JPH0645877B2 - 硬質カーボン膜製造方法 - Google Patents
硬質カーボン膜製造方法Info
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- JPH0645877B2 JPH0645877B2 JP1043915A JP4391589A JPH0645877B2 JP H0645877 B2 JPH0645877 B2 JP H0645877B2 JP 1043915 A JP1043915 A JP 1043915A JP 4391589 A JP4391589 A JP 4391589A JP H0645877 B2 JPH0645877 B2 JP H0645877B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- film
- plasma
- hard carbon
- carbon film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、たとえば磁気ディスク，磁気ヘッド，及び
光学部品等の保護膜として用いられる硬質カーボン膜を
製造する方法に関し、特に、ＥＣＲ（Electron Cyclotr
on Resonance：電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶ
Ｄ法により硬質カーボン膜を生成する技術に関する。
光学部品等の保護膜として用いられる硬質カーボン膜を
製造する方法に関し、特に、ＥＣＲ（Electron Cyclotr
on Resonance：電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶ
Ｄ法により硬質カーボン膜を生成する技術に関する。
磁気ディスク，磁気ヘッドの保護膜及び光学部品等の保
護膜として、硬質カーボン膜であるダイヤモンド状膜
（以下、ＤＬＣ膜と記す）が用いられている。
護膜として、硬質カーボン膜であるダイヤモンド状膜
（以下、ＤＬＣ膜と記す）が用いられている。
このＤＬＣ膜の製造方法としては、従来よりイオンビー
ムスパッタ法，イオンプレーティング法，及びプラズマ
ＣＶＤ法等が用いられている。
ムスパッタ法，イオンプレーティング法，及びプラズマ
ＣＶＤ法等が用いられている。
一方、最近、プラズマＣＶＤ法の一種として、ＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法が開発され、すでに実用に供されてい
る。このＥＣＲプラズマＣＶＤ法は、ＥＣＲイオン源に
おいて電子サイクロトロン共鳴を起こさせ、これにより
高密度のプラズマを発生させるとともに、発散磁界を利
用して前記プラズマ流を基板等の試料に照射して成膜を
行うものである。
ラズマＣＶＤ法が開発され、すでに実用に供されてい
る。このＥＣＲプラズマＣＶＤ法は、ＥＣＲイオン源に
おいて電子サイクロトロン共鳴を起こさせ、これにより
高密度のプラズマを発生させるとともに、発散磁界を利
用して前記プラズマ流を基板等の試料に照射して成膜を
行うものである。
最近、このＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてＤＬＣ膜を
生成することが考えられている。しかし、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法を用いてＤＬＣ膜を生成しようとする場合、
成膜条件が非常に重要となる。特に、プラズマ室内部に
導入されるマイクロ波のパワー，基板に発生する自己バ
イアス，及び反応圧力により大きな影響を受ける。
生成することが考えられている。しかし、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法を用いてＤＬＣ膜を生成しようとする場合、
成膜条件が非常に重要となる。特に、プラズマ室内部に
導入されるマイクロ波のパワー，基板に発生する自己バ
イアス，及び反応圧力により大きな影響を受ける。
これらの条件のうちマイクロ波のパワーについては、反
応ガスを分解する必要からある程度大きくする必要があ
るが、あまり大きくし過ぎると、例えば反応ガスとして
メタンガスを用いた場合には、メタンガスが分解されす
ぎて大量のＨラジカルが発生し、これが膜中に取り込ま
れてＤＬＣ膜が生成できない。
応ガスを分解する必要からある程度大きくする必要があ
るが、あまり大きくし過ぎると、例えば反応ガスとして
メタンガスを用いた場合には、メタンガスが分解されす
ぎて大量のＨラジカルが発生し、これが膜中に取り込ま
れてＤＬＣ膜が生成できない。
また、自己バイアスについては、イオンの加速エネルギ
ーを増加させてやる必要からある程度大きくする必要が
あるが、あまり大きくしすぎると膜がグラファイト化し
て黒鉛状になる場合がある。
ーを増加させてやる必要からある程度大きくする必要が
あるが、あまり大きくしすぎると膜がグラファイト化し
て黒鉛状になる場合がある。
さらに反応圧力については、反応を促進させる必要から
ある程度高くする必要があり、低すぎる場合には前記マ
イクロ波のパワーが過大な場合と同様な現象が発生し
て、ＤＬＣ膜の生成が困難となる。
ある程度高くする必要があり、低すぎる場合には前記マ
イクロ波のパワーが過大な場合と同様な現象が発生し
て、ＤＬＣ膜の生成が困難となる。
このように、前記条件（マイクロ波パワー，自己バイア
ス，反応圧力）いかんによっては基板上にＤＬＣ膜を生
成できず、重合膜やグラファイト膜が生成する場合があ
った。
ス，反応圧力）いかんによっては基板上にＤＬＣ膜を生
成できず、重合膜やグラファイト膜が生成する場合があ
った。
この発明の目的は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用い、安
定してＤＬＣ膜等の硬質カーボン膜を製造する技術を提
供することにある。
定してＤＬＣ膜等の硬質カーボン膜を製造する技術を提
供することにある。
この発明に係る硬質カーボン膜製造方法は、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法を用いて硬質カーボン膜を製造する方法で
あって、プラズマ室に導入するマイクロ波のパワーを２
００Ｗ以下にし、基板に発生する自己バイアスが−３０
０Ｖ以上−１００Ｖ以下になるよう高周波電圧を基板に
印加し、試料室内の反応圧力を８×１０−４Ｔｏｒｒ以
上にしたものである。
ズマＣＶＤ法を用いて硬質カーボン膜を製造する方法で
あって、プラズマ室に導入するマイクロ波のパワーを２
００Ｗ以下にし、基板に発生する自己バイアスが−３０
０Ｖ以上−１００Ｖ以下になるよう高周波電圧を基板に
印加し、試料室内の反応圧力を８×１０−４Ｔｏｒｒ以
上にしたものである。
この発明に係る硬質カーボン膜製造方法では、電子サイ
クロトロン共鳴によるプラズマがプラズマ室内に発生
し、このプラズマ流が基板上に照射される。
クロトロン共鳴によるプラズマがプラズマ室内に発生
し、このプラズマ流が基板上に照射される。
このとき、マイクロ波のパワーを２００Ｗ以下とし、反
応圧力を８×１０−４Ｔｏｒｒ以上とするので、たとえ
ば反応ガスとして炭化水素系のガスを用いた場合に、こ
の炭化水素系ガスの過剰分解によるＨラジカルの大量発
生が防止される。
応圧力を８×１０−４Ｔｏｒｒ以上とするので、たとえ
ば反応ガスとして炭化水素系のガスを用いた場合に、こ
の炭化水素系ガスの過剰分解によるＨラジカルの大量発
生が防止される。
また、基板に発生する自己バイアスを−３００Ｖ以上−
１００Ｖ以下になるように高周波電圧を印加するので、
膜のグラファイト化が防止される。
１００Ｖ以下になるように高周波電圧を印加するので、
膜のグラファイト化が防止される。
まず、本発明が適用されるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に
ついて図を用いて説明する。図面に示すものは、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の断面構成図である。図において、
１は導入されるマイクロ波（周波数２．４５GHz ）に対
して空洞共振器となるように構成されたプラズマ室であ
る。プラズマ室１には、石英等で構成されたマイクロ波
導入窓２を介して、マイクロ波導入用の導波管３が接続
されている。またプラズマ室１の周囲には、プラズマ発
生用の磁気回路として電磁コイル４ａ，４ｂが配設され
ている。電磁コイル４ａ，４ｂによる磁界の強度は、マ
イクロ波による電子サイクロトロン共鳴の条件がプラズ
マ室１の内部で成立するように決定される。この電磁コ
イル４ａ，４ｂによって、下方に向けて発散する発散磁
界が形成される。
ついて図を用いて説明する。図面に示すものは、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の断面構成図である。図において、
１は導入されるマイクロ波（周波数２．４５GHz ）に対
して空洞共振器となるように構成されたプラズマ室であ
る。プラズマ室１には、石英等で構成されたマイクロ波
導入窓２を介して、マイクロ波導入用の導波管３が接続
されている。またプラズマ室１の周囲には、プラズマ発
生用の磁気回路として電磁コイル４ａ，４ｂが配設され
ている。電磁コイル４ａ，４ｂによる磁界の強度は、マ
イクロ波による電子サイクロトロン共鳴の条件がプラズ
マ室１の内部で成立するように決定される。この電磁コ
イル４ａ，４ｂによって、下方に向けて発散する発散磁
界が形成される。
プラズマ室１の下方には、試料室５が設けられている。
試料室５の上部には、反応ガスとして炭化水素系のガ
ス、たとえばメタンガス（ＣＨ４）を導入するための円
環状のガス導入管６が設けられている。ガス導入管６に
は複数の孔（図示せず）が形成されており、外部から導
入された反応ガスがこれら複数の孔から噴出するように
なっている。ガス導入管６の下方には、プラズマ室１か
ら引き出されたプラズマ流Ｍが照射される基板７がホル
ダー８に保持されている。基板ホルダー８には支軸９が
取り付けられている。この支軸９は、装置外部に設けら
れた移動機構１２より昇降可能となっている。また基板
ホルダー８には、移動機構１０を介して高周波電源（た
とえば周波数１３．５６MHz ）１１が接続されており、
これにより基板７に対して所定の高周波電圧が印加され
るようになっている。このため、高周波電源１１として
は、電圧を変えられるものを用いる。
試料室５の上部には、反応ガスとして炭化水素系のガ
ス、たとえばメタンガス（ＣＨ４）を導入するための円
環状のガス導入管６が設けられている。ガス導入管６に
は複数の孔（図示せず）が形成されており、外部から導
入された反応ガスがこれら複数の孔から噴出するように
なっている。ガス導入管６の下方には、プラズマ室１か
ら引き出されたプラズマ流Ｍが照射される基板７がホル
ダー８に保持されている。基板ホルダー８には支軸９が
取り付けられている。この支軸９は、装置外部に設けら
れた移動機構１２より昇降可能となっている。また基板
ホルダー８には、移動機構１０を介して高周波電源（た
とえば周波数１３．５６MHz ）１１が接続されており、
これにより基板７に対して所定の高周波電圧が印加され
るようになっている。このため、高周波電源１１として
は、電圧を変えられるものを用いる。
なお、基板ホルダー８には、冷却水が循環するジャケッ
ト（図示せず）が装着されている。また、ガス導入管６
と基板ホルダー８との間には、図示しないシャッタが設
けられており、プラズマ流Ｍの基板７への照射を制限で
きるようになっている。
ト（図示せず）が装着されている。また、ガス導入管６
と基板ホルダー８との間には、図示しないシャッタが設
けられており、プラズマ流Ｍの基板７への照射を制限で
きるようになっている。
試料室５の下部には排気孔５ａが形成されており、この
排気孔５ａは図示しない排気系に接続されている。また
試料室５内の真空圧及び反応圧力は、図示しない真空計
により計測されるようになっている。
排気孔５ａは図示しない排気系に接続されている。また
試料室５内の真空圧及び反応圧力は、図示しない真空計
により計測されるようになっている。
次に、本装置の作用を説明しながら、硬質カーボン膜、
特にＤＬＣ膜の製造方法について説明する。
特にＤＬＣ膜の製造方法について説明する。
まず、図示しない排気系により、プラズマ室１及び試料
室５を真空状態にする。次に、ガス導入管６から試料室
５内に反応ガス（ＣＨ４）を導入する。そして、プラズ
マ室１の周囲に設けられた電磁コイル４ａ，４ｂに通電
して、プラズマ室１内の磁束密度が８７５ガウスになる
ようにする。次に導波管３を介して周波数２．４５GHz
のマイクロ波をプラズマ室１に導入する。このマイクロ
波のパワーは２００Ｗ以下になるようにする。
室５を真空状態にする。次に、ガス導入管６から試料室
５内に反応ガス（ＣＨ４）を導入する。そして、プラズ
マ室１の周囲に設けられた電磁コイル４ａ，４ｂに通電
して、プラズマ室１内の磁束密度が８７５ガウスになる
ようにする。次に導波管３を介して周波数２．４５GHz
のマイクロ波をプラズマ室１に導入する。このマイクロ
波のパワーは２００Ｗ以下になるようにする。
このような条件により、プラズマ室１内においては、８
７５ガウスの磁場により回転する電子の周波数と、マイ
クロ波の周波数２．４５GHz とが一致し、電子サイクロ
トロン共鳴を起こす。したがって、電子はマイクロ波か
ら効率よくエネルギーを吸収し、低ガス圧にて高密度の
プラズマが発生する。このとき、マイクロ波のパワーを
２００Ｗ以下にしているので、反応ガスの過剰分解が抑
えられ、Ｈラジカルの大量発生が防止される。このプラ
ズマ室１内に発生したプラズマは、電磁コイル４ａ，４
ｂによって形成される発散磁界の磁力線に沿って引き出
される。このとき、図示しないシャッタを開くと、引き
出されたプラズマ流Ｍは試料室５内の基板７に照射され
る。
７５ガウスの磁場により回転する電子の周波数と、マイ
クロ波の周波数２．４５GHz とが一致し、電子サイクロ
トロン共鳴を起こす。したがって、電子はマイクロ波か
ら効率よくエネルギーを吸収し、低ガス圧にて高密度の
プラズマが発生する。このとき、マイクロ波のパワーを
２００Ｗ以下にしているので、反応ガスの過剰分解が抑
えられ、Ｈラジカルの大量発生が防止される。このプラ
ズマ室１内に発生したプラズマは、電磁コイル４ａ，４
ｂによって形成される発散磁界の磁力線に沿って引き出
される。このとき、図示しないシャッタを開くと、引き
出されたプラズマ流Ｍは試料室５内の基板７に照射され
る。
このとき、基板７には、移動機構１０を介して高周波電
圧が印加されているので、周期的に正，負の電位がかか
る。一方、プラズマ中では電界によるイオンの移動度は
電子に比べて遅い。したがって、この高周波電圧印加中
の電位の振れに対して、電子は追随するが、イオンは追
随できない。このため、基板７に電子が多く照射される
ことになって、基板に負の自己バイアスが発生する。こ
の基板７に発生する負の自己バイアスについては、−３
００Ｖ以上−１００Ｖ以下になるように、高周波電力を
調整する。この基板７に発生した負の自己バイアスによ
って、プラズマ中の正イオンが引き込まれ、基板７上に
膜生成が行われる。また、自己バイアスを前記範囲にし
たことにより、膜表面と膜中での反応が促進されるとと
もに、基板上に生成される膜のグラファイト化が防止さ
れる。
圧が印加されているので、周期的に正，負の電位がかか
る。一方、プラズマ中では電界によるイオンの移動度は
電子に比べて遅い。したがって、この高周波電圧印加中
の電位の振れに対して、電子は追随するが、イオンは追
随できない。このため、基板７に電子が多く照射される
ことになって、基板に負の自己バイアスが発生する。こ
の基板７に発生する負の自己バイアスについては、−３
００Ｖ以上−１００Ｖ以下になるように、高周波電力を
調整する。この基板７に発生した負の自己バイアスによ
って、プラズマ中の正イオンが引き込まれ、基板７上に
膜生成が行われる。また、自己バイアスを前記範囲にし
たことにより、膜表面と膜中での反応が促進されるとと
もに、基板上に生成される膜のグラファイト化が防止さ
れる。
また成膜中においては、試料室内の反応圧力が８×１０
−４Ｔｏｒｒ以上に維持されるように反応ガスを導入す
る。したがって、反応ガスの過剰分解が抑制され、Ｈラ
ジカルの大量発生が防止される。
−４Ｔｏｒｒ以上に維持されるように反応ガスを導入す
る。したがって、反応ガスの過剰分解が抑制され、Ｈラ
ジカルの大量発生が防止される。
なお、成膜中は、移動機構１０により基板ホルダー８を
昇降させることによって、基板７上の膜厚分布が良好な
ものになるようにする。
昇降させることによって、基板７上の膜厚分布が良好な
ものになるようにする。
実施例１ 前記装置を用いて、メタンガスを２０ｓｃｃｍ（standa
rd cubic per minutes）の流量で供給し、マイクロ波の
パワーを１５０Ｗ、基板に発生する自己バイアスを−２
００Ｖ、反応圧力を２×１０−３Ｔｏｒｒとした。ま
た、基板として、直径４インチのシリコンウエハを用い
た。
rd cubic per minutes）の流量で供給し、マイクロ波の
パワーを１５０Ｗ、基板に発生する自己バイアスを−２
００Ｖ、反応圧力を２×１０−３Ｔｏｒｒとした。ま
た、基板として、直径４インチのシリコンウエハを用い
た。
５０分後、基板全面に厚さ約１μｍの膜が堆積した。膜
の硬度は、Ｈｋ（ヌープ高度）≒１５００Kg／mm2、屈
折率は２．１８、Ｈ／Ｃの原子数比は約０．２５であっ
た。その他ＩＲ（赤外吸収）の測定からＤＬＣ膜（硬質
カーボン膜）であると判断した。
の硬度は、Ｈｋ（ヌープ高度）≒１５００Kg／mm2、屈
折率は２．１８、Ｈ／Ｃの原子数比は約０．２５であっ
た。その他ＩＲ（赤外吸収）の測定からＤＬＣ膜（硬質
カーボン膜）であると判断した。
実施例２ 前記実施例１の装置を用いて、メタンガスを８０ｓｃｃ
ｍの流量で供給し、マイクロ波のパワーを１５０Ｗ、基
板の自己バイアスを−２００Ｖ、反応圧力を６×１０
−３Ｔｏｒｒとした。また前記実施例１と同様に直径４
インチのシリコンウエハを基板として用いた。
ｍの流量で供給し、マイクロ波のパワーを１５０Ｗ、基
板の自己バイアスを−２００Ｖ、反応圧力を６×１０
−３Ｔｏｒｒとした。また前記実施例１と同様に直径４
インチのシリコンウエハを基板として用いた。
約１時間後、基板全面に約０．５μｍの膜が堆積した。
膜の硬度は、Ｈｋ≒２０００Kg／mm2、屈折率は２．
１、Ｈ／Ｃの原子数比は約０．２であった。これらの結
果及びＩＲ（赤外吸収）の測定から、ＤＬＣ膜であると
判断した。
膜の硬度は、Ｈｋ≒２０００Kg／mm2、屈折率は２．
１、Ｈ／Ｃの原子数比は約０．２であった。これらの結
果及びＩＲ（赤外吸収）の測定から、ＤＬＣ膜であると
判断した。
次に、前記実施例１，２と同様の装置を用いて、以下の
比較実験を行った。
比較実験を行った。
比較例１ マイクロ波のパワーを５００Ｗ、基板の自己バイアスを
−２００Ｖ、反応圧力を２×１０−３Ｔｏｒｒとした。
このとき生成した膜の硬度は、（株）島津製作所製 微
小硬度計ＤＵＨ−５０を用いて測定したところ、ＤＨ≒
６４６であった。これらの結果及びヤスリによる傷の有
無等により、生成された膜はＤＬＣ膜でないと判断し
た。
−２００Ｖ、反応圧力を２×１０−３Ｔｏｒｒとした。
このとき生成した膜の硬度は、（株）島津製作所製 微
小硬度計ＤＵＨ−５０を用いて測定したところ、ＤＨ≒
６４６であった。これらの結果及びヤスリによる傷の有
無等により、生成された膜はＤＬＣ膜でないと判断し
た。
比較例２ マイクロ波のパワーを５００Ｗ、基板の自己バイアスを
０Ｖ、反応圧力を２×１０−４Ｔｏｒｒにしたところ、
前記比較例１の硬度計による測定値は、ＤＨ≒１００で
あり、アルミ膜程度の硬さのものしか得られなかった。
０Ｖ、反応圧力を２×１０−４Ｔｏｒｒにしたところ、
前記比較例１の硬度計による測定値は、ＤＨ≒１００で
あり、アルミ膜程度の硬さのものしか得られなかった。
比較例３ マイクロ波パワーを２５０Ｗ、基板の自己バイアスを−
３００Ｖ、反応圧力を１×１０−３Ｔｏｒｒにしたとこ
ろ、ＤＨ≒６３０となった。これらの結果及びヤスリに
よる傷の有無等により、生成された膜はＤＬＣ膜ではな
いと判断した。
３００Ｖ、反応圧力を１×１０−３Ｔｏｒｒにしたとこ
ろ、ＤＨ≒６３０となった。これらの結果及びヤスリに
よる傷の有無等により、生成された膜はＤＬＣ膜ではな
いと判断した。
このような本実施例では、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を
用い、マイクロ波のパワー、基板の自己バイアス，及び
試料室の反応圧力を所定の条件下にしてＤＬＣ膜の製造
するようにしたので、メタンガスが分解されすぎること
によるＨラジカルの大量発生が抑えられ、この結果、膜
中にＨラジカルが大量に入り込んで膜が柔らかくなると
いうことが防止できる。また膜がグラファイト化するこ
ともない。したがって、安定してＤＬＣ膜を製造するこ
とができる。
用い、マイクロ波のパワー、基板の自己バイアス，及び
試料室の反応圧力を所定の条件下にしてＤＬＣ膜の製造
するようにしたので、メタンガスが分解されすぎること
によるＨラジカルの大量発生が抑えられ、この結果、膜
中にＨラジカルが大量に入り込んで膜が柔らかくなると
いうことが防止できる。また膜がグラファイト化するこ
ともない。したがって、安定してＤＬＣ膜を製造するこ
とができる。
また、基板ホルダーを昇降可能にしたので、基板上の膜
厚分布を良好なものにすることができる。
厚分布を良好なものにすることができる。
(a) 前記実施例では、ガス導入管６を試料室５内に設
け、反応ガスを試料室５側に導入するようにしたが、こ
れはプラズマ室１側に導入するようにしてもよい。ま
た、高周波電源１１の周波数は１３．５６MHzに限定さ
れるものではない。
け、反応ガスを試料室５側に導入するようにしたが、こ
れはプラズマ室１側に導入するようにしてもよい。ま
た、高周波電源１１の周波数は１３．５６MHzに限定さ
れるものではない。
(b) 反応ガスとしては、メタンガスに限定されるもの
ではなく、硬質カーボン膜を生成することのできるもの
であれば他の炭化水素系ガスであってもよい。
ではなく、硬質カーボン膜を生成することのできるもの
であれば他の炭化水素系ガスであってもよい。
〔発明の効果〕 この発明に係る硬質カーボン膜製造方法によれば、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、マイクロ波のパワー，
基板の自己バイアス，及び試料室の反応圧力を所定の条
件下にして硬質カーボン膜を生成するようにしたので、
安定して硬質カーボン膜を生成することができる。
ＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、マイクロ波のパワー，
基板の自己バイアス，及び試料室の反応圧力を所定の条
件下にして硬質カーボン膜を生成するようにしたので、
安定して硬質カーボン膜を生成することができる。
【図面の簡単な説明】 図面は本発明が適用される硬質カーボン膜製造装置の断
面構成図である。 １……プラズマ室、３……導波管、４ａ，４ｂ……電磁
コイル、５……試料室、６……反応ガス導入管、７……
基板、８……基板ホルダー、１０……移動機構、１１…
…高周波電源。
面構成図である。 １……プラズマ室、３……導波管、４ａ，４ｂ……電磁
コイル、５……試料室、６……反応ガス導入管、７……
基板、８……基板ホルダー、１０……移動機構、１１…
…高周波電源。
Claims (1)
- 【請求項１】プラズマ室内部にマイクロ波を導入して電
子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるとと
もに、試料室内に配置された基板に所定の高周波電圧を
印加し、前記プラズマ中のイオンを前記基板に照射して
該基板上に硬質カーボン膜を形成するようにした硬質カ
ーボン膜製造方法であって、前記マイクロ波のパワーを
２００Ｗ以下にし、前記基板に発生する自己バイアスが
−３００Ｖ以上−１００Ｖ以下になるよう前記高周波電
圧を印加し、前記試料室内の反応圧力を８×１０-4Ｔｏ
ｒｒ以上にした硬質カーボン膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043915A JPH0645877B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 硬質カーボン膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043915A JPH0645877B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 硬質カーボン膜製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225671A JPH02225671A (ja) | 1990-09-07 |
| JPH0645877B2 true JPH0645877B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=12677013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1043915A Expired - Fee Related JPH0645877B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 硬質カーボン膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645877B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427827A (en) * | 1991-03-29 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamond-like films by ECR microwave plasma |
| US6447851B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-09-10 | The University Of Chicago | Field emission from bias-grown diamond thin films in a microwave plasma |
| JP4531193B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2010-08-25 | 株式会社アルバック | スロットアンテナを用いたカーボンナノチューブ薄膜形成ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置及び該薄膜の形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215596A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 |
| JPS63241182A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜形成装置 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1043915A patent/JPH0645877B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH02225671A (ja) | 1990-09-07 |
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