JPH0646195A - リニアイメージセンサの残像低減装置 - Google Patents
リニアイメージセンサの残像低減装置Info
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- JPH0646195A JPH0646195A JP4199310A JP19931092A JPH0646195A JP H0646195 A JPH0646195 A JP H0646195A JP 4199310 A JP4199310 A JP 4199310A JP 19931092 A JP19931092 A JP 19931092A JP H0646195 A JPH0646195 A JP H0646195A
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 短時間で残像分の電荷を掃き出すことによっ
て、データ取込スピードを向上させることを目的とす
る。 【構成】 入力光を光電変換して電荷に変換する電荷蓄
積部と、供給された電荷を順に転送して出力する電荷転
送部と、電荷蓄積部で蓄積された電荷を電荷転送部に移
送するシフト電極と、シフト電極の移送動作を周期的に
駆動制御するシフト電極制御回路を具備し、シフト電極
制御回路は、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積
された電荷を電荷転送部に移送する画像読み取り動作
と、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積された電
荷を電荷転送部に複数回移送する残像電荷掃き出し動作
とを１回の画像読み取り周期内で行う残像低減回路を含
むように構成されている。
て、データ取込スピードを向上させることを目的とす
る。 【構成】 入力光を光電変換して電荷に変換する電荷蓄
積部と、供給された電荷を順に転送して出力する電荷転
送部と、電荷蓄積部で蓄積された電荷を電荷転送部に移
送するシフト電極と、シフト電極の移送動作を周期的に
駆動制御するシフト電極制御回路を具備し、シフト電極
制御回路は、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積
された電荷を電荷転送部に移送する画像読み取り動作
と、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積された電
荷を電荷転送部に複数回移送する残像電荷掃き出し動作
とを１回の画像読み取り周期内で行う残像低減回路を含
むように構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イメージスキャナ等に
用いられるリニアイメージセンサの残像低減装置に関す
る。
用いられるリニアイメージセンサの残像低減装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来よりイメージスキャナ等に用いられ
るリニアイメージセンサとしてＣＣＤ(charge-coupled
device)が知られているが、ＣＣＤには、１ラインのデ
ータを読み出した後の次の１ラインの出力データに前回
のラインデータが残るという残像現象がある。これは、
ＣＣＤの電荷蓄積部で光電変換によって生成された電荷
を、電荷転送部へ完全に移送することができないために
起こる。
るリニアイメージセンサとしてＣＣＤ(charge-coupled
device)が知られているが、ＣＣＤには、１ラインのデ
ータを読み出した後の次の１ラインの出力データに前回
のラインデータが残るという残像現象がある。これは、
ＣＣＤの電荷蓄積部で光電変換によって生成された電荷
を、電荷転送部へ完全に移送することができないために
起こる。
【０００３】この残像現象は、図３（ｂ）に示すよう
に、１ラインの出力データに重畳した信号となって現
れ、解像度等を悪化させる。
に、１ラインの出力データに重畳した信号となって現
れ、解像度等を悪化させる。
【０００４】即ち、図３（ｂ）において、周期Ｔの間に
ＣＣＤの電荷蓄積部で光電変換によって新たに生成され
る電荷を１００とし、電荷転送部に移送されないで残る
電荷（残像分）を１０（１００の１０％）とすると、あ
る時刻から周期Ｔ後の電荷蓄積部における電荷は１００
に１０を重畳した１１０となる。
ＣＣＤの電荷蓄積部で光電変換によって新たに生成され
る電荷を１００とし、電荷転送部に移送されないで残る
電荷（残像分）を１０（１００の１０％）とすると、あ
る時刻から周期Ｔ後の電荷蓄積部における電荷は１００
に１０を重畳した１１０となる。
【０００５】更にその後の周期Ｔでは、１００に１０と
１（１０の１０％）とを重畳した１１１となる。これを
繰り返すと、第５周期の開始時には１１１．１１の電荷
が画像データとして出力されることを意味し、解像度等
を極端に悪化させることになる。
１（１０の１０％）とを重畳した１１１となる。これを
繰り返すと、第５周期の開始時には１１１．１１の電荷
が画像データとして出力されることを意味し、解像度等
を極端に悪化させることになる。
【０００６】このような残像の影響を低減する方法とし
ては、１ラインを露光してその後の数ラインは遮光して
残像分を掃き出すことが考えられる。
ては、１ラインを露光してその後の数ラインは遮光して
残像分を掃き出すことが考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た１ラインを露光してその後の数ラインは遮光して残像
分の電荷を掃き出す方法では、残像分の電荷を掃き出す
数ラインの間は出力データが得られないために、データ
取込スピードが遅くなるという問題点がある。
た１ラインを露光してその後の数ラインは遮光して残像
分の電荷を掃き出す方法では、残像分の電荷を掃き出す
数ラインの間は出力データが得られないために、データ
取込スピードが遅くなるという問題点がある。
【０００８】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
もので、短時間で残像分の電荷を掃き出すことによって
データ取込スピードを向上させることを目的とする。
もので、短時間で残像分の電荷を掃き出すことによって
データ取込スピードを向上させることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のリニアイメージセンサの残像低減装置は、
入力光を光電変換して電荷に変換する電荷蓄積部と、供
給された電荷を順に転送して出力する電荷転送部と、電
荷蓄積部で蓄積された電荷を電荷転送部に移送するシフ
ト電極と、シフト電極の移送動作を周期的に駆動制御す
るシフト電極制御回路を具備し、シフト電極制御回路
は、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積された電
荷を電荷転送部に移送する画像読み取り動作と、シフト
電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積された電荷を電荷転
送部に複数回移送する残像電荷掃き出し動作とを１回の
画像読み取り周期内で行う残像低減回路を含むように構
成されている。
に、本発明のリニアイメージセンサの残像低減装置は、
入力光を光電変換して電荷に変換する電荷蓄積部と、供
給された電荷を順に転送して出力する電荷転送部と、電
荷蓄積部で蓄積された電荷を電荷転送部に移送するシフ
ト電極と、シフト電極の移送動作を周期的に駆動制御す
るシフト電極制御回路を具備し、シフト電極制御回路
は、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積された電
荷を電荷転送部に移送する画像読み取り動作と、シフト
電極をオンにして電荷蓄積部に蓄積された電荷を電荷転
送部に複数回移送する残像電荷掃き出し動作とを１回の
画像読み取り周期内で行う残像低減回路を含むように構
成されている。
【００１０】
【作用】上記構成のリニアイメージセンサの残像低減装
置においては、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄
積された電荷を電荷転送部に複数回移送する残像電荷掃
き出し動作を行うことによって、短時間で残像分の電荷
を掃き出すことができるようになる。これにより、残像
分の電荷を掃き出すのに必要な時間が短時間で済み、他
の時間は画像データの取り込みに使用できるので、結果
としてデータ取込スピードを向上させることができる。
置においては、シフト電極をオンにして電荷蓄積部に蓄
積された電荷を電荷転送部に複数回移送する残像電荷掃
き出し動作を行うことによって、短時間で残像分の電荷
を掃き出すことができるようになる。これにより、残像
分の電荷を掃き出すのに必要な時間が短時間で済み、他
の時間は画像データの取り込みに使用できるので、結果
としてデータ取込スピードを向上させることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１２】図１は、本発明によるリニアイメージセン
サの残像低減装置の一実施例を示すブロック結線図であ
る。
サの残像低減装置の一実施例を示すブロック結線図であ
る。
【００１３】図１において、１はＣＣＤ型リニアセンサ
ーであり、電荷蓄積部１ａ、シフト電極１ｂおよび電荷
転送部１ｃによって構成される。ＣＣＤ型リニアセンサ
ー１は、駆動パルスジュネレータ２から供給されるパル
ス信号ｆおよびクロック信号ｃによって駆動される。
ーであり、電荷蓄積部１ａ、シフト電極１ｂおよび電荷
転送部１ｃによって構成される。ＣＣＤ型リニアセンサ
ー１は、駆動パルスジュネレータ２から供給されるパル
ス信号ｆおよびクロック信号ｃによって駆動される。
【００１４】電荷蓄積部１ａの１素子は、フォトダイオ
ードとコンデンサの並列回路と原理的に等価であり、こ
のような並列回路をライン状に複数個並べることで電荷
蓄積部１ａが構成される。電荷蓄積部１ａでは、入力光
がフォトダイオードの光電変換によって電荷に変換さ
れ、変換された電荷はコンデンサに蓄積される。コンデ
ンサに蓄積された電荷は、所定のタイミングでシフト電
極１ｂを介して電荷転送部１ｃに移送される。シフト電
極１ｂはスイッチ回路と等価であり、このスイッチ回路
をオンにした時に電荷蓄積部１ａに蓄積された電荷が電
荷転送部１ｃに移送される。シフト電極１ｂのスイッチ
回路をオンにするタイミングは、後述するように駆動パ
ルスジュネレータ２からＯＲ回路５を介して供給される
パルス信号ｆによって定まる。
ードとコンデンサの並列回路と原理的に等価であり、こ
のような並列回路をライン状に複数個並べることで電荷
蓄積部１ａが構成される。電荷蓄積部１ａでは、入力光
がフォトダイオードの光電変換によって電荷に変換さ
れ、変換された電荷はコンデンサに蓄積される。コンデ
ンサに蓄積された電荷は、所定のタイミングでシフト電
極１ｂを介して電荷転送部１ｃに移送される。シフト電
極１ｂはスイッチ回路と等価であり、このスイッチ回路
をオンにした時に電荷蓄積部１ａに蓄積された電荷が電
荷転送部１ｃに移送される。シフト電極１ｂのスイッチ
回路をオンにするタイミングは、後述するように駆動パ
ルスジュネレータ２からＯＲ回路５を介して供給される
パルス信号ｆによって定まる。
【００１５】電荷転送部１ｃはアナログシフトレジスタ
で構成され、２相のクロック信号に従って電荷を順に転
送することで信号ｇを出力する。２相クロックジュネレ
ータ１ｄは、駆動パルスジュネレータ２から供給される
クロック信号ｃから、電荷転送部１ｃに供給する２相ク
ロック信号を生成している。
で構成され、２相のクロック信号に従って電荷を順に転
送することで信号ｇを出力する。２相クロックジュネレ
ータ１ｄは、駆動パルスジュネレータ２から供給される
クロック信号ｃから、電荷転送部１ｃに供給する２相ク
ロック信号を生成している。
【００１６】なお、図１では電荷蓄積部１ａ、シフト電
極１ｂおよび電荷転送部１ｃが４個の素子によって構成
されているかのように表現されているが、実際にはそれ
ぞれ例えば５０００個の素子をライン状に並べることに
よって構成されている。
極１ｂおよび電荷転送部１ｃが４個の素子によって構成
されているかのように表現されているが、実際にはそれ
ぞれ例えば５０００個の素子をライン状に並べることに
よって構成されている。
【００１７】ＣＣＤ型リニアセンサー１に供給されるパ
ルス信号ｆおよびクロック信号ｃは、次に説明するよう
にして生成される。
ルス信号ｆおよびクロック信号ｃは、次に説明するよう
にして生成される。
【００１８】駆動パルスジュネレータ２には、図外のク
ロックパルスジュネレータから固定周期のクロックパル
ス信号が供給される。駆動パルスジュネレータ２は、こ
のクロックパルス信号からＣＣＤ型リニアセンサー１の
駆動に必要なパルス信号を生成して、ＯＲ回路５、分周
器４、カウンタ３および２相クロックジュネレータ１ｄ
に供給する。ＯＲ回路５および分周器４には、図２に示
すパルス信号ａが供給され、カウンタ３および２相クロ
ックジュネレータ１ｄには、図２に示すクロック信号ｃ
が供給される。
ロックパルスジュネレータから固定周期のクロックパル
ス信号が供給される。駆動パルスジュネレータ２は、こ
のクロックパルス信号からＣＣＤ型リニアセンサー１の
駆動に必要なパルス信号を生成して、ＯＲ回路５、分周
器４、カウンタ３および２相クロックジュネレータ１ｄ
に供給する。ＯＲ回路５および分周器４には、図２に示
すパルス信号ａが供給され、カウンタ３および２相クロ
ックジュネレータ１ｄには、図２に示すクロック信号ｃ
が供給される。
【００１９】分周器４はパルス信号ａを分周してパルス
信号ｂを作り、ＡＮＤ回路６に供給する。カウンタ３は
クロック信号ｃをカウントしてパルス信号ｄを作り、Ａ
ＮＤ回路６に供給する。ＡＮＤ回路６は、パルス信号ｂ
とパルス信号ｄとのＡＮＤをとることでパルス信号ｅを
作り、ＯＲ回路５に供給する。ＯＲ回路５は、駆動パル
スジュネレータ２から供給されるパルス信号ａと、ＡＮ
Ｄ回路６から供給されるパルス信号ｅとのＯＲをとるこ
とでパルス信号ｆを生成し、シフト電極１ｂをオンオフ
制御する。
信号ｂを作り、ＡＮＤ回路６に供給する。カウンタ３は
クロック信号ｃをカウントしてパルス信号ｄを作り、Ａ
ＮＤ回路６に供給する。ＡＮＤ回路６は、パルス信号ｂ
とパルス信号ｄとのＡＮＤをとることでパルス信号ｅを
作り、ＯＲ回路５に供給する。ＯＲ回路５は、駆動パル
スジュネレータ２から供給されるパルス信号ａと、ＡＮ
Ｄ回路６から供給されるパルス信号ｅとのＯＲをとるこ
とでパルス信号ｆを生成し、シフト電極１ｂをオンオフ
制御する。
【００２０】パルス信号ｆによってシフト電極１ｂをオ
ンオフ制御することで、電荷蓄積部１ａに蓄積された電
荷を電荷転送部１ｃに移送する動作の制御が行われる。
図２に示すパルス信号ｆの周期Ｔ1で電荷蓄積部１ａに
蓄積された電荷が時刻Ｇ1に電荷転送部１ｃに移送され
る。同様にして、周期Ｔ2で電荷蓄積部１ａに蓄積され
た電荷が時刻Ｇ2に電荷転送部１ｃに移送され、周期Ｔ3
で電荷蓄積部１ａに蓄積された電荷が時刻Ｇ3に電荷転
送部１ｃに移送され、更に周期Ｔ4で電荷蓄積部１ａに
蓄積された電荷が時刻Ｇ4に電荷転送部１ｃに移送され
る。
ンオフ制御することで、電荷蓄積部１ａに蓄積された電
荷を電荷転送部１ｃに移送する動作の制御が行われる。
図２に示すパルス信号ｆの周期Ｔ1で電荷蓄積部１ａに
蓄積された電荷が時刻Ｇ1に電荷転送部１ｃに移送され
る。同様にして、周期Ｔ2で電荷蓄積部１ａに蓄積され
た電荷が時刻Ｇ2に電荷転送部１ｃに移送され、周期Ｔ3
で電荷蓄積部１ａに蓄積された電荷が時刻Ｇ3に電荷転
送部１ｃに移送され、更に周期Ｔ4で電荷蓄積部１ａに
蓄積された電荷が時刻Ｇ4に電荷転送部１ｃに移送され
る。
【００２１】電荷転送部１ｃは、電荷転送部１ｃを介し
て移送された電荷を２相クロック信号によって電荷を順
に転送する。２相クロック信号は２相クロックジュネレ
ータ１ｄから電荷転送部１ｃに常時供給されているの
で、結果として電荷転送部１ｃは図２に示す信号ｇを出
力する。図２に示す信号ｇの内の信号Ａが、パルス信号
ｆの周期Ｔ1で電荷蓄積部１ａに蓄積され、時刻Ｇ1に電
荷転送部１ｃに移送された電荷に相当する信号である。
即ち、この信号Ａは、１ライン分の出力画像データであ
る。
て移送された電荷を２相クロック信号によって電荷を順
に転送する。２相クロック信号は２相クロックジュネレ
ータ１ｄから電荷転送部１ｃに常時供給されているの
で、結果として電荷転送部１ｃは図２に示す信号ｇを出
力する。図２に示す信号ｇの内の信号Ａが、パルス信号
ｆの周期Ｔ1で電荷蓄積部１ａに蓄積され、時刻Ｇ1に電
荷転送部１ｃに移送された電荷に相当する信号である。
即ち、この信号Ａは、１ライン分の出力画像データであ
る。
【００２２】信号ｇの内の信号Ｂは、周期Ｔ2〜Ｔ4で電
荷蓄積部１ａに蓄積され、時刻Ｇ2〜Ｇ4の３回にわたっ
て電荷転送部１ｃに移送された電荷に相当する信号であ
る。即ち、この信号Ｂは、画像データに相当する信号に
残像に相当する信号が重畳した信号である。信号Ａと信
号Ｂは時間によって分離され、信号Ａのみが画像データ
として外部に出力される。
荷蓄積部１ａに蓄積され、時刻Ｇ2〜Ｇ4の３回にわたっ
て電荷転送部１ｃに移送された電荷に相当する信号であ
る。即ち、この信号Ｂは、画像データに相当する信号に
残像に相当する信号が重畳した信号である。信号Ａと信
号Ｂは時間によって分離され、信号Ａのみが画像データ
として外部に出力される。
【００２３】信号Ｂは、上述したように、１ライン分の
画像データを読み出した後の残像に相当する信号を含ん
でいる。時刻Ｇ2〜Ｇ4の短時間の間に３回にわたって電
荷転送部１ｃに電荷を移送しているので、図２に破線で
示すように、信号Ｂは残像信号を含む３つの信号を重畳
した信号となっている。このように、短時間の間に複数
回にわたって電荷蓄積部１ａから電荷転送部１ｃに電荷
を移送することによって、短時間で残像分の電荷を掃き
出すことができる。このことを図３（ａ）と共に以下に
説明する。ただし。図３（ａ）では残像分を含む信号を
２回にわたって掃き出すようにしている点で図２とは相
違する。
画像データを読み出した後の残像に相当する信号を含ん
でいる。時刻Ｇ2〜Ｇ4の短時間の間に３回にわたって電
荷転送部１ｃに電荷を移送しているので、図２に破線で
示すように、信号Ｂは残像信号を含む３つの信号を重畳
した信号となっている。このように、短時間の間に複数
回にわたって電荷蓄積部１ａから電荷転送部１ｃに電荷
を移送することによって、短時間で残像分の電荷を掃き
出すことができる。このことを図３（ａ）と共に以下に
説明する。ただし。図３（ａ）では残像分を含む信号を
２回にわたって掃き出すようにしている点で図２とは相
違する。
【００２４】即ち、図３（ａ）において、周期Ｔの間に
電荷蓄積部１ａで光電変換によって新たに生成される電
荷を１００とする。また、電荷転送部１ｃに移送されな
いで残る電荷（残像分）を１０（１００の１０％）とす
る。
電荷蓄積部１ａで光電変換によって新たに生成される電
荷を１００とする。また、電荷転送部１ｃに移送されな
いで残る電荷（残像分）を１０（１００の１０％）とす
る。
【００２５】図３（ｂ）において、ある周期（第１周
期）に１００の電荷が掃き出されたとする。第１周期の
終端から第２周期にかかる期間は、残像分の電荷の掃き
出しに充てられる。１回目の掃き出しとして、第１周期
から周期４Ｔ／５後に掃き出される電荷の理想値は８０
である。ただし、１０が残像分として残る。２回目の掃
き出しとして、第１周期から周期Ｔ後に掃き出される電
荷の理想値は２０であるが、前回の掃き出しの残像分で
ある８（８０の１０％）と１（１０の１０％）も掃き出
しの対象となる。
期）に１００の電荷が掃き出されたとする。第１周期の
終端から第２周期にかかる期間は、残像分の電荷の掃き
出しに充てられる。１回目の掃き出しとして、第１周期
から周期４Ｔ／５後に掃き出される電荷の理想値は８０
である。ただし、１０が残像分として残る。２回目の掃
き出しとして、第１周期から周期Ｔ後に掃き出される電
荷の理想値は２０であるが、前回の掃き出しの残像分で
ある８（８０の１０％）と１（１０の１０％）も掃き出
しの対象となる。
【００２６】第３周期では、掃き出される電荷の理想値
は１０２．９（１００＋２＋０．８＋０．１）である。
２（２０の１０％）と０．８（８の１０％）と０．１
（１の１０％）は、前回の掃き出し（２回目の掃き出
し）の残像分である。この第３周期で画像データとして
掃き出される電荷の値は１０２．９であり、残像分の影
響は非常に少なくなっている。これを図３（ａ）に示す
例と比較すると、図３（ａ）の第３周期で画像データと
して掃き出される電荷の値は１１０であり、図３（ｂ）
の電荷の値１０２．９に比べて残像分の影響が非常に大
きくなっている。
は１０２．９（１００＋２＋０．８＋０．１）である。
２（２０の１０％）と０．８（８の１０％）と０．１
（１の１０％）は、前回の掃き出し（２回目の掃き出
し）の残像分である。この第３周期で画像データとして
掃き出される電荷の値は１０２．９であり、残像分の影
響は非常に少なくなっている。これを図３（ａ）に示す
例と比較すると、図３（ａ）の第３周期で画像データと
して掃き出される電荷の値は１１０であり、図３（ｂ）
の電荷の値１０２．９に比べて残像分の影響が非常に大
きくなっている。
【００２７】同様にして、図３（ｂ）の第５周期で画像
データとして掃き出される電荷の値は１０２．９０２９
であり、残像分の影響は非常に少ない。これを図３
（ａ）に示す例と比較すると、図３（ａ）の第３周期で
画像データとして掃き出される電荷の値は１１１であ
り、残像分の影響が非常に大きい。
データとして掃き出される電荷の値は１０２．９０２９
であり、残像分の影響は非常に少ない。これを図３
（ａ）に示す例と比較すると、図３（ａ）の第３周期で
画像データとして掃き出される電荷の値は１１１であ
り、残像分の影響が非常に大きい。
【００２８】上述したように、ある周期では、時刻Ｇ1
に電荷蓄積部１ａから電荷転送部１ｃに電荷を移送して
画像データとして読み出し、他の周期では、時刻Ｇ2〜
Ｇ4の３回にわたって電荷蓄積部１ａから電荷転送部１
ｃに電荷を移送して残像分の掃き出しを行うようにした
ので、１周期だけの短時間で残像分の電荷を掃き出すこ
とができるようになる。
に電荷蓄積部１ａから電荷転送部１ｃに電荷を移送して
画像データとして読み出し、他の周期では、時刻Ｇ2〜
Ｇ4の３回にわたって電荷蓄積部１ａから電荷転送部１
ｃに電荷を移送して残像分の掃き出しを行うようにした
ので、１周期だけの短時間で残像分の電荷を掃き出すこ
とができるようになる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明のリニアイメージ
センサの残像低減装置によれば、シフト電極をオンにし
て電荷蓄積部に蓄積された電荷を電荷転送部に複数回移
送する残像電荷掃き出し動作を行うことによって、短時
間で残像分の電荷を掃き出すことができるようになる。
これにより、残像分の電荷を掃き出すのに必要な時間が
短時間で済み、他の時間は画像データの取り込みに使用
できるので、結果としてデータ取込スピードを向上させ
ることが可能となる。
センサの残像低減装置によれば、シフト電極をオンにし
て電荷蓄積部に蓄積された電荷を電荷転送部に複数回移
送する残像電荷掃き出し動作を行うことによって、短時
間で残像分の電荷を掃き出すことができるようになる。
これにより、残像分の電荷を掃き出すのに必要な時間が
短時間で済み、他の時間は画像データの取り込みに使用
できるので、結果としてデータ取込スピードを向上させ
ることが可能となる。
【図１】本発明によるリニアイメージセンサの残像低減
装置の一実施例を示すブロック結線図である。
装置の一実施例を示すブロック結線図である。
【図２】本発明によるリニアイメージセンサの残像低減
装置の動作を説明する波形図である。
装置の動作を説明する波形図である。
【図３】本発明によるリニアイメージセンサの残像低減
装置および従来のリニアイメージセンサの残像低減装置
の動作を説明する概念図である。
装置および従来のリニアイメージセンサの残像低減装置
の動作を説明する概念図である。
１ ＣＣＤ型リニアセンサー １ａ 電荷蓄積部 １ｂ シフト電極 １ｃ 電荷転送部 １ｄ ２相クロックジュネレータ ２ 駆動パルスジュネレータ ３ カウンタ ４ 分周器 ５ ＯＲ回路 ６ ＡＮＤ回路
Claims (1)
- 【請求項１】 入力光を光電変換して電荷に変換する電
荷蓄積部と、供給された電荷を順に転送して出力する電
荷転送部と、前記電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記電
荷転送部に移送するシフト電極と、前記シフト電極の移
送動作を周期的に駆動制御するシフト電極制御回路を具
備し、前記シフト電極制御回路は、前記シフト電極をオ
ンにして前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記電荷転
送部に移送する画像読み取り動作と、前記シフト電極を
オンにして前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記電荷
転送部に複数回移送する残像電荷掃き出し動作とを１回
の画像読み取り周期内で行う残像低減回路を含むことを
特徴とするリニアイメージセンサの残像低減装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199310A JPH0646195A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | リニアイメージセンサの残像低減装置 |
| DE69324196T DE69324196T2 (de) | 1992-07-27 | 1993-06-30 | Restbildreduktionsgerät für einen linearen Bildsensor |
| EP93305130A EP0581447B1 (en) | 1992-07-27 | 1993-06-30 | Residual image reduction apparatus for a linear image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199310A JPH0646195A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | リニアイメージセンサの残像低減装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0646195A true JPH0646195A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16405681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4199310A Pending JPH0646195A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | リニアイメージセンサの残像低減装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0581447B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0646195A (ja) |
| DE (1) | DE69324196T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8421422B2 (en) | 2009-10-29 | 2013-04-16 | Mitsubishi Eletric Corporation | Power supply device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2939518A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierte schaltung zur zeilenweisen bildabtastung |
| JPH0414365A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| US5105277A (en) * | 1990-12-24 | 1992-04-14 | Xerox Corporation | Process for canceling cell-to-cell performance variations in a sensor array |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP4199310A patent/JPH0646195A/ja active Pending
-
1993
- 1993-06-30 EP EP93305130A patent/EP0581447B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-30 DE DE69324196T patent/DE69324196T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8421422B2 (en) | 2009-10-29 | 2013-04-16 | Mitsubishi Eletric Corporation | Power supply device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0581447B1 (en) | 1999-03-31 |
| EP0581447A1 (en) | 1994-02-02 |
| DE69324196D1 (de) | 1999-05-06 |
| DE69324196T2 (de) | 1999-07-15 |
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