ基板等に比して磁気デ
ィスクの記録密度を向上させることができるものであ
る。

【００３３】また、アモルファスカーボン基板は、さま
ざまな原料及び方法で作られているが、このパウダービ
ーム加工によるテクスチャー処理はその全てに適用する
ことができる。例えば、原料となる樹脂は、フラン樹脂
系、フェノールホルムアルデヒド樹脂系、ポリカルボシ
イミド樹脂系、フェノールフラン樹脂系等のいずれであ
っても構わないし、また、これらの樹脂に限られるもの
でもない。アモルファスカーボン基板焼成時のＨＩＰ処
理（静水圧加圧処理）については、その有無を問わず、
この処理を施した基板にも、施さなかった基板にも、パ
ウダービーム加工によるテクスチャー処理を適用可能で
ある。

【００３４】アモルファスカーボン以外の基板、例えば
Ｎｉ−ＰメッキしたＡｌ基板やガラス基板でもパウダー
ビームによってテクスチャー処理が可能であるが、アモ
ルファスカーボン基板との組合わせにおいて極めて優れ
た微細な凹凸形成が達成され、しかも、Ｎｉ−Ｐメッキ
したＡｌ基板等と比べ、アモルファスカーボン基板は、
弾性限界が高いため、テクスチャー加工時に基板表面に
高速で衝突した微粒子が基板表面に食い込むことが少な
く、エラー発生が少ない。また、ガラス基板等と比べる
と、基板表面の強度が高いので、加工時に微細なクラッ
クが発生することがなく、スパッタ製膜時に耐食性が低
下することが少ない。

【００３５】このように、アモルファスカーボン基板を
用いた場合は、極めて優れた生産性を有しているので、
好ましい。パウダービーム加工によるテクスチャー処理
を施した磁気ディスク用基板（特にはアモルファスカー
ボン基板）については、テクスチャー処理後、洗浄を行
い、加工時に基板の表面に付着した微粒子を取り除いて
から、基板上に、磁性膜、保護膜及び潤滑層を形成する
ことにより、磁気ディスクを構成する。

【００３６】この場合は、磁性膜、保護膜及び潤滑層に
は特別なものを必要とせず、特にその種類を規定する必
要はない。例えば、磁性膜は、Ｃｏ系、ＣｏＣｒＴａ
系、ＣｏＣｒＰｔ系等のいずれの系でも構わないし、ま
た、これらの系に限るものでもない。さらに保護膜に関
しては、結晶性カーボン系、アモルファスカーボン系、
炭化ケイ素系など、更にはこれらがカーボン以外の元素
を含んだもの等のいずれの系でも構わないし、また、こ
れらに限るものでもない。また、磁性膜や保護膜の製造
時（スパッタ時）にガスを導入してもよい。

【００３７】さらに潤滑剤に関しては、パーフロロアル
キルポリエーテル系等が用いられるが、これらの系に限
るものでもない。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態（実施
例）を説明する。図１はテクスチャー処理のためのパウ
ダービーム装置の概略図である。被加工物である磁気デ
ィスク用基板１は、回転する駆動軸２の端部に固定され
ており、一定の回転数で、あるいはノズル３の位置に合
わせて回転数をコントロールされながら、回転する。

【００３９】ノズル３は、その噴出口が、基板１に対向
すると共に、基板１の半径方向に細長い形状をしてお
り、装置本体から供給される微粒子を基板１の表面に向
けて噴射する。そして、ノズル３は、微粒子の噴射方向
と直角方向に、基板１の半径方向に移動することで、基
板１の全面に微粒子を衝突させる。但し、ノズル３の基
板１の半径方向への移動速度は変化させることができ
る。

【００４０】この処理は表と裏で繰り返すが、ノズル３
を２個設けて、表と裏を同時に加工しても構わない。実
施例１〜５及び比較例１〜４では、表１に示すように、
基板として、アモルファスカーボン基板、特にガラス状
カーボン（Glass-like Cabon；以下「ＧＣ」という）基
板、又は、Ｎｉ−Ｐメッキを施したＡｌ基板を用い、図
１のパウダービーム装置により、表１の条件で、基板の
内周部及び外周部にパウダービーム加工によるテクスチ
ャー処理（但し、比較例４ではテープテクスチャー処
理）を施した。ここでは、内周部が磁気ディスク装置の
起動及び停止時に磁気ヘッドとの接触が生じる領域を含
む一部の領域であり、外周部が他の領域である。

【００４１】

【表１】

【００４２】尚、パウダービーム加工によるテクスチャ
ー処理において、微粒子平均粒径は表１の通りである
が、微粒子噴射圧力、微粒子噴射量は、下記のごとく一
定とした。微粒子噴射圧力：１Ｋｇ／ｃｍ² 微粒子噴射量： 10ｇ／分また、表１の加工時間（微粒子衝突時間）は、基板の各
部ごとに、ノズルから噴射する微粒子が当たり始めてか
ら、ノズルが通り過ぎて当たらなくなるまでの時間であ
る。すなわち、今回の実験では、基板の上をその半径方
向にノズルを移動させており、図２において、ある半径
ｒ上の位置での加工時間は、ノズルが図示実線の位置
（３）から図示点線の位置（３’）まで動くのにかかっ
た時間と定義する。

【００４３】また、基板の回転数は 500ｒｐｍとした。
尚、比較例５でのテープテクスチャー処理は、下記の条
件で、内周部のみ行った。研磨テープ：ＷＡ＃６０００回転数：50ｒｐｍテープ送り： 400ｍ
ｍ／分ロール硬度：60ブリネル硬度ロール押し付け圧：
0.8Ｋｇｆそして、実施例１〜５及び比較例１〜４の処理条件でテ
クスチャー処理を施した基板の表面粗さを測定し、ま
た、それらの基板上に磁性膜、保護膜及び潤滑層を形成
するなどして磁気ディスクとして製造後に、ＣＳＳテス
ト、ＧＨＴテストなどで評価した。

【００４４】その結果を表２及び表３に示す。

【００４５】

【表２】

【００４６】

【表３】

【００４７】尚、テクスチャー処理後の表面粗さの測定
は、触針式粗さ計により、下記の条件で行った（テクス
チャー処理前の表面粗さの測定についても同様）。触針径： 0.6μｍ触針押し付け圧力：７ｍｇ測定長： 250μｍトレース速度： 2.5μｍ／秒カットオフ：1.25μｍ（ローパスフィルタ）また、磁気ディスクの製造条件は以下の通りである。

【００４８】テクスチャー処理後の基板上に、磁性膜と
保護膜とを形成した。磁性膜としては、ＣｏＣｒＰｔ層
40ｎｍ、Ｃｒ層60ｎｍ、Ｔｉ層50ｎｍの３層をスパッタ
により形成した。保護膜としては、カーボン層15ｎｍを
スパッタにより形成した。磁性膜及び保護膜のスパッタ
による形成後、バーニッシュ加工により、すなわち回転
する基板に研磨テープをゴムロールで押し付けることに
より、下記の条件で、スパッタによる異常突起を除去し
た。

【００４９】研磨テープ：ＷＡ＃１００００回転数： 500ｒｐｍ時間：１秒ロール硬度：25ショア硬度ロール押し付け圧：
0.8Ｋｇｆバーニッシュ加工後、潤滑層として、パーフロロアルキ
ルポリエーテル系潤滑剤を約20Åの厚みで塗布した。

【００５０】また、評価方法であるＣＳＳテスト、ＧＨ
Ｔテスト及びエラー評価の内容は以下の通りである。Ｃ
ＳＳテストは、下記の条件で、磁気ディスクの駆動のＯ
Ｎ／ＯＦＦを２万回サイクル繰り返し、２万回サイクル
終了時の磁気ヘッドとの動摩擦係数μｄを測定し、この
値で評価する。

【００５１】ＯＮ／ＯＦＦ時間：５秒／５秒ヘッド：50％アルチックスライダーヘッド荷重：
3.5ｇ回転数：4500ｒｐｍ測定半径：12ｍｍヘッド浮上高さ： 2.8μインチＧＨＴテストは、下記の条件で、ヘッド浮上高さを測定
し、判定基準を 1.3μインチにおいて、ＯＫ（合格）／
ＮＧ（不合格）を判定する。

【００５２】測定装置：ＰＲＯＱＵＩＰ社製ＭＧ−１
５０評価装置ヘッド：50％スライダー（Ｇlide light社）ヘッド
荷重： 9.5ｇエラー評価は、ＰＲＯＱＵＩＰ社製のＭＧ１５０Ｔ装置
を用い、また50％スライダーヘッド（ヤマハ社製）を用
いて、トラックピッチ 7.7μｍ、記録条件50ｋｆｃｉに
て、エラー発生数を測定した。

【００５３】〔実施例と比較例との比較〕実施例１〜５
と比較例１〜４との比較により、実施例１〜５のパウダ
ービーム加工によるゾーンテクスチャーにより、ＣＳＳ
耐久性を確保した上で、全面のＧＨＴ高さを低くして、
エラー低減を図り得ることがわかる。更に、実施例１〜
４と実施例５とを比較すると、実施例１〜４の方がエラ
ー発生数が少ないことからわかるように、基板としては
アモルファスカーボン基板を用いるのがより好ましいこ
とがわかる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ウダービーム加工によるゾーンテクスチャー処理によ
り、磁気ヘッドとの吸着現象の防止、記録密度向上のた
めの低浮上量化、段差によるヘッドクラッシュ防止を比
較的低コストで実現できるという効果が得られる。

【００５５】また、本発明によれば、他の領域に軽度の
微粒子噴射によるテクスチャー処理を施して、２つの領
域に粗さの異なる凹凸を形成することを容易に実施でき
るという効果が得られる。特に、微粒子の衝突時間を変
更することで、より具体的にはノズルと基板との相対移
動速度を変更することで、容易に実施できるし、また、
微粒子の衝突速度を変更することで、より具体的にはノ
ズルと基板との距離を変更することで、容易に実施でき
る。

【００５６】更に本発明によれば、基板として、アモル
ファスカーボン基板を用いることで、その特性を生かし
て、極めて優れた微細な凹凸形成を達成できるという効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】パウダービーム装置の概略図

【図２】パウダービーム加工時間の説明図

【符号の説明】

１基板２駆動軸３ノズル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面研磨された磁気ディスク用基板の表面
のうち、磁気ディスク装置の起動及び停止時に磁気ヘッ
ドとの接触が生じる領域を含む一部の領域に、微粒子を
噴射してテクスチャー処理を施し、テクスチャー処理後
の前記一部の領域の表面粗さを、中心線平均粗さＲａで
８〜30Å、最大高さＲｐで40〜 200Åとしたことを特徴
とする磁気ディスク用基板。
【請求項２】前記一部の領域以外の他の領域に、前記一
部の領域のテクスチャー処理より軽度の微粒子噴射によ
るテクスチャー処理を施し、テクスチャー処理後の前記
他の領域の表面粗さを、中心線平均粗さＲａで５〜15Å
（但し前記一部の領域のＲａより小）、最大高さＲｐで
15〜90Å（但し前記一部の領域のＲｐより小）としたこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用基板。
【請求項３】前記基板はアモルファスカーボン基板であ
ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の磁気デ
ィスク用基板。
【請求項４】表面研磨された磁気ディスク用基板の表面
のうち、磁気ディスク装置の起動及び停止時に磁気ヘッ
ドとの接触が生じる領域を含む一部の領域に、平均粒径
0.5〜６μｍの微粒子を噴射してテクスチャー処理を施
し、テクスチャー処理後の前記一部の領域の表面粗さ
を、中心線平均粗さＲａで８〜30Å、最大高さＲｐで40
〜 200Åとしたことを特徴とする磁気ディスク用基板の
製造方法。
【請求項５】前記一部の領域以外の他の領域に、前記一
部の領域のテクスチャー処理より軽度の微粒子噴射によ
るテクスチャー処理を施し、テクスチャー処理後の前記
他の領域の表面粗さを、中心線平均粗さＲａで５〜15Å
（但し前記一部の領域のＲａより小）、最大高さＲｐで
15〜90Å（但し前記一部の領域のＲｐより小）としたこ
とを特徴とする請求項４記載の磁気ディスク用基板の製
造方法。
【請求項６】前記一部の領域のテクスチャー処理は、前
記他の領域のテクスチャー処理より、微粒子の衝突時間
を大きくしたことを特徴とする請求項５記載の磁気ディ
スク用基板の製造方法。
【請求項７】基板の表面に微粒子噴射用のノズルを対向
させ、ノズルと基板とを該基板の処理を施す部分の全面
に微粒子が衝突するように相対移動させて、テクスチャ
ー処理を行い、前記一部の領域と前記他の領域とで微粒
子の衝突時間を変更するために、前記一部の領域と前記
他の領域とでノズルと基板との相対移動速度を変更する
ようにしたことを特徴とする請求項６記載の磁気ディス
ク用基板の製造方法。
【請求項８】前記一部の領域のテクスチャー処理は、前
記他の領域のテクスチャー処理より、微粒子の衝突速度
を大きくしたことを特徴とする請求項５記載の磁気ディ
スク用基板の製造方法。
【請求項９】基板の表面に微粒子噴射用のノズルを対向
させ、ノズルと基板とを該基板の処理を施す部分の全面
に微粒子が衝突するように相対移動させて、テクスチャ
ー処理を行い、前記一部の領域と前記他の領域とで微粒
子の衝突速度を変更するために、前記一部の領域と前記
他の領域とでノズルと基板との距離を変更するようにし
たことを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク用基板
の製造方法。
【請求項10】前記基板はアモルファスカーボン基板であ
ることを特徴とする請求項５〜請求項９のいずれか１つ
に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項11】表面研磨された磁気ディスク用基板の表面
のうち、磁気ディスク装置の起動及び停止時に磁気ヘッ
ドとの接触が生じる領域を含む一部の領域に、微粒子を
噴射してテクスチャー処理を施し、テクスチャー処理後
の前記一部の領域の表面粗さを、中心線平均粗さＲａで
８〜30Å、最大高さＲｐで40〜 200Åとし、この基板上
に、少なくとも磁性膜及び保護膜を形成してなることを
特徴とする磁気ディスク。
【請求項12】前記一部の領域以外の他の領域に、前記一
部の領域のテクスチャー処理より軽度の微粒子噴射によ
るテクスチャー処理を施し、テクスチャー処理後の前記
他の領域の表面粗さを、中心線平均粗さＲａで５〜15Å
（但し前記一部の領域のＲａより小）、最大高さＲｐで
15〜90Å（但し前記一部の領域のＲｐより小）としたこ
とを特徴とする請求項11記載の磁気ディスク。
【請求項13】前記基板はアモルファスカーボン基板であ
ることを特徴とする請求項11又は請求項12記載の磁気デ
ィスク。